「Etchant」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

The etching method of a conductor layer comprises a process for forming a conductor layer 22 on an insulation substrate 21, a process for forming metallic etching resist 23 on the formed conductor layer 22, and a process for etching the conductor layer 22 by a spray method for spraying etchant to the conductor layer 22 wherein the metallic etching resist 23 is formed.例文帳に追加

1)絶縁基板上に導体層を形成する工程、2)形成された前記導体層上に金属製エッチングレジストを形成する工程、および、3)前記金属製エッチングレジストが形成された導体層にエッチング液を噴霧するスプレー法により前記導体層をエッチングする工程を含むことを特徴とする導体層のエッチング方法である。 - 特許庁

To provide a glass substrate with a circuit pattern which can be finely patterned and can keep down a manufacturing cost and reduce the effects on the environment without using a large amount of chemicals such as a developer and an etchant, and never cause laser irradiation defects, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

微細なパターニングが可能であり、大量の現像液やエッチング剤等の薬液等を使用せず製造コストおよび環境負荷を抑制すること等ができ、さらにレーザ照射欠陥が生じない、回路パターンを有するガラス基板の製造方法、およびこれにより製造される回路パターンを有するガラス基板の提供。 - 特許庁

The manufacturing method of the silicon wafer includes: a process of obtaining a slice wafer by slicing a single-crystal silicon ingot; a process of grinding only one surface of the wafer; and a smoothing process of smoothing the other surface of the wafer by controlling the application of an etchant corresponding to the surface shape of the other surface of the wafer.例文帳に追加

本発明のシリコンウェーハの製造方法は、シリコン単結晶インゴットをスライスしてスライスウェーハを得る工程と、ウェーハの一方の面のみを片面研削する工程と、ウェーハの他方の面の表面形状に応じてエッチング液の適用を制御することによりウェーハの他方の面を平滑化する平滑化工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a resist pattern peeling method, wherein a good via hole pattern of an interlayer film is formed, if a resist pattern is required to be reformed as exposure error, etc., in a lithographic process takes place, by preventing such failures as peeling off of a resist pattern caused by the infiltration of a wet etchant due to decomposing of an interlayer film under O2 plasma.例文帳に追加

リソグラフィー工程での露光ミスなどにより、再度レジストパターン形成を行う必要が生じた場合に、層間膜がＯ_2プラズマによって変質することによりウェットエッチング液がしみ込み、レジストパターンの剥がれが生じる等の不具合を防止し、良好な層間膜のビアホールパターンを形成することができるレジストパターン剥離方法の提供。 - 特許庁

The etchant for copper oxide contains a chelating agent, an oxidant and a surfactant, wherein the chelating agent is at least one selected from the group consisting of α,ω-diamine acetic acid, α,ω-diamine succinic acid, α,ω-diamine propionic acid, 1,2-diaiminopropane tetraacetic acid, citric acid, isocitric acid, fumaric acid, adipic acid, succinic acid, glutamic acid, malic acid, tartaric acid and salts of these.例文帳に追加

本発明の酸化銅用エッチング液は、キレート剤と酸化剤と界面活性剤とを少なくとも含み、該キレート剤が、α，ω−ジアミン酢酸、α，ω−ジアミンコハク酸、α，ω−ジアミンプロピオン酸、１，２−ジアミノプロパン四酢酸、クエン酸、イソクエン酸、フマル酸、アジピン酸、コハク酸、グルタミン酸、リンゴ酸、酒石酸、及びこれらの塩からなる群より選ばれた少なくとも一種を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for film carrier tapes for electronic component mounting and an etching processor of film carrier tapes for electronic component mounting, which can provide film carrier tapes for electronic component mounting satisfactory in electrical characteristics, mechanical characteristics, etc., with a uniform finish of line widths in wiring patterns, for the purpose of forming wiring patterns by etching treatment of films with an etchant in an etching processor.例文帳に追加

エッチング処理装置内において、フィルムをエッチング液にてエッチング処理して、配線パターンを形成する際に、配線パターンの線幅の仕上がりが均一で、電気諸特性、機械的強度などの良好な電子部品実装用フィルムキャリアテープを提供できる電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法、ならびにそのための電子部品実装用フィルムキャリアテープのエッチング処理装置を提供する。 - 特許庁

This method comprises the steps of forming a thinner antireflection film 5 than 150 nm on a semiconductor substrate 1, coating a resist 6 on the antireflection film 5, exposing the resist 6 by the use of radiation rays, developing the resist 6 exposed, injecting impurities into the semiconductor substrate 1 through the antireflection film 5 using the developed resist 6 as a mask, and eliminating the resist 6 and antireflection film 5 with the same etchant.例文帳に追加

１５０ｎｍよりも薄い反射防止膜５を半導体基板１の上に形成する工程と、前記反射防止膜５の上にレジスト６を塗布する工程と、放射線を使用して前記レジスト６を露光する工程と、露光された前記レジスト６を現像する工程と、現像された前記レジスト６をマスクに使用して前記反射防止膜５を通して前記半導体基板１に不純物を注入する工程と、前記レジスト６と反射防止膜５を同じエッチャントによって除去する工程とを含む。 - 特許庁

In the method of manufacturing the wiring board, the oxidized film on the outermost surface of the tantalum nitride layer provided on the substrate is etched and, at the same time, the imidazole-alcohol compound is stuck to the surface of the tantalum nitride layer by treating the oxidized film with a mixed solution of an alkaline etchant and a specific imidazole-alcohol compound.例文帳に追加

イミダゾールアルコール化合物とアルカリ性溶液とを混合したエッチング剤兼防錆剤、基体上に窒化タンタル層、不可避的窒化タンタル酸化物層及びイミダゾールアルコール化合物からなる防錆層を順次有する配線用基板、及び基体上の窒化タンタル最表面の酸化膜をアルカリ性エッチング液と特定イミダゾールアルコール化合物の混合溶液で処理して、酸化膜をエッチングと同時にイミダゾールアルコール化合物を表面に付着させる配線用基板の製造方法。 - 特許庁

The composition for forming films comprises an organic solvent solution containing polyimide having a specific alicyclic tetracarboxylic acid structure, the method for forming film is characterized by forming the polyimide film by coating the composition for forming film and evaporating the solvent, and the method for processing the film is characterized by applying a wet etching method using an aprotic polar organic solvent as the etchant to remove the polyimide film of unwanted parts.例文帳に追加

特定の脂環族テトラカルボン酸構造を有するポリイミドを含有する有機溶剤溶液からなる皮膜形成用組成物、および該皮膜形成用組成物を塗布した上で溶剤を蒸発除去させる事により該ポリイミドの皮膜を形成することを特徴とする皮膜形成法、および非プロトン性極性有機溶剤をエッチャントとしてウェットエッチング法を用いて不要部分のポリイミド皮膜を除去することを特徴とする皮膜加工法。 - 特許庁

An etchant that selectively etches an oxide film containing hafnium and silicon, an oxide film containing hafnium and aluminium, an oxide film containing zirconium and silicon, or an oxide film containing zirconium and aluminium with respect to a thermally oxidized film; a method for producing an etching material that etches materials to be etched on which the above oxide films and a silicon oxide film are formed; and the etching material obtained from the method are provided.例文帳に追加

熱酸化膜（THOX）に対してハフニウムとシリコンを含む酸化物膜，ハフニウムとアルミニウムを含む酸化物膜，ジルコニウムとシリコンを含む酸化物膜又はジルコニウムとアルミニウムを含む酸化物膜を選択的にエッチングするエッチング液；該エッチング液を用いて、前記酸化物膜並びにシリコン酸化膜が形成された被エッチング物をエッチング処理するエッチング処理物の製造方法；該方法により得ることができるエッチング処理物。 - 特許庁

In the method of manufacturing the wiring board, the oxidized film on the outermost surface of the tantalum nitride layer provided on the substrate is etched and, at the same time, the azole compound is stuck to the surface of the tantalum nitride layer by treating the oxidized film with a mixed aqueous solution of an acidic etchant and the azole compound.例文帳に追加

アゾール化合物と酸性溶液とを混合したエッチング剤兼防錆剤、基体上に窒化タンタル層、不可避的窒化タンタル酸化物層及びアゾール化合物からなる防錆層を順次有する配線用基板、及び基体上の窒化タンタル最表面の酸化膜を酸性エッチング液とアゾール化合物の混合水溶液で処理して、酸化膜のエッチングと同時にアゾール化合物を表面に付着させる配線用基板の製造方法。 - 特許庁

This manufacturing method includes steps of forming, after the formation of the gate insulating film, an amorphous semiconductor layer on the substrate and also selectively forming a crystalline semiconductor layer to the amorphous semiconductor layer and etching the amorphous semiconductor layer by making the crystalline semiconductor layer remain using an alkali etching solution (etchant) of the amine system.例文帳に追加

同一の基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、結晶質と非晶質の積層の半導体層、ソース電極およびドレイン電極を順次形成した第１の薄膜トランジスタと、ゲート電極、ゲート絶縁膜、非晶質の半導体層、ソース電極およびドレイン電極を順次形成した第２の薄膜トランジスタを備える表示装置の製造方法にあって、 前記ゲート絶縁膜の形成後に、前記基板上に非晶質の半導体層を形成し、該非晶質の半導体層に選択的に前記結晶質の半導体層を形成する工程と、 アルカリ性のアミン系のエッチング液を用いて前記結晶質の半導体層を残存させて前記非晶質の半導体層をエッチングする工程とを備える。 - 特許庁

The etching step is a step in which alkali etching is performed after acid etching, and the acid etchant contains phosphoric acid of 30 wt% or more in an acid aqueous solution of 100 wt%, having fluoric acid and nitric acid as the main components.例文帳に追加

本発明のシリコンウェーハの加工方法は、複数のエッチング槽に酸エッチング液とアルカリエッチング液をそれぞれ貯え、ラッピング工程１１に続いて洗浄工程１２を経た加工変質層を有するウェーハを酸エッチング液とアルカリエッチング液とに順次浸漬するエッチング工程１３と、エッチングされたウェーハの片面を鏡面研磨する表面鏡面研磨工程１８と、表面鏡面研磨されたウェーハを洗浄する洗浄工程１９とを含み、エッチング工程が酸エッチングの後にアルカリエッチングが行われる工程であって、酸エッチング液がフッ酸及び硝酸を主成分とする酸水溶液１００重量％にリン酸３０重量％以上を含有することを特徴とする。 - 特許庁