「Gate」に関連した英語例文の一覧と使い方(61ページ目) - Weblio英語例文検索

Josho-ji Temple (Shikigun Tawaramoto-cho, Nara Prefecture): Omote-mon Gate (rebuilt from Fushimi-jo Castle Korai-mon Gate) 例文帳に追加

浄照寺(奈良県磯城郡田原本町)表門（伏見城高麗門を移築) - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In the strict definition, a sando indicates only the passage within the grounds defined by a torii (an archway to a Shinto shrine) or a sanmon gate (a temple gate). 例文帳に追加

狭義には、鳥居や山門などの結界内の通路のみを示す。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The automatic ticket gate at the exit is a standard type, but a person in a wheelchair can enter the platform through a passage by the ticket gate. 例文帳に追加

出口側は通常の自動改札であるが横の通路から可能。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Meirinkan Main Gate - main gate of the clan school founded by domain head Fusashige MAKINO during the Edo Period. 例文帳に追加

明倫館正門-江戸時代に藩主牧野宣成が開いた藩校の正門 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Kadomori, a guardian deity at the shrine gate. 例文帳に追加

神社の門守（かどもり）の神である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Between the control gate electrode and the floating gate, a blocking insulating pattern is interposed.例文帳に追加

制御ゲート電極とフローティングゲートとの間にブロッキング絶縁パターンが介装される。 - 特許庁

A gate part 130 is provided to supply selectively a clock to the logical blocks 120, and a gate of the gate part 130 is controlled by a gate signal imparted from an outside.例文帳に追加

論理ブロック１２０に対して選択的にクロックを供給するゲート部１３０を設け、外部から与えられるゲート制御信号によりゲート部１３０のゲートを制御する。 - 特許庁

After that, the material of a gate electrode is embedded in the gate trench 6 and the opening 27.例文帳に追加

その後、ゲート電極の材料を、ゲートトレンチ６および開口２７に埋設する。 - 特許庁

An n-type gate electrode and a p-type gate electrode are composed of the same metal, and its N concentration is made different between the n-type gate electrode and the p-type gate electrode.例文帳に追加

ｎ型ゲート電極及びｐ型ゲート電極を同一のメタルで構成し、且つ、そのＮ濃度をｎ型ゲート電極とｐ型ゲート電極とで異ならせる。 - 特許庁

GATE BIAS CIRCUIT OF MULTISTAGE FET AMPLIFIER例文帳に追加

多段ＦＥＴ増幅器のゲートバイアス回路 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE AND CIRCUIT FOR CONTROLLING POTENTIAL OF GATE OF INSULATED GATE SWITCHING ELEMENT例文帳に追加

絶縁ゲート型スイッチング素子のゲートの電位を制御する半導体装置、及び、回路 - 特許庁

GATE BUSH MANUFACTURING METHOD BY ELECTROFORMING例文帳に追加

電鋳加工によるゲートブッシュ製造方法 - 特許庁

DOUBLE GATE MOS TRANSISTOR AND DOUBLE GATE CMOS TRANSISTOR, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

二重ゲートＭＯＳトランジスタおよび二重ゲートＣＭＯＳトランジスタ、その製造方法 - 特許庁

A gate electrode is formed on the channel region via a gate insulating film.例文帳に追加

チャネル領域上にはゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成されている。 - 特許庁

MOS TRANSISTOR WITH DEFORMABLE GATE例文帳に追加

変形可能なゲートをもつＭＯＳトランジスタ - 特許庁

FENCE AND DOOR OF GATE WITH MASCOT DECORATION例文帳に追加

マスコット飾りを備えたフェンス及び門扉 - 特許庁

The composition ratio of the first gate electrode 4 is different from that of the second gate electrode 5.例文帳に追加

第一のゲート電極４と第二のゲート電極５とは、組成比が相違する。 - 特許庁

A gate electrode 5 having the first conductivity type is disposed on the gate insulating film.例文帳に追加

第１導電型を有するゲート電極５がゲート絶縁膜上に配設される。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT WITH GATE ARRAY STRUCTURE例文帳に追加

ゲートアレイ構造の半導体集積回路 - 特許庁

DUAL GATE FORMING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体素子のデュアルゲート形成方法 - 特許庁

A first gate electrode 113 and a first gate electrode 114, as well as a second the electrode 115 which covers the first gate electrode form the gate electrode of an n-channel TFT.例文帳に追加

ｎチャネル型ＴＦＴのゲート電極を、第１のゲート電極（１１３と１１４）と、第１のゲート電極を覆う第２のゲート電極１１５とで形成する。 - 特許庁

The gate control transistor is a metal oxide film semiconductor field effect transistor having a gate, a source, and a drain, or an insulated gate bipolar transistor having a gate, an emitter, and a collector.例文帳に追加

ゲート制御トランジスタは、ゲート、ソース、および、ドレインを有する金属酸化膜半導体電界効果トランジスタか、又は、ゲート、エミッター、コレクターを有する絶縁ゲートバイポーラトランジスタである。 - 特許庁

As the gate electrode of a crystalline TFT, a first gate electrode and a second gate electrode, which is formed so as to come into contact with a gate insulating film, are formed.例文帳に追加

結晶性ＴＦＴのゲート電極を、第１のゲート電極と、前記第１のゲート電極とゲート絶縁膜に接して設けられる第２のゲート電極とを形成する。 - 特許庁

The FET 10, the FET 20, the FET 30 and the FET 40 have a gate electrode 12, a gate electrode 22, a gate electrode 32 and a gate electrode 42, respectively.例文帳に追加

ＦＥＴ１０、ＦＥＴ２０、ＦＥＴ３０およびＦＥＴ４０は、それぞれ、ゲート電極１２、ゲート電極２２、ゲート電極３２およびゲート電極４２を有している。 - 特許庁

Subsequently, gate oxidation is performed and a gate insulation film 5a is formed on the sidewall of the trench 4 and a gate insulation film 5b thicker than the gate insulation film 5a is formed on the bottom face of the trench 4.例文帳に追加

その後、ゲート酸化を行い、トレンチ４の側壁にゲート絶縁膜５ａを、トレンチ４の底面にゲート絶縁膜５ａより厚いゲート絶縁膜５ｂを形成する。 - 特許庁

On the semiconductor layer 23, there are formed a gate insulating film 24, and a first gate electrode 16 and a second gate electrode 17 formed on the gate insulating film 24.例文帳に追加

また、半導体層２３上には、ゲート絶縁膜２４と、ゲート絶縁膜２４上に形成された第１ゲート電極１６及び第２ゲート電極１７とが形成されている。 - 特許庁

TRENCH GATE TYPE SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

トレンチゲート型炭化珪素半導体装置 - 特許庁

DUAL GATE PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体素子のデュアルゲート製造方法 - 特許庁

HORIZONTAL PUMP, PUMP GATE FACILITY, AND DRAINAGE PUMPING STATION例文帳に追加

横軸ポンプ、ポンプゲート設備、排水機場 - 特許庁

Between the memory gate electrodes 105, gate insulating films 108 are formed for insulation between the memory gate electrodes 105, with their top surfaces lower than those of the memory gate electrodes 105.例文帳に追加

メモリゲート電極１０５同士の間には、上面の高さ位置がメモリゲート電極１０５の上面の高さ位置よりも低いゲート間絶縁膜１０８が形成されいる。 - 特許庁

PUMP, PUMP GATE, AND CONTROL METHOD FOR PUMP例文帳に追加

ポンプ、ポンプゲート、及び、ポンプの制御方法 - 特許庁

The gap is formed in a position corresponding to a gate electrode in the gate electrode layer.例文帳に追加

ギャップは、ゲート電極層内のゲート電極に対応する位置に形成される。 - 特許庁

To provide an insulated gate field effect transistor having a gate electrode having high reliability without its gate insulating film or the gate electrode being etched.例文帳に追加

ゲート絶縁膜やゲート電極を構成する材料がエッチングされることが無く、高い信頼性を有するゲート電極を有する絶縁ゲート電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

NAND GATE CIRCUIT AND DYNAMIC CIRCUIT例文帳に追加

ＮＡＮＤゲート回路及びダイナミック回路 - 特許庁

GATE DRIVE CIRCUIT OF SEMICONDUCTOR SWITCHING ELEMENT例文帳に追加

半導体スイッチング素子のゲート駆動回路 - 特許庁

The active layer is formed over the gate electrode to cover the gate electrode.例文帳に追加

アクティブ層はゲート電極をカバーするようにゲート電極の上部に形成される。 - 特許庁

A floating gate electrode 99 is formed on a floating gate insulating film 8.例文帳に追加

フローティングゲート絶縁膜８上にフローティングゲート電極９９が形成されている。 - 特許庁

The first dummy gate electrodes 222 face in the same direction as a gate electrode 112.例文帳に追加

第１のダミーゲート電極２２２は、ゲート電極１１２と同一方向を向いている。 - 特許庁

A step (f) forms a gate electrode 5.例文帳に追加

工程（ｆ）ゲート電極５を形成する。 - 特許庁

METHOD OF DESIGNING GATE ARRAY INTEGRATED CIRCUIT AND GATE ARRAY INTEGRATED CIRCUIT USING THE SAME例文帳に追加

ゲートアレイ集積回路の設計方法及びこれを用いたゲートアレイ集積回路 - 特許庁

Each gate electrode g2 and each gate electrode g3 are connected to a second gate wiring layer G2 and a third gate wiring layer G3 not via the air bridge, respectively.例文帳に追加

各ゲート電極ｇ２および各ゲート電極ｇ３はエアブリッジを介さずにそれぞれ第２ゲート配線層Ｇ２および第３ゲート配線層Ｇ３に接続される。 - 特許庁

A gate insulation film 7 and a gate electrode 8 are formed in a trench 21.例文帳に追加

トレンチ２１内には、ゲート絶縁膜７およびゲート電極８が形成されている。 - 特許庁

The first gate electrode 33 is a metal gate electrode having a metal film 14a, and the second gate electrode 43 is a full-silicified gate electrode comprising a silicide film 26b.例文帳に追加

第１のゲート電極３３は、金属膜１４ａを有するメタルゲート電極であり、第２のゲート電極４３は、シリサイド膜２６ｂからなるフルシリサイド化ゲート電極である。 - 特許庁

The gate pad 3, the gate resistor 4 and the emitter pad 5 are arranged at every unit cell 1.例文帳に追加

ゲートパッド３、ゲート抵抗４、およびエミッタパッド５は、ユニットセル１毎に設けられる。 - 特許庁

Furthermore, a logic part performs gate electrode height reduction processing before forming the gate electrodes.例文帳に追加

又、ロジック部はゲート電極形成前迄にゲート電極高さ低減処理を行う。 - 特許庁