「Floating gate」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

This device is provided with a first transistor Mep0 having a floating gate Fg0 and to which data is written, a second transistor Mer0 having a floating gate Fg0 connected jointly with the floating gate and reading out the data written in the Mep0, and a control gate section 243 coupled to the floating gate and controlling read-out operation of the Mer0.例文帳に追加

浮遊ゲートＦｇ０を有しデータが書込まれる第１トランジスタＭｅｐ０と、前記浮遊ゲートと共通接続された浮遊ゲートＦｇ０を有し、Ｍｅｐ０に書込まれた前記データを読み出すための第２トランジスタＭｅｒ０と、浮遊ゲートに結合されＭｅｒ０の読出し動作を制御するコントロールゲート部２４３とを備えている。 - 特許庁

After the floating gate FG1 is put in a binary electron state, the source/drain regions are replaced with each other, and a potential given between the source-drain regions is controlled corresponding to the electron state of the floating gate FG1 and the number of electrons stored in the floating gate FG2 so as to provide electron states exceeding binary for the floating gate FG2.例文帳に追加

フローティングゲートＦＧ１に２値からなる電子状態を形成した後、ソース・ドレインを入れ替え、フローティングゲートＦＧ１の電子状態およびフローティングゲートＦＧ２に蓄積すべき電子数に応じてソース・ドレイン間に付与する電位を制御することで、フローティングゲートＦＧ２に２値を超える電子状態を形成する。 - 特許庁

A floating gate 6 is formed on the substrate 1 through the intermediary of a first gate insulating film 5, and a control gate 8 is formed through the intermediary of a second gate insulating film 7.例文帳に追加

この基板１に第１のゲート絶縁膜５を介して浮遊ゲート６が形成され、更に第２のゲート絶縁膜７を介して制御ゲート８が形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device that achieves microfabrication of a floating gate and makes the processing of a control gate easy.例文帳に追加

フローティングゲートの微細化を図り、かつコントロールゲートの加工を容易にする半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

A floating gate 19 is arranged on a channel region L_1 region, this is separated by a gate oxide 21.例文帳に追加

チャンネル領域Ｌ_１部分の上にフローティングゲート１９があり、これは、ゲート酸化物２１により分離されている。 - 特許庁

The select gate transistors and the floating gate memory transistors have an oxide thickness of 85 to 105 Å.例文帳に追加

選択ゲート・トランジスタと浮遊ゲート・メモリ・トランジスタは、８５Å〜１０５Åの厚さの酸化物を有する。 - 特許庁

The control gate 23 also is electrically separated from a floating gate 19 by a oxide layer 27.例文帳に追加

コントロールゲート２３もまた、フローティングゲート１９から酸化物層２７により電気的に分離された構成となっている。 - 特許庁

The embedded gate 8 is embedded within a groove 2 formed on the self-alignment basis for the floating gate 6.例文帳に追加

埋め込みゲート８は、浮遊ゲート６に対して自己整合で形成された溝２の内部に埋め込まれている。 - 特許庁

An inter-gate insulating layer 17 is formed on the floating gate electrode 13 and the device isolation insulating layer 16.例文帳に追加

フローティングゲート電極１３上及び素子分離絶縁層１６上には、ゲート間絶縁層１７が形成される。 - 特許庁

A memory cell 1 comprises source drain regions 3, channel regions 4, floating gate electrodes 5, 6 and control gate electrodes 7.例文帳に追加

メモリセル１は、ソース・ドレイン領域３、チャネル領域４、浮遊ゲート電極５，６、制御ゲート電極７からなる。 - 特許庁

A gate insulating film 7 is formed above the channel region 4 in such a manner that it covers the floating gate electrode 6.例文帳に追加

フローティングゲート電極６を覆うように、チャネル領域４の上方にゲート絶縁膜７が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device is arranged on the substrate and further comprises an insulated erasing gate 218 located adjacent to the floating gate 214.例文帳に追加

半導体素子は、基板上に設けられてフローティングゲートと隣接し絶縁された消去ゲートをさらに含む。 - 特許庁

The memory transistor MT has a floating gate FG and a control gate CG formed by laminating them together.例文帳に追加

メモリトランジスタＭＴは、互いに積層されて形成されたフローティングゲートＦＧおよびコントロールゲートＣＧを有している。 - 特許庁

A control gate electrode is disposed on the semiconductor substrate so as to cover a part of the floating gate electrode.例文帳に追加

そして、制御ゲート電極は、フローティングゲート電極の一部分を覆うように、半導体基板上に配される。 - 特許庁

To improve coupling between a floating gate electrode and a control gate electrode of a non-volatile semiconductor memory device.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置のフローティングゲート電極とコントロールゲート電極間のカップリング比を向上させる。 - 特許庁

Furthermore, a capacity banding ratio of a control gate 8 to the floating gate 6 C1/C2 ratio is preferably 0.8 or higher.例文帳に追加

また、制御ゲート８と浮遊ゲート６との容量結合比Ｃ１／Ｃ２は、０．８以上とするのが好ましい。 - 特許庁

The memory cell 111 is provided with a floating gate 103, a control gate 105 and a select gate 107 and the reference voltage generation circuit 1' comprises a pseudo cell 1 which is not equipped with the floating gate 103 and the control gate 105 of the memory cell 111 and is equipped with a gate 13 corresponding to the select gate 107.例文帳に追加

メモリセル１１１は、浮遊ゲート１０３と制御ゲート１０５とセレクトゲート１０７とを備え、前記基準電圧発生回路１′は、前記メモリセル１１１における前記浮遊ゲート１０３および制御ゲート１０５は備えず、前記セレクトゲート１０７に相当するゲート１３を備えた疑似セル１から成る。 - 特許庁

A shield conductive layer is prepared in the upper portion of the floating gate through a shield insulating film.例文帳に追加

浮遊ゲート上方にシールド絶縁膜を介してシールド導電層を設ける。 - 特許庁

IMPROVED METHOD FOR PROGRAMMING ELECTRON ON FLOATING GATE OF NONVOLATILE MEMORY CELL例文帳に追加

不揮発性メモリセルの浮遊ゲート上に電子をプログラムする改良された方法 - 特許庁

A floating gate 13 is formed on the channel 11 via an insulating film.例文帳に追加

チャネル１１上に絶縁膜を介してフローティングゲート１３が設けられている。 - 特許庁

To provide a method for operating a floating gate APS (active pixel sensor) pixel.例文帳に追加

フローティングゲート型ＡＰＳ（アクティブ画素センサ）画素を操作する方法を提供する。 - 特許庁

The floating-gate pattern is elongated to an upper portion of the element isolation film.例文帳に追加

前記浮遊ゲートパターンは前記素子分離膜の上部まで伸張されている。 - 特許庁

A sidewall insulating film 50 is provided on both sidewalls of the floating gate 40.例文帳に追加

フローティングゲート４０の両側壁には、側壁絶縁膜５０が設けられている。 - 特許庁

A floating gate 13 and a control gate 16 are periodically and alternately arranged in the first direction via a gate insulating film 12 on a substrate 11.例文帳に追加

基板１１上にゲート絶縁膜１２を介して、第1の方向に周期的に浮遊ゲート１３と制御ゲート１６とが交互に配列される。 - 特許庁

A memory cell is formed of a MOS transistor comprising a floating gate 6, a control gate 7 forming the word line WL, and an embedded gate 8.例文帳に追加

メモリセルは、浮遊ゲート６、ワード線ＷＬを構成する制御ゲート７および埋め込みゲート８を有するＭＯＳトランジスタで構成される。 - 特許庁

A floating gate 40, an intermediate insulating layer (second insulating layer) 50, and a control gate 60 are successively formed on the gate insulating layer 20.例文帳に追加

ゲート絶縁層２０上には、フローティングゲート４０と、中間絶縁層（第２の絶縁層）５０と、コントロールゲート６０とが順次形成されている。 - 特許庁

A memory cell array MS is composed of stack gate structured memory cells, having control gate electrodes 12(CG) and floating gate electrodes 16(FG).例文帳に追加

メモリセルアレイ部ＭＳは、コントロールゲート電極１２（ＣＧ）及びフローティングゲート電極１６（ＦＧ）を有するスタックゲート構造のメモリセルから構成される。 - 特許庁

At the time when the control gate electrode 18 is patterned, gate electrode material film 16b and 16a are etched to form a floating gate electrode 16.例文帳に追加

制御ゲート電極１８のパターニング時に同時に、ゲート電極材料膜１６ｂ，１６ａをエッチングして、浮遊ゲート電極１６を形成する。 - 特許庁

This split-gate type memory cell 1 comprises a source region 2, drain region 3, channel region 4, floating gate electrode 5, and control gate electrode 6.例文帳に追加

スプリットゲート型メモリセル１は、ソース領域２、ドレイン領域３、チャネル領域４、浮遊ゲート電極５、制御ゲート電極６から構成される。 - 特許庁

Anisotropic etching is performed on the first gate conductive film to form a selection gate electrode 125 and an auxiliary floating gate electrode on the side wall of the support pattern.例文帳に追加

第１ゲート導電膜を異方性エッチングしてサポートパターンの側壁に選択ゲート電極125及び予備フローティングゲート電極を形成する。 - 特許庁

One memory cell is composed of the floating gate and a pair of control gates positioned at both the sides, adjacent memory cells share the control gate positioned between the adjacent memory cells, and the floating gate is driven by the capacitive coupling between the floating gate and the pair of control gates at both the sides.例文帳に追加

浮遊ゲート及びその両側に位置する一対の制御ゲートによって１個のメモリセルが構成され、隣り合うメモリセルはその間に位置する制御ゲートを共有し、浮遊ゲートとその両側の一対の制御ゲートとの容量結合により浮遊ゲートが駆動される。 - 特許庁

To overcome a problem without increasing man-hours that defects occur at both ends of a gate oxide film which can be a tunnelling medium and a floating gate electrode when ions are implanted using the floating gate electrode as a mask, in a semiconductor device having the floating gate electrode.例文帳に追加

フローティングゲート電極を有する半導体記憶装置において、フローティングゲート電極をマスクとしてイオン注入したときの、トンネリング媒体となりうるゲート酸化膜およびフローティングゲート電極端部への欠陥発生の問題を、工数を増大させることなく解消する。 - 特許庁

The EPROM device comprises a floating gate formed on gate insulating film, insulating spacers overlying both side walls of the above-mentioned floating gate, and PEOX (plasma enhanced oxide) film formed right above the above-mentioned floating gate and insulating spacers.例文帳に追加

ＥＰＲＯＭ素子は、半導体基板上において、ゲート絶縁膜上に形成されたフローティングゲートと、前記フローティングゲートの両側壁を覆う絶縁スペーサと、前記フローティングゲート及び絶縁スペーサの真上に形成されているＰＥＯＸ（ｐｌａｓｍａ ｅｎｈａｎｃｅｄ ｏｘｉｄｅ）膜とを備える。 - 特許庁

To provide a method for forming a gate of a flash memory element which improves a ratio of a gate width between a control gate and a floating gate to elevates a characteristic of a device, making a gate etching process in the same chamber.例文帳に追加

ゲートエッチング工程を同一のチャンバ内で行い、コントロールゲートとフローティングゲート間のゲート幅比を改善してデバイスの特性を向上させるフラッシュメモリ素子のゲート形成方法を提供する。 - 特許庁

This nonvolatile memory cell is provided with a first well 11 formed in a substrate, a floating gate 30 formed on the substrate via a gate insulation film, and an MOS transistor 20 using the floating gate 30 as a gate electrode.例文帳に追加

本発明に係る不揮発性メモリセルは、基板中に形成された第１ウエル１１と、ゲート絶縁膜を介して基板上に形成された浮遊ゲート３０と、浮遊ゲート３０をゲート電極として用いるＭＯＳトランジスタ２０とを備える。 - 特許庁

Consequently the surface area of the floating gate is increased, a coupling ratio between the floating gate and a control gate electrode is increased and the operation voltage of the non-volatile storage cell can be reduced.例文帳に追加

これによって、フローティングゲートの表面積が増加してフローティングゲート及び制御ゲート電極間のカップリング比率が増加し、不揮発性記憶セルの動作電圧を減少させることができる。 - 特許庁

A part in the first insulating film overlapping with the floating gate electrode is removed, and the insulating film between the island-shaped semiconductor region and the floating gate electrode is formed thinner than the gate insulating film of the transistor.例文帳に追加

第１の絶縁膜はフローティングゲート電極と重なる部分が除去されており、島状半導体領域とフローティングゲート電極間の絶縁膜が、トランジスタのゲート絶縁膜よりも薄くされている。 - 特許庁

Each control gate has two parts, that is, a first part located on the part of the channel region and a second part, located on the associated floating gate and capacitively connected to the floating gate.例文帳に追加

各制御ゲートは、２つの部分、すなわち、上記チャネル領域の部分上にある第１部分と、関連する浮動ゲートの上にありかつ該浮動ゲートに容量的に接続される第２部分とを有する。 - 特許庁

The controlling gate electrode 9 is so formed on the ONO film 8 as to extend it from the upsides of the top surfaces of the floating gate electrodes 7a-7c to the upsides of the side surfaces of the floating gate electrodes 7a-7c.例文帳に追加

コントロールゲート電極９は、フローティングゲート電極７ａ〜７ｃの上部表面上からフローティングゲート電極７ａ〜７ｃの側面上にまで延在するように、ＯＮＯ膜８上に形成されている。 - 特許庁

Thus, the potential barrier of a floating gate insulation film 103 between a substrate 101 and the floating gate 104 becomes higher than the conventional one, and even when the floating gate insulation film 103 is thinned, the leakage of charge due to a tunnel effect can be reduced.例文帳に追加

このことにより、基板１０１とフローティングゲート１０４の間のフローティングゲート絶縁膜１０３のポテンシャル障壁が従来のものより高くなり、フローティングゲート絶縁膜１０３を薄くしても、トンネル効果による電荷の漏洩を低減できる。 - 特許庁

A tunnel insulation film 33 formed on the side wall of a floating gate 4 has a thinner portion formed on an upper position of the floating gate 4 than a portion formed on a lower position of the floating gate 4.例文帳に追加

フローティングゲート４の側壁部に形成された前記トンネル絶縁膜３３において、前記フローティングゲート４の上部位置に形成される膜厚が、当該フローティングゲート４の下部位置に形成される膜厚よりも薄くなっていることを特徴とする。 - 特許庁

FLOATING BACK GATE ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM)例文帳に追加

フロ—ティング・バックゲ—ト電気的消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ（ＥＥＰＲＯＭ） - 特許庁

To secure a mask aligning margin to form an element isolation film and a floating gate.例文帳に追加

素子分離膜とフローティングゲートを形成する際のマスク合わせマージンを確保する。 - 特許庁

The write-in part 5 writes again data of the memory cell provided with the floating gate in which the second sense amplifier 4 determines that the second threshold is larger than the voltage of the floating gate.例文帳に追加

書き込み部５は、第２のセンスアンプ４が、第２の閾値がフローティングゲートの電圧値より大きいと判定したフローティングゲートを備えるメモリセルのデータを再度書き込む。 - 特許庁

To provide a nonvolatile floating gate memory cell made by a trench of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板のトレンチに作られる不揮発性フローティングゲートメモリセルを提供する。 - 特許庁