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「G1 Phase」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索


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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > G1 Phaseの意味・解説 > G1 Phaseに関連した英語例文

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G1 Phaseの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 18



例文

Opening gaps for windings of each phase UA1, UA2, VA1, VA2, WA1 and WA2 are disposed in a winding guide G1.例文帳に追加

巻線ガイドG1に各相巻線用空隙UA1,UA2,VA1,VA2,WA1,WA2を設ける。 - 特許庁

The diploid nucleus is obtained from any cell in the G0 phase or G1 phase of the cell cycle during the transfer.例文帳に追加

二倍体核は、移植時に細胞周期のG0期またはG1期のいずれかの細胞から得られる。 - 特許庁

The diploid nucleus can be obtained from a cell in either the G0 or G1 phase of the cell cycle at the time of transfer.例文帳に追加

二倍体核は、移植時に細胞周期のG0期またはG1期のいずれかの細胞から得られる。 - 特許庁

The yeast variant stops cell cycle on G1 phase at 37°C.例文帳に追加

また当該酵母変異体は、37℃において細胞周期がG1期で停止するという特徴を有していた。 - 特許庁

例文

The liquid crystal composition includes a liquid crystal material exhibiting a blue phase and a liquid crystalline monomer represented by general formula (G1), wherein the liquid crystal composition may include a non-liquid crystalline monomer and a polymerization initiator.例文帳に追加

ブルー相を発現する液晶材料、下記一般式(G1)で示される液晶性モノマーを含む液晶組成物である。 - 特許庁


例文

When the reception noise is detected, an amplifier 61 of the loop filter 52 reduces the phase compensation amount by changing a loop gain G1 used for calculation of the phase compensation amount.例文帳に追加

但し、ループフィルタ52のアンプ61は、受信ノイズが検出された場合、位相補正量の算出に用いるループゲインG1を変更することにより、位相補正量を小さくする。 - 特許庁

The heaters 66 to 74 disposed in the drying device 22 are equally connected by three pieces each to respective phases of a power source device 75 of a four-phase four-wiresystem or three- phase three-wire system, by which heater groups G1 to G3 are constituted.例文帳に追加

また、乾燥装置22に設けられた加熱器66〜74は、3相4線式または3相3線式の電源装置75に対して各相に3本ずつ均等に接続され、加熱器群G1〜G3が構成される。 - 特許庁

The dielectric layer 11a contains a large number of the dielectric grains G1 having a non-core shell structure using a dielectric as a chief material, and each dielectric grain G1 is formed in a shape surrounded by a plurality of diffusion-phase grains G2 having the non-core shell structure in which one kind or more of metallic elements are diffused to the dielectric.例文帳に追加

誘電体層11aは、誘電体を主成分とする非コアシェル構造の多数の誘電体グレインG1を含み、各誘電体グレインG1は、誘電体に1種以上の金属元素が拡散した非コアシェル構造の複数の拡散相グレインG2によって囲まれた形態にある。 - 特許庁

In a growth process S1, a gas G1 containing an ammonia and group III organic metal matter is supplied into a growth furnace 15 of a vapor phase growth apparatus 11 to grow a group III nitride semiconductor of GaN etc.例文帳に追加

成長工程S1では、アンモニアおよびIII族有機金属物質を含むガスG1を気相成長装置11の成長炉15に供給して、GaN等のIII族窒化物半導体を成長する。 - 特許庁

例文

The administration of a G1 and/or S phase drug such as β-lapachone in combination with a G2/M drug such as a taxane derivative (e.g. paclitaxel) resulted in synergistic reduction in the number of tumors (and tumor volume) as compared with the administration of these agents alone.例文帳に追加

タキサン誘導体(例えば、パクリタキセル)のようなG2/M薬物と組み合わせて、β−ラパコンのようなG1期および/またはS期薬物の投与が、これらの薬剤単独の投与と比較した場合、腫瘍の数(および腫瘍の容積)において、相乗的な減少を生じる。 - 特許庁

例文

When a standing wave SW_1 enters into the cavity 26'-k, a standing wave SW_1' with about the same frequency as a standing wave W_1 and a phase rotated by 180 degrees to the standing wave W_1 is emitted from the cavity 26'-k and gaps G1 and G2.例文帳に追加

空洞26’−k内に定在波SW_1が入射すると、定在波W_1とほぼ同じ周波数を有し且つ定在波W_1に対して位相が180度回転した定在波SW_1’が空洞26’−kから隙間G1およびG2を介して放射される。 - 特許庁

The target speed Vm, the traveling speed Vn, the last throttle demand opening MAn-1, the torque change amount ΔT, feedback gains G1, G2, and the phase compensating time Tsk are read (step 61), and the speed change amount ΔV is calculated (step 62).例文帳に追加

ステップ61で目標車速Vm 、走行車速Vn 、前回のスロットル要求開度MAn-1 、トルク変化量ΔT、フィードバックゲインG1,G2、及び位相補償時間Tskが読み込まれ、ステップ62で車速変化量ΔVが算出される。 - 特許庁

In the first and second coupling transmission line systems G1 and G2, a line terminal 2B of the second line TL2 and a line terminal 3A of the third line TL3 are open terminals, and a line terminal 2A of one second line TL2 and a line terminal 3B of the other third line TL3 are interconnected through phase lines 3 and 4.例文帳に追加

上記第1,第2結合伝送線路系G1,G2において、第2線路TL2の線路端2Bと第3線路TL3の線路端3Aが開放端であり、一方の第2線路TL2の線路端2Aと他方の第3線路TL3の線路端3Bとを位相線路3,4を介して互いに接続する。 - 特許庁

The first region which constitutes the base surface of the grooves G (x, y) are set at an area (G1×G3), corresponding to the specific amplitude defined relating to the cell and the depth (G2) of the grooves G (x, y) is set at the value, corresponding to the specific phase defined relating to the cell.例文帳に追加

溝G(x,y)の底面となる第1の領域は、当該セルについて定義された特定振幅に応じた面積(G1×G3)に設定されており、溝G(x,y)の深さ(G2)は、当該セルについて定義された特定位相に応じた値に設定されている。 - 特許庁

Also, in general formula (G1), Y_1 and Y_2 each independently represents an alkylene group with the total number of carbon and oxygen of 1-20, assuming that the length thereof is in the range which maintains liquid crystallinity and does not deteriorate compatibility with the liquid crystal material exhibiting a blue phase.例文帳に追加

(但し、一般式(G1)中、Xは、メソゲン骨格を示す。また、一般式(G1)中、Y_1、Y_2は、液晶性が維持できる程度であり、またブルー相を発現する液晶材料との相溶性が低下しない程度の長さであるとして、それぞれ独立して炭素及び酸素の合計が1〜20のアルキレン基を示す。) - 特許庁

The invention relates to the method for treating multiple myeloma (MM) and other hematologic tumors and/or malignancies of a test object, which comprises administration of an effective amount of a G1 and/or S phase drug, (preferably, β-lapachone), or a derivative or analog thereof to the test object.例文帳に追加

被験体の多発性骨髄腫(「MM」)ならびに他の血液腫瘍または血液悪性腫瘍を処置するための方法であって、該方法は、G1および/もしくはS期薬物(これは有利には、β−ラパコンである)、またはその誘導体もしくはアナログの治療有効量を該被験体に投与する工程を包含する、方法。 - 特許庁

In the vapor phase growth apparatus 1, material gases G1, G2 supplied from gas-introduction inlets 21A, 21B flow over an upper surface side of the outer circumferential surface 23b of a bank component 23 against the surface 23b, then, flow along the major surface of a substrate W on a susceptor 12.例文帳に追加

気相成長装置1においては、ガス導入口21A,21Bからの原料ガスG_1、G_2が、堤部材23の外周面23bに当たって上面側に乗り上げた後、サセプタ12上の基板Wの主表面に沿って流れる。 - 特許庁

例文

The half-bridge type power conversion apparatus includes a gate pulse generation function part 162 in which the generation logic of gate drive pulse signals G1 and G2 for on/off driving of a first switching element 4 and a second switching element 5 is applied with a two-phase amount of gate signal generation logic digitized for generating a gate drive pulse signal of a three-phase inverter device.例文帳に追加

第1スイッチング素子4および第2スイッチング素子5をオン/オフ駆動するゲート駆動パルス信号G1,G2の生成ロジックに、三相インバータ装置のゲート駆動パルス信号を生成するためのディジタル化されたゲート信号生成ロジックの二相分を適用したゲートパルス生成機能部162を備えるようにした。 - 特許庁

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