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Etchantを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 968



例文

The pattern is exposed to isotropic wafer liquid etchant, and the feature dimensions are reduced to second smaller dimensions.例文帳に追加

続いて、そのパターンを、等方性ウェハ液体エッチャントにさらして、フィーチャ寸法を第2のより小さな寸法に縮小する。 - 特許庁

An etchant to be used can be appropriately selected, the high planarity is maintained, and at the same time, glossiness of the back surface can be freely selected.例文帳に追加

使用エッチング液の品種を適宜選択でき、高平坦度を維持しつつ、裏面光沢度をいかようにも選択できる。 - 特許庁

ZINC OXIDE-BASED THIN FILM TRANSISTOR, METHOD OF FABRICATING THE SAME, ZINC OXIDE ETCHANT, AND METHOD OF FORMING THE SAME例文帳に追加

Zn酸化物系薄膜トランジスタとその製造方法、及びZn酸化物のエッチング溶液とその製造方法 - 特許庁

Thereby, the enhanced resistance to plasma etchant can be obtained.例文帳に追加

本発明の好ましいフォトレジストは、プラズマエッチャントに対して向上した抵抗性を示すことができる。 - 特許庁

例文

According to such a constitution, it is possible to protect the side surface 54 of the SiO_2 film 53 formed inside the hollow part from etchant.例文帳に追加

このような構成であれば、空洞部内に形成されたSiO_2膜53の側面54をエッチャントから保護することができる。 - 特許庁


例文

The defect etchant etches Si 16 to a thickness for a defect pit 18 to reach the SiGe layer 14 located under the Si 16.例文帳に追加

Si16を、欠陥ピット18が下に位置するSiGe層14に到達可能な厚さまでエッチングする。 - 特許庁

The method for controlling a dampening water for a lithographic printing plate obtained by diluting an etchant comprises the steps of previously incorporating potassium ion of a predetermined concentration in the etchant, detecting the ion concentration of the water, and controlling supplies of the etchant and the water so that the ion concentration is maintained at a concentration of a predetermined range, thereby controlling the etchant concentration in the water.例文帳に追加

エッチ液を水で希釈して得られる平版印刷版用湿し水の管理方法であって、予めエッチ液中に一定濃度のカリウムイオンを含有させておき、湿し水中のカリウムイオン濃度を検出し、該カリウムイオン濃度が一定範囲内の濃度に維持されるようにエッチ液及び水の供給を制御することにより、湿し水中のエッチ液濃度を管理することを特徴とする平版印刷版用湿し水管理方法により、上記課題を解決する。 - 特許庁

Wet etching is applied to the grown InP layer using an etchant containing at least a hydrochloric acid and an acetic acid.例文帳に追加

成長されたInP層に、少なくとも塩酸と酢酸とを含むエッチャントを使ったウェットエッチング工程を適用する。 - 特許庁

The etchant forms a solid reaction product by the protruding structure, and the solid reaction product may be removed from the substrate.例文帳に追加

該エッチャントは該突出構造によって固体反応生成物を形成し、該固体反応生成物は該基板から除去されてもよい。 - 特許庁

例文

After a latent image is formed on the photosensitive resin material 12 using mask, the latent image is developed using etchant to form a desired pressure chambers 13.例文帳に追加

感光性樹脂材料12にマスクを用いて潜像を形成した後、エッチャントを用いて現像を行い所望の圧力室13を作成する。 - 特許庁

例文

Etchant (not illustrated) flows through a groove 202 in the direction from A to B in the figure and flows out of an outlet 202b.例文帳に追加

エッチャント(図示略)が、図中のA方向から図中のB方向へ溝202を流動し、流出口202bから流出する。 - 特許庁

By this reason, even if the part up to the gate insulating film 26 is immersed in etchant when etched, the short-circuit between the electrodes never occurs.例文帳に追加

このため、エッチング時にはエッチャントがゲート絶縁膜26まで浸漬しても、電極同士の短絡を引き起こすことはない。 - 特許庁

An electric field is generated within the etchant solution to cause an anisotropic etch pattern to form on a surface of the workpiece.例文帳に追加

エッチャント溶液内に電界が生成され、加工物の表面に異方性エッチング・パターンを形成させる。 - 特許庁

To provide a technique with which an etchant does not influence wiring to be connected to a fuse through a laser blown fuse.例文帳に追加

レーザブローされたヒューズを介して、ヒューズに接続されるべき配線にエッチャントが影響しない技術を提供する。 - 特許庁

To improve a display grade in both of a reflection area and a transmission area, and also to prevent the corrosion due to the etchant of a pixel electrode.例文帳に追加

反射領域及び透過領域の双方における表示品位を向上すると共に、画素電極のエッチャントによる溶食を防止する。 - 特許庁

After a thick dielectric film 7 used as a mask is removed, a second cap layer 6 is selectively etched by using a hydrochloric acid-based etchant.例文帳に追加

マスクとして用いた厚膜の誘電体膜7を除去した後、塩酸系エッチャントを用いて第2のキャップ層6を選択エッチングする。 - 特許庁

To provide a zinc (Zn) oxide-based thin film transistor, a method of fabricating the same, a zinc oxide etchant, and a method of forming the same.例文帳に追加

Zn酸化物系薄膜トランジスタとその製造方法、及びZn酸化物のエッチング溶液とその製造方法を提供する。 - 特許庁

Here, an etchant having strong selectivity in crystalline plane orientation is used so that a recessed sidewall is made to have a normal mesa form.例文帳に追加

このとき、エッチャントとして結晶面方位の選択性の強いものを用いて、凹部側壁を順メサ形状とする。 - 特許庁

Next, the isolated layer is removed, by using the predetermined etchant to separate at least a part of a rear area from the wafer.例文帳に追加

次いで、前記した所定のエッチャントを用いて分離層を除去し、ウエハから裏面領域の少なくとも一部を分離する。 - 特許庁

In an etching process, an optimum formation condition of a via-hole is obtained from a combination of selection of a semiconductor material and an etchant parameter.例文帳に追加

エッチングプロセスは、半導体材料の選択とエッチャントパラメータとの組み合わせから、ビアホールの最適な形成を得る。 - 特許庁

Since the nitride layer 10 can be removed at the same time as the silicon oxide film 2 with a hydrofluoric acid etchant, film quality of a gate oxide film 8 is prevented from deteriorating.例文帳に追加

窒化層10はシリコン酸化膜2と同時にフッ酸系エッチ液で除去できるので、ゲート酸化膜8の膜質劣化を防ぐことができる。 - 特許庁

A wet etching process using an etchant containing at least hydrochloric acid and acetic acid is applied to the grown InP layer.例文帳に追加

成長されたInP層に、少なくとも塩酸と酢酸とを含むエッチャントを使ったウェットエッチング工程を適用する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display panel, formed by using a polycrystalline ITO film as a protective film from a hydrofluoric acid based etchant.例文帳に追加

多結晶ITO膜をフツ酸系エツチヤントに対する保護膜として使用した液晶表示パネルを得る。 - 特許庁

Thus, a margin of evading the corrosion and disconnection of the lower layer wiring 8a by the influence of the etchant used in other processes is increased.例文帳に追加

よって他の工程で用いられるエッチャントの影響による下層配線8aの腐食、断線を回避するマージンを、大きくすることができる。 - 特許庁

In a manufacturing method, the engraved part is formed in the substrate by introducing an isotropic etchant from the holes or the slits, which are opened in the filter layer.例文帳に追加

製造方法としては、フィルター層に開けられた孔またはスリットから等方エッチャントを導入して、基板に彫込みを形成する。 - 特許庁

Since the sections 62 and 68 are etched off with the etchant containing aqueous hydrofluoric acid, wiring which is not in contact with an insulator is formed.例文帳に追加

シリコン酸化物層間膜部62、68は、フッ化水素酸を含む溶液でエッチングされるので、絶縁物に接触していない配線が形成される。 - 特許庁

After the step of supplying the high-temperature etchant, a rotation speed of the wafer W is reduced to a predetermined low rotation speed (for instance, 10 rpm).例文帳に追加

高温エッチング液供給工程の後、ウエハWの回転速度が所定の低回転速度(たとえば10rpm)まで減速される。 - 特許庁

To obtain a ferroelectric element in which etchant and moisture are prevented from entering the element from a defective part occurring at the time of forming the element.例文帳に追加

強誘電体素子において、素子形成時に生じた欠陥部からのエッチャントや水分の浸入を防止する。 - 特許庁

To provide a method for processing an optical device wafer, in which handling, control, recovery, disposal, and the like of an etchant is more easily conducted and which has a low environmental load.例文帳に追加

エッチャントのハンドリングや管理、回収、廃棄等がより容易で環境負荷が低い光デバイスウエーハの加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etchant, for a transparent conductive film, in which a foaming property is suppressed and by which residues will not be generated, after etching operation.例文帳に追加

発泡性が抑えられかつエッチング後の残渣を生じない、透明導電膜用エッチング液を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the etching foil for the electrolytic capacitor for chemically and/or electrochemically etching an aluminum foil in an etchant containing at least chlorine ions, ethylene diamine tetraacetate or its salt is added to the etchant.例文帳に追加

少なくとも塩素イオンを含むエッチング液中で、アルミニウム箔に化学的または/および電気化学的なエッチングを行う電解コンデンサ用エッチング箔の製造方法において、エッチング液にエチレンジアミン四酢酸またはその塩を添加する。 - 特許庁

In the method for manufacturing an electrode foil for the electrolytic capacitor to be chemically or/and electrochemically etched on an aluminum foil in etchant at least containing chlorine ion, 0.001-0.1 wt.% of agar is added to the etchant.例文帳に追加

少なくとも塩素イオンを含むエッチング液中で、アルミニウム箔に化学的または/および電気化学的にエッチングする電解コンデンサ用電極箔の製造方法において、前記エッチング液に0.001〜0.10wt%の寒天を添加する。 - 特許庁

There provided are the method for processing a semiconductor surface by using the etchant, and the new etchant suitable for featuring a defect on the surface of a semiconductor containing silicon germanium on the surface.例文帳に追加

本発明は、本明細書で開示されたようなエッチング液を用いて半導体表面を処理する方法だけでなく、シリコンゲルマニウム表面を含んだ半導体表面の欠陥を特徴付けるのに適した新規なエッチング液に関する。 - 特許庁

To provide an etchant performing etching of copper or a copper alloy which suppresses the decomposition of hydrogen peroxide comprised therein, is economical, and has excellent liquid stability, and to provide a method for stabilizing hydrogen peroxide contained in an etchant.例文帳に追加

銅または銅合金をエッチングするエッチング液に関して、エッチング液に含まれる過酸化水素の分解を抑制し、経済的かつ液安定性に優れたエッチング液、また、エッチング液に含まれる過酸化水素を安定化させる方法を提供する。 - 特許庁

The etching method includes etching a stacked metal film 14 which is formed by sequentially stacking the first film 12 made from the nickel alloy and the second film 13 made from copper or the alloy thereof on the substrate 11, by using the first etchant or the second etchant.例文帳に追加

これら第1のエッチング液又は第2のエッチング液を用いて、基板11上にニッケル合金からなる第一膜12と、銅又はその合金からなる第二膜13とを順に重ねてなる積層金属膜14をエッチングする。 - 特許庁

To provide an etchant for copper oxide and an etching method, wherein when copper oxide, particularly CuO (II), as a thermal reaction type resist material is exposed to a laser beam, the etchant can selectively etch the exposed and unexposed parts thereof.例文帳に追加

熱反応型レジスト材料として銅の酸化物を用いてレーザー光で露光した場合、特に、CuO(II)を熱反応型レジスト材料として、その露光・未露光部を選択的にエッチングすることのできる酸化銅用エッチング液及びエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide etchant preparation equipment for preparing an etchant of aluminum with constant concentrations of nitric acid, moisture, phosphoric acid and acetic acid in a use site of a semiconductor manufacturing factory and a flat panel display manufacturing factory.例文帳に追加

半導体製造工場やフラットパネルディスプレイ製造工場の使用側において、アルミニウムのエッチング液の硝酸濃度、水分濃度、燐酸濃度および酢酸濃度が一定に調合できるエッチング液調合装置を提供すること。 - 特許庁

In the method of manufacturing the etching foil for the electrolytic capacitor for chemically and/or electrochemically etching an aluminum foil in an etchant containing at least chlorine ions, 0.05 to 0.70% by weight of L-ascorbic acid or its salt is added to the etchant.例文帳に追加

少なくとも塩素イオンを含むエッチング液中で、アルミニウム箔に化学的または/および電気化学的なエッチングを行う電解コンデンサ用エッチング箔の製造方法において、エッチング液に0.05〜0.70wt%のL−アスコルビン酸またはその塩を添加する。 - 特許庁

To provide a method which can stably etch without adopting the above-mentioned remedy without changing the etching speed even when a basic etchant is used repeatedly when a silicon is anisotropically etched by using the basic etchant.例文帳に追加

塩基性エッチング液を用いてシリコンの異方性エッチングを行うに際して、エッチング液を繰り返し使用してもエッチング速度が変動せず、上記のような対策を採ることなく安定してエッチングを行うことのできる方法を提供すること。 - 特許庁

Also, the method for manufacturing the reflection type electrode substrate includes a process of etching the metal oxide layer by using an etchant composed of oxalic acid and a process of etching the inorganic compound layer by using an etchant composed of phosphoric acid, nitric acid and acetic acid.例文帳に追加

また、シュウ酸からなるエッチング液を用いて前記金属酸化物層をエッチングする工程と、燐酸、硝酸及び酢酸からなるエッチング液を用いて前記無機化合物層をエッチングする工程とを含む反射型電極基板の製造方法である。 - 特許庁

In the substrate processing method, a first nozzle supplies an etchant to the center of a rotating substrate, and a second nozzle supplies an etching disturbing fluid, diluting the concentration of the etchant, at a position apart from the center of the substrate.例文帳に追加

本発明による基板処理方法は、第1ノズルが回転する基板の中心にエッチング液を供給し、第2ノズルが基板の中心から離れた位置で前記エッチング液の濃度を希釈するエッチング妨害流体を供給する。 - 特許庁

In a process of etching the wiring of a printed board using an etchant prepared by mixing a plurality of constituents for formation, temperature control and stirring are performed for a supplemental chemical solution for supplementing the etchant consumed for the etching processing or at a standby time.例文帳に追加

複数の成分を混合したエッチング液を用いてプリント基板の配線をエッチング処理して形成する工程において、エッチング処理又は待機時に消費されたエッチング液を補充するための補充薬液に対して、温度調節および攪拌を行う。 - 特許庁

The nozzle 4 uniformly suctions the etchant, discharged from the discharge port 4a and supplied to the processed surface 101, through the suction port 4b, thereby equalizing the etching rate in an area of the processed surface 101 to which the etchant is supplied.例文帳に追加

また、ノズル4は、送出口4aから送出され被処理面101に供給されたエッチング液を、吸引口4bから偏りなく均一に吸引することにより、エッチング液が供給された被処理面101内の領域のエッチングレートを均一化する。 - 特許庁

To provide an etchant composition which can efficiently roughen (forming a concavity and convexity) a surface of a semiconductor film constituting a light extraction surface of an LED by etching without using a special technique, and to provide an etching method using the etchant composition.例文帳に追加

特殊な技術を用いることなく、LEDの光取り出し面を構成する半導体膜の表面を、効率よくエッチングして粗面化(凹凸化)することが可能なエッチング液組成物および該エッチング液組成物を用いたエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etchant for GaInP system compound semiconductor and an etching method which are treated easily, realize the etching at the etching rate which is relatively approximated to that of the etchant for the AlGaInP system and As system compound semiconductors, and obtain a resulting smooth and uniform surface after the etching process.例文帳に追加

手軽に取り扱うことができ、かつAlGaInP系およびAs系化合物半導体などのエッチング液と比較的近いエッチング速度でエッチングが行え、かつエッチング後に得られる表面が平滑かつ均一であるGaInP系化合物半導体用エッチング液およびエッチング方法の提供。 - 特許庁

To accurately monitor the degree of progress of an etching process, set the etching time of each vessel to the adequate condition in accordance with an increase in the impurity concentration of an etchant, improve the accuracy of the etching process, and effectively utilize the etchant.例文帳に追加

エッチングの進行度合いを正確に監視して、エッチング液の不純物濃度の増大に応じて、各槽でのエッチング時間を適正な状態に設定でき、エッチング処理の精度を向上させ、かつエッチング液を有効に活用する。 - 特許庁

The nozzle 4 has a plurality of discharge openings 42 on its wafer facing face 41 and the etchant 43 is supplied from the discharge openings 42 to a plurality of etchant supplying positions 46 arranged on a straight line 45 crossing the peripheral part of the wafer W.例文帳に追加

エッチング液供給ノズル4は、ウエハ対向面41に複数の吐出口42を有し、この複数の吐出口42からのエッチング液43は、ウエハWの周縁部を横切る直線45上に並んだ複数のエッチング液供給位置46に向けてエッチング液43を供給する。 - 特許庁

The etching nozzle 41 while moved relatively to the workpiece supplies an etchant from an inside opening 44 of an inside pipe 42 to the workpiece surface, and sucks and collects the etchant from an outside opening 45 of an outside pipe 43 to carry out etching processing.例文帳に追加

エッチングノズル41は、被加工物に対して相対的に移動させながら、エッチング液を内側管42の内側開口44から被加工物表面に供給し、かつ外側管43の外側開口45から吸引回収することによりエッチング加工を行う。 - 特許庁

When an etchant is supplied from a center axis nozzle 5 to the center on the lower surface of the wafer W, the etchant surrounds the peripheral end face of the wafer W and reaches its upper surface, resulting in forming a liquid film 50 in contact with the wafer opposite surface 45.例文帳に追加

中心軸ノズル5から、ウエハWの下面中央に向けてエッチング液が供給されると、このエッチング液は、ウエハWの周端面を回り込んで、その上面に至り、ウエハ対向面45に接触する液膜50を形成する。 - 特許庁

例文

The residual part of the third clad layer is etched with an etchant for selectively etching the residual part of the third clad layer, and the residual part of the sixth clad layer is etched with an etchant for selectively etching the residual part of the sixth clad layer.例文帳に追加

第3クラッド層の残部を選択的にエッチング可能なエッチャントで、第3クラッド層の残部をエッチングし、第6クラッド層の残部を選択的にエッチング可能なエッチャントで、第6クラッド層の残部をエッチングする。 - 特許庁

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