「ETCHING RESIST」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an etching method suitable for etching an antireflective film using a resist film as a mask, and to provide an etching treatment device.例文帳に追加

レジスト膜をマスクとした反射防止膜のエッチングに適したエッチング方法及びエッチング処理装置を提供する。 - 特許庁

The resist film and the interlayer insulating film under the opening of the resist film are etched on condition that an etching velocity of the etching stop layer is faster than the etching velocity of the resist film and the interlayer insulating film, and a contact hole passing through the interlayer insulating film is formed and the resist film is removed.例文帳に追加

エッチング停止層のエッチング速度よりもレジスト膜及び層間絶縁膜のエッチング速度の方が速い条件で、レジスト膜及びレジスト膜の開口下の層間絶縁膜をエッチングし、層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを形成するとともにレジスト膜を除去する。 - 特許庁

The method for manufacturing the substrate for mounting the chip comprises the steps of providing an etching resist 3 for covering the copper wiring 2 formed on the surface of the substrate 1; removing the etching resist 3, until the surface of the copper wiring 2 is exposed; etching the copper wiring 2 partway; and exfoliating the etching resist 3.例文帳に追加

基板１表面に形成した銅配線２を覆うエッチングレジスト３を設ける工程と、前記銅配線２表面が露出するまで前記エッチングレジスト３を除去する工程と、前記銅配線２を途中までエッチングする工程と、前記エッチングレジスト３をはく離する工程とを有する。 - 特許庁

To provide a dry film resist roll which suppresses resist exudation and is excellent in adhesion and resolution, as a resist material such as an etching resist or a plating resist.例文帳に追加

エッチングレジスト又はめっきレジスト等のレジスト材料として、レジストのしみ出しが抑制され、かつ密着解像性に優れたドライフィルムレジストロールの提供。 - 特許庁

Two layered resist layers consisting of a lower resist layer 2 which is relatively higher in an etching rate with respect to a developer and an upper resist layer 3 which is relatively smaller in an etching rate are exposed to form the resist patterns 1 of an undercut shape and thereafter the resist patterns 1 are subjected to slimming of their widths.例文帳に追加

現像液に対してエッチング速度が相対的に大きな下層レジスト層２と、エッチング速度が相対的に小さな上層レジスト層３からなる２層レジスト層を露光し、アンダーカット形状のレジストパターン１を形成したのち、レジストパターン１の幅のスリミングを行う。 - 特許庁

To provide an additive which can easily clean at a low temperature and in a short period of time a resist film applied on an inorganic substrate, the resist film remaining after etching the resist film applied on the inorganic substrate, or the resist residue or the like remaining by performing ashing after etching the resist film.例文帳に追加

無機質基体上に塗布されたレジスト膜、または無機質基体上に塗布されたレジスト膜をエッチング後に残存するレジスト膜、あるいはレジスト膜をエッチング後にアッシングを行い残存するレジスト残渣物等を低温、短時間で容易に洗浄できるようにする添加剤を提供すること。 - 特許庁

The resist pattern 10 is softened during etching thereby and even if a lower side of the resist pattern 10 is corroded by etching, the corroded region can be covered by the resist pattern 10.例文帳に追加

これにより、エッチング中にレジストパターン１０が軟化し、エッチングによりレジストパターン１０の下面側が浸食されても、その浸食領域をレジストパターン１０で覆うことができる。 - 特許庁

Resist 26 is eroded uniformly from a shoulder part in accordance with etching, since a spacer film 17 is etched by using the resist 26 as a mask which resist has a thickness wherein a pattern cannot be maintained at the case of etching the spacer film 17.例文帳に追加

スペーサ膜１７のエッチング時にパターンを維持できない厚さのレジスト２６をマスクにしてスペーサ膜１７をエッチングするので、エッチングに伴ってレジスト２６が肩部から不均一に侵食される。 - 特許庁

To form a resist pattern which allows a projection part of a resist pattern after a process of etching a remaining film to have a desired width equal to or larger than a width of the projection part of the resist pattern before the process of etching the remaining film.例文帳に追加

レジストパターンの形成において、残膜をエッチングする工程後のレジストパターンの凸部の幅が、残膜をエッチングする工程前におけるレジストパターンの凸部の幅以上の所望の幅となることを可能とする。 - 特許庁

In this pattern forming method, materials to be etched are patterned by using a resist mask 3 as an etching mask in the manufacturing process of a semiconductor device, and then the volume of this resist mask is expanded by swelling or the like so that this resist mask can be changed into another etching mask 5.例文帳に追加

半導体装置の製造工程の中でレジストマスクをエッチングマスクに使用し被エッチング材料をパターニングした後、このレジストマスクを膨潤等により体積膨張させて別のエッチングマスクに変える。 - 特許庁

The resist layer 3 is successively subjected to exposure, developing, and post baking for the formation of a first resist pattern, and the oxide film 2 is subjected to an etching process through the first resist pattern as an etching mask.例文帳に追加

このレジスト層３に対して露光、現像及びポストベークを順に行うことで第１レジストパターンを形成し、この第１レジストパターンを用いて酸化膜２に対するエッチング処理を行う。 - 特許庁

To obtain a resist resin composition for glass etching capable of forming a resist film for glass etching excellent in hydrofluoric acid resistance and excellent also in resolution of etching.例文帳に追加

フッ酸耐性に優れ、かつエッチングの解像度に優れたガラスエッチング用レジスト膜を形成することができるガラスエッチング用レジスト樹脂組成物を得る。 - 特許庁

With the resist mask 12 as the etching mask, anisotropic etching is carried out by using the resist mask 12 as an etching mask to form cavity parts, of which the wall surfaces are vertical in the silicon substrate 10 as shown by Fig (d).例文帳に追加

レジストマスク１２をエッチングマスクとして、異方性エッチングを行い、シリコン基板１０に壁面が垂直な窪み部を形成する（ｄ）。 - 特許庁

To provide a plasma etching method capable of making compatible a control of an etching shape and a restraint of a residue when a lower layer resist film of a three layer resist is dry-developed by using a plasma of an O_2 based etching gas.例文帳に追加

Ｏ_２系エッチングガスのプラズマを使用して３層レジストの下層レジスト膜をドライ現像する際に、エッチング形状の制御と残渣の抑制を両立させることが可能なプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

A wafer 11, on which a resist pattern 16 is formed, is placed into a dry-etching device, and then dry etching is implemented on an antireflection film 15 and a silicon nitride film 14, using the resist pattern 16 as an etching mask.例文帳に追加

レジストパターン１６が形成されたウエハ１１をドライエッチング装置に投入し、レジストパターン１６をエッチングマスクとして、反射防止膜１５及びシリコン窒化膜１４に対してドライエッチングを行なう。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING MULTILAYER RESIST PATTERN AND ETCHING METHOD USING MULTILAYER RESIST PATTERN FORMED BY THE SAME例文帳に追加

多層レジスト・パターンの形成方法及び該方法で形成した多層レジスト・パターンを用いるエッチング方法 - 特許庁

An outer layer is then formed in the procedure of electroless plating, plating resist forming, electric plating, plating resist removal and etching.例文帳に追加

その後，無電解めっき，めっきレジストの形成，電気めっき，めっきレジスト除去，エッチング，の手順で外層パターンを形成する。 - 特許庁

Etching durability of a resist mask 6 patterned by lithography is increased by injecting H^+ ions into the resist mask 6.例文帳に追加

リソグラフィによりパターン形成されたレジストマスク６に、Ｈ^＋ イオンを注入してレジストマスク６の耐エッチング性を高める。 - 特許庁

a semiconductor substrate surface is etched by plasma etching making this resist pattern as a mask, and the resist pattern is eliminated.例文帳に追加

このレジストパターンをマスクとしてプラズマエッチングによって半導体基板面をエッチングし、レジストパターンを除去する。 - 特許庁

A protective film is formed by etching the insulator film using the first resist mask and the second resist mask (S7).例文帳に追加

第一レジストマスク及び第二レジストマスクを用いたエッチングにより絶縁膜から保護膜を形成（Ｓ７）する。 - 特許庁

To favorably modify a resist film prior to an etching process of an antireflection film where the resist film is set as a mask.例文帳に追加

レジスト膜をマスクとした反射防止膜のエッチング工程の前に、良好にレジスト膜を改質する。 - 特許庁

The lower layer resist membrane 11 does not include Si as a component to improve the etching durability, but the upper layer resist membrane 13 contains.例文帳に追加

そして、エッチング耐性向上成分としてのＳｉが、下層レジスト膜１１に含まれず、上層レジスト膜１３に含まれる。 - 特許庁

To provide a composition for forming a resist underlayer film, which can form the resist lower layer film maintaining etching resistance and reducing reflectance.例文帳に追加

エッチング耐性が維持され、反射率が低減されたレジスト下層膜を形成可能なレジスト下層膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁

The inspecting etching resist patterns 31 are each formed of a pair of inspecting resist patterns 31a and 31b.例文帳に追加

検査用エッチングレジストパターン３１は、１対の検査用レジストパターン３１ａ，３１ｂからなる。 - 特許庁

A resist pattern is formed on the oxide film 14 by using a resist, and the oxide film 14 is subjected to patterning by CF dry etching.例文帳に追加

この酸化膜１４上にレジストによってレジストパターンを形成し、ＣＦ系ドライエッチングにより酸化膜１４をパターニングする。 - 特許庁

A plating layer is then formed on the resist pattern 44, and finally, the base 41 and the resist layer 42 are removed by etching.例文帳に追加

次に、レジストパターン４４上にメッキ層を形成し、最後に前記基材４１とレジスト層４２をエッチングによって除去する。 - 特許庁

To make the shape of a resist pattern proper after etching by improving striation of the resist pattern formed on a wafer.例文帳に追加

ウエハ上に形成されたレジストパターンのストライエーションを改善してエッチング処理後のパターンの形状を適切なものとする。 - 特許庁

With an SiO_2 film 103 and an upper photosensitive resist film 104 as masks, plasma etching for a lower organic system resist film 102 is performed.例文帳に追加

ＳｉＯ_2膜１０３と上層感光性レジスト膜１０４とをマスクとして、下層有機系レジスト膜１０２のプラズマエッチングを行う。 - 特許庁

The first resist film 22 is then removed and a second resist film 23 is formed on another flank side and is similarly subjected to the etching treatment.例文帳に追加

次に、第１のレジスト膜２２を除去し、他方の側面側に第２のレジスト膜２３を形成して、同様にエッチング処理を施す。 - 特許庁

To improve precision and stability of thin-film processing by enhancing the etching resistance of a resist pattern, using a simple and effective resist-modifying method.例文帳に追加

簡便かつ効果的なレジスト改質法によりレジストパターンのエッチング耐性を強化して、薄膜加工の精度・安定性を向上させる。 - 特許庁

With an oxidized upper layer resist pattern 61 used as a mask, a lower layer resist 2 is patterned by dry-etching.例文帳に追加

酸化された上層レジストパターン６１をマスクとして、ドライエッチングにより下層レジスト２をパターニングする。 - 特許庁

In addition, the sheet does not require an irradiation process and a thermosetting process to the resist ink layer after thermal transfer and enables an etching process to be performed immediately after the formation of a resist ink pattern.例文帳に追加

前記熱転写シートは、基材の上にスチレンマレイン酸系樹脂を主成分とするレジストインク層が設けられたものである。 - 特許庁

Consequently, etching takes place in the bottom section of a contact hole, but does not take place on a resist 31, because a resulted product 32 of reaction accumulates on the resist 31.例文帳に追加

これにより、コンタクトホール底部ではエッチングが進行するが、レジスト31上部ではRIEでの反応生成物32が堆積し、エッチングが進まない。 - 特許庁

A side wall of the second film is slightly removed when a resist mask is stripped by a resist stripping solution after the second etching step.例文帳に追加

第２のエッチング工程後にレジストマスクをレジスト剥離液により剥離するに際し、第２の膜の側壁が少し削られる。 - 特許庁

To provide a resist material which improves etching resistance to secure the resolution of a resist pattern with micronization, and to provide a pattern forming method.例文帳に追加

レジストパターンの微細化に伴う解像性確保のため、耐エッチング性が改良されたレジスト材料及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

Further, after the power feeding layer etching process, the method includes a resist removal process for insulating film protection of removing the resist.例文帳に追加

さらに、該給電層エッチング工程後、該レジストを除去する絶縁膜保護用レジスト除去工程を備える。 - 特許庁

To provide a resist composition excellent in transparency, etching resistance and adhesion and a base resin for a resist used in the composition.例文帳に追加

本発明は、透明性、エッチング耐性、及び密着性に優れたレジスト用組成物、及びこれに用いる樹脂を提供することを目的とする。 - 特許庁

A lower electrode is formed by etching the lower electrode layer using the resist pattern and the capacitor dielectric film as the etching mask.例文帳に追加

レジストパターン及びキャパシタ誘電体膜をエッチングマスクとして、下部電極層をエッチングすることにより、下部電極を形成する。 - 特許庁

The region of the conductor layer 30 exposed from the etching resist pattern 22a is removed by etching.例文帳に追加

エッチングレジストパターン２２ａから露出する導体層３０の領域をエッチングにより除去する。 - 特許庁

By conducting etching in Step S30 using such a resist mask, a residual volume of the workpiece after etching can be averaged.例文帳に追加

かかるレジストマスクを使用して、ステップＳ３０でエッチングを行うことにより、エッチング後の研磨対象の残存体積の平均化を行う。 - 特許庁

Etching is conducted using the resist pattern as a mask on the a-Si membrane by dry etching by using CF_4 gas to form a Si mask 5.例文帳に追加

レジストパターン４をマスクとしてＣＦ_４ガスを用いたドライエッチングでａ−Ｓｉ膜をエッチングしてＳｉマスク５を形成する。 - 特許庁

Then etching is carried out by reactive ion etching in a region which is not covered, in the resist 14.例文帳に追加

そして、反応性イオンエッチングによりレジスト１４の覆われていない領域の水晶位相差板１２０のエッチングが行なわれる。 - 特許庁

A second mask pattern (15) is left by etching the second mask film using the resist pattern as an etching mask.例文帳に追加

レジストパターンをエッチングマスクとして、第２のマスク膜をエッチングすることにより、第２のマスクパターン(15)を残す。 - 特許庁

The etching process is the process for forming a plurality of concave parts by etching a base material from above the resist film after the exposure/development process.例文帳に追加

エッチング工程は、露光・現像工程の後に、レジスト膜の上から母材をエッチングすることにより複数の凹部を形成する工程である。 - 特許庁

After the mask member are removed, the metal foil etching process is conducted with the electrolytic plating surface-layer NM as an etching resist.例文帳に追加

マスク材を除去した後に、電解メッキ表面層ＮＭをエッチングレジストとした、金属箔のエッチング処理を行う。 - 特許庁