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「Flash Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索


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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > Flash Memoryの意味・解説 > Flash Memoryに関連した英語例文

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Flash Memoryの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 4423



例文

The memory controller 110 sets a method of accessing the main flash memory module 121 and the flash memory module 131 for extension according to the detection result.例文帳に追加

メモリコントローラ110は更に、この検出結果に応じて、メインフラッシュメモリモジュール121及び拡張用フラッシュメモリモジュール131のアクセス方法を設定する。 - 特許庁

To maintain a capacity of an entire storage device using a flash memory by compensating for a faulty part of the flash memory by a flash drive or flash modules in the flash drive even when a fault occurs in a flash memory chip at the end of life or the like.例文帳に追加

フラッシュメモリを用いた記憶装置において、フラッシュメモリチップ内に寿命が尽きるなど一部分に障害が生じても、障害が生じた分のフラッシュメモリを、フラッシュドライブや、フラッシュドライブ内のフラッシュモジュールで追加することで、記憶装置全体の容量を維持することを可能にする。 - 特許庁

A memory I/F 34 accesses a flash memory 36 in which a plurality of slots are formed.例文帳に追加

メモリI/F34は、複数のスロットが形成されたフラッシュメモリ36にアクセスする。 - 特許庁

DATA STORAGE DEVICE USING FLASH TYPE MEMORY AND DATA MANAGING METHOD FOR THE SAME MEMORY例文帳に追加

フラッシュ型メモリを用いたデータ記憶装置及びフラッシュ型メモリのデータ管理方法 - 特許庁

例文

To extend lifetime of flash memory by reducing an erasure frequency of each memory cell.例文帳に追加

メモリセルごとの消去回数を低減することで、フラッシュメモリの寿命を延ばす。 - 特許庁


例文

FLASH MEMORY DEVICE FOR REDUCING DEVIATION OF ERASE SPEED OF MEMORY CELL, AND ERASE METHOD THEREOF例文帳に追加

メモリセルの消去速度の偏差を減らすフラッシュメモリ装置及びその消去方法 - 特許庁

To provide a memory controller capable of efficiently creating an address conversion table, a flash memory system equipped with the memory controller, and a control method of the flash memory.例文帳に追加

効率的にアドレス変換テーブルを作成することができるメモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びに、フラッシュメモリの制御方法を提供する。 - 特許庁

Each memory block of the flash memory 2 has block erase flags 27-1 to 27-n.例文帳に追加

フラッシュメモリ2の各メモリブロックにブロック消去フラグ27−1〜27−nを備える。 - 特許庁

To facilitate the management of a storage system using a flash memory as a memory area.例文帳に追加

フラッシュメモリを記憶領域として利用するストレージシステムの管理を容易にする。 - 特許庁

例文

To provide a memory controller that can write accurately data into flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリに対して正しくデータを書き込むことができるメモリコントローラを提供する。 - 特許庁

例文

To provide a control method for a flash memory capable of suppressing time required for verification, and also to provide the memory controller, and a flash memory system equipped with the memory controller.例文帳に追加

ベリフィケーションの時間を抑制可能なフラッシュメモリの制御方法、メモリコントローラ及び当該メモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステムを提供することを目的とする。 - 特許庁

REDUNDANCY CIRCUIT AND METHOD FOR REPLACING DEFECTIVE MEMORY CELL IN FLASH MEMORY DEVICE例文帳に追加

フラッシュメモリ装置における欠陥メモリセルを置換させる冗長回路及び方法 - 特許庁

To improve generation of a phenomenon that even when a flash memory copied from a mother flash memory is inserted into a socket of a flash memory of a flash file system which prepares the motor flash memory, data cannot be read out because a logical array of data is the same but a physical array is changed.例文帳に追加

マザーフラッシュメモリを作成したフラッシュファイルシステムのフラッシュメモリのソケットに、マザーフラッシュメモリをコピーしたフラッシュメモリを差し込んでも、データの論理的な並びは同じでも物理的な並びが変わっているために読み取ることができない現象が生じることを改善する。 - 特許庁

To make a memory controller be a component of a hybrid memory device having an SDRAM and a flash memory therein.例文帳に追加

メモリ・コントローラを、SDRAMとフラッシュ・メモリを内部に有するハイブリッド・メモリ・デバイスの一構成要素とする。 - 特許庁

To provide a microcomputer with built-in flash memory capable of smoothly rewriting the flash memory while still placing a rewrite program as it is on the flash memory without adding a complicated control circuit.例文帳に追加

複雑な制御回路を付加することなく、フラッシュメモリ上に書換えプログラムを置いたまま、支障なくフラッシュメモリの書換を可能とする、フラッシュメモリ内蔵のマイクロコンピュータを得る。 - 特許庁

To provide a power detection circuit, a flash memory device using it, a power-on read signal generation method of the flash memory device and a stable power-on read method of the flash memory device.例文帳に追加

パワー検出回路、これを用いたフラッシュメモリ装置、そのフラッシュメモリ装置のパワーオン読み出し信号発生方法、およびフラッシュメモリ装置の安定的なパワーオン読み出し方法を提供する。 - 特許庁

A flash memory is referred to by a CFI command (S11), a command set ID for showing the command type of the flash memory is acquired (S12), and the command type of the flash memory is determined based on the acquired command set ID (S13).例文帳に追加

フラッシュメモリをCFIコマンドで照会し(S11)、フラッシュメモリのコマンドタイプを示すコマンドセットIDを取得し(S12)、取得したコマンドセットIDに基づいてフラッシュメモリのコマンドタイプを判定する(S13)。 - 特許庁

To provide a system controller improving the efficiency of access processing to a flash memory, a flash memory system having the system controller, and a method for controlling a flash memory module.例文帳に追加

フラッシュメモリに対するアクセス処理の効率も向上させることができるシステムコントローラ、システムコントローラを有するフラッシュメモリシステム、およびフラッシュメモリモジュールの制御方法を提供する。 - 特許庁

When the flash memory is applied to a system to be easily influenced by a peak current and a page size of the flash memory is large, the flash memory is made to operate in the low consumption current mode.例文帳に追加

フラッシュメモリを、ピーク電流の影響を受け易いシステムに適用する場合や、フラッシュメモリのページサイズが大きい場合などにおいては、フラッシュメモリを低消費電流モードで動作させる。 - 特許庁

To provide a connector for a flash memory card capable of mounting the flash memory card and a chip card in a small space and holding a connection condition of the chip card even when mounting and dismounting the flash memory card.例文帳に追加

フラッシュメモリカードおよびチップカードを小さなスペースで装着でき、しかも、フラッシュメモリカードの着脱時にも、チップカードの接続状態を保持できるフラッシュメモリカード用コネクタを提供する。 - 特許庁

The controller determines an access method for the first flash memory and the second flash memory according to whether the flash memory is inserted into the first socket for memory extension and the second socket for memory extension.例文帳に追加

コントローラは、第1のメモリ拡張用ソケット及び第2のメモリ拡張用ソケット内にフラッシュメモリが挿入されているかどうかに応じて第1のフラッシュメモリ及び第2のフラッシュメモリに関して実行すべきアクセス方法を決定する。 - 特許庁

A storage memory comprises at least one flash unit, and each flash unit comprises a plurality of blocks.例文帳に追加

記憶メモリは、少なくとも一つのフラッシュ・ユニットを持ち、各フラッシュ・ユニットは、複数のブロックを持つ。 - 特許庁

To shorten the cache flash time so that a main memory can perform burst write operation at the time of cache flash.例文帳に追加

キャッシュフラッシュ時にメインメモリがバーストライト動作するようにしてキャッシュフラッシュ時間を短縮する。 - 特許庁

To provide a control method and control device for flash memory, capable of extending the life of a flash memory by shortening the time required for rewrite of data in the flash memory and controlling a rewrite area of the flash memory or an area subjected to electric deleting processing to reduce the deterioration of the flash memory to a minimum area.例文帳に追加

フラッシュメモリのデータ書き換えに要する時間を短縮すると共に、フラッシュメモリの書き換えエリア、すなわち電気的消去処理を行うエリアを制御し、フラッシュメモリの劣化を最低限のエリアとすることにより、フラッシュメモリの寿命を延ばすことができるフラッシュメモリ制御方法及び制御装置を提供する。 - 特許庁

To reduce, in a flash memory system, the number of data transfer operations and data writing operations from a buffer within a memory controller to a flash memory without interfering with access to the flash memory by a host system.例文帳に追加

フラッシュメモリシステムにおいて、ホストシステムによるフラッシュメモリへのアクセスに支障を来たさずに、メモリコントローラ内のバッファからフラッシュメモリへのデータ転送動作及びフラッシュメモリへのデータ書込み動作の実行回数を減らす。 - 特許庁

To realize a general-purpose IC memory card capable of operating a boot block flash memory by an existing host system expecting an even block flash memory.例文帳に追加

均等ブロックフラッシュメモリを想定した既存ホストシステムによりブートブロックフラッシュメモリを動作させることができる、汎用性のあるICメモリカードを実現する。 - 特許庁

The memory controller 110 detects whether the main flash memory module 121 and the flash memory module 131 for extension have single- or double-sided configuration, to obtain a detection result.例文帳に追加

メモリコントローラ110は、メインフラッシュメモリモジュール121及び拡張用フラッシュメモリモジュール131が片面であるか両面であるかを検出することにより、検出結果を得る。 - 特許庁

A controller 3 controls a 2-Gbit flash memory in the memory card 1, and flash memories 2a, 2b each having 1-Gbit memory capacity.例文帳に追加

メモリカード1において、コントローラ3は、2Gbitのフラッシュメモリを制御するものであり、フラッシュメモリ2a,2bは、それぞれ1Gbitのメモリ容量からなる。 - 特許庁

A memory controller 20 to which a NAND type flash memory is connected includes an address conversion part 24 for converting a logical address into a physical block address of the flash memory.例文帳に追加

NAND型フラッシュメモリが接続されるメモリコントローラ20には、論理アドレスを、フラッシュメモリの物理ブロックアドレスに変換するアドレス変換部24を設けている。 - 特許庁

The memory controller for controlling access to a flash memory 11 comprises address registers 23a and 23b for retaining physical addresses on the flash memory 11.例文帳に追加

フラッシュメモリ11へのアクセスを制御するメモリコントローラに、フラッシュメモリ11上の物理アドレスを保持させるためのアドレスレジスタ23a,23bを備えている。 - 特許庁

To provide a device and a method for controlling a flash memory for updating flash memory control information stored in a predetermined volatile memory every time when the type of the flash memory is changed and using the updated control information to control the changed flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリを制御する装置および方法に関し、所定の揮発性メモリに格納されたフラッシュメモリの制御情報をフラッシュメモリの種類が変わる毎に更新し、更新された制御情報を用いて変更されたフラッシュメモリを制御するフラッシュメモリを制御する装置および方法を提供する。 - 特許庁

MANAGING SYSTEM AND MANAGING METHOD FOR STORAGE SYSTEM USING FLASH MEMORY例文帳に追加

フラッシュメモリを用いたストレージシステムの管理システム及び管理方法 - 特許庁

To provide a NAND type flash memory element and its driving method.例文帳に追加

ナンド型フラッシュメモリ素子及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁

MULTI-BIT FLASH MEMORY DEVICE, PROGRAM THEREOF, AND READ METHOD例文帳に追加

マルチビットフラッシュメモリ装置及びそれのプログラム及び読み出し方法 - 特許庁

PAGE BUFFER OF FLASH MEMORY DEVICE, AND PROGRAMMING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

フラッシュメモリ装置のページバッファおよびそれを用いたプログラム方法 - 特許庁

METHOD AND PROGRAM FOR CONTROLLING DATA ACCESS FOR FLASH MEMORY例文帳に追加

フラッシュメモリにおけるデータアクセス制御方法、データアクセス制御プログラム - 特許庁

PAGE BUFFER AND VERIFYING METHOD OF FLASH MEMORY DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

ページバッファおよびこれを用いたフラッシュメモリ素子の検証方法 - 特許庁

DATA STORAGE DEVICE INCLUDING FLASH MEMORY AND ITS MERGING METHOD例文帳に追加

フラッシュメモリを含んだデータ貯蔵装置及びそれのマージ方法 - 特許庁

To correctly manage data in data management of flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリのデータ管理において、正しくデータを管理すること。 - 特許庁

FLASH MEMORY DEVICE HAVING SPLIT STRING SELECTION LINE STRUCTURE例文帳に追加

分離されたストリング選択ライン構造を有するフラッシュメモリ装置 - 特許庁

FLASH MEMORY, ITS WRITING AND ERASING METHOD AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

フラッシュメモリ、その書き込み・消去方法、およびその製造方法 - 特許庁

METHOD AND CIRCUIT FOR READING MULTILEVEL NAND FLASH MEMORY CELL例文帳に追加

マルチレベルNANDフラッシュメモリセルの読み出し方法及び回路 - 特許庁

CIRCUIT AND METHOD FOR ERASING OR PREERASING FLASH MEMORY ARRAY例文帳に追加

フラッシュメモリアレイを消去又は前消去する回路及び方法 - 特許庁

A NAND-type flash memory device comprises a plurality of row selectors.例文帳に追加

NANDフラッシュメモリ装置は複数の行選択器を含む。 - 特許庁

FLASH MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MERGING DATA STORED IN THE SAME例文帳に追加

フラッシュメモリ装置、及び、それに記憶されたデータのマージ方法 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a split gate type flash memory device.例文帳に追加

スプリットゲート型フラッシュメモリ装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A flash memory cell is favorably manufactured within a silicon substrate 20.例文帳に追加

フラッシュ・メモリ・セルは好適にシリコン基板20内に製造される。 - 特許庁

NAND TYPE FLASH MEMORY AND METHOD OF MANUFACTURING SOI SUBSTRATE例文帳に追加

NAND型フラッシュメモリおよびSOI基板の製造方法 - 特許庁

CONTROLLER OF SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND FLASH MEMORY STORAGE SYSTEM例文帳に追加

半導体記憶装置の制御装置およびフラッシュメモリストレージシステム - 特許庁

例文

METHOD OF MANUFACTURING FLASH MEMORY CELL HAVING SPLIT-GATE STRUCTURE例文帳に追加

分離ゲートの構造を有するフラッシュメモリセルを製造する方法 - 特許庁




  
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