「Czochralski method crystal」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The method of manufacturing the single crystal is performed at least by melting a raw material containing an unnecessary part derived from a single crystal ingot pulled by the Czochralski method and having ≤0.1 Ωcm resistivity in a crucible and manufacturing the single crystal having ≤0.1 Ωcm resistivity again by the Czochralski method.例文帳に追加

単結晶の製造方法であって、少なくとも、チョクラルスキー法によって引上げられた抵抗率０．１Ωｃｍ以下の単結晶インゴットで派生する不要部分を含む原料をルツボで溶融し、再度チョクラルスキー法により抵抗率０．１Ωｃｍ以下の単結晶を製造する単結晶の製造方法。 - 特許庁

To provide a seed crystal for pulling up silicon single crystals which can prevent a slip from occurring in a diameter-reduced portion of the seed crystal in a method for pulling up silicon single crystals by Czochralski method (CZ method).例文帳に追加

チョクラルスキー法（ＣＺ法）によるシリコン単結晶の引上げ方法において、種結晶の縮径部にスリップが入ることを予防し得るシリコン単結晶引上げ用の種結晶を提供する。 - 特許庁

To provide a method for effectively suppressing adhesion of a black substance on the surface of a seed crystal in the production of a metal fluoride single crystal such as calcium fluoride by Czochralski method or Kyropoulos method.例文帳に追加

チョクラルスキー法やキロポーラス法によるフッ化カルシウムなどのフッ化金属単結晶体の製造において、種結晶体表面への黒色物質の付着を効果的に抑制する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for recycling raw material metal fluoride, which is not turned into single crystal and remains in a crucible, after completion of pulling of single crystals in a method for producing a metal fluoride single crystal based on the Czochralski method.例文帳に追加

チョクラルスキー法によるフッ化金属単結晶体の製造方法において、単結晶引き上げ完了後、単結晶体とされずに坩堝内に残存した原料フッ化金属のリサイクル方法を提供する。 - 特許庁

To manufacture an as-grown single crystal body of barium fluoride of ≥17 cm in diameter which is manufactured by a single crystal pulling-up method (Czochralski method) and has sufficiently small birefringence.例文帳に追加

単結晶引き上げ法（チョクラルスキー法）によって製造され、直径が１７ｃｍ以上のフッ化バリウムのアズグロウン単結晶体において、複屈折が十分に小さいものを製造すること。 - 特許庁

To provide the as-grown single crystal of calcium fluoride having a large diameter and small birefringence manufactured by a single crystal pulling method (Czochralski method).例文帳に追加

本発明は、大径で複屈折が小さな、単結晶引き上げ法（チョクラルスキー法）によって製造されたフッ化カルシウムのアズグロウン単結晶体を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a method for growing a silicon single crystal ingot by a Czochralski method, by which a high quality silicon single crystal ingot can be produced with high productivity.例文帳に追加

高品質のシリコン単結晶インゴットを高生産性で製造することが可能な、チョクラルスキ法によるシリコン単結晶インゴット成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a recharging tube improving the productivity of a single crystal by preventing breakage of the tube in production of the single crystal by the Czochralski method, and to provide a recharging method using the same.例文帳に追加

チョクラルスキー法による単結晶製造装置において、リチャージ管の破損を防止し、よって単結晶の生産性を向上させることを可能とするリチャージ管およびこれを用いたリチャージ方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a semiconductor single crystal, by which crushing of a solid raw material in a raw material supply container is reduced in the production of a semiconductor single crystal by Czochralski method.例文帳に追加

チョクラルスキー法による半導体単結晶の製造において、原料供給容器内での固形原料の破砕の発生を低減させた半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method by which a long single crystal free of dislocations can be grown in a method for growing a silicon single crystal using a continuous charge CZ process (Czochralski process).例文帳に追加

連続チャージＣＺ法（チョクラルスキー法）を用いたシリコン単結晶の育成方法において、転位のない長尺の単結晶を育成することができる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a compound semiconductor single crystal by regulating a solid-liquid boundary shape in such a manner that the compound semiconductor single crystal can be obtained with good reproducibility by an LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) method.例文帳に追加

ＬＥＣ法にて再現性良く化合物半導体単結晶を得ることができるように固液界面形状を規定する化合物半導体単結晶の成長方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for producing a single crystal, which is based on a Czochralski method and by which an oxide single crystal having uniform characteristics and an arbitrary length can be grown in high reproductibility.例文帳に追加

チョクラルスキー法による酸化物単結晶の製造方法において、酸化物単結晶の特性の均一性及び育成の再現性が高く、かつ任意の長さの結晶育成を可能にする単結晶製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of raising silicon single crystal in which a rate of variability of a neck diameter is controlled within a predetermined range, and translocation in the neck can be eliminated at an early stage in cultivation of silicon single crystal by a Czochralski method.例文帳に追加

チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の育成において、ネック径の変動率を所定の範囲内に抑制し、ネックにおける転位を早期に排除することができるシリコン単結晶の引上方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon single crystal to manufacture a p-type silicon single crystal by the Czochralski method and from which a wafer having high specific resistance, favorable in the uniformity of the specific resistance within a surface and small in the fluctuation of the specific resistance can be obtained.例文帳に追加

比抵抗が高く、比抵抗の面内均一性が良く、比抵抗のバラツキが小さいウエハを取得可能なｐ型シリコン単結晶をチョクラルスキー法により製造するシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a compound single crystal through an LEC (liquid encapsulated Czochralski) method, whereby a solid-liquid interface can be controlled to be convexly curved toward a melt, even when growing a large-diameter single crystal.例文帳に追加

大口径の単結晶を育成する際にも、固液界面形状を融液側に凸面に制御可能としたＬＥＣ法による化合物単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To stabilize the distribution of carrier concentration in the growing direction of an ingot when a single crystal is grown by a Czochralski method and to provide a group III-V compound semiconductor single crystal in which the carrier concentration is controlled and a method of producing the same.例文帳に追加

チョクラルスキー法による単結晶成長で、インゴットの成長方向のキャリア濃度分布を安定化させ、キャリア濃度の制御がなされたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体単結晶および製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a silicon single crystal, by which the occurrence of dislocations in a tail part is suppressed and the yield and productivity is improved when a silicon single crystal having a diameter of 450 mm is grown by a Czochralski method.例文帳に追加

ＣＺ法により直径４５０ｍｍのシリコン単結晶を育成するに際し、テイル部での有転位化の発生を抑制し、歩留りおよび生産性を向上させることができるシリコン単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a single crystal, by which the control of the diameter of the single crystal and the ratio V/G can be stably performed, and the single crystal having a predetermined crystal diameter and a desired defect area can be easily manufactured at a high yield when the single crystal is grown by a Czochralski (CZ) method.例文帳に追加

ＣＺ法により単結晶を育成する際に、単結晶の直径制御とＶ／Ｇの制御とを安定して行うことができ、所定の結晶直径と所望の欠陥領域を有する単結晶を簡便にかつ高歩留まりで製造することのできる単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an oxide single crystal by which anisotropic growth which occurs in the crystal is suppressed and a high quality oxide single crystal free from formation of cracks during growth and cooling can be obtained when the oxide single crystal having Ca3Ga2Ge4O14-type crystal structure is grown by the Czochralski method.例文帳に追加

ＣＺ法（チョクラルスキー法）により、Ｃａ_3Ｇａ_2Ｇｅ_4Ｏ_14型結晶構造を有する酸化物単結晶を育成する際に、結晶に発生する異方位成長を抑制することにより、育成後の冷却時にも割れが発生しない、高品質の酸化物単結晶が得られる製造方法を提供する。 - 特許庁

When a Langasite type crystal 7 is produced through the Czochralski method, a crucible 5 containing the crystal melt 6 is inclined by a prescribed angle from the horizontal face.例文帳に追加

チョクラルスキ−法を用いたランガサイト型結晶７の作製方法において、融液６を収納するるつぼ５を水平面に対して所定の角度だけ傾けて行う。 - 特許庁

To improve the crystal quality of a straight barrel part by improving the controllability of the diameters at both a shoulder part and the straight barrel part in the manufacturing of a single crystal rod by a Czochralski method.例文帳に追加

チョクラルスキー法による単結晶棒の製造において、肩部と直胴部の双方での直径の制御性を向上させ、直胴部の結晶品質を向上させる。 - 特許庁

An improved CZ system based on the Czochralski method for continuous growth of a single crystal ingot includes an essentially flat crucible having a small aspect ratio and large diameter and having a selective weir encircling the crystal.例文帳に追加

単結晶インゴットの連続的な成長のためのチョコラルスキー法に基づく改良されたＣＺシステムは、結晶を囲む選択的な堰を有する、低アスペクト比で大きい直径の、実質的に平面状の坩堝を備える。 - 特許庁

To stably manufacture a long single crystal by preventing cracking caused by thermal shock during pulling and freezing of the surface of a raw material melt when a metal fluoride single crystal is pulled by a Czochralski method.例文帳に追加

チョクラルスキー法でのフッ化金属単結晶体の引き上げに際して、その引き上げ中の熱衝撃による割れや、原料溶融液表面の凍結などを防止し、長尺の単結晶体を安定的に製造する。 - 特許庁

During growing a silicon single crystal by the Czochralski method, a sample 12 used for evaluation is used as a source material for growing a silicon single crystal or a source material for growing a purification source material.例文帳に追加

チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の育成時に、評価使用済みサンプル１２を前記シリコン単結晶育成用の原料または精製原料育成用の原料として使用する。 - 特許庁

To provide a technology for uniformizing the brightness distribution of a light emitting diode (LED) substrate by suppressing the occurrence of a ring-like void at a crystal Top side in the production of GaP single crystal by a liquid encapsulated Czochralski (LEC) method.例文帳に追加

液体封止引き上げ法によるＧａＰ単結晶を製造する際に、結晶Ｔｏｐ側に発生するリング状のボイドの発生を抑えて発光ダイオード（ＬＥＤ）基板の輝度分布を均一にする技術の提供を課題とする。 - 特許庁

This crystal is a langasite type piezoelectric single crystal which is produced by a Czochralski method and has a composition represented by the formula La3(TaXNb1-X)0.5Ga5.5O14 (wherein 0.136≤X≤0.322).例文帳に追加

チョクラルスキ−法を用いて作製されたランガサイト型の圧電結晶において、圧電結晶は、Ｌａ_3（Ｔａ_xＮｂ_1-x）_0.5Ｇａ_5.5Ｏ_14であり、前記Ｘの範囲が、０．１３６≦Ｘ≦０．３２２にする。 - 特許庁

To enable the use of an inexpensive crucible and control the distortion of a growing crystal by reducing the temperature gradient of the melt in the crucible in a single crystal pulling apparatus based on the Czochralski (Cz) method.例文帳に追加

チョクラルスキー（Ｃｚ）法による単結晶引き上げ装置において、安価なるつぼの使用を可能とするとともに、るつぼ内の融液の温度勾配を緩くして、成長させた単結晶の歪みを抑制する。 - 特許庁

To provide a method for producing a compound semiconductor single crystal, which can prevent polycrystallization by optimizing the shape of the solid-liquid interface of the growing crystal in the production of a large-diameter compound semiconductor single crystal of a crystal diameter φ of 200 mm or more by an LEC method (Liquid Encapsulated Czochralski method).例文帳に追加

ＬＥＣ法（Ｌｉｑｕｉｄ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｅｄ Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法）により結晶径φ２００ｍｍ以上の大口径の化合物半導体単結晶を製造するに際し、成長する結晶の固液界面を最適な形状として、多結晶化を防止し得る化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a silicon single crystal wafer by which a loss caused by carrying out an outer peripheral grinding of a crystal in a cylindrical grinding step or a beveling step in a process for producing the silicon single crystal wafer having ≥200 mm diameter using a silicon single crystal grown by the Czochralski method.例文帳に追加

チョクラルスキー法で育成されたシリコン単結晶を用いて直径２００ｍｍ以上のシリコン単結晶ウエーハを製造する工程において、円筒研削工程やべべリング工程で結晶の外周研削を行なうことにより生じる損失を低減する製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of growing a carbon-doped silicon single crystal, by which carbon can be easily doped into the silicon crystal at a low cost in the process of pulling up a silicon single crystal by Czochralski method, and further the carbon concentration in the silicon single crystal can be accurately controlled.例文帳に追加

チョクラルスキー法によるシリコン単結晶引上げ工程において、シリコン単結晶中に炭素を容易且つ低コストにドープでき、さらにシリコン単結晶中の炭素濃度を精度良く制御できる炭素ドープのシリコン単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon single crystal, by which a silicon single crystal having a uniform oxygen concentration distribution can be manufactured with a good yield without being affected by the change of crystal diameter, the increase or the decrease of the initial amount of a raw material melt or the like when the silicon single crystal is manufactured by a Czochralski method using a quartz crucible.例文帳に追加

石英坩堝を使用するチョクラルスキ法によるシリコン単結晶の製造方法において、結晶径の変更、初期原料融液量の増減等の影響を受けることなく、酸素濃度分布の均一なシリコン単結晶を歩留まり良く製造できるようにする。 - 特許庁

In manufacturing single crystal with the wire type crystal manufacturing equipment in the Czochralski method, tensile load is given to the wire before pulling single crystal at its first use for single crystal manufacturing.例文帳に追加

ワイヤ式単結晶製造装置を用いたチョクラルスキー法による単結晶の製造方法であって、ワイヤを単結晶製造に初めて使用する際に、単結晶の引上げを始める前に前記ワイヤに引張荷重を加える単結晶製造方法。 - 特許庁

The seed chuck holds a seed crystal upon pulling up a single crystal in a single crystal pulling device by Czochralski method, wherein the material of the seed chuck has a coefficient of thermal expansion in a range within ±25% to/from the coefficient of thermal expansion of the single crystal to be pulled.例文帳に追加

チョクラルスキー法による単結晶引き上げ装置で単結晶を引き上げる際に種結晶を保持するシードチャックであって、シードチャックの材質の熱膨張係数が、引き上げる単結晶の熱膨張係数±２５％の範囲内のものである単結晶引き上げ装置のシードチャック。 - 特許庁

The lithium tantalate single crystal is produced by the Czochralski method, using a seed crystal prepared so that the ratio (n2/n1) of the Ni concentration (n2) of growing crystal to the Ni concentration (n1) of the seed crystal becomes 1 or more and 3 or less and setting the highest attaining temperature of raw material melt at 1,800°C or lower.例文帳に追加

前記タンタル酸リチウム単結晶は、種結晶のＮｉ濃度（ｎ1）に対する育成結晶のＮｉ濃度（ｎ2）の比（ｎ2／ｎ1）が１以上３以下となるように調製された種結晶を用い、原料融液の最高到達温度を１８００℃以下としてチョクラルスキー法により製造される。 - 特許庁

The silicon single crystal is manufactured by a Czochralski method of impressing a horizontal magnetic field of cusp magnetic field and when the single crystal under growth is dislocated, the dislocated single crystal is melted in the state of the absence of the magnetic field and thereafter again the magnetic field is impressed to the melt and the silicon single crystal is pulled up.例文帳に追加

水平磁場あるいはカスプ磁場を印加するチョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造し、育成中の単結晶が有転位化した場合に、有転位化した単結晶を無磁場の状態で溶解した後、再び磁場を印加してシリコン単結晶を引き上げる。 - 特許庁

To provide an apparatus for growing a single crystal capable of making a cooling body function effectively with respect to a trend toward an increasingly higher pulling up speed in pulling up a single crystal by a CZ (Czochralski) method by using the cooling body and further capable of effectively preventing the crack of the single crystal due to excessive cooling of the single crystal.例文帳に追加

冷却体を用いたＣＺ法による単結晶の引上げにおいて、引上げ速度の高速化に対して冷却体を有効に機能させ、且つ、単結晶の過度の冷却による単結晶の割れを効果的に防止できる単結晶育成装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a gallium arsenide single crystal in a high yield with a good reproducibility by a liquid encapsulating Czochralski method, a vertical boat method or a horizontal boat method.例文帳に追加

液体封止引上法、縦型ボート法又は横型ボート法により、再現性良く、且つ高収率で砒化ガリウム単結晶を得ることを可能にする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitrogen-doped silicon single crystal by Czochralski method (CZ method) capable of suppressing cost of manufacturing by sufficiently reducing the used amount of an expensive raw material for a nitrogen dopant.例文帳に追加

高価な窒素ドーパント用原料の使用量を十分に低減して、製造コストの抑制を実現できるチョクラルスキー法（ＣＺ法）による窒素ドープシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain an indium phosphide single crystal in a high yield with good reproducibility by a liquid encapsulating Czochralski method, a vertical boat method, or a horizontal boat method.例文帳に追加

液体封止引上法、縦型ボート法又は横型ボート法により、再現性良く、且つ高収率で燐化インジウム単結晶を得ることを可能にする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a carbon fiber-reinforced carbon composite material for a single crystal drawing-up unit by CZ method (Czochralski method) which is high in thermal efficiency.例文帳に追加

熱効率の高いＣＺ法（チョクラルスキー法）による単結晶引き上げ装置用炭素繊維強化炭素複合材料の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a compound semiconductor capable of largely improving a yield of a compound semiconductor single crystal with good quality and less crystal defect such as dislocation in the manufacturing method of the compound semiconductor single crystal such as GaAs by a liquid sealing Czochralski method.例文帳に追加

液体封止チョクラルスキー法によるＧａＡｓ等の化合物半導体単結晶の製造方法において、転位等の結晶欠陥の少ない良質な化合物半導体単結晶の収率を大幅に向上させる化合物半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor single crystal by an MCZ method (magnetic field applied Czochralski method), by which the oxygen concentration in the crystal growth axis direction of a pulled semiconductor single crystal can be controlled to a desired value with a higher precision.例文帳に追加

ＭＣＺ法（磁界下引上げ法）によって半導体単結晶の製造を行う方法において、引き上げた半導体単結晶の結晶成長軸方向の酸素濃度をより高精度で所望の値とすることができる半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a single crystal by Czochralski method by pulling a single crystal from the feed melt liquid in a crucible heated and melted by a heater, this method uses a heater having an inner diameter of ≥1.26 times the inner diameter of the crucible and manufactures N region crystal in total surface.例文帳に追加

チョクラルスキー法によりヒータで加熱溶融されたルツボ中の原料融液から単結晶を引上げて単結晶を製造する方法において、前記ヒータの内径をルツボの内径の１．２６倍以上として全面Ｎ領域結晶を製造する単結晶の製造方法。 - 特許庁

In the method for growing the silicon single crystal by a CZ method (Czochralski method), the concentration of oxygen in the silicon single crystal is made to be ≤9×10^17 atoms/cm^3 and nitrogen is doped in a concentration of nitrogen in the crystal of 1×10^12 to 5×10^15atoms/cm^3.例文帳に追加

ＣＺ法（チョクラルスキー法）によってシリコン単結晶を育成する方法において、単結晶中の酸素が９×１０^17ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以下の濃度であり、窒素が１×１０^12ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3〜５×１０^15ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3の濃度でドープする。 - 特許庁

To provide a method for producing a silicon single crystal where the success rate of non-dislocation at a diameter-enlarged part is enhanced and where a single crystal rod having a large diameter of 300 mm or more is efficiently grown in the method that the silicon single crystal rod is pulled by a CZ (Czochralski) method.例文帳に追加

ＣＺ法（チョクラルスキー法）によりシリコン単結晶棒を引き上げてシリコン単結晶を製造する方法において、拡径部の無転位化の成功率を向上し、直径３００ｍｍ以上の大直径の単結晶棒を効率的に育成するシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁