「DIBORANE」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The reduction gas comprises a hydride compound such as diborane, silane or a disilane.例文帳に追加

該還元ガスはジボラン、シランまたはジシランなどのハイドライド化合物を含有している。 - 特許庁

To detect diborane at high accuracy while reducing interference errors as low as possible.例文帳に追加

干渉誤差を可及的に抑えつつ、ジボランを高い感度で検出すること。 - 特許庁

The gas used herein is a gas with a low concentration which contains impurities such as diborane or phosphine.例文帳に追加

ガスとしてジボランやホスフィンなどの不純物を含む低濃度のガスを用いる。 - 特許庁

Sodium borohydride is reacted with diborane to generate NaB_2H_7 as a reaction intermediate.例文帳に追加

ソジウムボロハイドライドとジボランを反応させることで反応中間体であるＮａＢ_2 Ｈ_7 を生成する。 - 特許庁

To provide a method for producing diborane which can obtain high purity diborane in a good yield without generating methyl chloride and methane as impurities, and which can improve yield of a recyclable solvent.例文帳に追加

不純物である塩化メチルおよびメタンを発生することなく純度の高いジボランを収率良く得ることができ、リサイクル可能な溶媒の歩留りを向上できるジボランの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the above nonselective epitaxial growth, monosilane, hydrogen, diborane and germane are used as raw material gas.例文帳に追加

このような非選択エピタキシャル成長では、原料ガスとして、モノシラン、水素、ジボラン及びゲルマンを用いる。 - 特許庁

The first buffer tank 5 houses high concentration diborane gas, and the second buffer tank 6 houses hydrogen gas.例文帳に追加

第１のバッファタンク５は高濃度ジボランガスを収容し、第２のバッファタンク６は水素ガスを収容する。 - 特許庁

A plurality of the adsorbing tanks 4a, 4b and 4c storing different kinds of the adsorbents 3a, 3b and 3c are arranged in series in a diborane flow path 8 from the supplying source 2 of the crude diborane to a condenser 7.例文帳に追加

粗製ジボランの供給源２から凝縮器７へのジボラン流路８に、相異なる種類の吸着剤３ａ、３ｂ、３ｃを収納した複数の吸着槽４ａ、４ｂ、４ｃが直列に配置される。 - 特許庁

Disclosed is the method for producing diborane, in which sodium borohydride is allowed to react with boron trichloride and the further to reacting with an acid.例文帳に追加

ソジウムボロハイドライドと三塩化ホウ素とを反応させた後、更に酸を反応させるジボランの製造方法。 - 特許庁

High density diborane gas is mixed with hydrogen gas by the mixer 5 and fed via a buffer container 3 to a use point.例文帳に追加

ミキサー５で高濃度ジボランガスと水素ガスを混合し、バッファ容器３を経由してユースポイントへ供給する。 - 特許庁

The ratio of the number of the first pipe 11 to the number of the second pipes 12 is set at the set mixing rate of the diborane gas to the hydrogen gas.例文帳に追加

第１のパイプ１１と第２のパイプ１２の本数比はジボランガスと水素ガスの設定混合比の割合にする。 - 特許庁

To provide a mixed gas generating device for diluting high density diborane gas with hydrogen gas, and supplying it to an epitaxial device.例文帳に追加

高濃度ジボランガスを水素ガスで希釈してエピタキシャル装置へ供給する混合ガス生成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a gas mixing and feeding device for diluting high density diborane gas with hydrogen gas, and for feeding it to an epitaxial device.例文帳に追加

高濃度ジボランガスを水素ガスで希釈してエピタキシャル装置へ供給するガス混合供給装置を提供する。 - 特許庁

Also, the growth temperature is set at 650°C, the flow of diborane is set at 75 sccm and the flow of germane is set at 35 sccm.例文帳に追加

また、成長温度を６５０℃、ジボランの流量を７５ｓｃｃｍに設定し、ゲルマンの流量を３５ｓｃｃｍに設定する。 - 特許庁

The manufacturing apparatus 1 for the silicon wafer is equipped with a heating device 7 which heats diborane so that an intermediate body produced halfway in a stage of thermal decomposition from diborane to boron can be introduced in a silicon single-crystal substrate arrangement area R in the reaction container 2.例文帳に追加

シリコンウェーハの製造装置１は、ジボランからボロンへ熱分解させる過程の途中で生成されるジボラン中間体を反応容器２内のシリコン単結晶基板配置領域Ｒに導入できるようにジボランを加熱するための加熱装置７を備える。 - 特許庁

At this time, diborane gas which is diluted with hydrogen gas with a concentration 100 ppm is fed for 15 seconds, after the a-Si film 3 starts to be formed.例文帳に追加

その場合に、水素で１００ppmに希釈したジボランガスを、ａ‐Ｓi膜３の成膜を開始してから１５秒間だけ供給する。 - 特許庁

Boron is diffused inward on a polished wafer (14) by supplying a diborane (B_2H_6) gas onto the polished wafer (14) to form a diffusion layer (12).例文帳に追加

ポリッシュト・ウェーハ（１４）上にジボラン（Ｂ_２Ｈ_６）ガスを供給して該ポリッシュト・ウェーハ（１４）上にボロンを内方拡散させて拡散層（１２）を形成する。 - 特許庁

Boron concentration in the direction of the wafer depth of the wafer surface layer of the boron-doped silicon wafer is equalized by properly adding diborane into hydrogen annealing.例文帳に追加

水素アニール中に適度にジボランを添加することによって、ボロンドープされたシリコンウエハのウエハ表層におけるウエハ深さ方向のボロン濃度の均一化が図れる。 - 特許庁

In the method for manufacturing a silicon wafer, the silicon wafer having boron doped therein is heat treated at a temperature of 1000°C or more in an atmosphere of a mixture gas of hydrogen and diborane (B2H6) (1).例文帳に追加

(1) ボロンをドープしたシリコンウェーハを水素とジボラン（Ｂ_2Ｈ_6）の混合ガス雰囲気中で1000℃以上の温度で熱処理することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法である。 - 特許庁

To provide a vapor-phase growth device durable at a vapor-phase growth temperature higher than the decomposition temperature 250°C or above, even when using diborane (B2H6) gas.例文帳に追加

ジボラン（Ｂ_2 Ｈ_6 ）ガスを用いる場合において、その分解温度２５０℃以上の気相成長温度とする場合においても、十分使用に耐える気相成長装置を構成する。 - 特許庁

To establish a low-pressure storage and delivery system for gases having Lewis acidity, particularly hazardous gases such as BF_3 and diborane, which are utilized in the electronics industry.例文帳に追加

ルイス酸性を有するガス、特に電子工業において利用されるＢＦ_３およびジボラン等の有害なガスを、低圧貯蔵およびデリバリーするシステムを構築する。 - 特許庁

A silicon oxide layer composed of p-type microscopic crystal silicon oxides is formed on a glass substrate by a PECVD method which employs material gas containing silane gas, diborane gas, hydrogen gas and carbon dioxide.例文帳に追加

ＰＥＣＶＤ法によりガラス基板上に、シランガス、ディボランガス、水素ガス、炭酸ガスが含まれる原料ガスを用いて、ｐ型微小結晶性シリコン酸化物シリコン酸化物層の形成する。 - 特許庁

Gaseous crude diborane containing a plurality of impurities is in contact with a plurality of adsorbents 3a, 3b and 3c which have different adsorption performance to the impurities in order and then liquefied.例文帳に追加

複数種類の不純物を含有するガス状粗製ジボランを、前記不純物に対する吸着性能が相異なる複数種類の吸着剤３ａ、３ｂ、３ｃに順次接触させ、しかる後に、液化する。 - 特許庁

The feeding source of diborane gas and a mixer 5 are connected through a duct having a rough mixing line 2a and a fine adjustment mixing line 2b, and the feeding source of hydrogen gas and the mixer 5 are connected through a duct, having a rough mixing line 10a and a fine adjustment mixing line 10b.例文帳に追加

ジボランガスの供給源とミキサー５を粗混合ライン２ａと微調混合ライン２ｂを有する管路で接続し、水素ガスの供給源とミキサー５を粗混合ライン１０ａと微調混合ライン１０ｂを有する管路で接続する。 - 特許庁

Single crystal hexagonal boron nitride 42 is formed on the sapphire single crystal substrate 41 by a vapor growth method using ammonia which is a group V raw material, and triethyl boron, trimethyl boron, diborane, boron trichloride or boron trifluoride which are group III raw materials.例文帳に追加

また、Ｖ族原料であるアンモニアと、III族原料であるトリエチルボロン、トリメチルボロン、ジボラン、三塩化ホウ素、または三フッ化ホウ素とを用いる気相成長法により、サファイア単結晶基板４１上に単結晶六方晶窒化ホウ素４２を形成する。 - 特許庁

By this setup, even if a comparatively high concentration of diborane gas which is stable in concentration and diluted to have a concentration of 100 ppm is fed, the average concentration of boron contained in the a-Si film 3 can be accurately set at a low value, such as about 1E12 atoms/cm^2 or so.例文帳に追加

こうすることによって、濃度が安定している１００ppmという比較的高い濃度に希釈したジボランガスを供給しても、ａ‐Ｓi膜３中における上記ボロンの平均濃度を約１Ｅ１２atoms/cm^2程度の低濃度に精度良く設定できる。 - 特許庁

The silicon oxide layer is formed using a frequency of 13.56-60 MHz in conditions of energy density of about 10-40 mW/cm^2, pressure of 0.5-2 Torr, a ratio of carbon dioxide gas to silicon gas of about 0.10-0.24, a ratio of diborane gas to silane ≤0.10 and a ratio of silane to hydrogen ≤0.01.例文帳に追加

１３．５６−６０ＭＨｚの周波数を用い、およそ１０ｍW/cm^2〜４０ｍW/cm^2の間のエネルギー密度、０．５〜２トルの間の圧力、およそ０．１０〜０．２４の炭酸ガス対シリコンガス比、０．１０以下のディボランガス対シラン比並びに０．０１以下のシラン対水素比の条件で形成する。 - 特許庁

The distribution of the boron concentration in the wafer surface layer can be adjusted by controlling the concentration of added diborane, and adjustment is enabled freely in which a concentration change is flattened towards the depthwise direction of the wafer or concentration is lowered or increased gradually.例文帳に追加

また、添加されるジボランの濃度を調整することによって、ウエハ表層におけるボロン濃度の分布の調整を行なうことができ、ウエハの深さ方向に向かって濃度変化がフラットになるようにしたり、或いは、徐々に濃度が低下或いは上昇させたりするというような調整が自由にできるようになる。 - 特許庁

The method for producing the N-alkylborazine is characterized by having a step for reacting borane (BH_3) complex or diborane (B_2H_6) with a nitrile represented by RCN (wherein R is H, alkyl, cycloalkyl, aryl or aralkyl) to synthesize the N-alkylborazine, wherein the reaction is carried out in a solvent.例文帳に追加

ボラン（ＢＨ_３）錯体またはジボラン（Ｂ_２Ｈ_６）と、ＲＣＮ（Ｒは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、またはアラルキル基である）で表されるニトリルとを反応させてＮ−アルキルボラジンを合成する段階を有し、溶媒中で反応が行われることを特徴とする、Ｎ−アルキルボラジンの製造方法である。 - 特許庁

The method for producing the N-alkylborazine is characterized by having a step for reacting borane (BH_3) complex or diborane (B_2H_6) with a nitrile represented by RCN (wherein R is H, alkyl, cycloalkyl, aryl or aralkyl) to synthesize the N-alkylborazine, wherein the nitrile having a water content of ≤1 mass% is used for the reaction.例文帳に追加

ボラン（ＢＨ_３）錯体またはジボラン（Ｂ_２Ｈ_６）と、ＲＣＮ（Ｒは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、またはアラルキル基である）で表されるニトリルとを反応させてＮ−アルキルボラジンを合成する段階を有し、水分含量が１質量％以下の前記ニトリルが反応に用いられることを特徴とする、Ｎ−アルキルボラジンの製造方法である。 - 特許庁

The P-type doped silicon precursor, in which a dopant is bonded to a polymer of cyclopentasilane, is formed by irradiating a cyclopentasilane solution 11 with ultraviolet rays 15 emitted from a high-pressure mercury lamp 14 and including a ray having a first wavelength for radicalizing a dopant and a light having a second wavelength for radicalizing the cyclopentasilane, and at the same time, supplying diborane gas as a dopant gas 16 to the cyclopentasilane solution 11.例文帳に追加

シクロペンタシラン溶液１１に、ドーパントをラジカル化するための第１の波長の光と、シクロペンタシランをラジカル化するための第２の波長の光を含む紫外線１５を高圧水銀ランプ１４から照射し、同時にドーパントガス１６としてのジボランガスをシクロペンタシラン溶液１１に供給することにより、シクロペンタシランの重合体にドーパントが結合したＰ型ドープシリコン前駆体を生成する。 - 特許庁