「Floating gate」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The memory cell array 2 includes a plurality of memory cells including a floating gate.例文帳に追加

メモリセルアレイ２は、フローティングゲートを備える複数のメモリセルを有している。 - 特許庁

FLOATING GATE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SUCH DEVICE例文帳に追加

フローティングゲート半導体メモリデバイスおよびそのようなデバイスの製造方法 - 特許庁

To provide a floating gate electrode forming method of a flash memory element which restrains the generation of bridges between floating gate electrodes and increases a coupling ratio.例文帳に追加

フローティングゲート電極間のブリッジ発生を抑制し、カップリング比を増加させるフラッシュメモリ素子のフローティングゲート電極形成方法の提供。 - 特許庁

The dummy floating gate electrode 42 is formed of a conductor material layer in the same layer as the floating gate electrode for the charge accumulation of a non-volatile memory.例文帳に追加

ダミー浮遊ゲート電極４２は、不揮発性メモリの電荷蓄積用の浮遊ゲート電極と同層の導電体層により形成されている。 - 特許庁

In one embodiment, randomization within each page helps to control source loading errors during sensing and floating gate to floating gate coupling among neighboring cells.例文帳に追加

一実施形態において、検知中のソース負荷誤差と近傍セルのフローティングゲート間結合を抑制するため、ページ内ランダム化を役立てる。 - 特許庁

A memory cell MC is provided with a floating gate electrode 15a, a first inter-gate insulation film 16a arranged on the floating gate electrode 15a, and a control gate electrode 17a arranged on the first inter-gate insulation film 16a.例文帳に追加

メモリセルＭＣは、フローティングゲート電極１５ａと、フローティングゲート電極１５ａ上に配置される第１ゲート間絶縁膜１６ａと、第１ゲート間絶縁膜１６ａ上に配置されるコントロールゲート電極１７ａとを有する。 - 特許庁

SPLIT GATE TYPE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH DOUBLE FLOATING GATE STRUCTURE, AND METHOD OF FABRICATING THE SAME例文帳に追加

ダブルフローティングゲート構造を持つスプリットゲート型不揮発性半導体メモリ素子およびその製造方法 - 特許庁

A floating gate 6 is configured by electrically connecting the gate electrode 6a and the second electrode 6b.例文帳に追加

ゲート電極６ａと第２電極６ｂとが電気的に接続されてフローティングゲート６を構成する。 - 特許庁

The floating gate 5 and the control gate 8 (word line WL) are separated by the high dielectric film 6.例文帳に追加

浮遊ゲート５と制御ゲート８（ワード線ＷＬ）は高誘電体膜６によって分離されている。 - 特許庁

Delivering and receiving charges with the floating gate 30 is performed via the gate insulation film of the MOS transistor 20.例文帳に追加

浮遊ゲート３０に対する電荷の授受は、ＭＯＳトランジスタ２０のゲート絶縁膜を介して行われる。 - 特許庁

FLOATING GATE HAVING UNEVEN SURFACE, NONVOLATILE MEMORY CELL HAVING CONTROL GATE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

表面が不均一な浮遊ゲート及び制御ゲートを有する不揮発性メモリセル及びその製造方法 - 特許庁

A part 22 (a part of the projected part) of the floating gate 4 is exposed from the control gate 5 as explained above.例文帳に追加

このようにして、フローティングゲート４の一部（突出部の一部）２２をコントロールゲート５から露出させる。 - 特許庁

A control gate layer covering the substrate 100 via a gate oxide layer is formed on the substrate 100, the control gate layer is patterned to form a control gate, an interlayer insulating layer pattern and a floating gate on the cell array part.例文帳に追加

半導体基板１００上にゲート酸化層を介して覆うコントロールゲート層を形成し、パタニングしてセルアレー部にコントロールゲート、層間絶縁層パターン及び浮遊ゲートを形成する。 - 特許庁

A memory cell MC includes: a semiconductor substrate 10; a first gate insulating layer 11 formed on the semiconductor substrate; a floating gate 12 formed on the semiconductor substrate 10 through the first gate insulating layer 11; a second gate insulating layer 13 formed on the floating gate 12; and a control gate 14 formed on the floating gate 12 through the second gate insulating layer 13.例文帳に追加

メモリセルＭＣは、半導体基板１０と、この半導体基板上に形成された第１のゲート絶縁層１１と、半導体基板１０上に第1のゲート絶縁層１１を介して形成された浮遊ゲート１２と、この浮遊ゲート１２上に形成された第２のゲート絶縁層１３と、浮遊ゲート１２上に第２のゲート絶縁層１３を介して形成された制御ゲート１４とを有する。 - 特許庁

A floating gate transistor 13 includes a gate to be a connection state where a signal is supplied or a floating state, so as to store the signal electric charge in a channel to be generated under the gate.例文帳に追加

フローティングゲートトランジスタ１３は、信号が供給された接続状態、あるいはフローティング状態をとるゲートを有し、ゲート下に生成されるチャネルに信号電荷を蓄積する。 - 特許庁

To form a poly gate oxide film accurately by controlling the distribution of an impurity concentration in a floating gate electrode and to improve device characteristics by controlling the shape of an edge of the floating gate electrode.例文帳に追加

浮遊ゲート電極における不純物濃度分布を制御して、ポリゲート酸化膜を高精度に形成したり、浮遊ゲート電極のエッジ部形状を制御し、デバイス特性を向上させる。 - 特許庁

The thickness of a side wall 14a between the select gate 3a and the floating gate 6a is larger than that of an insulation film 5 between the substrate 1 and the floating gate 6a.例文帳に追加

セレクトゲート３ａとフローティングゲート６ａの間のサイドウォール１４ａの厚さは、基板１とフローティングゲート６ａの間の絶縁膜５の膜厚より厚くなるように構成される。 - 特許庁

A floating gate electrode 4 is formed to a region sandwiched between adjacent channels 11, and a control gate electrode 6 is formed over the floating gate electrode 4 via an ONO film 17.例文帳に追加

隣接する溝部１１間に挟まれた領域にフローティングゲート電極４が形成され、その上に、ＯＮＯ膜１７を介在させてコントロールゲート電極６が形成されている。 - 特許庁

Thus, the capacitance between the floating gate electrode 36 and the control gate electrode 60 is made larger than the capacitance between the floating gate electrode 36 and a semiconductor layer 33.例文帳に追加

これにより、フローティングゲート電極３６とコントロールゲート電極６０との間の容量を、フローティングゲート電極３６と半導体層３３との間の容量よりも大きくする。 - 特許庁

FLOATING BODY TYPE DERRICKING TYPE GATE EQUIPMENT WITH OPERATING DEVICE AND MONITOR SYSTEM OF THE SAME例文帳に追加

作動装置付浮体式起伏型ゲート設備及び同設備の監視システム - 特許庁

In the floating gate 6 of each nonvolatile memory cell 5, charges are stored.例文帳に追加

各不揮発性メモリセル５のフローティングゲート６には、電荷が蓄積されている。 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR ANNOUNCING FLOATING CIRCUIT OF DYNAMIC GATE例文帳に追加

ダイナミックゲートのフローティング回路報知装置及びそのフローティング回路報知方法 - 特許庁

METHOD OF ERASING CHARGE FROM ELECTRICAL PATH AND FLOATING GATE OF MEMORY CELL例文帳に追加

電気経路およびメモリセルのフローティングゲートから電荷を消去する方法 - 特許庁

ONE KIND OF LOW VOLTAGE OPERATION AND NONVOLATILE FERROELECTRIC MEMORY HAVING FLOATING GATE例文帳に追加

一種の低電圧操作とフローティングゲートを持つ不揮発性フェロエレクトリックメモリー - 特許庁

No protective films 15 are formed on the side of the floating gate electrode 4.例文帳に追加

フローティングゲート電極４の側面には保護膜１５が形成されていない。 - 特許庁

METHOD OF FABRICATING NANODOT, AND FLOATING GATE TRANSISTOR, AND METHOD OF FABRICATING THE SAME例文帳に追加

ナノドットの作製方法、並びに浮遊ゲートトランジスタ及びその作製方法 - 特許庁

Then, the nitride film 13 is patterned as a mask for forming a floating gate.例文帳に追加

その後、窒化膜１３をフローティングゲート形成用のマスクとしてパターニングする。 - 特許庁

It's an array of floating gate transistors, configured as a series of nand gates.例文帳に追加

これはフローティングゲートの トランジスタのアレイだ nandゲートの シリーズとして構成される - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

It's an array of floating gate transistors, configured as a series of nand gates.例文帳に追加

これはフローティングゲートの トランジスタのアレイだ NANDゲートの シリーズとして構成される - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

SELF-ALIGNING METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR MEMORY ARRAY OF FLOATING GATE MEMORY CELLS HAVING EMBEDDED SOURCE LINE AND FLOATING GATE, AND MEMORY ARRAY FOAMED BY USING THE SAME例文帳に追加

埋設ソースライン及びフローティングゲートを伴うフローティングゲートメモリセルの半導体メモリアレーを形成する自己整列型方法及びそれにより作られたメモリアレー - 特許庁

To embed a polysilicon in a floating-gate-forming region between STI (shallow trench isolation) films without generating voids when forming the floating-gate of a flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリのフローティングゲートを形成する際に、ＳＴＩ膜間のフローティングゲート形成領域に、ボイドを発生させることなくポリシリコンを埋め込む。 - 特許庁

By using the above constitution, writing is enabled from above and below the floating gate 10 by applying an electric field to the floating gate 10 via the electrode 13.例文帳に追加

このような構成により、電極１３を介してフローティングゲート１０に電界を印加し、フローティングゲート１０の上下から書き込みが行える。 - 特許庁

Regulation devices 16 and 17 for regulating the upper limit of a rising position of the floating gate 10 are provided to a quantitave intake floating gate.例文帳に追加

前記定量取水浮動ゲートにさらに前記浮動ゲート１０の上昇位置の上限を規定する制限手段１６、１７を設けることができる。 - 特許庁

Electrons are injected into the floating gate 40 by applying a high voltage to the second impurity diffusion layer 70 in capacitive coupling with the floating gate 40.例文帳に追加

フローティングゲート４０と容量カップリングした第２の不純物拡散層７０に高電圧を印加することによりフローティングゲート４０に電子が注入される。 - 特許庁

SELF-ALIGNING METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR MEMORY ARRAY OF FLOATING GATE MEMORY CELLS HAVING ELONGATED NONLINEAR FLOATING GATE, AND MEMORY ARRAY FORMED USING THE SAME例文帳に追加

非直線的な細長いフローティングゲートを伴うフローティングゲートメモリセルの半導体メモリアレーを形成する自己整列方法及びそれにより形成されたメモリアレー - 特許庁

Electrons are injected from the silicon substrate 1 into the floating gate 7 at the time of erasure and electrons are drawn out from the floating gate 7 to the drain region 2 at the time of writing.例文帳に追加

消去時にはシリコン基板１から電子を浮遊ゲート７に注入し、書き込み時には浮遊ゲート７からドレイン領域２に電子を引き抜く。 - 特許庁

A dielectric insulation region is provided on the element isolation structural body 2 and connects a first floating gate electrode and a second floating gate electrode physically.例文帳に追加

絶縁分離領域が、素子分離構造体上に設けられ、第１のフローティングゲート電極と第２のフローティングゲート電極とを物理的に連結する。 - 特許庁

Holes are injected from the MOS transistor 2 to a floating gate 10 by a tunnel current, and electrons are injected from the ballistic electron source 3 to the floating gate 10.例文帳に追加

MOSトランジスタ２からフローティングゲート１０にトンネル電流にてホールを注入し、弾道電子源３からフローティングゲート１０に電子を注入する。 - 特許庁

In the floating gate nonvolatile semiconductor memory device equipped with a sidewall 8, a drain diffused layer 7 is partially overlapped with a floating gate electrode 3.例文帳に追加

サイドウォール８を備えた浮遊ゲート型不揮発性半導体記憶装置において、ドレイン拡散層７が浮遊ゲート電極３と部分的にオーバーラップしている。 - 特許庁

After the sacrificial film pattern is removed, the floating gate film is etched using the pattern of the gate interlayer insulating film as an etching mask, so that a floating gate is formed under the pattern of the gate interlayer insulating film.例文帳に追加

前記犠牲膜パターンを除去した後、前記ゲートの層間絶縁膜のパターンをエッチングマスクとして使用して、前記フローティングゲート膜をエッチングして、前記ゲート層間絶縁膜パターン下部にフローティングゲートを形成する。 - 特許庁

An interpolysilicon insulating film (insulating film between gate polysilicons) 106 is formed between a control gate electrode 105 and a floating gate electrode 104, and a tunnel oxide film 107 is formed between a substrate 101 and the floating gate electrode 104.例文帳に追加

制御ゲート電極１０５と浮遊ゲート電極１０４の間にインターポリ絶縁膜（ゲートポリシリコン間の絶縁膜）１０６が、基板１０１と浮遊ゲート電極１０４の間にトンネル酸化膜１０７が形成されている。 - 特許庁

The control gate electrode 14 and the floating gate electrode 15 of the storage circuit part 1 are not silicided, and the control gate electrode 14 and the floating gate electrode 15 do not cause a short circuit by the metal silicide film 24.例文帳に追加

記憶回路部１のコントロールゲート電極１４とフローティングゲート電極１５はシリサイド化されておらず、コントロールゲート電極１４及びフローティングゲート電極１５同士が金属シリサイド膜２４による短絡を生じない。 - 特許庁

The floating gate electrode 6 is formed aligning itself with the control gate 7, a drain region 4 with the control gate electrode 7, and a source region 3 with the floating gate electrode 6.例文帳に追加

そして、浮遊ゲート電極６は制御ゲート電極７に対して、ドレイン領域４は制御ゲート電極７に対して、ソース領域３は浮遊ゲート電極６に対して、それぞれ自己整合的に形成されている。 - 特許庁

A wire is made to function as a control gate, and a contact and a gate electrode, connected to this contact, are made to function as a floating gate.例文帳に追加

配線をコントロールゲートとして機能させ、コンタクトと当該コンタクトに接続したゲート電極とをフローティングゲートとして機能させる。 - 特許庁

To make sharper the acute angle section of a floating gate that opposes an erase gate, in a split-gate type nonvolatile semiconductor storage.例文帳に追加

スプリットゲート型の不揮発性半導体記憶装置において、消去ゲートと対向するフローティングゲートの鋭角部をより尖らせること。 - 特許庁