Etchantを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 968件
The silicon wafer is etched using the etchant containing diethylenetriamine pentaacetic acid (DTPA) in an alkali solution.例文帳に追加
アルカリ溶液中にジエチレントリアミン5酢酸(DTPA)を含有するエッチング液を用いて、シリコンウェーハのエッチングを行う。 - 特許庁
As the etchant, an oxide, polysilicon, a metal, a photoresist, and a polyimide or their combination is used.例文帳に追加
エッチング液としては、酸化物,ポリシリコン,金属,フォトレジスト,ポリイミドの諸エッチング液、或いはまたこれらの組み合わせたものが入る。 - 特許庁
A dopant source may be intermixed with the trisilane and the etchant source to selectively deposit the doped Si-containing film.例文帳に追加
ドーパントソースは、ドープしたSi含有膜を選択的に堆積させるために、トリシランおよびエッチャントソースと混合することもできる。 - 特許庁
By an etching operation using an alkali silicon anisotropic etchant, a slit 1d is formed.例文帳に追加
その後、アルカリのシリコン異方性エッチング液を用いたエッチングによってスリット1dを形成する。 - 特許庁
Further, as shown by figure 1(c), the nickel 4' on the insulating film 2 is selectively eliminated by etchant by which nickel is dissolved.例文帳に追加
更に、図1(c)に示すように、ニッケルを溶解させるエッチング液によって絶縁膜2上のニッケル4′を選択的に除去する。 - 特許庁
Furthermore, the etchant can be supplied selectively only to the lower surface of the substrate 9, regardless of the shape of the substrate 9.例文帳に追加
また、基板9の形状にかかわらず、基板9の下面のみに選択的にエッチング液を供給することができる。 - 特許庁
To provide an etchant capable of selectively removing a high dielectric constant material and selectively leaving an SiN film, and an etching method.例文帳に追加
高誘電率材料を選択的に除去し、かつ、SiN膜を選択的に残すことができるエッチング液、およびエッチング方法を提供する。 - 特許庁
PROCESS FOR MANAGING ETCHANT FOR EPOXY RESIN CURED MATERIAL AND PROCESS FOR ETCHING EPOXY RESIN CURED MATERIAL USING THIS MANAGEMENT PROCESS例文帳に追加
エポキシ樹脂硬化物用エッチング液の管理方法およびその管理方法を用いたエポキシ樹脂硬化物のエッチング方法 - 特許庁
To obtain an etchant for etching a group III-V compound semiconductor containing arsenic as a group V at a stable etching rate.例文帳に追加
V族として砒素を含むIII−V族化合物半導体を安定したエッチングレートでエッチングすることができるエッチング液を得る。 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF GROUP III NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE AND ETCHANT USED FOR THE SAME AND, GROUP III NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加
III族窒化物結晶基板の製造方法、それに用いるエッチング液、III族窒化物結晶基板、ならびにそれを用いた半導体素子 - 特許庁
This new etchant does not contain chromium, and makes it possible to realize a significantly sufficient etching speed and a significantly satisfactory etching result.例文帳に追加
この新規なエッチング液は、クロムを含まず、きわめて十分なエッチング速度およびきわめて満足のいくエッチング結果を可能にする。 - 特許庁
A quinone compound, such as 2,5-dihydroxy-1,4-benzoquinone, shown in formula (1) is added to the etchant at a concentration of 0.05 to 20.0% by mass.例文帳に追加
前記エッチング液に、2,5-ジヒドロキシ-1,4-ベンゾキノンのような下記式(1)で示されるキノン化合物を0.05〜20.0質量%の濃度で添加する。 - 特許庁
This etchant composition contains phosphoric ester salt containing a perfluoroalkyl group, an oxalic acid, and water.例文帳に追加
パーフルオロアルキル基含有リン酸エステル塩、シュウ酸、および水を含有するエッチング液組成物とする。 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF ELECTRON EMITTING ELEMENT, ELECTRON SOURCE, DISPLAY ELEMENT, IMAGING DEVICE, AND ETCHANT FOR PLATINUM MATERIAL例文帳に追加
電子放出素子、電子源、表示素子及び画像形成装置の製造方法並びに白金材料用エッチング液 - 特許庁
To provide an etchant capable of etching an ITO transparent electrode (or an IZO transparent electrode) and a ZAO transparent electrode with the same liquid.例文帳に追加
ITO透明電極(又はIZO透明電極)とZAO透明電極を同一液でエッチングできるエッチング液を提供する。 - 特許庁
The etchant composition further comprises one or more compounds selected from among glycine, asparaginic acid and iminodiacetic acid.例文帳に追加
さらにグリシン、アスパラギン酸、イミノ二酢酸から選択される1種または2種以上を配合してなるなるエッチング液組成物。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device and an etchant capable of removing a titanium nitride film without making a CoSi film thin.例文帳に追加
CoSi層を薄膜化せず、窒化チタン膜を除去することができる半導体素子の製造方法及びエッチング液。 - 特許庁
To provide an alkali etchant which suppresses the degradation of the global flatness of a wafer and can reduce enough its glossiness.例文帳に追加
グローバル平坦度の劣化を抑え、かつウェーハの光沢度を充分に低下させ得るアルカリエッチャントを提供する。 - 特許庁
At this time, the first metal layer 22 in the multilayer body is etched selectively into a predetermined pattern using etchant for the metal layer.例文帳に追加
この際、積層体の第1金属層22は、金属層用エッチング液を用いて所定パターンで選択的にエッチングされる。 - 特許庁
An alkaline solution is used as an etchant to selectively remove the crystal reversal region 32 by etching, and divide the substrate 3.例文帳に追加
エッチャントとしてアルカリ性水溶液を用いることにより、結晶反転領域32が選択的にエッチング除去され、基板3が分割される。 - 特許庁
To provide an etchant for forming a textured polycrystalline silicon semiconductor with reduced reflectance of incident light.例文帳に追加
入射光反射率が低減した多結晶シリコン半導体テクスチャを形成するためのエッチング液を提供する。 - 特許庁
At first, the surfaces 11a, 12a of the glass substrates 11, 12 are etched with the first etchant 23 with a faster rate of etching.例文帳に追加
まず、エッチングレートの早い第1のエッチング液23で、ガラス基板11,12の表面11a,12aをエッチング処理する。 - 特許庁
To provide an etchant for optionally setting dissolution rates for two different metals, and a method for manufacturing a circuit board therewith.例文帳に追加
2種の異なる金属の溶解速度が任意に設定できるエッチング液とそれを用いた回路基板の製法を提供する。 - 特許庁
To provide etchant which can etch a layer of gold or silver, or an alloy thereof of a substrate surface uniformly in a short time.例文帳に追加
同基板表面の金又は銀もしくはこれらの合金の層を短時間で均一にエッチングすることが可能なエッチング液を提供すること。 - 特許庁
To form an air gap in a microstructure by degrading a sacrificial membrane material by diffusion of a chemical etchant through a membrane.例文帳に追加
化学エッチング液の膜を通じた拡散による犠牲膜材料の分解により、微細構造のエアギャップを形成する。 - 特許庁
The plasma etchant is generated from a plasma source gas comprising: (i) at least one fluorine-containing gas, and (ii) oxygen.例文帳に追加
プラズマエッチング剤は、(i)少なくとも1つのフッ素含有ガスと、(ii)酸素からなるプラズマ源ガスから、発生する。 - 特許庁
The distances from the center of rotation of the wafer W to the etchant supplying positions 46 are substantially different from each other.例文帳に追加
複数のエッチング液供給位置46は、ウエハWの回転中心からの距離が実質的に異なっている。 - 特許庁
A chemical liquid 9 containing an etchant is supplied from a nozzle 8 onto the substrate 11.例文帳に追加
基板11を回転させながら、ノズル8からエッチャントを含む薬液9を基板11上に供給する。 - 特許庁
GLASS ETCHANT LIQUID, GLASS ETCHING METHOD, GLASS SUBSTRATE FOR FLAT PANEL DISPLAY AND FLAT PANEL DISPLAY例文帳に追加
ガラスエッチング液、ガラスエッチング方法、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板及びフラットパネルディスプレイ - 特許庁
Then, by using the pseudo-etching mask M, a second dry etching is performed with the chlorine gas as etchant anda rough structure is formed.例文帳に追加
次いで、この擬似エッチングマスクMを用い、塩素系ガスをエッチャントとして第2のドライエッチングを行い、凹凸構造を形成する。 - 特許庁
In the bottom face 121 of the shielding plate 12, openings 122a, 122b, 122c for discharging an etchant, pure water, and nitrogen gas, respectively, are formed.例文帳に追加
遮断板12の下面121には、それぞれエッチング液、純水および窒素ガスを吐出する開口122a,122b,122cが形成されている。 - 特許庁
ETCHANT COMPOSITION FOR POLISHING SEMICONDUCTOR WAFER, MANUFACTURING METHOD OF POLISHING COMPOSITION USING SAME, AND POLISHING METHOD例文帳に追加
半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物、それを用いた研磨用組成物の製造方法、及び研磨加工方法 - 特許庁
The part passing through the bonding interface in the contact hole is not corroded by an etchant.例文帳に追加
コンタクトホールにおける貼り合わせ界面を貫通する個所は、エッチング液により浸食されていない。 - 特許庁
The silicon oxide film 12 remaining on the silicon substrate 11 is etched and removed using an etchant 17 to the silicon oxide.例文帳に追加
シリコン酸化物に対するエッチャント17を用いてシリコン基板11上に残存したシリコン酸化膜12をエッチングして除去する。 - 特許庁
Discharge opening arrangement (48) surrounding the tower guides air and the discharged etchant vapor radially from nearby the wafer (28) to the outer side.例文帳に追加
前記塔を取り囲んでいる排出口配置(48)は、空気及び逃げたエッチング液蒸気を、ウェーハ(28)近傍から外側に放射状に引き取る。 - 特許庁
To provide an apparatus for etching, through which a substrate having a high-density circuit formed can be manufactured in high yield by accelerating a flow of an etchant.例文帳に追加
本発明は、エッチング液の流れを促進させ、高密度回路が形成される基板を高い収率で製造できるエッチング装置を提供する。 - 特許庁
While the etchant is spouted out of the 2nd washing liquid supply nozzles 331 and 351, gas is blown out of gas supply nozzles 336 and 356.例文帳に追加
第2洗浄液供給ノズル331,351からエッチング液が吐出されるのと同時に、ガス供給ノズル336,356からガスを吐出させる。 - 特許庁
When the isolated layer is etched by a prescribed amount, the etchant is stopped supplying, and pure water is supplied onto a face to be etched through a pipe 35.例文帳に追加
分離層が所定量エッチングされた時、エッチング液の供給を停止し、配管35を通して被エッチング面上に純水を供給する。 - 特許庁
For the wet etching, an etchant including hydrofluoric acid, buffered hydrofluoric acid and aqueous ammonia, etc., is used.例文帳に追加
ウェットエッチングには、フッ酸や、バッファード・フッ酸、アンモニア水などを含むエッチャントを用いる。 - 特許庁
A liquid feeding and discharging block 23 is positioned at a point immediately above the pot 1 or its vicinity and temporarily stores a prescribed amount of etchant.例文帳に追加
給排液ブロック23はエッチングポット1の真上近傍に配置され、所定量のエッチング液が一時的に貯留される。 - 特許庁
The metal ions having electro-negativity higher than that of the semiconductor substrate and added to the etchant 5 deposite as metal by taking electrons selectively from an N type region of high electron concentration.例文帳に追加
エッチング液5に、電気陰性度が半導体基板4の電気陰性度より大きい金属イオン(Cuイオン)を含ませることを特徴とする。 - 特許庁
The first portion of dielectric material is exposed to an etchant that contains reactive species from a mixture, including NH_3 and NF_3.例文帳に追加
誘電材料の該第1の部分は、NH_3およびNF_3を含む混合物からの反応種を含むエッチャントに暴露される。 - 特許庁
The cleaning liquid for the semiconductor device contains an oxidant, a metal etchant, and a surfactant, and has a pH of 10-14.例文帳に追加
酸化剤、金属エッチング剤、および界面活性剤を含み、pHが10〜14である半導体デバイス用洗浄液。 - 特許庁
To provide an etchant to easily and stably reproduce fine pyramidal recess-projection portions having excellent uniformity.例文帳に追加
均一性に優れた微細なピラミッド状凹凸部を容易に安定して再現するエッチング液を提供する。 - 特許庁
ETCHANT AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE USING THEM例文帳に追加
エッチング液及びそれを用いたパターン形成方法とそれらを用いた液晶表示装置の製造方法 - 特許庁
The casing 12 has a wafer housing hole 13 and the lid body 14 has an etchant passing port 14A.例文帳に追加
そして、ケーシング12にはウエハ収容穴13を設け、蓋体14にはエッチング液が流通する通液口14Aを設ける。 - 特許庁
To provide an etchant which can easily and stably duplicate a fine pyramid-like concavo-convex portion with good uniformity.例文帳に追加
均一性に優れた微細なピラミッド状凹凸部を容易に安定して再現するエッチング液の提供。 - 特許庁
To provide an etchant composition for forming metal wiring for a thin-film transistor liquid display.例文帳に追加
薄膜トランジスタ液晶表示装置用の金属配線形成のためのエッチング液組成物を提供する。 - 特許庁
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