「ETCHING RESIST」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

A resist is formed by patterning on the part other than the parts of the layer 3 wherein a Zn diffusion is performed and an etching is performed on the parts, to form steps wherein the Zn diffusion is performed.例文帳に追加

そして、Ｚｎ拡散を行う部分以外の部分にレジストをパターン形成し、エッチングを行って段差を形成する。 - 特許庁

Then, they are subjected to dry etching, in this order, with a resist film 11 as a mask, and an opening 12 reaching the copper wiring layer 1 is formed.例文帳に追加

次に、これらをレジスト膜１１をマスクとして順にドライエッチングし、銅配線層１に至る開口部１２を形成する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which reduces falling of a pattern and surface roughness and dependence on the pattern density during etching.例文帳に追加

パターン倒れ、エッチング時の表面荒れ及び疎密依存性が軽減されたポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

Afterwards, the complete removal of the resist of the region is carried out, and the selective etching removal of only the exposed aluminum film is carried out.例文帳に追加

その後、該領域のレジストを完全に除去し、露出したアルミ膜のみ選択エッチング除去する。 - 特許庁

A size of the etching resist 19a on the via hole 16 is formed to be smaller than a size of a desired land part 20 formed of the copper foil 12.例文帳に追加

ビアホール１６上のエッチングレジスト１９ａの大きさを、銅箔１２による所望のランド部２０の大きさよりも小さく形成する。 - 特許庁

An etching resist 28 having a thick first part 24 and a thin second part 26 is formed on a metal layer 22.例文帳に追加

金属層２２上に厚い第１部分２４と薄い第２部分２６を有するエッチングレジスト２８を形成する。 - 特許庁

In the step (E), a part of the plug terminal formation part except the plating lead is coated with etching resist.例文帳に追加

（Ｅ）接栓端子形成部において、前記めっきリードを除く箇所をエッチングレジストで被覆する工程。 - 特許庁

Using the first resist layer 3 as a mask, etching of the metal layer 2 in an area A, which is an opening area, is performed.例文帳に追加

その第１レジスト層３をマスクとして、開口領域である領域Ａの金属層２をエッチングする。 - 特許庁

To narrow a pattern spacing in a semiconductor memory device in manufacturing thereof to cope with unevenness of a resist film thickness, an etching amount, etc.例文帳に追加

半導体記憶装置の製造において、パターン間隔を縮小し、レジスト膜厚、エッチング量等のバラツキに対応する。 - 特許庁

The conductive paste 18 in the via hole 16 is pressed to be formed in a rivet shape, and an etching resist 19a is provided on a surface of the board.例文帳に追加

ビアホール１６の導電性ペースト１８を押圧してリベット状に形成し、表面にエッチングレジスト１９ａを設ける。 - 特許庁

To provide a resin raw material of a resist composition excellent in sensitivity, resolution, dry etching resistance and line edge roughness.例文帳に追加

感度、解像度、ドライエッチング耐性、ラインエッジラフネスに優れるレジスト組成物の樹脂原料を提供する。 - 特許庁

To provide an etching method that controls the tapered shape of projections regardless of the shape of a resist film, and also to provide a plasma processing apparatus.例文帳に追加

レジスト膜の形状に関係なく凸部のテーパ形状を制御できるエッチング方法及びプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

Subsequently, the first resist mask 10 is used as an etching mask to form a gate electrode 11, which is a working pattern, by RIE.例文帳に追加

そして、これをエッチングマスクにしＲＩＥで加工パターンであるゲート電極１１を形成する。 - 特許庁

By this way, the opening size of resist itself is made small, and also adhesiveness is improved so that the exfoliation under wet etching might be prevented.例文帳に追加

これによりレジストの開口寸法自体を小さくすると共に密着性を向上させてウェットエッチング中の剥離を防止する。 - 特許庁

To improve the resist selection ratio in the etching of an insulating film, where Si and C are set as the main compositions.例文帳に追加

Ｓｉ及びＣを主な組成とする絶縁膜のエッチングにおけるレジスト選択比を向上させる。 - 特許庁

RESIST PATTERN FORMING METHOD, ETCHING METHOD, METHOD FOR PRODUCING MICROSTRUCTURE, MICROSTRUCTURE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY例文帳に追加

レジストパターンの形成方法、エッチング方法、マイクロ構造物の製造方法、マイクロ構造物及び液晶表示装置 - 特許庁

To provide a composition for forming a resist underfilm with excellent etching durability.例文帳に追加

エッチング耐性に優れた下層膜を形成することができるレジスト下層膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method for dry etching by which silicon can be dry- etched by using resist layers as masks and in which the occurrence of silicon residues due to watermarks can be prevented.例文帳に追加

レジスト層をマスクとしてシリコンをドライエッチングする方法において、ウォータマークに基づくシリコン残渣の発生を防ぐ。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition useful for a chemically amplified resist with excellent dry etching resistance and a low LWR.例文帳に追加

ドライエッチング耐性が優れ且つＬＷＲが小さい化学増幅型レジストとして有用な感放射線性樹脂組成物。 - 特許庁

Finally, a BPSG film 101 which is a lowest layer in an etching target object is finally plasma-etched by using the lower resist film 104 as the mask to form holes 113.例文帳に追加

最後に被エッチング対象のうち最下層に位置するＢＰＳＧ膜１０１をプラズマエッチングし、ホール１１３を形成する。 - 特許庁

This manufacturing method is characterized by employing an insulative film containing colloidal silica and phosphate as the main components, for a resist film used in etching.例文帳に追加

エッチング加工時のレジスト被膜にコロイダルシリカと燐酸塩を主成分とした絶縁皮膜を用いる。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which prevents falling of a pattern and ensures improved edge roughness, density dependence and surface roughness in etching.例文帳に追加

パターン倒れが防止され、エッジラフネス、疎密依存性、及びエッチング時の表面荒れが改善されたポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

Then a second process difference between a resist dimension by a lithographic process and a process dimension by a dry etching process is calculated in a P-gate portion.例文帳に追加

次に、Ｐ型ゲート部に対して、リソグラフィ工程によるレジスト寸法とドライエッチ工程による加工寸法との第２の加工差を算出する。 - 特許庁

A resist mask 12 is provide on the surface of a silicon substrate 11, and an opening is provided by etching on a part where a diffusion wiring is formed.例文帳に追加

シリコン基板１１の表面に、レジストにてマスクしそのマスク１２の拡散配線を形成する個所をエッチングして開口する。 - 特許庁

Etching is performed using the resist 16 as a mask, whereby a tapered through-hole 22 is provided on the film 14 (Figure (B)).例文帳に追加

フォトレジスト１６をマスクとしてエッチングを行うことにより、反射防止膜１４にテーパ状の貫通孔２２を設ける（図１（Ｂ））。 - 特許庁

To provide a fine pattern forming method for forming a fine pattern by using a resist having superior resistance in etching.例文帳に追加

エッチングの耐性が優秀なレジストを使用して微細なパターンを形成することができる微細パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To eliminate troublesome work, e.g. stripping of a resist film or sticking of a die attach film to individual devices, in dicing by etching.例文帳に追加

エッチングによるダイシングにおいて、レジスト膜の剥離、個々のデバイスへのダイアタッチフィルムの貼着といった煩雑な作業を不要とする。 - 特許庁

To provide methods for producing a metallic foil laminated body for etching in which resist layers are formed by a graviure printing and etched metallic foil.例文帳に追加

グラビア印刷によってレジスト層を形成したエッチング用金属箔積層体及びエッチド金属箔の製造方法を提供することである。 - 特許庁

The method carries out a patterning by forming a low-resistance metal film 5 and a low-dielectric constant film 7 and then dry-etching using a resist 9.例文帳に追加

低抵抗金属膜５、低誘電率膜７を成膜した後、レジスト９を用いてドライエッチングし、パターニングする。 - 特許庁

To solve such a problem that metal powder generated in a material for a shadow mask falls off in a resist tank and a pad of a transportation line, and consequently causes an etching failure.例文帳に追加

シャドウマスク材に発生する金属粉はレジスト槽や搬送ラインのパットにて脱落しエッチング不良が発生の原因となる。 - 特許庁

A first process difference between a resist dimension by a lithographic process and a process dimension by a dry etching process is calculated in a N-gate portion.例文帳に追加

Ｎ型ゲート部に対して、リソグラフィ工程によるレジスト寸法とドライエッチ工程による加工寸法との第１の加工差を算出する。 - 特許庁

Cl2, Ar and CF4, and an AlCu film 14 and a Ti/TiN film 13 are etched through a mask using the resist film by RIE(reactive ion etching).例文帳に追加

次に、前記レジスト膜をマスクとして、ＡｌＣｕ膜１４、Ｔｉ／ＴｉＮ膜１３がＲＩＥによりエッチングされる。 - 特許庁

To provide a chemical amplification resist having a high light transparency for the light of ≤220 nm, having a high etching resistance and excellent in close adhering property to a substrate.例文帳に追加

２２０ｎｍ以下の光に対する光透明性が高く、エッチング耐性が高く、基板密着性に優れた化学増幅レジストを提供する。 - 特許庁

An etching operation is carried out using the resist film 42 as a mask, by which the hole pattern 43 is transferred onto the insulating films 38, 37, 36, and 35.例文帳に追加

レジスト膜４２の存在下でエッチング処理を施し、絶縁膜３８，３７，３６および絶縁膜３５の一部に孔パターン４３を転写する。 - 特許庁

Further, the second unit has a benzene ring in its side chain, so that the second unit contributes to improvement of resistance to dry etching of the resist film.例文帳に追加

また、第２のユニットは側鎖にベンゼン環を有しており、これがドライエッチング耐性の向上に寄与する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin film transistor capable of highly accurately etching a gate electrode and a resist.例文帳に追加

ゲート電極およびレジストを精度良くエッチングできる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive type etching resist composition excellent in operation stability and having high sensitivity and good conductor image forming property.例文帳に追加

稼働安定性に優れ、高感度、さらには導体画像生成良好なポジ型エッチングレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

A shape of a resist pattern used as an etching mask is formed in such a shape as stress is dispersed.例文帳に追加

エッチングマスクとして用いるレジストパターンの形状を、応力を分散させる形状に形成する。 - 特許庁

After patterning of a resist is carried out, wet etching of a laminated metal film aside from a part to become a negative electrode auxiliary wiring pattern 3 is carried out.例文帳に追加

レジストをパターニングした後、陰極補助配線パターン３となる部分以外の積層金属膜をウェットエッチングする。 - 特許庁

The contact holes with a predetermined pattern are formed by etching an interlayer insulating film 6 based on a resist mask 8.例文帳に追加

レジストマスク８に基づいて層間絶縁膜６をエッチングして所望のパターンのコンタクトホールを形成する。 - 特許庁

To provide a method of efficiently treating a waste copper etching solution and a waste resist solution both of which are discharged from a printed circuit board, and a chemical agent for use therein.例文帳に追加

プリント基板から排出される銅エッチング廃液とレジスト廃液効率よく処理する方法及びそれに使用する薬剤を提供する。 - 特許庁

The results of measurement of the linewidth of the etching pattern are converted into the linewidth of a resist pattern using a function fn given in advance.例文帳に追加

予め求められている関係式ｆｎを用いて、そのエッチングパターンの線幅測定結果をレジストパターンの線幅に換算する。 - 特許庁

When a resist pattern layer 104 is thus formed on a silicon oxide layer 103, the silicon oxide layer 103 is selectively etched using the resist pattern layer 104 as a mask by well known dry etching (reactive ion etching).例文帳に追加

これらのように、酸化シリコン層１０３の上にレジストパターン層１０４を形成したら、よく知られたドライエッチング（反応性イオンエッチング）により、レジストパターン層１０４をマスクとして酸化シリコン層１０３を選択的にエッチングする。 - 特許庁

In such a case, a halogen ion having an atomic radius larger than that of the halogen contained in the etching gas for etching the film 2 to be etched is introduced into the resist pattern 3 after the resist pattern 3 is formed and before the film 2 to be etched is etched.例文帳に追加

その際、レジストパターン３を形成する後であって被エッチング膜２をエッチングする前に、レジストパターン３に対し、被エッチング膜２をエッチングするためのエッチングガスに含まれるハロゲンよりも原子半径が大きいハロゲンのイオンを導入する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device that has been improved to prevent a modified resist surface layer from being released when continuously performing dry etching and wet etching by the same resist pattern.例文帳に追加

同一のレジストパターンにより、ドライエッチングおよびウエットエッチングを連続的に行なう際に、変質したレジスト表面層を剥がれなくするように改良された、半導体装置の製造方法を提供することを主要な目的とする。 - 特許庁