「Czochralski method crystal」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD FOR MEASURING NITROGEN CONCENTRATION IN SILICON SINGLE CRYSTAL GROWN BY CZOCHRALSKI METHOD例文帳に追加

チョクラルスキー法育成シリコン単結晶中の窒素濃度の測定方法 - 特許庁

The single crystal is grown by the Czochralski method or the Bridgman method.例文帳に追加

前記単結晶はチョクラルスキー法やブリッジマン法により成長される。 - 特許庁

To provide a method for producing a dislocation-free single-crystal silicon by the Czochralski method.例文帳に追加

チョクラルスキー法による無転位単結晶シリコンの製造方法を提供する。 - 特許庁

CONTROL METHOD FOR MANUFACTURING PROCESS OF SILICON SINGLE CRYSTAL BY CZOCHRALSKI METHOD, MANUFACTURING METHOD FOR HIGH RESISTANCE-SILICON SINGLE CRYSTAL BY CZOCHRALSKI METHOD, AND SILICON SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

チョクラルスキー法によるシリコン単結晶製造工程の管理方法及びチョクラルスキー法による高抵抗シリコン単結晶の製造方法並びにシリコン単結晶 - 特許庁

To easily produce a high quality single crystal by using a liquid sealed Czochralski method.例文帳に追加

液体封止チョクラルスキー法を用いて、高品質な単結晶を容易に得る。 - 特許庁

CZOCHRALSKI APPARATUS FOR GROWING CRYSTAL AND PURIFICATION METHOD OF WASTE SALT USING THE SAME例文帳に追加

チョクラルスキー結晶成長装置およびこれを利用した塩廃棄物の精製方法 - 特許庁

To enable the high-speed growth of a silicon single crystal by Czochralski method and also to improve its yield in the high-speed growth thereof.例文帳に追加

チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の高速育成を可能にする。 - 特許庁

In the apparatus 1 for manufacturing the silicon single crystal, the single crystal 12 is manufactured by a Czochralski method while rotating a crucible 4 and the single crystal 12 in the same direction.例文帳に追加

製造装置１は坩堝４と単結晶１２とを同じ向きに回転させつつチョクラルスキ法により単結晶１２を製造する。 - 特許庁

This silicon seed crystal is the one used when the silicon single crystal is produced by the Czochralski method, and is characterized by an oxide film having ≥5 nm thickness, formed on the surface of the seed crystal.例文帳に追加

特に、ダッシュネッキング（種絞り）を行うことなく単結晶を引上育成する方法において、無転位化率を顕著に向上させる。 - 特許庁

METHOD OF SETTING CONDITIONS FOR PULLING UP SILICON SINGLE CRYSTAL BY CZOCHRALSKI PROCESS, AND DEVICE FOR PULLING UP SINGLE CRYSTAL SILICON EQUIPPED WITH THE METHOD OF THE CZOCHRALSKI PROCESS例文帳に追加

チョクラルスキー法による単結晶シリコンの引上げ条件の設定方法及び該引上げ条件の設定方法を備えるチョクラルスキー法による単結晶シリコンの引上げ装置 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL USING CZOCHRALSKI METHOD, AND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL INGOT AND WAFER PRODUCED BY THE METHOD例文帳に追加

チョクラルスキー法を用いた半導体単結晶製造方法、この方法により製造された半導体単結晶インゴット及びウエハー - 特許庁

To provide a method and an apparatus capable of pulling up a single crystal having a stable diameter in manufacturing a compound semiconductor crystal by the LEC (LIQUID ENCAPSULATED CZOCHRALSKI) method.例文帳に追加

ＬＥＣ法によって化合物半導体結晶を製造するに際し，安定した直径の単結晶を引き上げるようにする。 - 特許庁

The raw material 1 for production is directly heat-melted and crystal is grown according to Czochralski method, etc., to enable production of GaAs crystal.例文帳に追加

この製造用原料１は，そのまま加熱溶融し，チョクラルスキー法などによってＧａＡｓ結晶を製造することができる。 - 特許庁

A single crystal made from silicon is formed by Czochralski method and treated to fabricate a semiconductor wafer.例文帳に追加

シリコンから成る単結晶をチョクラルスキー法により引き出し、処理を施して半導体ウェハを形成する。 - 特許庁

SILICON WAFER HAVING CONTROLLED DEFECT DISTRIBUTION, ITS MANUFACTURING METHOD AND CZOCHRALSKI PULLER FOR MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL SILICON INGOT例文帳に追加

制御された欠陥分布をもつシリコンウェーハ、その製造方法及び単結晶シリコンインゴットを製造するためのチョクラルスキープーラ - 特許庁

Or, indium oxide and/or phosphorus oxide is added to B2O3 as a sealing agent and the InP single crystal is grown by the liquid encapsulating Czochralski method.例文帳に追加

または、封止剤であるＢ_2Ｏ_3に酸化インジウムおよび／または酸化リンを添加し、液体封止チョクラルスキー法でＩｎＰ単結晶を育成する。 - 特許庁

A high purity silicon single crystal can be grown by melting the purification source material and pulling again by the Czochralski method.例文帳に追加

前記精製原料を溶融して、再度チョクラルスキー法による引き上げを行い、高純度のシリコン単結晶を育成できる。 - 特許庁

To manufacture a high quality single crystal with high productivity in a Czochralski method applying a magnetic field.例文帳に追加

磁場を印加するチョクラルスキー法において、高品質の単結晶を生産性良く製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a graphite crucible which is used for producing a silicon single crystal by a Czochralski method and has long service life.例文帳に追加

チョクラルスキー法によるシリコン単結晶製造のための黒鉛ルツボであって、使用寿命の長い黒鉛ルツボを提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a single crystal by immersing a seed crystal in a melt and pulling and growing the single crystal without causing necking in the production of a semiconductor single crystal by a Czochralski method.例文帳に追加

チョクラルスキー法による半導体単結晶の製造において、種結晶を融液に浸漬した後、ネッキングすることなく単結晶の引き上げ育成を可能とする。 - 特許庁

To provide a method for producing a silicon single crystal, by which an N-type highly doped single crystal can be stably produced without causing abnormal growth in crystal when the silicon single crystal is grown by a Czochralski method.例文帳に追加

チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を育成するに際して、結晶中に異常成長を生じさせずに、安定してＮ型高ドープの単結晶を製造することのできるシリコン単結晶の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the method for producing the forsterite single crystal by a Czochralski method, a single crystal is pulled by using a forsterite single crystal in an orientation within ±5° with respect to b-axis as a seed crystal.例文帳に追加

チョクラルスキー法によるフォルステライト単結晶の製造方法において、ｂ軸に対して±５°以内の方位のフォルステライト単結晶を種結晶として用いて、単結晶引上げを行う。 - 特許庁

To provide a method for producing a single crystal by the Czochralski method, by which a single crystal free of crystal defects such as COP (crystal-originated particle: hollow type defects) or dislocation clusters can be produced efficiently in a high yield.例文帳に追加

ＣＯＰ（空洞型欠陥）や転位クラスターなどの結晶欠陥が存在しない単結晶を、効率よく、高い歩留りで製造することができる、チョクラルスキー法による単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a langasite-type crystal, by which a columnar crystal is obtained by a Czochralski method and by which a crystal small in processing loss when substrates are cut out from the crystal can be obtained.例文帳に追加

チョクラルスキー法を用いて円柱状の結晶が得られ、またこの結晶から基板を切り出した際、加工ロスの少ない結晶が得られるランガサイト型結晶の作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a sapphire single crystal for stably growing a single crystal and obtaining a crystal quality with superior uniformity in the production of a sapphire single crystal by Czochralski method.例文帳に追加

チョクラルスキー法によるサファイア単結晶の製造において、単結晶を安定的に成長させ、均一性にすぐれた結晶品質が得られるサファイア単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a defect analysis method of a silicon single crystal, by which distribution of crystal defects in a silicon single crystal can be easily analyzed even in pulling a silicon single crystal by MCZ (Magnetic Czochralski) method in which a magnetic field is applied in a horizontal direction.例文帳に追加

水平方向に磁場を印加するＭＣＺ法によるシリコン単結晶の引上げにおいても、シリコン単結晶の結晶欠陥の分布を容易に解析することが可能なシリコン単結晶の欠陥解析方法を提供する。 - 特許庁

To provide a charging method for single crystal raw material where an additional charge of a semiconductor single crystal rod is performed in a short time, without contaminating a device, without causing breakage of a seed crystal, and without generating dislocation of a crystal, using a Czochralski(CZ) method.例文帳に追加

ＣＺ法において、装置を汚染することなく、短時間でかつ、種結晶の折損、結晶の有転位化をを引き起こすことなく半導体単結晶棒の追加チャージを行う方法を提供する。 - 特許庁

A silicon single crystal 4 in the crystal orientation [110] is grown by Czochralski method by disposing a cooling body 6 surrounding the periphery of a silicon single crystal 4 under growing while forcibly cooling the silicon single crystal 4.例文帳に追加

チョクラルスキー法により、育成中のシリコン単結晶４の周囲を囲繞するように冷却体６を設けてシリコン単結晶４を強制的に冷却しながら、結晶方位［１１０］のシリコン単結晶４を育成する。 - 特許庁

To provide an apparatus for producing silicon single crystal, capable of increasing a cooling effect on single crystal and raising a pulling velocity while pulling single crystal, having high productivity and safety in the production of silicon single crystal by a Czochralski method.例文帳に追加

チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造において、その引き上げ中に、単結晶の冷却効果を高め、引き上げ速度を向上させる、生産性および安全性に優れるシリコン単結晶製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an oxide single crystal in a high yield, hardly causing a crack in a method producing an oxide single crystal having a Ca3Ga2Ge4O14 crystal structure by a Czochralski method.例文帳に追加

チョクラルスキー法によるＣａ_3 Ｇａ_2 Ｇｅ_4 Ｏ_14結晶構造を有する酸化物単結晶の製造方法において、割れが発生しにくく、歩留まりのよい酸化物単結晶を得るための製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for manufacturing a silicon single crystal ingot, by which the silicon single crystal ingot having few pinholes can be manufactured stably when the silicon single crystal ingot is manufactured by a Czochralski method.例文帳に追加

チョクラルスキー法によりシリコン単結晶インゴットを製造する場合に、ピンホールの少ないシリコン単結晶インゴットを安定して製造する方法及び製造装置を提供する。 - 特許庁

In the method for producing the Ga-doped silicon single crystal by a Czochralski method, the Ga-doped silicon single crystal is produced by growing the single crystal by adding a Ga-compound being solid at the ordinary temperature.例文帳に追加

チョクラルスキー法によりＧａ（ガリウム）がドープされたシリコン単結晶を製造する方法において、常温で固体であるＧａ化合物を添加して単結晶の成長を行うＧａドープシリコン単結晶の製造方法。 - 特許庁

In a method for preparing the LiRbB_6O_10 crystal through the Czochralski method, the LiRbB_6O_10 crystal is obtained by growing and cooling the crystal in an atmosphere wherein the relative humidity is ≤5%.例文帳に追加

チョクラルスキー法によるＬｉＲｂＢ_６Ｏ_１０結晶の製造において、相対湿度が５％以下の雰囲気で結晶の育成及び冷却を行うことによって、ＬｉＲｂＢ_６Ｏ_１０結晶を得る。 - 特許庁

To provide a method for efficiently and surely designing conditions for pulling under which the solidification arising except on the growth interface of a grown single crystal hardly occurs during pulling of the single crystal in manufacturing the single crystal by a Czochralski (Cz) method.例文帳に追加

チョクラルスキー法で単結晶を製造する際に、単結晶引き上げ中に育成単結晶の成長界面以外で発生する固化が発生しにくい引き上げ条件を、効率的かつ確実に設計する方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a method for growing an undislocated, large-diameter and high-weight silicon single crystal without causing the single crystal to fall into a molten liquid in the growing of the silicon single crystal by the Czochralski method.例文帳に追加

チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を育成するにあたり、単結晶が融液に落下することなく、無転位の大口径、高重量のシリコン単結晶の育成方法を得る。 - 特許庁

The method of manufacturing the Si single crystal comprises segregating the metal impurities in an Si single crystal ingot pulled by a Czochralski method in the outer peripheral part, and then the outer peripheral part of the Si single crystal ingot is removed by grinding.例文帳に追加

チョクラルスキー法により引き上げられたＳｉ単結晶インゴット中の金属不純物を外周部に偏析させた後、Ｓｉ単結晶インゴットの外周部を研削して除去する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high quality silicon single crystal by which a silicon single crystal, in particular a silicon single crystal for silicon wafers each having a diameter of 450 mm is grown without being broken during growth by a Czochralski method.例文帳に追加

チョクラルスキー法により、特に直径４５０ｍｍシリコンウェーハ用のシリコン単結晶を、育成中に破裂することなく育成できる、高品質シリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for stopping rotation of a crystal, by which rotation of a grown crystal can be safely stopped while preventing wire cut or breakage of a wire rope in the production of a single crystal by Czochralski method.例文帳に追加

チョクラルスキー法による単結晶の製造において、ワイヤーロープの素線切れや破断の発生を防止しつつ、育成した結晶の回転を安全に停止することができる結晶回転停止方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for correcting speed deviations between an actual pull speed and a nominal pull speed during crystal growth in the production of a single crystal silicon by Czochralski process, and to provide a mechanism of pulling a crystal for the method.例文帳に追加

チョクラルスキー法による単結晶シリコンの製造において、育成中の実際の引き上げ速度と名目の引き上げ速度との間の速度偏差を補正する方法およびそのための結晶引き上げ機構を提供する。 - 特許庁

To provide a method for pulling a silicon single crystal accurately controllable of a growth rate of a silicon single crystal as well as controllable of a gap upon pulling a silicon single crystal by CZ (Czochralski) method.例文帳に追加

ＣＺ法によりシリコン単結晶を引上げる際に、ギャップの制御とともにシリコン単結晶の育成速度をより高精度に制御し得るシリコン単結晶の引上げ方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a compound semiconductor single crystal preventing an adhesive residue of a liquid sealant at a crystal diameter increasing part and the occurrence of cracks of the crystal in a liquid encapsulated Czochralski (LEC) method.例文帳に追加

液体封止引き上げ法（ＬＥＣ法)において、結晶増径部への液体封止剤の付着残留を防止し、結晶のクラック発生を防ぐ化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for producing an oxide single crystal having a Ca3Ga2Ge4O14-type crystal structure by the Czochralski method, the crystal is grown while controlling the temperature gradient in the radial direction of the liquid surface of a molten raw material to be ≥20°C/cm.例文帳に追加

ＣＺ法によるＣａ_3Ｇａ_2Ｇｅ_4Ｏ_14型結晶構造を有する酸化物単結晶の製造方法において、原料融液面の径方向の温度勾配を２０℃／ｃｍ以上として結晶育成する。 - 特許庁

To provide an apparatus for producing crystal for controlling a liquid level of melt at a constant rate while keeping the diameter controllability of the crystal in the production of the crystal by a Czochralski method, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

チョクラルスキー法による結晶体の製造において、結晶体の直径制御性を維持しつつ、メルトの液位を一定に制御するための結晶体の製造装置および製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a single crystal pulling apparatus in which pulling of a single crystal can be suitably restarted even in the case that upward stress acts on an inner crucible when the single crystal is manufactured by a Czochralski method.例文帳に追加

チョクラルスキー法により単結晶を製造する際に内坩堝に上方向の応力が作用した場合であっても好適に単結晶の引上げを再開することができる単結晶引上げ装置を提供する。 - 特許庁

When a silicon single crystal is pulled up under a hydrogen partial pressure of less than 3 mbar by a Czochralski method, a cooled heat shield is arranged around the single crystal to cool the single crystal using the shield.例文帳に追加

シリコン単結晶体を、チョクラルスキー法により３ミリバール未満の水素部分圧で引き上げるとともに、このとき同時に冷却した熱シールドを単結晶体の周囲に配置し、該単結晶体を熱シールドを用いて冷却する。 - 特許庁