| 意味 | 例文 |
FLUORIC ACIDの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 62件
To perform stable and efficient treatment over a long period of time by preventing the deterioration of and damage to the electrode plate of an electric regeneration type deionizing apparatus caused by fluoric acid, in a method for making pure water by applying deionizing treatment to fluorine ion-containing water in the electric regeneration type deionizing apparatus.例文帳に追加
フッ素イオン含有水を電気再生式脱イオン装置で脱イオン処理する純水の製造方法において、フッ酸による電気再生式脱イオン装置の電極板の劣化、損傷を防止して、長期に亘り安定かつ効率的な処理を行う。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of an ultra-water repellent member capable of improving the surface of a base material of every kind so as to have ultra-water repellency and not causing the environmental problem due to the production of fluoric acid at the time of disposal, and the ultra-water repellent member.例文帳に追加
本発明は、各種基材の表面を超撥水性に改良することができ、しかも廃棄時にフッ酸発生による環境問題がない超撥水性部材の製造方法、及び該方法による超撥水性部材の提供を目的とする。 - 特許庁
To obtain a wet-cleaning apparatus and wet-etching method, that can reduce fluctuation in product characteristics by making uniform the amount of etching in a wafer, when using etching liquid, such as a fluoric acid to etch a wafer an oxide film in wet cleaning treatment and the like.例文帳に追加
ウェット洗浄処理においてフッ酸等のエッチング液を用いて酸化膜等のウエハをエッチングする際にウエハ内でのエッチング量の均一化を図ることで、製品特性のばらつきの低減化を図ることができるウェット洗浄装置およびウェットエッチング方法を得る。 - 特許庁
In an oxygen sensor 1, nickel plating 71 corroded by fluoric acid (HF) generated from a sealing member 17 at a high temperature is applied to the surfaces of lead wires at the interfaces of the sealing member 17 and a plurality of the lead wires, both of which comprise a fluorine-containing resin.例文帳に追加
酸素センサ１では、共にフッ素含有樹脂からなるシール部材１７と複数のリード線との界面において、リード線側の表面に、高温下にてシール部材１７が発生するフッ酸（ＨＦ）により腐食されるニッケルメッキ７１が施されている。 - 特許庁
The etching step is a step in which alkali etching is performed after acid etching, and the acid etchant contains phosphoric acid of 30 wt% or more in an acid aqueous solution of 100 wt%, having fluoric acid and nitric acid as the main components.例文帳に追加
本発明のシリコンウェーハの加工方法は、複数のエッチング槽に酸エッチング液とアルカリエッチング液をそれぞれ貯え、ラッピング工程１１に続いて洗浄工程１２を経た加工変質層を有するウェーハを酸エッチング液とアルカリエッチング液とに順次浸漬するエッチング工程１３と、エッチングされたウェーハの片面を鏡面研磨する表面鏡面研磨工程１８と、表面鏡面研磨されたウェーハを洗浄する洗浄工程１９とを含み、エッチング工程が酸エッチングの後にアルカリエッチングが行われる工程であって、酸エッチング液がフッ酸及び硝酸を主成分とする酸水溶液１００重量％にリン酸３０重量％以上を含有することを特徴とする。 - 特許庁
To provide primarily a matter which is superior in anti-electrolyte property, and provide secondarily the matter which is superior in anti-leakage characteristics in an electrochemical element in which an aluminum material is used, even if an electrolyte to contain a material enable to generate a material such as fluoric acid to corrode aluminum is used.例文帳に追加
アルミニウム材料を用いた電気化学素子において、ふっ酸のように、アルミニウムを侵すような物質を発生しうる物質を含む電解液を使用しても、第一に、耐電解液性に優れたものを提供することであり、第二に、耐漏液性に優れたものを提供することである。 - 特許庁
To provide an electric desalting apparatus efficiently performing desalting treatment for raw water containing fluoric acid or high concentration of chlorine ions without incuring troubles such as deterioration/damages of an ion exchange membrane and an ion exchange body caused by corrosion of the electrode and generation of free chlorine.例文帳に追加
フッ酸や高濃度の塩素イオンを含む原水を、電極の腐食や遊離塩素の発生に起因するイオン交換膜及びイオン交換体の劣化／破損といった問題を引き起こすことなく、有効に脱塩処理を行うことができる電気式脱塩装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which possesses a light reflection film hard to be molten by fluoric acid in the case of using a silicon oxide for a light reflection film, while providing a light reflection film of 0.5 μm in the semiconductor device using an SOS wafer with a light reflection film advanced in film thinning, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
薄膜化が進む光反射膜を有するＳＯＳウェハを用いた半導体装置において、０．５μｍ以下の光反射膜を提供するとともに、光反射膜にシリコン酸化物を用いた場合にフッ酸によって融解しにくい光反射膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
A method of washing a silicon wafer which includes the step of dipping a silicon wafer 12 in an aqueous solution containing a fluoric acid and a surfactant respectively to remove an oxide film of a back surface 12a of the wafer, and the step of dipping the wafer obtained by removing the oxide film in a dissolved ozone aqueous solution 14 to wash both surfaces of the wafer is improved.例文帳に追加
フッ酸及び界面活性剤をそれぞれ含む水溶液１１にシリコンウェーハ１２を浸漬させてウェーハ表裏面１２ａの酸化膜を除去する工程と、酸化膜を除去したウェーハを溶存オゾン水溶液１４に浸漬させてウェーハ表裏面を洗浄する工程とを含むシリコンウェーハの洗浄方法の改良である。 - 特許庁
After a first resist pattern 52 for opening a logic element formation region 32 is formed, a third insulating film 18A made of silicon oxide is etched by a fluoric acid aqueous solution with the first resist pattern 52 as a mask, thus removing a portion for covering the logic element formation region 32 including a buried element separation film 15B of the third insulating film 18A.例文帳に追加
ロジック素子形成領域３２を開口する第１のレジストパターン５２を形成した後、第１のレジストパターン５２をマスクとして、酸化シリコンからなる第３の絶縁膜１８Ａに対して、弗酸水溶液によるエッチングを行なうことにより、第３の絶縁膜１８Ａの埋め込み素子分離膜１５Ｂを含むロジック素子形成領域３２を覆う部分を除去する。 - 特許庁
In a first neutralization treatment process performing part 50, a first neutralizing agent wherein a main alkali component is alkaline earth metal hydroxide is charged in a waste soln. to be treated being an acidic waste soln. so as to selectively precipitate the fluoric acid component in the waste soln. to be treated in a form of alkaline earth metal fluoride to perform first neutralization treatment.例文帳に追加
弗酸成分と硫酸成分とを含有する酸性廃液の中和処理を、アルカリ土類金属水酸化物を投入して弗酸成分を選択的に沈殿させる第一中和処理工程と、それよりもｐＨ値が上昇するようにアルカリ金属水酸化物を投入して、残留硫酸成分を液中溶存形態で中和させる第二中和処理工程との、２段階にて行うようにした。 - 特許庁
When an impurity in a quartz is to be measured by an equipment neutron activation analysis for enclosing a sample into a neutron irradiation container, by irradiating it with neutrons, performing cooling, and then measuring γ rays, a container made of quartz that is etched by a fluoric acid is used as a neutron irradiation container, the sample is transferred from the neutron irradiation container to another container, and then γ rays are measured.例文帳に追加
試料を中性子照射容器へ封入し中性子を照射し冷却した後γ線測定を行う機器中性子放射化分析により石英中の不純物を測定するに際し、中性子照射容器としてフッ酸によりエッチングした石英製の容器を用い、且つ試料を中性子照射容器から別容器に移し替えた後にγ線測定を行うことを特徴とする石英中の不純物の測定方法。 - 特許庁
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