「Gate structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(49ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a technique which increases a speed of write/read of an element and improves a fresh characteristic of the element by designing the semiconductor element so as to form a recess channel area and a fin type channel area on its lower portion, especially, utilizing an island type recess gate mask exposing a predetermined active area and an element separating structure adjacent to it, concerning a semiconductor element and its manufacturing method.例文帳に追加

半導体素子及びその製造方法に関し、特に所定の活性領域とこれと隣接した素子分離構造を露出するアイランド型リセスゲートマスクを利用してリセスチャンネル領域とその下部にフィン型チャンネル領域を形成するよう半導体素子を設計することにより、素子の書込み及び読取り速度を向上させることができ、素子のリフレッシュ特性を改善することができる技術を提供する。 - 特許庁

The nitride semiconductor device has a first nitride semiconductor layer and a second nitride semiconductor layer of a microcrystalline structure containing no aluminum on a substrate, and the gate electrode has a field plate portion which extends toward a drain in Schottky contact with the first nitride semiconductor layer exposed in a recessed portion formed by cutting part of the second nitride semiconductor layer or the second nitride semiconductor layer which is slightly left.例文帳に追加

基板上に、第１の窒化物半導体層と、アルミニウムを含まない微結晶構造の第２の窒化物半導体層とを備え、ゲート電極は、第２の窒化物半導体層の一部を切り欠き形成された凹部内に露出する前記第１の窒化物半導体層あるいはわずかに残した第２の窒化物半導体層にショットキ接触し、ドレイン側に延出するフィールドプレート部を備える。 - 特許庁

In the fabrication process of a vertical MOSFET, an n-type vertical MOSFET becoming an actual product and a p-type lateral MOSFET for evaluation having a gate electrode structure identical to that of the vertical MOSFET are fabricated on the same semiconductor substrate 11 by performing ion implantation for forming the source region 17 of the vertical MOSFET while masking the forming region of the lateral MOSFET.例文帳に追加

縦型ＭＯＳＦＥＴの製造プロセスにおいて、横型ＭＯＳＦＥＴの形成領域をマスクした状態で、縦型ＭＯＳＦＥＴのソース領域１７を形成するためのイオン注入をおこなうことにより、同一半導体基板１１上に、実際の製品となるｎ型の縦型ＭＯＳＦＥＴとともに、その縦型ＭＯＳＦＥＴと同じゲート電極構造を有する評価用のｐ型の横型ＭＯＳＦＥＴを作製する。 - 特許庁

In a buried bit line type flash memory arranged such that a bit line 5 functioning as source-drain formed by implanting impurity ions into a semiconductor substrate 1 intersects a word line 7 functioning as a gate electrode, a three layer structure ONO film 6 of silicon oxide film/silicon nitride film/silicon oxide film is formed after impurity ions for forming the bit line 5 are implanted and annealing for activation is performed.例文帳に追加

半導体基板１に不純物がイオン注入されて形成されたソース／ドレインとして機能するビットライン５と、ゲート電極として機能するワードライン７とが交差する構成の埋め込みビットライン型フラッシュメモリにおいて、ビットライン５を形成するための不純物のイオン注入及びその活性化のためのアニール処理を行った後に、シリコン酸化膜／シリコン窒化膜／シリコン酸化膜からなる３層構造のＯＮＯ膜６を成膜する。 - 特許庁

It has a three-layer structure: a ticket wicket (Hachijo-guchi (Hachijo entrance/exit)), the station office and Meitengai shopping arcade are located on the first floor; the platforms and a ticket wicket (Chuo-guchi (Central entrance/exit)) are located on the second floor (a ticket gate was located inside the JNR/JR Station for a long time with a ｔicket machine for transfer, but when the new station building was constructed and the Nanboku-Jiyu-Tsuro was made, the ticket wickets of the two companies were fully separated); and the third floor has the platforms for the JR Central Shinkansen. 例文帳に追加

3層構造で、1階は改札口（八条口）・駅事務室・名店街、2階がホームと改札口（中央口、この改札口は開業当初から長らく旧国鉄→現JR京都駅の内部にある形で乗換用の改札機もあったが、現京都駅ビル建設および同駅南北自由通路設置に合わせて両社の改札口は完全分離化された）、3階はJR東海の新幹線ホームとなっている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス