「Etchant」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a function for assuring circulation of an etchant by effectively removing the gas, generated from the etchant, from within an injection line and an injection pump, while using a pump of blade water pump type which does not cause pulsation to be generated in injection pressure at low cost.例文帳に追加

安価で注送圧力に脈動を発生させない羽根水車式のポンプを使用しながらも、エッチング液から発生するガスを注送ライン内及び注送ポンプ内から効果的に取り除き、エッチング液の循環を確保する機能を提供する。 - 特許庁

When an etchant is supplied from a center axis nozzle 5 to the center, on the lower surface of the wafer W, the etchant surrounds the peripheral end face of the wafer W, and reaches its upper surface, resulting in the formation on a liquid film in contact with the wafer opposite surface 45.例文帳に追加

中心軸ノズル５から、ウエハＷの下面中央に向けてエッチング液が供給されると、このエッチング液は、ウエハＷの周端面を回り込んで、その上面に至り、ウエハ対向面４５に接触する液膜を形成する。 - 特許庁

The temperature control means 9 is configured so that each of the parts on the surface to be treated 101 is kept at a predetermined temperature before the etchant is fed, and cooled to a temperature lower than the predetermined temperature after the fed etchant is suctioned from the suction port 4b.例文帳に追加

温度制御手段９は、被処理面１０１の各部を、エッチング液が供給される前は所定温度に保ち、エッチング液が供給され吸引口４ｂから吸引された後に所定温度よりも低い温度に冷却するよう構成されている。 - 特許庁

To provide an etchant of copper which improves the removal property of a seed layer in a manufacturing process of a substrate and, at the same time, hardly causes the undercutting when removing such a seed layer and to provide a method of manufacturing substrate using such an etchant.例文帳に追加

本発明は、基板の製造工程におけるシード層の除去性を高めると同時に、このようなシード層を除去する際にアンダーカットが生じにくいエッチング液、およびこれらのエッチング液を使用した基板の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide an etchant of a compound semiconductor, capable of removing Ga_xIn_1-xP semiconductor (0.9≤x≤1.0), along with an etching method of the compound semiconductor using the relevant etchant, and a method of manufacturing a compound semiconductor light emitting device using the relevant etching method.例文帳に追加

Ｇａ_xＩｎ_1-xＰ半導体（0.9≦ｘ≦1.0）を除去することができる化合物半導体のエッチング液、当該エッチング液を用いた化合物半導体のエッチング方法、及び当該エッチング方法を用いた化合物半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method and a manufacturing apparatus for a printed wiring board which adjust the temperature of an etchant that is a mixture of a plurality of components, while suppressing the heat-caused side reaction, separation and decomposition of the etchant, thereby allowing formation of uniform wiring on the printed wiring board.例文帳に追加

複数の成分が混合したエッチング液を加熱による副反応や分離、分解反応を抑制して温度調節することができ、プリント配線基板の配線を均一に形成可能なプリント配線基板の製造方法及びその製造装置を提供する。 - 特許庁

A plurality of notches 7 are provided on support bars 6, and an angle θmade by a support plate 4 with respect to a support 5, that is, an angle at which the etchant discharging device 3 pours the etchant (water solution of HF:NH_4F=9:1, and HF:NH_4F=5:5) is made variable.例文帳に追加

支持棒６に複数の刻み７を設けて支持板４が支持台５に対してなす角度θ、すなわちエッチング液放出装置３からエッチング液（ＨＦ：ＮＨ_４Ｆ＝９：１、ＨＦ：ＮＨ_４Ｆ＝５：５の水溶液）を浴びせる際の角度を可変とする。 - 特許庁

The laminated conductive thin film 15 having the aluminum-based conductive thin film 12 and the molybdenum-based conductive thin films 11 and 13 is brought into contact with the etchant containing (a) phosphorous acid, (b) nitrate, (c) organic acid and (d) water, or the etchant containing nitric acid further.例文帳に追加

アルミニウム系導電性薄膜１２と、モリブデン系導電性薄膜１１，１３を備えた積層導電性薄膜１５を、(ａ)リン酸と、(ｂ)硝酸塩と、(ｃ)有機酸と、(ｄ)水とを含有するエッチング液、またはさらに硝酸を含有するエッチング液と接触させる。 - 特許庁

In a method for etching surface of wiring board, a thin wiring board 1 is transported in the direction of its flat surface in an etchant L and, at the same time, the etchant L is transported under pressure to the front and rear surfaces of the board 1 over the whole width perpendicularly to the transporting direction of the board 1.例文帳に追加

エッチング液Ｌ中において薄板形状の配線基板１をその平面方向に沿って搬送すると共に、この配線基板１の表裏面に対し、この表裏面における搬送方向と直交する幅全体に渉り上記エッチング液Ｌを圧送する、配線基板の表面エッチング方法。 - 特許庁

The main surface of a silicon-on-insulator wafer 14 is fixed with a sheet 13 having an adhesive layer, and a surface opposite to the main surface of the wafer 14 is exposed to an etchant from a blow-up guide 16, and the etchant is absorbed from around the wafer so that it does not make contact with the adhesive layer.例文帳に追加

シリコンオンインシュレータウェハ１４の主面側を接着層をもつシート１３によって固定して、上記ウェハの主面と逆の面を吹き上げガイド１６からのエッチャントにさらし、上記エッチャントは上記ウェハの周囲から上記接着層に触れないように吸い込ませる。 - 特許庁

This etching system is arranged on plural hollow rollers (206b) for supporting both side boards (204) and is provided with plural 1st etchant nozzles (214), plural solid rollers (222a to f), plural second etchant nozzles (224a to c) and plural air nozzles (226a, b).例文帳に追加

エッチング装置は、両面ボード（２０４）支持用の複数の中空ローラ（２０６ｂ）上に配置され、複数の第１エッチャントノズル（２１４）、複数の中実ローラ（２２２ａ〜ｆ）、複数の第２エッチャントノズル（２２４ａ〜ｃ）、複数のエアーノズル（２２６ａ，ｂ）を備えている。 - 特許庁

In this case, the gate oxide film 14 is formed by adjusting the partial pressure of the mixed gas of an oxidizing agent with an etchant so that the oxidizing agent (such as an N2O and an CO2) is combined with the etchant (such as H2) and the thin (to 12 Å) and high-quality oxide film 14 is controllably grown.例文帳に追加

ゲート酸化物（１４）が、酸化剤（例えばＮ_2Ｏ、ＣＯ_2）をエッチング剤（例えばＨ_2）と組合わせ、薄い（〜１２Å）高品質の酸化物（１４）を制御自在に成長させるように、分圧を調節することによって形成される。 - 特許庁

To prevent a lower structure from being damaged by an oxide film etchant by adjusting an etchant proportion in a step of applying specified etching added to a nitride film strip process to remove a natural oxide film on a nitride film.例文帳に追加

窒化膜ストリップ工程に、酸化膜エッチャントを用いた所定のエッチングを行う段階を追加して窒化膜上の自然酸化膜を除去するが、エッチャントの割合を調節してエッチャントによる下部構造物の損傷を防止することを目的としている。 - 特許庁

Removing from the first portion of the cavity the sacrificial material underlying the device structure by introducing the release etchant from the back side of the substrate via the second portion of the cavity allows the release etch to be performed without exposing the device structure to the release etchant.例文帳に追加

基板の背面から空洞の第２の部分を介してリリースエッチャントを導入することによって、デバイス構造の下に位置する犠牲材料を空洞の第１の部分から除去することで、デバイス構造がリリースエッチャントに曝されることなくリリースエッチングを行うことができる。 - 特許庁

To provide an etching device for wet-etching a silicon substrate which is arranged to suppress the decrease in the etching rate resulting from the decrease in the oxidation-reduction potential of an etchant, and the deterioration in the in-plane uniformity of the amount of etching owing to the reduction in the circulating flow rate of the etchant.例文帳に追加

シリコン基板をウエットエッチングするエッチング装置において、エッチング液の酸化還元電位の低下によるエッチングレートの低下や、エッチング液の循環流量の低下によるエッチング量の面内均一性の低下を抑制する。 - 特許庁

To obtain a metal-etching-inhibiting ultraviolet-curable composition having the ability to form a coating-unevenness-free uniform coating film excellent in resistance to corrosion by an acid etchant, not suffering from the elution of a part of the film-constituting materials into the etchant having a highly elaborate processing accuracy, and being easily released by treatment with an alkali solution.例文帳に追加

酸エッチング液に対して、優れた耐食性があり、塗布ムラのない均一な塗膜形成性を有し、塗膜構成材料の一部がエッチング液に溶出せず、高微細加工精度があり、アルカリ液にて容易に剥離可能である金属エッチング防食用の紫外線硬化性組成物の提供。 - 特許庁

When an etchant is supplied from a center nozzle 5 to the center of the lower surface of the wafer W, the etchant reaches the upper surface of the wafer W through the peripheral end face of the wafer W and forms a liquid film which comes into contact with the wafer facing face 45 of the annular member 32.例文帳に追加

中心軸ノズル５から、ウエハＷの下面中央に向けてエッチング液が供給されると、このエッチング液は、ウエハＷの周端面を回り込んで、その上面に至り、ウエハ対向面４５に接触する液膜を形成する。 - 特許庁

An etching device 10 is provided with a support base 12, a chemical tank 14 for containing an etchant 13 supplied to the substrate 11 held on the base 12, and a control mechanism 14 which controls the supply of the etchant 13 from the tank 14 to the substrate 11 held on the base 12.例文帳に追加

支持台１２と、該支持台上に保持された半導体基板１１に供給されるエッチング液１３を収容する薬液タンク１４と、該薬液タンクから支持台１２上の半導体基板１１へのエッチング液１３の供給を制御するための制御機構１４とを含む。 - 特許庁

The etching apparatus comprises a holding and driving mechanism 1 to drive a semiconductor wafer to rotate in the circumferential direction by vertically holding the wafer, and an etching vessel 21 to contain etchant and etch the circumferential edge of the semiconductor wafer to be driven to rotate with the holding and driving mechanism by soaking the wafer into the etchant.例文帳に追加

半導体ウエハをほぼ垂直に保持して周方向に回転駆動する保持駆動機構１と、エッチング液が収容されるとともに保持駆動機構によって回転駆動される上記半導体ウエハの周縁部が上記エッチング液に浸漬してエッチングされるエッチング槽２１とを具備する。 - 特許庁

A second nozzle 16 being opposed to the edge face 11b of the wafer 11 and supplying the edge face 11b of the wafer 11 with the etchant 15 is further fitted in addition to a first nozzle 14 supplying the top face 11a of the wafer 11 with the etchant 15.例文帳に追加

ウェーハ１１の上面１１ａにエッチング液１５を供給する第１ノズル１４に加えて、ウェーハ１１のエッジ面１１ｂに対向して設けられウェーハ１１のエッジ面１１ｂにエッチング液１５を供給する第２ノズル１６を更に備える。 - 特許庁

To provide an etchant which is used for wet anisotropic etching on silicon and consists of a solution of a quaternary ammonium compound such as tetramethyl ammonium hydroxide, the etchant having a fast etching speed, forming no stuck material, and being free of a decrease in etching speed even when continuously used.例文帳に追加

シリコンの湿式異方性エッチングで使用するテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド等の第４級アンモニウム化合物の水溶液からなるエッチング液であって、エッチング速度が速く、付着物を形成することがなく、連続使用してもエッチング速度が低下し難いエッチング液を提供する。 - 特許庁

To provide a method which can enhance the efficiency of treating an etchant by electrolytic oxidation treatment, and besides, can facilitate the maintenance of an electrolytic treatment apparatus, in a method of recovering and/or maintaining etching performance by electrolytically anodizing the etchant containing a manganese salt as an effective component.例文帳に追加

マンガン塩を有効成分として含むエッチング液を陽極電解酸化処理してエッチング性能を回復乃至維持する方法において、電解酸化処理によるエッチング液の処理効率をより向上させることができ、しかも電解処理装置のメンテナンスを容易にすることが可能な方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a superior semiconductor laser element which is free from edge corrosion when the light output of the semiconductor laser element is increased as to a semiconductor laser element which securely has a current uninjected structure, a semiconductor etchant used to etch compound semiconductor crystal, and a manufacturing method for the semiconductor element using the etchant.例文帳に追加

電流非注入構造を確実に有する半導体レーザ素子、化合物半導体結晶のエッチングに使用する半導体エッチング液およびこれを用いた半導体レーザ素子の製造方法に関するものであり、半導体レーザ素子の光出力を増大させた際、端面腐食が発生しない優れた半導体レーザ素子を得ること。 - 特許庁

To achieve higher level of stability compared with a conventional peroxide-based etchant and improve the capacity of processing using an etchant composition capable of collectively etching a multi-layered film comprising a copper layer and other metal layer using a low content of hydrogen peroxide and having an etching speed suitable for a process, an appropriate etching amount, and an appropriate taper tilt angle.例文帳に追加

低い過酸化水素含有量で銅膜と他の金属膜とからなる多重膜の一括エッチングが可能で、工程に適したエッチング速度、適当なエッチング量、及び適切なテーパ傾斜角を有するエッチング液組成物により、既存の過水系エッチング液よりも高い安定性を有し、処理枚数能力を向上させる。 - 特許庁

The etchant, the pure water and the nitrogen gas are discharged in directions inclined to come close to a wafer W as heading toward the outside of the radius of rotation of the wafer W, and are supplied to an etchant supply position Pe, a pure water supply position Pd and a nitrogen gas supply position Pn on a surface of the wafer W, respectively.例文帳に追加

エッチング液、純水および窒素ガスは、ウエハＷの回転半径外方に向かうにつれてウエハＷに近づくように傾斜した方向に吐出されて、それぞれウエハＷの表面のエッチング液供給位置Ｐｅ、純水供給位置Ｐｄおよび窒素ガス供給位置Ｐｎに供給される。 - 特許庁

If a drop in the flow rate of the etchant is observed by analyzing the signal from a flow rate sensor 4, the control device 9 closes the shielding valves 5A and 6A, stops the injection piping 2A and the injection pump 3A; whereas, it opens shielding valves 5B and 6B to activate an injection piping 2B and an injection pump 3B so that the etchant is circulated by an injection line B.例文帳に追加

流量センサ４からの信号を解析しエッチング液流量の低下が観測されると、制御装置９は遮断弁５Ａ，６Ａを遮断し、注送配管２Ａ及び注送ポンプ３Ａを停止する一方、遮断弁５Ｂ，６Ｂを開放し注送配管２Ｂ及び注送ポンプ３Ｂを稼働させて送ラインＢによるエッチング液の循環供給を行う。 - 特許庁

To provide a pressure-sensitive adhesive tape for protecting a surface of a radiation curable semiconductor wafer that prevents a pressure-sensitive adhesive layer from remaining on the surface of the semiconductor wafer as an etchant is absorbed by the pressure-sensitive adhesive layer exposed at a peripheral part of the semiconductor wafer, and also prevents the surface of the semiconductor wafer from being contaminated owing to entry of grinding water and the etchant due to a deficiency in adhesion.例文帳に追加

半導体ウエハ周辺部分に露出している粘着剤層にエッチング液が吸収されて、これにより半導体ウエハ表面に粘着剤層が残存することを防ぐとともに、密着性不足による研削水やエッチング液の浸入による半導体ウエハ表面の汚染を防ぐことのできる放射線硬化性半導体ウエハ表面保護用粘着テープを提供する。 - 特許庁

This method for regenerating the etchant includes adding a deposition agent such as ammonium chloride, to a fatigued liquid which is discharged when etching a metal (ST2) including at least copper, with an etchant including at least ferric chloride and further hydrochloric acid, ammonium chloride, and the like, of predetermined concentration, and further concentrating and cooling it, to deposit a copper component dissolving in the fatigued liquid (ST3).例文帳に追加

少なくとも塩化第二鉄を含み、さらに所定濃度の塩酸や塩化アンモニウムなどを含むエッチング液を用いて、少なくとも銅を含む金属をエッチング処理した（ＳＴ２）ときに出される疲労液に、塩化アンモニウムなどの析出剤を添加し、さらに濃縮や冷却などを行って、疲労液中に溶解している銅成分を析出させる（ＳＴ３）。 - 特許庁

The method of manufacturing the piezoelectric vibrator includes: a first etching process of processing a surface of the piezoelectric vibration piece 2 using a first etchant consisting of a potassium hydroxide aqueous solution prior to a process of mounting the piezoelectric vibration piece 2; and a second etching process of processing the surface of the piezoelectric vibration piece 2 using a second etchant consisting of a solution of potassium ferricyanide and potassium hydroxide.例文帳に追加

圧電振動片２をマウントする工程の前に、水酸化カリウム水溶液からなる第１エッチャントを用いて圧電振動片２の表面を処理する第１エッチング工程と、フェリシアン化カリウム及び水酸化カリウムの水溶液からなる第２エッチャントを用いて圧電振動片２の表面を処理する第２エッチング工程とを有することを特徴とする - 特許庁

To avoid this problem, selective etching is performed on a first cap layer 5 by using a phosphoric acid based etchant after the layer is subjected to etching using the hydrochloric acid-based etchant so as to remove the first cap layer 5 including a portion of the second cap layer 6 and the alteration product D that remain on the first cap layer 5 from a cladding layer 4.例文帳に追加

そこで、塩酸系エッチャントによるエッチングに引き続き、リン酸系エッチャントを用いて、第１のキャップ層５を選択エッチングすることにより、第１のキャップ層５に残留する第２のキャップ層６の一部と変質物Ｄとを、第１のキャップ層５と共にクラッド層４の表面から除去する。 - 特許庁

To provide an etchant capable of etching a molybdenum-based conductive thin film formed on a substrate or a laminated conductive thin film in which molybdenum-based conductive thin films and aluminum-based conductive thin films are laminated to form side surfaces having favorable forward tapered shape effectively, and an etching method by using the etchant.例文帳に追加

基板上に形成されたモリブデン系導電性薄膜、または、モリブデン系導電性薄膜とアルミニウム系導電性薄膜とが積層された積層導電性薄膜を、効率よく、側面が良好な順テーパー形状となるようなエッチングを行うことが可能なエッチング液、および、該エッチング液を用いたエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The wet etching method includes: a process in which a groove extended along the protection target of a processed structure is formed to the processed structure; a process in which an etchant-resistant protection film covering the protection target and the groove and partially entering the groove is formed on the processed structure; and a process for making an etchant act on the processed structure.例文帳に追加

本発明のウエットエッチング方法は、被加工構造体の保護対象箇所に沿って延びる溝部を被加工構造体に形成する工程と、保護対象箇所および溝部を覆い且つ当該溝部に一部が入り込むエッチング液耐性保護膜を被加工構造体上に形成する工程と、被加工構造体に対してエッチング液を作用させる工程とを含む。 - 特許庁

To provide etchant which suppresses a film decrease amount by etching of a mask pattern or can reduce dispersion of the etching rate of the mask pattern at the time of wet-etching a silicon substrate through the mask pattern in a prescribed shape which is formed of an oxide film, and to provide a manufacturing method of etchant and a manufacturing method of a liquid injection head.例文帳に追加

酸化膜からなる所定形状のマスクパターンを介してシリコン基板をウェットエッチングする際に、マスクパターンのエッチングによる膜減り量を抑制し、又はマスクパターンのエッチグレートのばらつきを低減することができるエッチング液及びその製造方法、並びに液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain an etchant which is capable of suppressing the generation of root remaining of copper foil even in inner layer conductor circuits subjected to rust preventive treatment, such as chromate treatment, abating the shorting defect between the conductor circuits and providing printed circuit boards having excellent circuit formability, and a method for manufacturing the printed circuit boards using this etchant.例文帳に追加

クロメート処理等の防錆処理が施された内層導体回路においても、銅箔の根残りの発生を抑え、それにより導体回路間のショート不良が少なく、回路形成性に優れたプリント配線板を提供し得るエッチング液、およびこのエッチング液を用いたプリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etchant and an etching method that can greatly facilitate a processing shape confirming operation in etching processing which should have been done frequently by suppressing a temporal decrease in etching speed during continuation of warming unique to an etchant containing hydroxylamines, in etching processing of silicon, especially, anisotropic etching of silicon in a manufacturing process of an MEMS component.例文帳に追加

シリコンのエッチング加工、特にＭＥＭＳ部品の製造工程におけるシリコンの異方性エッチング加工において、ヒドロキシルアミン類を含有するエッチング液に特有な加温継続時のエッチング速度の経時低下を抑制することによって、頻繁に行わざるを得なかったエッチング処理中の加工形状確認操作を大幅に簡略化できる、エッチング液およびエッチング方法を提供する。 - 特許庁

A surface processing apparatus 1 has a chucking plate 21 supporting a work 10, and a nozzle 4 which is provided so as to be movable relative to the chucking plate 21 and has a discharge port 4a discharging an etchant to a processed surface 101 of the work 10 supported by the chucking plate 21 and a suction port 4b suctioning the etchant discharged from the discharge port 4a.例文帳に追加

表面加工装置１は、ワーク１０を支持するチャッキングプレート２１と、チャッキングプレート２１に対して移動可能に設けられ、チャキングプレート２１に支持されたワーク１０の被処理面１０１に対してエッチング液を送出する送出口４ａおよび送出口４ａから送出されたエッチング液を吸引する吸引口４ｂを有するノズル４とを有する。 - 特許庁

In order to scrape off the surface of the plated layer formed relatively thick on a wafer W, such a mechanism is employed wherein the surface of the plated layer is chemically removed by supplying an etchant from a chemical nozzle 303 of a washing treatment unit (SRD) provided with the chemical nozzle 303 for special purpose for supplying an etchant, without mechanically polishing the surface polishing equipment (CMP).例文帳に追加

ウエハＷ上に厚目に形成されたメッキ層の表面を削り取るのに、機械的に研磨する表面研磨装置ＣＭＰを用いるのではなく、エッチング液を供給するための専用ノズルとしての薬液ノズル３０３を備えた洗浄処理ユニット（ＳＲＤ）を用いて、この薬液ノズル３０３からエッチング液を供給することにより化学的に除去する機構を採用する。 - 特許庁

At the time of subjecting a multilayer electrically conductive film 5 composed by laminating a silver series thin film 3 and transparent oxide thin films 2 and 4 essentially consisting of indium oxide to etching with an etchant essentially consisting of sulfuric acid and nitrid acid, the etching is executed by using an etchant contg. a buffer for suppressing the volatilization of nitric acid.例文帳に追加

銀系薄膜３と、酸化インジウムを主成分とする透明酸化物薄膜２、４とを積層して構成される多層導電膜５を、硫酸と硝酸を主成分とするエッチャントによりエッチングする際に、エッチャントに硝酸の揮発を抑える為のバッファーが含有しているエッチャントを用いてエッチングすること。 - 特許庁

After a linear or columnar protection wall pattern 5 is formed by using a material of color layers etc., of a photospacer and a color filter and a seal pattern 3 is formed by applying a sealing material along the protection wall pattern 5, a couple of substrates are stuck together and an etchant sealing material 6 is made to penetrate from a substrate end 1 to prevent an etchant from entering.例文帳に追加

フォトスペーサやカラーフィルタの色層などの材料を用いて線状または柱状の保護壁パターン５を形成し、その保護壁パターン５に沿ってシール材を塗布してシールパターン３を形成した後、これらの一対の基板を貼り合わせ、エッチング液の侵入を防ぐためにエッチング液封止材６を基板端１から浸透させる。 - 特許庁

The etchant, pure water, and nitrogen gas are discharged in a direction sloped so as to come closer to a wafer W as it goes outward in the turning radius of the wafer W and are supplied to an etchant supplying position Pe, a pure water supplying position Pd, and a nitrogen gas supplying position Pn, respectively, on the surface of the wafer W.例文帳に追加

エッチング液、純水および窒素ガスは、ウエハＷの回転半径外方に向かうにつれてウエハＷに近づくように傾斜した方向に吐出されて、それぞれウエハＷの表面のエッチング液供給位置Ｐｅ、純水供給位置Ｐｄおよび窒素ガス供給位置Ｐｎに供給される。 - 特許庁

The method for manufacturing a glass substrate includes arranging a plurality of conveying rollers along a transportation direction of the glass substrate for electronic devices, immersing a part of the conveying rollers in an etchant, and roughening a first surface of one surface of the glass substrate by adhering the etchant absorbed to the conveying roller to the first surface when the conveying rollers are driven, and when the glass substrate is transported.例文帳に追加

電子デバイス用のガラス基板の搬送方向に沿って複数の搬送ローラを配置し、搬送ローラの一部はエッチャントに浸漬し、搬送ローラを駆動してガラス基板を搬送する際、搬送ローラに吸収されたエッチャントがガラス基板の一方の面である第１面に付着することによって粗面化することを前提とする。 - 特許庁

A crystal substrate and a container in which the crystal substrate is stored are heated by a clean oven so as to be set to the same temperature as etchant liquid temperature, and the crystal substrate as well as the container in which the crystal substrate is stored are both input to an etching treatment tank, and the etching of the crystal substrate is carried out with etchant such as heated fluorinated acid-ammonium fluoride.例文帳に追加

水晶基板および水晶基板を収容した容器をエッチャント液温と同温になるようにクリーンオーブンで加温し、水晶基板、および水晶基板を収容した容器ごとエッチング処理槽に入れ、加温された弗酸・弗化アンモニウムなどのエッチャントにより水晶基板のエッチングを行う。 - 特許庁

Due to the heat caused by friction between a projection part of a metal film existing in the face and the polishing pad 4, increase in temperatures is caused locally in the etchant, and the etching rate of the etchant is accelerated, and the projection part of the metal film is selectively etched to flatten, and thereafter it is uniformly etched to remove the metal film.例文帳に追加

被研磨面内に存在する金属膜の凸部と研磨パッド４との摩擦により生じる摩擦熱によって、エッチング溶液に局部的な温度上昇を生じさせて、エッチング溶液のエッチングレートを促進させ、金属膜凸部を選択的にエッチングして平坦化し、その後、一様にエッチングして金属膜を除去する。 - 特許庁

On the printed board 4, the circuit patterns are formed in the expected pattern width by alternating a process of blowing an etchant from an etching nozzle (liquid chemical nozzle) 1 onto the printed board 4 which is being carried and a process of blowing air from an air nozzle 11 onto the printed board 4 so that the etchant is removed from on the printed board 4.例文帳に追加

搬送状態にあるプリント基板４上にエッチングノズル（薬液ノズル）１よりエッチング液を吹き付ける工程と、該エッチング液がプリント基板４上から除去されるべく、プリント基板４上にエアーノズル１１より気体を吹き付ける工程とが交互に繰返されるようにして、プリント基板４上に回路パターンが所期のパターン幅として形成されるようにしたものである。 - 特許庁

An etching device 10 is provided with carrying rollers 12 which carry the wiring board 1 in the direction of its flat surface in the etchant L, upper and lower paired water wheels 14 which transport the etchant L to the front and rear surfaces of the substrate 1 under pressure, and flow straightening plates 22 and 23 respectively positioned on both sides of the water wheels 14 and having curved surfaces 20.例文帳に追加

また、エッチング液Ｌ中において薄板形状の配線基板１をその平面方向に沿って搬送する搬送ローラ１２と、配線基板１の表裏面に対向して配設され、係る表裏面に上記エッチング液Ｌを圧送する上下一対ずつの水車１４と、各水車１４の両側に配置したカーブ面２０を有する整流板２２,２３と、を含む、配線基板の表面エッチング装置１０も提案する。 - 特許庁