「Gate structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(41ページ目) - Weblio英語例文検索

Related to the method for manufacturing a semiconductor storage device having a self-align source structure, a process in which an almost linear element separation region, passing through the source region and the gate region, is formed on a silicon substrate, comprises a process in which the width of element separation region of the source region is formed narrower than that of the gate region.例文帳に追加

セルフアラインソース構造を有する半導体記憶装置の製造方法において、シリコン基板上にソース領域とゲート領域とを通る略直線状の素子分離領域を形成する分離領域形成工程が、ソース領域の素子分離領域の幅を、ゲート領域の素子分離領域の幅より狭く形成する工程を含む。 - 特許庁

To avoid an increase in resistance of a gate electrode and wiring while attaining high integration by preventing disconnection of a metal silicide film due to approach of a hole to a PN junction boundary in a structure having the PN junction boundary and the hole formed on the gate electrode and the wiring with the metal silicide film formed on the surface.例文帳に追加

ＰＮ接合境界を有し且つ表面に金属シリサイド膜が形成されたゲート電極や配線の上にホールが形成されている構造において、ホールとＰＮ接合境界との接近に起因して金属シリサイド膜に断線が生じることを防止し、それにより、高集積化を達成しつつゲート電極や配線の高抵抗化を防止する。 - 特許庁

The MOS field effect transistor having electric field relaxation layers 107A and 107B and a punch-through stopper layer 108 in gate-overlap structure symmetrically with the gate electrode 103 is provided with a P-type layer 110 of an opposite conductivity type from the N-type punch-through stopper layer 108 on a surface of the punch-through stopper layer 108 to have no rise in threshold voltage.例文帳に追加

ゲート電極１０３と対称的にゲートオーバーラップ構造の電界緩和層１０７Ａ、１０７Ｂとパンチスルーストッパー層１０８を有するＭＯＳ電界効果トランジスタにおいて、Ｎ型パンチスルーストッパー層１０８の表面に、このパンチスルーストッパー層１０８とは反対導電型のＰ型層１１０を設け、しきい値電圧が上昇しないようにしたもの。 - 特許庁

In a matrix panel which has a source part, a channel part, a drain part and a gate part, and in which a plurality of TFTs are two- dimensionally laid out on an insulation substrate, a layout structure is formed that the source part, channel part, and drain part are vertically stacked on the insulation substrate, and an insulation layer and a gate electrode are formed on the side face.例文帳に追加

ソース部、チャネル部、ドレイン部およびゲート部を有し、複数個のＴＦＴを、絶縁基板上に２次元的に配列したマトリックスパネルにおいて、前記ソース部、チャネル部、ドレイン部が前記絶縁基板上に、縦方向に積層され、その側面に絶縁層、ゲート電極が形成された配置構造になっていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a pin driving mechanism for a valve gate apparatus in a mold for injection molding wherein a movable pin can be smoothly and rapidly actuated and a gate can be surely opened and closed by means of the movable pin and a molded article with good quality can be easily molded and a feeding system for a hydraulic fluid can be simplified and structure of a mold is simplified.例文帳に追加

可動ピンを円滑にかつ迅速に作動させることができ、可動ピンによってゲートを確実に開閉することができて、品質の良好な成形品を容易に成形することができると共に、作動流体の供給系統を簡単化でき、金型の構造を単純化できる射出成形金型におけるバルブゲート装置のピン駆動機構の提供。 - 特許庁

In addition to the above, due to the fact that passengers had to pass the ticket gate of conventional trains before passing that of Shinkansen, as double ticket examinations had been conducted until March 27, 2007, as well as the fact that a fare adjustment office was located inside the ticket gate, the structure around the ticket gates of this station was the most complicated one by comparison to other Shinkansen stations in Niigata Prefecture. 例文帳に追加

また新幹線改札が2007年3月27日までは二重改札を行っており、一旦在来線改札を通ってからでないと新幹線改札を通れない構造になっていたり、精算所が改札内に設置されていたりと、改札口周辺の構造は県内の新幹線停車駅の中でも特に複雑になっていた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A semiconductor has a transistor in longitudinal trench gate structure having a high-density drain area, a low-density drain area, a channel area, and a source area formed one after another; and the bottom of a gate conductor layer is positioned in a boiled-up layer formed by diffusing impurities from the high-density drain area to the adjacent low-density drain area.例文帳に追加

高濃度ドレイン領域、低濃度ドレイン領域、チャネル領域、ソース領域が順次形成された縦型のトレンチゲート構造のトランジスタを有する半導体装置であって、前記高濃度ドレイン領域から隣接する低濃度ドレイン領域に不純物が拡散して形成される沸き上がり層にゲート導体層の底部を位置させる。 - 特許庁

In the high electron mobility transistor with a hetero junction structure formed with an electron supply layer 4 and an electron traveling layer 3 made of a nitride group compound semiconductor, at least the thickness of the part of the electron supply layer 4 beneath the gate is thinner than that of the electron supply layer 4 other than at least the part beneath the gate.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体からなる電子走行層３と電子供給層４のヘテロ接合構造を有する高電子移動度トランジスタにおいて、少なくともゲート直下に相当する部分の電子供給層４の厚さが、前記少なくともゲート直下に相当する部分以外の電子供給層４の厚さよりも薄いことを特徴とする。 - 特許庁

Therefore, a contact-hole 72 for connecting the gate electrode 62b to the drain electrode 69b may be formed only in the overcoat film 70 as compared to the case of a reverse-staggered (a structure, wherein the gate electrode provided on a glass substrate 41 is extended to the outside of a semiconductor thin-film 64b, and this extended part is connected to the drain electrode 69b).例文帳に追加

従って、逆スタガー型（ガラス基板４１上に設けられたゲート電極を半導体薄膜６４ｂの外側に延出させ、この延出部とドレイン電極６９ｂとを接続する構造）である場合と比較して、オーバーコート膜７０にのみ、ゲート電極６２ｂとドレイン電極６９ｂとを接続するためのコンタクトホール７２を形成すればよい。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device comprises the step of conducting the ion implantation from the slanting direction permitting the ion to cross the grain boundary 3A of the columnar crystal structure, on the occasion of conducting ion implantation to form the source region and drain region, using the gate electrode 3 formed of a metal film of the columnar crystal structure as a mask.例文帳に追加

柱状結晶構造をもつメタル膜からなるゲート電極３をマスクとしてソース領域及びドレイン領域形成の為のイオン注入を行う際、前記柱状結晶構造のグレイン境界３Ａをイオンが横切るように斜め方向からイオン注入を行う工程が含まれてなることを特徴とする。 - 特許庁

A thin-film transistor 30 on an element substrate 10 has: a bottom gate structure; and a GOLD structure including a channel region 1g, a lightly-doped source region 1b, a lightly-doped drain region 1c, a heavily-doped source region 1d and a heavily-doped drain region 1e in an island-like semiconductor film 1a formed of a polysilicon film.例文帳に追加

素子基板１０上の薄膜トランジスター３０は、ボトムゲート構造を備え、かつ、ポリシリコン膜からなる島状半導体膜１ａにチャネル領域１ｇ、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄ、高濃度ドレイン領域１ｅを備えたＧＯＬＤ構造を備えている。 - 特許庁

The first transistor portion 11 includes a group-III nitride semiconductor layer structure including a heterojunction, a source electrode 5 and a drain electrode 7 disposed at an interval on the group-III nitride semiconductor layer structure, a gate electrode 6 having a field plate 91, and an insulator layer 8 disposed to cover the drain electrode 7.例文帳に追加

第１のトランジスタ部１１は、ヘテロ接合を含むIII族窒化物半導体層構造、III族窒化物半導体層構造上に間隔をおいて配置されたソース電極５およびドレイン電極７、フィールドプレート９１を有するゲート電極６、ドレイン電極７を被覆するように配置された絶縁体層８を有する。 - 特許庁

The semiconductor device has such an element integrated structure that a Zener diode (protection element) 2 for gate electrode protection against an overvoltage is connected to a DMOS transistor 1 in one element region E2 on one semiconductor substrate structure (P-type semiconductor substrate 10 having an epitaxial layer 11).例文帳に追加

この半導体装置は、一半導体基板構造（エピタキシャル層１１を有するＰ型半導体基板１０）上で過電圧に対するゲート電極保護のためのツェナダイオード（保護素子）２が一つの素子領域Ｅ２においてＤＭＯＳトランジスタ１に接続されて構成された素子一体化構造となっている。 - 特許庁

The device is provided with: a laminated structure ML having a plurality of insulating films 14 and a plurality of electrode films WL alternately laminated in a first direction; a selection gate electrode SG and an insulating layer 16 laminated on the laminated structure ML; the semiconductor pillar SP; a core portion 68; and a first conductive layer 18.例文帳に追加

第１方向に交互に積層された複数の絶縁膜１４及び複数の電極膜ＷＬを有する積層構造体ＭＬと、積層構造体ＭＬの上に積層された選択ゲート電極ＳＧ及び絶縁層１６と、半導体ピラーＳＰと、芯部６８と、第１導電層１８と、を備える。 - 特許庁

The defect detection method of matrix structure 100 which has structure of grid-like crossing a plurality of gate lines 4a, 4b, 4c and 4d arranged in X-axis direction and a plurality of data lines 3a and 3b arranged in Y-axis direction, which detects point-like defects 11 as linear defects.例文帳に追加

Ｘ軸方向に配置された複数のゲート線４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄと、Ｙ軸方向に配置された複数のデータ線３ａ，３ｂとが格子状に交差している構造を有してなるマトリクス構造１００の欠陥検出方法であって、点状欠陥１１を線状の欠陥にして検出することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor element manufacturing method which forms an epitaxial layer on an upper portion of an element separating structure of a recess gate area, designs a semiconductor element of an SOI tunnel structure, thereby, reduces an ion implantation concentration in a channel area and can improve characteristics of refresh of the element, tWR and LTRAS.例文帳に追加

リセスゲート領域の素子分離構造上部にエピタキシャル層を形成し、ＳＯＩチャンネル構造の半導体素子を設計することによりチャンネル領域にイオン注入濃度を低減させ、素子のリフレッシュ、ｔＷＲ及びＬＴＲＡＳ特性を改良することができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an insulated gate semiconductor apparatus wherein one device structure prevents breakdown due to residual carriers upon switching while capable of lowering the on-voltage, and the other device structure increases breaking capacity, by accelerating the discharge of residual carriers in the vicinity of the chip especially upon turnoff.例文帳に追加

絶縁ゲート型半導体装置において、オン電圧の低減を可能としつつ、スイッチング時の残留キャリアによる破壊を防止することが可能な素子構造および特にターンオフ時におけるチップ周辺領域での残留キャリアの排出を促し、遮断耐量を高めることのできる素子構造を提供する。 - 特許庁

The line sensor 20 comprises a photoelectric transducer element 21 using a diode 22 which is divided into a plurality of regions 22a, 22b, and 22c and has a tilted potential structure wherein the closer the regions are to the reading gate 23, the deeper the potential well becomes.例文帳に追加

複数の領域２２ａ、２２ｂ、２２ｃに区分され、読出ゲート２３に近い領域ほどそのポテンシャル井戸が深くなるポテンシャル傾斜構造を有するフォトダイオード２２を用いた光電変換素子２１により構成されたラインセンサ２０。 - 特許庁

To provide a gate part structure capable of supplying molten metal into a cavity evenly without deviation in the directions in which the molten metal flows into the cavity and capable of improving filling balance into the cavity.例文帳に追加

本発明は、溶湯のキャビティ内への流入方向に偏りがなく、かつ、キャビティ内に均一に溶湯を供給することができ、キャビティ内への充填バランスを向上することができるゲート部構造を提供することを目的とする。 - 特許庁

An LDD region for a current control TFT 4804 is so formed as to be partially or wholly superposed on a gate electrode and has a structure of giving a priority to the securement of the on current value and the prevention of hot carrier injection.例文帳に追加

電流制御用ＴＦＴ４８０４のＬＤＤ領域は、その一部又は全部がゲート電極に重なるように形成されており、オン電流値の確保と、ホットキャリア注入の防止に重点を置いた構造となっている。 - 特許庁

Since a manifold part 13 is integrally connected to the side surface of the valve casing 12 on its gate side, the fixed mold 1 can be made thin almost by the thickness of the manifold as compared with a structure wherein the manifold is superposed on the valve casing 12.例文帳に追加

バルブケーシング１２の側面にマニホールド部１３のゲート側を一体に連結したから、バルブケーシング１２にマニホールドを重ね合わせる構造に比べて、ほぼマニホールドの厚さ分だけ固定型１を薄型化することができる。 - 特許庁

This manufacturing process of the full-color OLED display element pixel structure includes processes: (a) a black matrix manufacturing process, (b) a polysilicon island forming process, (c) a gate forming process, (d) an interlayer forming process, (e) a CCM process, and (f) an OLED implant (OLED deposition) process.例文帳に追加

本発明が提供するフルカラーOLEDディスプレイエレメント画素構造の製造プロセスには、手順：(a)ブラックマトリックス製造プロセス、(b)ポリシリコンアイランド形成プロセス、(c)ゲート形成プロセス、(d)中間層(interlayer)形成プロセス、(e)CCMプロセス、及び(f)OLEDのインプラント (OLED deposition)プロセスを含む。 - 特許庁

To provide a gate-form car washing machine of spray type in simple structure free of the risk of splashing to a land owned by any other person, allowing effective use of the site, having a high strength, and capable of washing cars of varous sorts from sedan to wagon.例文帳に追加

他人の土地側へ飛沫が飛び散ることがなく、敷地を有効に利用でき、強度が強く、セダン車からワゴン車まで種々の形の自動車を効率よく洗車でき、構造が簡単な門型のスプレー洗車機を提供する。 - 特許庁

To enhance the waterproofing performance of a cargo box of a wing type vehicle of such a structure that a wing roof and a gate capable of being opened and closed are provided on side walls and side frame members having a channel-shaped section are installed at least on the sides of the floor in such a way as facing inward.例文帳に追加

側壁に開閉自在なウイング屋根と煽りを有し、断面コ字状の側枠材を内向きにして少なくとも床部の両側に配置したウイング型車両の荷箱の防水性を向上させること。 - 特許庁

As a result, after the wiring structure is formed, no plasma is supplied to the wiring surface before forming the barrier film, thus preventing the low-dielectric-constant film from being damaged and preventing a gate oxide film, or the like from deteriorating.例文帳に追加

その結果、配線構造を形成後、バリア膜を形成する前に配線表面に対してプラズマを供給しないので、低誘電率膜がダメージを受けるのを防止するとともに、ゲート酸化膜等の劣化を防ぐことが出来る。 - 特許庁

Since the frame body 3 has a gate-shaped structure, it has high strength, and when the speaker unit 5 is fixed with the cover body 4 to the strong frame body 3, stable mounting strength can be obtained against vibration due to deep bass.例文帳に追加

枠体３が門型構造であるから、強度的に優れ、この強度的に優れた枠体３にカバー体４と共にスピーカユニット５を固定するから、重低音による振動などに対しても安定した取付強度を得ることができる。 - 特許庁

To provide a gate valve for a branch, which provides branch pipes in both left and right sides to be directed laterally to a moving direction of a valve element, and positions precisely the valve element in a proper posture, in a structure easy to secure a flow rate.例文帳に追加

弁体の移動方向に対して横向きとなる左右の両側に分岐管を設けられ、流量を確保しやすい構造でありながら、弁体を適正な姿勢で精度良く位置決めできる分岐用仕切弁を提供すること。 - 特許庁

The present invention includes adding catalytic element to an amorphous semiconductor film and heating the resultant product to form a crystalline semiconductor film; removing the catalytic element from the crystalline semiconductor film; and then fabricating a thin film transistor of a top-gate planar structure.例文帳に追加

本発明は、非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して結晶性半導体膜を形成し、該結晶性半導体膜から触媒元素を除いた後、トップゲート型プラナー構造の薄膜トランジスタを作製する。 - 特許庁

To improve an electric charge retaining property by suppressing deterioration of a cell property caused by electron detrapping which becomes a problem when a high dielectric constant insulation film is used as an insulation film between electrodes of a nonvolatile memory cell transistor having two-layer gate structure.例文帳に追加

二層ゲート構造を有する不揮発性メモリセルトランジスタの電極間絶縁膜として高誘電率絶縁膜を用いた場合に問題となる電子のデトラップによるセル特性の劣化を抑制し、電荷保持特性を改善する。 - 特許庁

When an STI element isolation structure 5 is formed, the upper part of it is formed so as to protrude more from the surface of the substrate 1 than the usual STI method, and a dummy electrode pattern 7 is formed at the formative part of a gate electrode.例文帳に追加

ＳＴＩ素子分離構造５を形成する際に、これをその上部が基板１面から通常のＳＴＩ法の場合よりも突出するように形成し、ゲート電極の形成部位にダミー電極パターン７を形成する。 - 特許庁

Afterwards, a silicon nitride film 20 having a tensile stress of 0.5 GPa or less and a bonded hydrogen concentration of at least 2.0×10^22 atoms/cc is formed on the semiconductor substrate 1 to cover a gate structure 6 of the NMOS transistors 3.例文帳に追加

その後、引張応力が０．５ＧＰａ以下で、かつ結合水素濃度が少なくとも２．０×１０^22ａｔｏｍｓ／ｃｃであるシリコン窒化膜２０を、ＮＭＯＳトランジスタ３のゲート構造６を覆って半導体基板１上に形成する。 - 特許庁

To provide a small power converter of a simple structure which employs a self-extinguishing switching element provided with a circuit for self supplying gate driving power stably.例文帳に追加

自己消弧型スイッチング素子を用いた電力変換器において、該自己消弧スイッチング素子のゲート駆動用電力を安定に自給することのできる回路を有する、構成が簡単で小型の電力変換器を提供することである。 - 特許庁

To prevent alignment disorder of a liquid crystal layer by forming a black matrix layer with sufficient light shielding property and without protrusion on a color filter substrate in a counter source structure in which source bus lines and gate bus lines are provided on different substrates.例文帳に追加

ソースバスラインとゲートバスラインとを別々の基板上に設けた対向ソース構造において、カラーフィルタ基板に遮光性が十分なブラックマトリクス層を形成し、その部分が突出して液晶層の配向乱れが生じないようにする。 - 特許庁

Then, an upper side illuminating device 30, a three-lens lens barrel 36, an upper-side image forming lens 37, an upper side observation optical path switching member 38, an upper-side eyepiece 41 and an upper-side observation device 42 are stacked and fixed on the gate-type structure with high rigidity.例文帳に追加

門型構造上に上側照明装置３０、三眼鏡筒３６、上側結像レンズ３７、上側観察光路切換部材３８、上側接眼レンズ４１及び上側観察装置４２を剛性高く積載固定する。 - 特許庁

The cooling structure of the cavity bottom part is constituted of a cylindrical main body wherein cooling grooves are provided to the periphery of the side wall of the cavity mold in an up and down multistage fashion so as to alternately communicate with each other and a cavity bottom mold provided with the cavity gate 18 and the cooling passage 19.例文帳に追加

上記キャビティ型の側壁周囲に冷却溝を上下多段に交互に連通して設けた筒状本体と、上記キャビティゲート１８及び上記冷却路１９とを設けたキャビティ底型とから構成する。 - 特許庁

To provide an MIS-type FET which has low resistance, and is suitable for miniaturizing, easy to manufacture and proper for fine type whose gate length is approximately 0.2 μm or less and an SOI structure, and a method for manufacturing a semiconductor device of such an MIS-type FET or the like.例文帳に追加

低抵抗で、微細化に適し、製造が容易で、ゲート長が概ね0.2μm以下の微細な形式やSOI構造のものに好適なMIS型FET、及び、このようなMIS型FET等の半導体装置を製造する製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an opening/closing panel mounting structure which does not cause an opening/closing panels like a gate to be damaged, prevents concentration of local stress by enlarging its restraint area, enables strong fastening without increasing wall thickness, and facilitates handling.例文帳に追加

アオリ等の開閉パネルを傷付けることがないとともに、その拘束面積を大きくして局部的な応力集中の発生を防止し、肉厚を増大することなく強固な締結を可能にし、しかも取り扱いを容易にする。 - 特許庁

To provide a buoyant gate for preventing backflow, which can be installed even in a channel of a four-side watertight structure, hardly causes a wire to come off a winding machine drum due to the loosening of the wire, and can surely prevent an unexpected backflow.例文帳に追加

四方水密構造の流路にも設置可能であり、ワイヤの弛緩に起因する巻上機ドラムからのワイヤ離脱が発生し難く、突発的な逆流を確実に防止することができる浮力式の逆流防止ゲートを提供する。 - 特許庁

To provide a method for constructing an outdoor structure such as a gatepost, a gate sleeve and a fence, which has functionality for enjoying gardening familiar to a lot of people, for example, for enabling a potted flower and a three-dimensional shaped article to be decoratively placed thereon.例文帳に追加

鉢植えの花や立体的な造形物を載せて飾ることができる等、多くの人に親しまれているガーデニングを楽しむための機能性を有する門柱、門袖、塀等の屋外用構築物の施工方法を提供する。 - 特許庁

A dielectic layer (TiO_2 layers 108, 109, and 110), having a step-like laminated structure, is formed on the AlGaN layer 103 so that the electric field is almost uniformly distributed between the gate Schottky electrode 106 and the drain ohmic electrode 107.例文帳に追加

ゲートショットキー電極１０６とドレインオーミック電極１０７との間の電界分布が略均一になるように、ＡlＧaＮ層１０３上に階段状の積層構造の誘電体層(ＴiＯ_２層１０８,１０９,１１０)を形成する。 - 特許庁

The mold for molding the polyurethane foam has a runner part having an injection port and a mixing part, a gate part and a cavity part, and the runner part has a structure substantially preventing the stagnation of a raw material.例文帳に追加

注入口，ミキシング部を有するランナー部，ゲート部，キャビティ部を有し、ランナー部は実質的に原料が滞留しない構造であることを特徴とするポリウレタンフォーム成形用型およびそれを用いたポリウレタンフォーム成形方法。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor using a practical pin photodiode and a charge transfer transistor, and to provide a gate structure of the charge transfer transistor having high charge transfer efficiency, excellent blooming control and low dark current.例文帳に追加

実用的なピンフォトダイオード及び電荷転送トランジスタを用いるＣＭＯＳイメージセンサを提供し、高い電荷転送効率、優れたブルーミング制御、及び低い暗電流を有する電荷転送トランジスタのゲート構造を提供すること。 - 特許庁

In the semiconductor device 101, a first transistor TR1A of an SOI structure has a source region, a drain region, a body region positioned between the source region and the drain region, and a gate electrode positioned above the body region.例文帳に追加

半導体装置１０１は、ＳＯＩ構造の第１のトランジスタＴＲ１Ａは、ソース領域と、ドレイン領域と、ソース領域およびドレイン領域間に位置するボディ領域と、ボディ領域の上方に位置するゲート電極とを有する。 - 特許庁

In particular, the above setting is applied to a transistor where a larger drive current flows at a low grayscale in an analog switch having a transfer gate structure for selectively supplying a signal according to luminance information to each pixel circuit in one column.例文帳に追加

特に、同一列の各画素回路に選択的に輝度情報に応じた信号を供給するトランスファーゲート構成のアナログスイッチについて、低階調時により多くの動作電流が流れる方のトランジスタに適用する。 - 特許庁

A silicon oxide film of 10-50 nm thick is deposited on the entire surface of a semiconductor substrate 11 and subjected to anisotropic etching to form an ion implantation regulating film 18 of silicon oxide on the side face of a gate structure 17.例文帳に追加

半導体基板１１の全面に膜厚が１０〜５０ｎｍのシリコン酸化膜を堆積し、異方性エッチングを行なうことにより、ゲート構造体１７の側面上に酸化シリコンからなるイオン注入調整膜１８を形成する。 - 特許庁