「Floating gate」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

A sun disk type flash memory has a floating gate 18 at a drain 15 side of a channel region 17, and a selection gate being one part of a control gate 16 at a source 14 side.例文帳に追加

サンディスク型フラッシュメモリはチャネル領域１７のドレイン１５側にフローティングゲート１８、ソース１４側にコントロールゲート１６の一部である選択ゲート１９を有している。 - 特許庁

The second gate control circuit 20 puts the second gate electrode CG into a floating state when at least the first potential is applied to the first gate electrode WG.例文帳に追加

第２ゲート制御回路２０は、少なくとも第１ゲート電極ＷＧに第１電位が印加された時に、当該第２ゲート電極ＣＧをフローティング状態にする。 - 特許庁

The first and second MOS transistors 10 and 20 share a gate electrode 30, and the gate electrode 30 is a floating gate electrically separated from the surrounding.例文帳に追加

第１ＭＯＳトランジスタ１０と第２ＭＯＳトランジスタ２０はゲート電極３０を共有し、そのゲート電極３０は、周囲から電気的に隔離された浮遊ゲートである。 - 特許庁

In the one adjacent side of the each floating gate 7, an auxiliary gate 9 is formed through a third gate insulation film 6 on the main plane of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

各浮遊ゲート７の一方の隣接側には、半導体基板１の主面上に第３ゲート絶縁膜６を介して形成された補助ゲート９が形成されている。 - 特許庁

Each of the plurality of stack gate electrodes SG1-SG3 has a floating gate electrode 4 and a control gate electrode 13 that are insulated from and laminated with each other.例文帳に追加

複数のスタックゲート電極ＳＧ１〜ＳＧ３の各々は、互いに絶縁されて積層されたフローティングゲート電極４とコントロールゲート電極１３とを有している。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor memory device comprises a gate stack which has a tunnel oxide film, a floating gate, an interlayer insulating film, and a control gate sequentially formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上にトンネル酸化膜、フローティングゲート、層間絶縁膜及びコントロールゲートが順次に形成されたゲートスタックを含む不揮発性半導体メモリ素子である。 - 特許庁

A floating gate 3 is formed on the polysilicon gate of a logic part, and a control gate 6 is composed of a diffusion layer formed on a silicon substrate 1 by implantion of ions.例文帳に追加

フローティングゲート３をｌｏｇｉｃ部のポリシリコンゲート２８と兼ねて形成し、コントロールゲート６をシリコン基板１にイオン注入によって形成した拡散層で構成する。 - 特許庁

A floating gate 16 is made through a first gate insulating film 15 in this substrate 11, and further a control gate 18 is made through a second insulating film 17.例文帳に追加

この基板１１に第１のゲート絶縁膜１５を介して浮遊ゲート１６が形成され、更に第２のゲート絶縁膜１７を介して制御ゲート１８が形成される。 - 特許庁

Non-volatile memory transistors, each having the floating gate 5a formed on a silicon substrate 1 via a gate insulating film 4 and a control gate 7a formed on the gate 5a via an inter-gate insulating film 6, are formed integrally.例文帳に追加

シリコン基板１上にゲート絶縁膜４を介して形成された浮遊ゲート５ａと、この浮遊ゲート５ａ上にゲート間絶縁膜６を介して形成された制御ゲート７ａとを有する不揮発性メモリトランジスタが集積形成される。 - 特許庁

On the substrate 1, a gate insulating film 4, floating gate electrodes 5, a capacitor insulating film 8, control gate electrodes 6, gate top insulating films 11, side-wall insulating films 12, tunnel insulating films 10, and an erasing gate electrode 9 are provided.例文帳に追加

基板上には、ゲート絶縁膜４と、フローティングゲート電極５と、容量絶縁膜８と、コントロールゲート電極６と、ゲート上絶縁膜１１と、側壁絶縁膜１２と、トンネル絶縁膜１０と、消去ゲート電極９とが設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory which enables easy and rapid writing even at a low diffusion layer voltage by decreasing the coupling ratio of a floating gate and a control gate to increase the coupling ratio of a diffusion layer and the floating gate.例文帳に追加

浮遊ゲートと制御ゲートとのカップリング比を減少させることによって、拡散層と浮遊ゲートとのカップリング比を増加して低い拡散層電圧でも容易に高速な書き込みを行うことが可能な半導体メモリを提供する。 - 特許庁

The channel has three parts where one floating gate exists above the first part, the other floating gate exists above the second part, and a gate electrode (62) controls conduction at the third part of the channel located between the first and second parts.例文帳に追加

チャンネルは３つの部分を有し、１つの浮遊ゲートが第１部分上にあり、別の浮遊ゲートが第２部分上にあり、ゲート電極（６２）が第１部分と第２部分の間にあるチャンネルの第３部分の伝導を制御する。 - 特許庁

A floating circuit extracting means 21 recognizes the floating circuit of the dynamic gate, and a storage means 22 stores the recognized information.例文帳に追加

フローティング回路抽出手段２１は、ダイナミックゲートのフローティング回路を認識して、この認識された情報をさらに記憶手段２２に記憶する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING SELF-ALIGNED FLOATING GATE POLY IN ACTIVE REGION OF FLASH E2PROM例文帳に追加

フラッシュＥ２ＰＲＯＭセルの活性領域に自己整合型フローティングゲートポリーを形成する方法 - 特許庁

Such a program as the cell stores 1 bit in each floating gate by bidirectional reading is thereby realized.例文帳に追加

双方向性読出しにてセルが各浮遊ゲートに１ビットを記憶するプログラムを可能にする。 - 特許庁

The charge release circuit 22 is the circuit for making the charge release from the floating gate 4.例文帳に追加

電荷放出回路２２は、浮遊ゲート４から前記電荷を放出させるための回路である。 - 特許庁

The back gate BG1 of the first NMOS transistor NMOS1 is in an electrically floating state.例文帳に追加

第１ＮＭＯＳトランジスタＮＭＯＳ１のバックゲートＢＧ１は電気的なフローティング状態である。 - 特許庁

A diffusion layer 70 is provided in the semiconductor substrate 20 closely to the floating gate 40.例文帳に追加

拡散層７０は、フローティングゲート４０に近接して半導体基板２０内に設けられている。 - 特許庁

These three sections have a common floating gate composed of a single polysilicon layer.例文帳に追加

これら３つの部位は、前記単一のポリシリコン層で構成される共通のフローティングゲートを有する。 - 特許庁

In the manufacturing method, a floating gate 4 is formed on a sense transistor region in a P^- type Si substrate 1.例文帳に追加

Ｐ^−型Ｓｉ基板１のうち、センストランジスタ領域上に、浮遊ゲート４を形成する。 - 特許庁

The floating gate covers a first area of the channel, and is separated from the sidewall of the trench.例文帳に追加

浮遊ゲートは、トレンチ内でチャネルの第１の部分を覆いトレンチの側壁から離間している。 - 特許庁

Thus, the control for generating various voltages VM at the floating gate FG is facilitated.例文帳に追加

このため、フローティングゲートＦＧに多様な電圧Ｖ_Mを生じさせるための制御が容易である。 - 特許庁

The floating gate is arranged on the first tunnel barrier structure and covers the channel region.例文帳に追加

浮遊ゲートが該第１トンネル障壁構造体上に配置され該チャネル領域を覆っている。 - 特許庁

Such a program as the cell stores 1 bit in each floating gate by bidirectional reading is thereby realized.例文帳に追加

双方向性読出しでセルが各浮遊ゲートに１ビットを記憶するプログラムを可能にする。 - 特許庁

Parts of the buried insulation layer act as a tunnel oxide layer 101' of the floating gate devices.例文帳に追加

埋め込み絶縁層の一部は、フローティングゲートデバイスのトンネル酸化物層１０１’として働く。 - 特許庁

Next, a floating gate electrode 3 including no impurity near upper and lower end faces is formed.例文帳に追加

次に、上下端面の近傍において不純物を含まない浮遊ゲート電極３を形成する。 - 特許庁

Therefore, concentration of electric field between the corner of the active region and the corner of the floating gate is suppressed.例文帳に追加

従って、活性領域の角と浮遊ゲートの角の間に電界の集中が抑制される。 - 特許庁

The floating gate first portion includes a sloped upper surface and a side surface that meet at an acute edge.例文帳に追加

フローティングゲートの第１の部分は、鋭角縁部で交わる傾斜上面及び側面を含む。 - 特許庁

A floating gate insulating film 8 is formed on the front surface of the silicon epitaxial growth 13.例文帳に追加

シリコンエピタキシャル成長部１３の表面上にフローティングゲート絶縁膜８が形成されている。 - 特許庁

An inter-electrode insulating film 16 is formed on the floating gate electrode film 13 in the cell region.例文帳に追加

電極間絶縁膜１６は、セル領域の浮遊ゲート電極膜１３上に形成されている。 - 特許庁

To prevent deterioration of a gate insulating film and to make the quantity of charges of carriers in a floating gate accurately controllable, and, in addition, to make the power consumption of a semiconductor storage device unnecessary at writing.例文帳に追加

ゲート絶縁膜の劣化を防止すると共に、浮遊ゲート内のキャリアの電荷量を正確に制御できるようにする。 - 特許庁

With this manufacturing method, a memory cell is formed which has a floating gate 4, a control gate 6, and source and drain diffused layers 7a and 7b on a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１に、浮遊ゲート４と制御ゲート６、及びソース，ドレイン拡散層７ａ，７ｂを有するメモリセルが形成される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor storage device, where a floating gate is further microfabricated and the process for a control gate is facilitated.例文帳に追加

フローティングゲートの微細化を図り、かつコントロールゲートの加工を容易にする半導体記憶装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A second gate insulation film 110 is also formed on upper and side surfaces of the floating gate 109 and on the stopper film 106.例文帳に追加

そして、フローティングゲート１０９の上面および側面、ストッパ膜１０６上に、第２のゲート絶縁膜１１０が形成されている。 - 特許庁

A tunnel insulating film 260 is formed on a sidewall of a floating gate 210, which is formed by etching the conductive layer with the between-gate oxide film as the mask.例文帳に追加

ゲート間酸化膜をマスクとして導電層をエッチングし形成された浮遊ゲート210aの側壁にトンネル絶縁膜260を形成する。 - 特許庁

The floating gate of the gate stack has both side surfaces that are wave-shaped in the channel length direction to improve the coupling ratio.例文帳に追加

前記ゲートスタックのうち、前記フローティングゲートは、両側面がチャンネル長手方向にウェーブ状に形成されて、カップリング比を向上させる。 - 特許庁

Moreover, a floating gate 109 is then formed on the first gate insulation film 108 covering a part of the stopper film 106.例文帳に追加

また、第１のゲート絶縁膜１０８上およびストッパ膜１０６の一部にかかるように、フローティングゲート１０９が形成されている。 - 特許庁

Thereby the opposite area of the control gate 6 and the floating gate 8 is increased as compared with a conventional device, and a capacity is enlarged therebetween.例文帳に追加

これにより、従来装置に比べて制御ゲート６と浮遊ゲート８との対向面積が増大し、その間の容量が大きくなる。 - 特許庁

A second nonvolatile memory cell (1b) includes a second channel region (11b), a second floating gate (5b), and a second control gate (6b).例文帳に追加

また、第２不揮発性メモリセル（１ｂ）は、第２チャネル領域（１１ｂ）と、第２フローティングゲート（５ｂ）と、第２コントロールゲート（６ｂ）とを含むものとする。 - 特許庁

A second electrical contact 290 is electrically coupled with a floating gate layer 250, forming a plate between the substrate and the control gate layer.例文帳に追加

第２の電気コンタクト２９０が浮遊ゲート層２５０に電気的に結合され、基板と制御ゲート層との間の板を形成する。 - 特許庁

Floating gate electrodes 10a-10d and control gate electrodes 12a-12d are formed on the trench isolation oxide film 3.例文帳に追加

そのトレンチ分離酸化膜３上にフローティングゲート電極１０ａ〜１０ｄおよびコントロールゲート電極１２ａ〜１２ｄが形成されている。 - 特許庁

A cell is programmed by hot channel electron injection and erased by Fowler Nordheim tunneling of electrons from the floating gate to the gate electrode.例文帳に追加

セルはホット・チャンネル電子注入によりプログラムされ、浮遊ゲートからゲート電極への電子のファウラー・ノルデハイム・トンネリングにより消去される。 - 特許庁

An RTO (rapid thermal oxidation) film 11 is formed along a control gate electrode CG, insulating film 7 between gates and the sidewall of a floating gate electrode FG.例文帳に追加

ＲＴＯ膜１１が、制御ゲート電極ＣＧ、ゲート間絶縁膜７、浮遊ゲート電極ＦＧの側壁に沿って形成されている。 - 特許庁

The memory cell includes a memory transistor having a first island-shaped semiconductor region 102, a floating gate 109 and a control gate 111.例文帳に追加

メモリセルには、第１の島状半導体領域１０２、フローティングゲート１０９、コントロールゲート１１１が有するメモリトランジスタが設けられている。 - 特許庁

A memory cell portion (a) has a source N+ layer 4, a drain N+ layer 5, and a floating gate 7a formed on a gate oxide film 6a.例文帳に追加

メモリセル部ａは、ソースＮ＋層４、ドレインＮ＋層５、及びゲート酸化膜６ａ上に形成されるフローティングゲート７ａを備える。 - 特許庁