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Etchantを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 968



例文

ETCHANT, METHOD FOR FORMING WIRING USING THIS, AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE例文帳に追加

エッチング液、これを用いた配線形成方法及び薄膜トランジスタ基板の製造方法 - 特許庁

To provide an etchant composition that is low in foaming property and does not generate any etching residue.例文帳に追加

低発泡性でかつエッチング残渣が発生しないエッチング液組成物を提供すること。 - 特許庁

ETCHANT AND METHOD OF MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THIN FILM TRANSISTOR USING THE SAME例文帳に追加

エッチング液、及びこれを用いた薄膜トランジスタを含む電子素子の製造方法 - 特許庁

ETCHANT FOR CHEMICAL SEMICONDUCTOR FILM AND METHOD OF ETCHING, AND METHOD OF COLLECTING AND TREATING WASTE LIQUID例文帳に追加

化合物半導体膜のエッチング液、エッチング方法および廃液の処理回収方法 - 特許庁

例文

The uniform etching is performed by spraying the etchant to the area where there is no liquid pool.例文帳に追加

この液溜まりの無い区域にエッチング液を吹きつけることにより、均一なエッチングが行なわれる。 - 特許庁


例文

Finally, the peeling layer 10 is removed with a selective etchant, together with the end-face protective film adhering to the layer 10.例文帳に追加

その後、剥離層10上に付着した端面保護膜ごと剥離層10を選択エッチング液で除去する。 - 特許庁

ETCHANT FOR WIRING AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR DISPLAY PANEL USING THE SAME例文帳に追加

配線用エッチング液及びこれを利用した薄膜トランジスタ表示板の製造方法 - 特許庁

The lower the temperature of the etchant is, the larger the potential difference becomes between the seed layer 2 and the circuit pattern 4.例文帳に追加

エッチング液の温度が低いほど、シード層2と回路パターン4との電位差が大きくなる。 - 特許庁

ETCHANT, PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE例文帳に追加

エッチング液及びこれを用いたパターン形成方法並びに液晶表示装置の製造方法 - 特許庁

例文

To provide a method of regenerating an etchant targeting an etchant of silicon nitride and/or silicon nitride oxide containing sulfuric acid, extremely easily removing a silicon compound produced in the etchant, suitable for an industrial process, reducing regeneration process expense of the etchant, and capable of reducing waste liquid.例文帳に追加

硫酸を含む窒化ケイ素及び/又は窒化酸化ケイ素のエッチング液を対象とし、前記エッチング液中において生成するケイ素化合物の除去が極めて容易で、工業的プロセスに適し、エッチング液の再生処理経費を低減して、廃液を低減することが可能なエッチング液の再生方法を提供する。 - 特許庁

例文

The high-purity phosphoric acid is useful as an etchant for a semiconductor device having a silicon nitride film, an etchant for a liquid crystal display panel with an alumina film, a metallic aluminum etchant, an alumina etchant for ceramics, a phosphate glass raw material for optical fiber glass, a food additive, etc.例文帳に追加

本発明の高純度リン酸は、窒化珪素膜を有する半導体素子のエッチング液、アルミナ膜を有する液晶ディスプレイパネルのエッチング液、金属アルミニウムエッチング液、セラミックス用アルミナエッチング液、光ファイバーガラス用リン酸ガラス原料、食品添加物等として有用である。 - 特許庁

The substrate (38) is made of a material that is chemically resistant to the etchant.例文帳に追加

基体(38)は該エッチング液に対し化学的耐性を有する材料で造られている。 - 特許庁

ETCHANT COMPOSITION FOR METAL MATERIAL AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME例文帳に追加

メタル材料用エッチング剤組成物及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 - 特許庁

ETCHANT FOR CONDUCTIVE POLYMER, AND METHOD FOR PATTERNING CONDUCTIVE POLYMER例文帳に追加

導電性高分子用エッチング液、及び、導電性高分子をパターニングする方法 - 特許庁

In the process, a mixed solution of phosphoric acid and sulfuric acid is used as an etchant.例文帳に追加

このとき、エッチング液として、リン酸および硫酸の混合液を用いる。 - 特許庁

The peripheral part of the surface of the wafer W is etched with the remaining etchant.例文帳に追加

この残留エッチング液により、ウエハW表面の周縁部がエッチング処理される。 - 特許庁

A mixed gas of SF_6, CHF_3 and Ar is employed for the etchant gas here.例文帳に追加

このときのエッチングガスには、SF_6、CHF_3及びArの混合ガスを用いる。 - 特許庁

ANISOTROPIC ETCHANT COMPOSITION USED FOR SILICON MICROFABRICATION AND ETCHING METHOD例文帳に追加

シリコン微細加工に用いる異方性エッチング剤組成物及びエッチング方法。 - 特許庁

ANISOTROPIC ETCHANT COMPOSITION USED FOR SILICON MICROFABRICATION AND ETCHING METHOD例文帳に追加

シリコン微細加工に用いる異方性エッチング剤組成物及びエッチング方法 - 特許庁

Then the nickel silicide segregated in the ridge is removed by using a hydrofluoric acid-based etchant.例文帳に追加

次にフッ酸系のエッチング溶液を用いて、リッジに偏析したニッケルシリサイドを除去する。 - 特許庁

A release hole 6 is provided for pouring a sacrificial layer etchant.例文帳に追加

また、犠牲層エッチング液を注入するためのリリース孔6を備えている。 - 特許庁

The template 62 has an etchant flow passage 66 which communicates with the openings 65.例文帳に追加

テンプレート62は、開口部65に連通するエッチング液の流通路66を備えている。 - 特許庁

To provide an etchant for a transparent conductive film that lessens production of residues during etching and has low foaming.例文帳に追加

エッチング時に残渣の発生が少なく、低発泡な透明導電膜用のエッチング液を提供する。 - 特許庁

The through-holes (103) allow an etchant to pass at least in a direction vertical to a surface of the substrate (11).例文帳に追加

貫通孔(103)が、エッチング液を少なくとも基板(11)の面に垂直な方向に通過させる。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for controlling an etchant gas concentration in an etching chamber.例文帳に追加

エッチング室におけるエッチャント・ガス濃度を制御するための方法および装置を提供すること。 - 特許庁

To easily enable selective etching of AlGaAs of the mirror surface with an HF system etchant.例文帳に追加

HF系エッチャントで容易に鏡面のAlGaAs選択エッチングを可能にする。 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR MEASURING SPECIFIC GRAVITUY OF ETCHANT, AND HYDRAULIC PRESSURE SENSOR FOR THE SAME DEVICE例文帳に追加

エッチング液の比重測定装置、比重測定装置用の液圧センサおよび比重測定方法 - 特許庁

The method may be practiced in any of a number of apparatuses adapted to expose polysilicon to a plasma etchant.例文帳に追加

本発明は、ポリシリコンをプラズマエッチング剤に晒す多くの装置で実行することが出来る。 - 特許庁

ETCHANT COMPOSITION FOR COPPER-CONTAINING MATERIAL AND METHOD FOR ETCHING COPPER-CONTAINING MATERIAL例文帳に追加

銅含有材料用エッチング剤組成物及び銅含有材料のエッチング方法 - 特許庁

The etchant composition further has a composition including any of hydrochloric acid, phosphoric acid, sulfuric acid and nitric acid as the inorganic acid.例文帳に追加

さらに、無機酸として、塩酸、リン酸、硫酸、硝酸のいずれかを含む組成とする。 - 特許庁

ETCHING OF MATERIAL USING HARD MASK AND PLASMA ACTIVATING ETCHANT例文帳に追加

ハ—ドマスクおよびプラズマ活性化エッチャントを使用した材料のエッチング方法 - 特許庁

The etching stop layer 11 is formed of a material which is etched with a first etchant at an etching speed slower than the etching speed of the diffusion source layer 12 for the first etchant and etched with a second etchant at an etching speed faster than the etching speed of the contact layer 10 for the second etchant.例文帳に追加

エッチングストップ層11を、第1エッチャントに対するエッチング速度が第1エッチャントに対する拡散源層12のエッチング速度よりも遅く、かつ、第2エッチャントに対するエッチング速度が第2エッチャントに対するコンタクト層10のエッチング速度よりも速い材料で形成する。 - 特許庁

The etchant regeneration system is provided with a dissolved substance content-measuring means 310 for measuring the content of the substance dissolved in the etchant in an etching tank or a circulation path, and determines the amount of a regenerated etchant to be returned to the etching tank from an etchant regenerating means based upon the content of the dissolved substance measured by the dissolved substance content-measuring means 310.例文帳に追加

エッチング槽又は循環経路内のエッチング液に溶存する物質の含有量を測定する溶存物質含有量測定手段310を設け、溶存物質含有量測定手段310で測定される溶存物質の含有量に基いてエッチング液再生手段からエッチング槽へ戻される再生エッチング液の液量を決定する。 - 特許庁

ETCHANT FOR ZINC OXIDE BASED THIN-FILM, AND METHOD FOR PATTERNING ZINC OXIDE BASED THIN-FILM例文帳に追加

酸化亜鉛系薄膜用エッチャント及び酸化亜鉛系薄膜のパターニング方法 - 特許庁

An exposed surface of the electrode pad PAD is constituted of a rough surface R roughened by an etchant.例文帳に追加

電極パッドPAD露出面がエッチング溶液により荒された粗面Rで構成されている。 - 特許庁

The etchant composition further has a composition including any of an organic acid, an organic acid salt, an inorganic acid salt and an interfacial active agent.例文帳に追加

さらに、有機酸、有機酸塩、無機酸塩、界面活性剤のいずれかを含む組成とする。 - 特許庁

The etchant E runs around to a circumferential end face of the wafer W, reaching a peripheral part of the active face.例文帳に追加

このエッチング液Eは、ウエハWの周端面を回りこんで、活性面の周縁部に至る。 - 特許庁

ETCHANT COMPOSITION FOR PREVENTING LEANING OF CAPACITOR AND METHOD OF MANUFACTURING CAPACITOR USING THE SAME例文帳に追加

キャパシタのリーニング防止用食刻液組成物及びこれを用いたキャパシタ製造方法 - 特許庁

The temperature of the etchant is preferably 200°C or higher and further preferably 180°C or lower.例文帳に追加

エッチング液の温度は、好ましくは200℃以下、より好ましくは180℃以下とする。 - 特許庁

Thus, the face to be etched is cleaned, and chemical reaction is stopped by the etchant.例文帳に追加

これにより、被エッチング面が洗浄され、エッチング液による化学反応が停止される。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for controlling etchant gas concentration in an etching chamber.例文帳に追加

エッチング室におけるエッチャント・ガス濃度を制御するための方法および装置を提供すること。 - 特許庁

Since the thin film 27 can avoid being exposed to an etchant, the variation of the thin film 27 can be suppressed.例文帳に追加

誘電体薄膜27をエッチャントに晒さずに済むので、そのばらつきを抑えることができる。 - 特許庁

Therefore, it is not required to form any etchant introducing groove on the surface of the glass substrate 101.例文帳に追加

したがって、ガラス基板101表面に、エッチャント導入用の溝を形成する必要がない。 - 特許庁

The systems include supplying etchant to an edge bead removal chamber.例文帳に追加

本発明は、エッチャントをエッジビード除去チャンバへ供給するシステムが提供される。 - 特許庁

In the etching method for soaking a silicon wafer into an etchant for etching, before etching, the silicon wafer is so heated that the temperature of the silicon wafer becomes the same as the temperature of the etchant or the temperature in a predetermined temperature range from the etchant temperature, and then the heated silicon wafer is soaked into the etchant.例文帳に追加

シリコンウエーハをエッチング液に浸漬しエッチングを行うエッチング方法において、前記エッチングを行う前に、前記シリコンウエーハの温度が前記エッチング液の液温と同温又は該液温から所定の温度範囲内の温度になるように前記シリコンウエーハを加温し、該加温したシリコンウエーハを前記エッチング液に浸漬するようにした。 - 特許庁

Alkali permanganic acid etchant is kept in an etching tank 10, and an etched material is etched by the use of alkali permanganic acid etchant.例文帳に追加

エッチング槽10には、アルカリ過マンガン酸エッチング液が収容され、アルカリ過マンガン酸エッチング液を用いて被エッチング材をエッチングする。 - 特許庁

The processing includes the preparation of etchant containing both of a fluorine compound and a chlorine compound and the application to the semiconductor device of the etchant in a wet washing process.例文帳に追加

この処理は、フッ素化合物と塩素化合物の両方を含むエッチング液を用意することと、ウエット洗浄工程においてこのエッチング液を半導体デバイスに適用することとを含む。 - 特許庁

This etchant is prepared by dipping a stainless steel into an alkaline water solution for ten or more hours, and a semiconductor silicon wafer undergoes etching by using this etchant in this etching method.例文帳に追加

本発明に係るエッチング液は、アルカリ水溶液にステンレス鋼を10時間以上浸漬して調製されるものであり、本発明に係るエッチング方法では、このエッチング液を用いて半導体シリコンウェーハがエッチングされる。 - 特許庁

A silicon etchant is an alkaline solution containing an alkali compound, hydroxylamines, and acid, and characterized in anisotropically dissolving single-crystal silicon; and the etching method for silicon using the same etchant.例文帳に追加

アルカリ化合物、ヒドロキシルアミン類および酸を含有したアルカリ性水溶液であって、単結晶シリコンを異方性に溶解することを特徴としたシリコンエッチング液、且つ該エッチング液を用いるシリコンのエッチング方法。 - 特許庁

例文

DEVICE AND METHOD FOR REMOVING METAL IN ETCHANT, DEVICE AND METHOD FOR ETCHING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND ETCHANT FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

エッチング液の金属除去装置、エッチング液の金属除去方法、半導体基板のエッチング処理装置、半導体基板のエッチング方法及びエッチング液 - 特許庁

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