「HSG」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

After HSG-Si 15a are formed on the surface of a polysilicon film 15, phosphorus is diffused in the HSG-Si 15a by performing heat treatment at a prescribed temperature by means of a phosphorus diffusing device in a state where the O2/POCl3 mol ratio is adjusted to 0.2-1.5 in the atmosphere of a mixed gas of POCl3 gas and O2 gas.例文帳に追加

ポリシリコン膜１５の表面にＨＳＧ−Ｓｉ１５ａを形成した後、リン拡散装置にてＰＯＣｌ_3ガスとＯ_2ガスとＮ_2ガスの混合ガス雰囲気下でＯ_2／ＰＯＣｌ_3モル比を０．２ないし１．５の範囲に調整した状態で所定の温度にて熱処理を行うことにより、ＨＳＧ−Ｓｉ１５ａ中にリンを拡散する。 - 特許庁

To provide a method for forming a silicon oxide film in which the annealing temperature for degasification can be reduced, and also to provide a method for manufacturing capacitor having HSG.例文帳に追加

ＨＳＧを有するキャパシタを製造する際に、脱ガスのためのアニール温度を低減できるシリコン酸化膜の形成方法及びキャパシタの製造方法を提供する。 - 特許庁

An electrode substrate 9 (formed of a phosphorus doped amorphous silicon film) is formed, and an HSG 11 is formed on the inner and outer circumferences of the substrate 9.例文帳に追加

内周面と外周面を形成するシリンダ形状の電極用基体７，９を形成し、電極用基体９の内周面と外周面にＨＳＧ１１を成長させる。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device in which the front surface area of HSG (Hemi-Spherical Grain) film formed in a semiconductor capacitor lower electrode will not decrease in subsequent cleaning processes.例文帳に追加

半導体キャパシタ下部電極に形成されるＨＳＧ膜の表面積が、後続の洗浄工程で減少しない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent the capacitance from decreasing by preventing an HSG film from being chipped when a lower electrode is formed thereby controlling spread of a depletion layer in the lower electrode.例文帳に追加

下部電極形成時におけるＨＳＧ膜のけずれを防止することにより、下部電極における空乏層の広がりを抑制し、キャパシタ容量の低減を防止する。 - 特許庁

As for a method of forming the circuit element on a substrate, a doped silicon structure is formed on the substrate and then the HSG silicon film is formed on the silicon structure.例文帳に追加

回路素子を基板の上に形成する方法において、ドーピングされたシリコン構造物を基板の上に形成し、ＨＳＧシリコン膜をシリコン構造物の上に形成する。 - 特許庁

A lower storage electrode 1 is formed by piling polycrystalline or amorphous silicon films in the hole pattern 16 and silicon grains 5 produced by HSG are grown on the surface of the silicon films.例文帳に追加

ホールパターン１６の内部に、多結晶または非晶質シリコン膜を堆積し、その表面にＨＳＧによるシリコン粒５を成長させて下部蓄積電極１を形成する。 - 特許庁

To prevent destruction of HSG grains in the lower electrode of a stack-like capacitor and to suppress occurrence of short-circuiting with the stack-like capacitor of the other adjacent memory cell.例文帳に追加

スタック状コンデンサの下部電極におけるＨＳＧ粒の倒壊を防止し、隣接した他のメモリセルのスタック状コンデンサとの間の短絡の発生を抑制する。 - 特許庁

The polycrystallized silicon layer with the HSG-Si formed is made to be conductive by being annealed in an atmosphere of PH_3, and after that, patterning is conducted to form the lower electrode (S5).例文帳に追加

ＨＳＧ−Ｓｉが形成され多結晶化したシリコン層をＰＨ_3雰囲気中でアニールすることにより導電化した後、パターニングし下部電極を形成する（Ｓ５）。 - 特許庁

By the presence of the protective film 16, a short circuit is restrained from occurring between the adjacent storage electrodes 7 even if an HSG 21 is formed on the surface of the storage electrode 7.例文帳に追加

この保護膜１６の存在により、蓄積電極７表面上にＨＳＧ２１を形成しても、接近した蓄積電極７間でショートが発生することがない。 - 特許庁

To improve the uniformity of the process within the substrates, between the substrates or batches for executing, at a time, the processes including a heat treatment such as formation of HSG to the two sheets of substrates.例文帳に追加

一度に２枚の基板に対して、ＨＳＧ形成等の加熱を伴う処理を施すにあたり、基板内、基板間、及びバッチ間における処理の均一性を向上する。 - 特許庁

By controlling the dopant to be diffused outside, the grain size, density, and uniformity of HSG can be improved and hence the electrostatic capacity of a DRAM memory cell can be increased while keeping reactor throughput as it is.例文帳に追加

外部に拡散されるドーパントを制御することによって、ＨＳＧグレーンサイズ、密度、均一度及びＤＲＡＭメモリセルの静電容量を向上できると同時に、リアクタスループットを維持できる。 - 特許庁

Therefore, the scale-down of the HSG-Si 15a can be prevented, because the erosion of Si by the Cl radical can be suppressed and, at the same time, the accelerated oxidation of the Si may not be caused.例文帳に追加

これにより、ＣｌラジカルによるＳｉの浸蝕が抑制されるとともにＳｉの増速酸化が生じることがなく、ＨＳＧ−Ｓｉ１５ａの縮小化を防止することができる。 - 特許庁

Thus, the process of crystallization from a boundary face between the oxide film 102 and the stack electrode 100 can be restrained, and the decrease in an electrode surface area due to the HSG defective part can be made.例文帳に追加

これにより、酸化膜１０２とスタック電極１００の境界面からの結晶化の進行を抑制し、ＨＳＧ不良部による電極表面積の減少が低減される。 - 特許庁

To provide a method for forming a HSG(hemispherical grain) capacitor that can prevent HSGs from falling off and the area between electrodes from short-circuiting, and for improving the reliability of a memory and a yield.例文帳に追加

ＨＳＧの脱落を防止し、電極間のショートを防止することができ、メモリの信頼性を高め、歩留を向上することができるＨＳＧ容量素子の形成方法を提供する。 - 特許庁

A method for forming capacitance element includes a hydrogen terminating step of performing hydrogen terminating treatment for silicon on the surfaces of the HSG of a lower electrode after performing HSG producing treatment on the lower electrode, and a heat-treating step of performing heat treatment on the lower electrodes subjected to the hydrogen terminating step at a temperature between 600°C and 800°C in a heat treating furnace maintained in a silicon-nonreactive dopant gas atmosphere.例文帳に追加

本方法は、下部電極にＨＳＧ化処理を施した後、下部電極のＨＳＧ表面にシリコンの水素終端処理を施す水素終端処理ステップと、水素終端処理ステップを経た下部電極に、シリコンに対する非反応性のドーパントガス雰囲気の熱処理炉内で６００℃以上８００℃以下の温度範囲の温度で熱処理を施す熱処理ステップとを備えている。 - 特許庁

Next, after removing a natural oxide film and an ashing oxide film, a lower electrode having a designated grain spacing is formed, by processing the grain spacing of the HSG grains for wet etching with ammonia hydrogen peroxide or the like (Fig.(F)-(G)).例文帳に追加

次に、自然酸化膜やアッシング酸化膜を除去後、アンモニア過酸化水素水などでＨＳＧ粒の粒間隔をウェットエッチングし、所定の粒間隔を有する下部電極を形成する（図１（Ｆ）〜（Ｇ））。 - 特許庁

To provide a capacitor manufacturing method for a semiconductor element wherein a surface doping concentration of HSG(Hemispherical Grain) is maximized to improve all of the capacitance characteristics of a DRAM element and B.V (break down voltage) characteristics.例文帳に追加

ＨＳＧ(Hemispherical Grain)の表面ドピング濃度を極大化してＤＲＡＭ素子のキャパシタンス特性とＢ・Ｖ(break down voltage)特性の全てを向上させることができる半導体素子のキャパシタ製造方法を提供する。 - 特許庁

SiH4 gas and Si2H6 gas are fed to the electrode to form the nuclei of grains on the exposed surface of the film 9, and after that, a heat treatment is performed on the surface of the film 9 to form an HSG-Si film 10 on the surface of the film 9.例文帳に追加

ＳｉＨ_4 ガスやＳｉ_2 Ｈ_6 ガスを供給して非晶質Ｓｉ膜９の露出面にグレインの核を形成した後、熱処理を行って、表面にＨＳＧ−Ｓｉ１０を形成する。 - 特許庁

To provide a method by which a very small capacitance element having a large electrostatic capacity can be formed by making a dopant stably injectable into the HSG(hemispherical grains) of a lower electrode at a high concentration.例文帳に追加

下部電極のＨＳＧ中に高濃度でドーパントを安定して注入できるようにすることにより、大きな静電容量を有する微小容量素子を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide an HSG(hemispherical grain) capacitor and its forming method by which its structure generates no bridge between adjacent lower electrodes, while keeping a large capacitance and the uniformity of capacitance is improved.例文帳に追加

大きいキャパシタンスを維持しながら隣接する下部電極間ブリッジが生じない構造のＨＳＧキャパシタ、キャパシタンスの均一度が向上したＨＳＧキャパシタ、及びその形成方法を提供すること。 - 特許庁

As for a method of forming HSG(hemispherical grain) silicon on a substrate, a first doped silicon film is formed on the substrate, and then a first undoped amorphous silicon stopper film is formed on the first doped silicon film.例文帳に追加

基板の上にＨＳＧシリコンを形成する方法において、基板の上に第１ドーピングされたシリコン膜を形成し、第１ドーピングされたシリコン膜の上に第１ドーピングされない非晶質シリコン阻止膜を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which is equipped with stacked capacitors each having a cylinder structure, and by which short circuit can be suppressed between adjacent capacitors through HSG-Si formed near upper ends of cylinder holes.例文帳に追加

シリンダ構造を有するスタック型キャパシタを備え、シリンダ孔の上端部付近に形成されたＨＳＧ−Ｓｉを介した、隣接するキャパシタ間のショートを抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

After forming an HSG film on the surface of a storage node exposed at the upper part of an insulation layer, by annealing the storage node at a crystallization temperature, the crystal state of a storage node surface layer is stabilized.例文帳に追加

絶縁層上部に露出したストレージノードの表面上にＨＳＧ膜を形成した後、ストレージノードを結晶化温度でアニーリングすることによりストレージノード表面層の結晶状態を安定化させる。 - 特許庁

Also, after the HSG treatment, a substrate is dipped into a washing liquid that is selected from among the group consisting of pure water, mixed solution of sulfuric and hydrogen peroxide, mixed solution of hydrochloric acid and hydrogen peroxide, and mixed solution of hydrofluoric acid and hydrogen peroxide, and then the capacitor insulation film is formed.例文帳に追加

又は、ＨＳＧ処理後、基板を、純水、硫酸過水、塩酸過水及び弗酸過水からなる群から選択された洗浄液中に浸漬して洗浄した後、容量絶縁膜を形成する。 - 特許庁

A lower electrode consisting of a polysilicon film 110 and an HSG film 112, a capacitor insulating film of tantalum oxide film 114, and an upper electrode of a titanium nitride film 115 are formed on a semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体基板１００上にポリシリコン膜１１０及びＨＳＧ膜１１２からなる下部電極と、酸化タンタル膜１１４からなる容量絶縁膜と、窒化チタン膜１１５からなる上部電極を形成する。 - 特許庁

A member for composing a semiconductor device is partially made of α-Si, treatment by the HSG generation technique is made, and a semi- spherical granular polysilicon is formed at one portion of the member that is made of the α-Si.例文帳に追加

半導体素子を構成する部材の一部がα−Ｓｉから成り、ＨＳＧ生成技術による処理が施され、前記α−Ｓｉから成る部材の一部に半球粒状のポリシリコンが形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device where a short circuit is restrained from occurring between lower electrodes even if the adjacent electrodes are made to approach one another in a capacitor provided with cylindrical lower electrodes where HSG is formed on their surfaces.例文帳に追加

表面にＨＳＧが形成されたシリンダ状の下部電極を有するキャパシタにおいて、隣接する下部電極同士を接近させてもこれら下部電極間でショート不良が生じることのない半導体装置を提供する。 - 特許庁

To expand the front surface area of a capacitor to enable increase capacitance of the capacitor by removing a semi-spherical silicon after forming uneven surface to the front surface of a semiconductor substrate within a trench to increase surface area of the capacitor using the semi-spherical silicon (HSG-Si) as a mask.例文帳に追加

半球状シリコン（ＨＳＧ−Ｓｉ）をマスクに用いてトレンチ内の半導体基板表面に凹凸を形成した後に半球状シリコンを除去することで、キャパシタの表面積を拡大して、キャパシタ容量の増大を可能とする。 - 特許庁

To provide a system and a method for depositing a film, in which an HSG-Si film can be formed uniformly and stably by completely removing the effect of impurities, e.g. moisture, oxygen and organic matters discharged from an exhaust line.例文帳に追加

排気配管から放出される水分、酸素および有機物などの不純物からの影響を完全に除去して、ＨＳＧ−Ｓｉ膜を均一にかつ安定して形成することができる成膜装置および成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a producing method for semiconductor device, with which HSG can be surely formed on a lower electrode inside a cylinder for capacitor, even in the case of a semiconductor device mixedly packaged with a CMIS logic circuit part and a DRAM part provided with a capacitor in a cylinder structure.例文帳に追加

ＣＭＯＳロジック回路部とシリンダー構造の容量素子を備えたＤＲＡＭ部が混載される半導体装置であっても、容量素子用のシリンダー内の下部電極上に確実にＨＳＧを形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this way the process gas is made to flow into the regions vertically different to each other, and the partial pressure is held uniformly, so the selectivity of seeding in the vertical direction of the reactive tube 22 can be held uniformly, and uniform HSg-Si can be formed.例文帳に追加

反応管内の高さ方向に相互に異なる領域にプロセスガスを流出させて、反応管のプロセスガスの分圧を一様に保持することにより、反応管内高さ方向のSeeding の選択性を均一に維持し、均一なＨＳＧ−Ｓｉを形成することができる。 - 特許庁

The resistance is lowered by bringing the first amorphous silicon layer 2 having the highest impurity concentration into contact with a substrate 8, the HSG silicon film 5 is formed on the surfaces of the second and third amorphous silicon layers 3 and 4 having the lower impurity concentrations, and the surface is roughened.例文帳に追加

最も高不純物濃度の第１のアモルファスシリコン層２が基板８とコンタクトすることで低抵抗化が図られ、より低不純物濃度の第２，第３のアモルファスシリコン層３，４表面にＨＳＧシリコン膜５が形成されて粗面化が図られる。 - 特許庁

In addition, when the flow rate of monosilane (SiH4) which is supplied for forming crystal nuclei and the crystal nucleus forming temperature are appropriately controlled, such selectively can be realized that HSG nuclei are not formed in the silicon-based insulating film, but only on the amorphous silicon film.例文帳に追加

また、結晶核形成のために供給するモノシラン（ＳｉＨ_4）の流量と結晶核形成温度とを、適度に制御することにより、ＨＳＧ核が、アモルファスシリコン膜上にのみ形成されて、シリコン系絶縁膜には形成されないように選択性を持たせることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is superior in reliability by preventing blockage by an HSG (Hemi-Spherical Grain) silicon on the bottom of a storage node electrode and one on the side thereof, uniformising the thickness of a capacitor insulation film, and improving the reliability of the capacitor insulation film; and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ストレージノード電極底面のＨＳＧシリコンと側面のＨＳＧシリコンとによる閉塞を防止し、キャパシタ絶縁膜の膜厚を均一とし、キャパシタ絶縁膜の信頼性を向上させることで信頼性の高い半導体装置、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

First and second amorphous silicon layers 2 and 3 having different impurity concentrations are laminated, a third amorphous silicon layer 4 is formed on the side wall of the laminated structure, and an HSG silicon film 5 is formed on the surfaces of the second and third amorphous silicon layers 3 and 4, thus constituting the storage electrode 1.例文帳に追加

不純物濃度の異なる第１，第２のアモルファスシリコン層２，３が積層され、その積層構造の側壁に第３のアモルファスシリコン層４が形成され、第２，第３のアモルファスシリコン層３，４の表面にＨＳＧシリコン膜５が形成されて蓄積電極１が構成される。 - 特許庁

An apparatus 50 for making a silicon film in an HSG state includes a vertical reactive tube 22, a process gas feeding system 52 connected to one of upper and lower ends of the reactive tube 22 for feeding a process gas to the reactive tube 22, and a vacuum suction system 30 connected to the other end of the reactive tube 22 for reducing the pressure of the reactive tube 22.例文帳に追加

本装置５０は、縦型の反応管２２と、反応管の上下両端部の一方に接続され、反応管にプロセスガスを供給するプロセスガス供給系統５２と、反応管の他方の端部に接続され、反応管を減圧する真空吸引系統３０とを備え、シリコン膜にＨＳＧ化を施す。 - 特許庁

When forming, for example, the surface of a lower electrode for a capacitor on the surface of a semiconductor wafer W which is an object to be processed, a process of depositing a HSG polysilicon film (rugged polysilicon film) 16 non-selectively and a process of doping an impurity such as phosphorus into the polysilicon film are conducted continuously in one and the same processing container 28.例文帳に追加

被処理体である半導体ウエハＷの表面に例えばキャパシタ用の下部電極の表面を形成する場合、非選択でＨＳＧポリシリコン膜（ラグドポリシリコン膜）１６を堆積させる工程と、このポリシリコン膜中に不純物、例えばリンをドープさせる工程とを、同一の処理容器２８内で連続的に行なう。 - 特許庁

After laminating a first silicon layer 108a, a silicon-rich oxide film 10 and a second silicon layer within a cylinder hall 107 provided to a film 106 between the cylinder layers, the HSG forming process is conducted to the second silicon layer using the silicon-rich oxide film 10 as a stopper in view of forming a plurality of HSGs 108c on the surface of the silicon-rich oxide film 10.例文帳に追加

シリンダ層間膜１０６に設けたシリンダホール１０７内に、第１のシリコン層１０８ａ、シリコンリッチな酸化膜１０及び第２のシリコン層を積層した後、シリコンリッチな酸化膜１０をストッパとして第２のシリコン層に対しＨＳＧ化処理を行うことにより、シリコンリッチな酸化膜１０の表面に複数のＨＳＧ１０８ｃを形成する。 - 特許庁

Stacked capacitor lower electrodes 7 of the memory cells of a dynamic semiconductor semiconductor memory device(DRAM) are patterned, and an insulating oxide film 9 is filled into a gap between the lower electrodes 7 to be flush with the top surface of the lower electrode 7, and then a rugged polysilicon (HSG-Si) 7a is formed on the top surfaces of the lower electrodes 7.例文帳に追加

ダイナミック型半導体記憶装置（ＤＲＡＭ）のメモリセルのスタックキャパシタ下部電極７をパターニング後、隣接するスタックキャパシタ下部電極７間にキャパシタ下部電極７の上面と同一高さに絶縁酸化膜９を埋設し、次いでスタックキャパシタ下部電極７上面にポリシコンからなる凹凸ポリシコン（ＨＳＧ−Ｓｉ７ａ）の形成する。 - 特許庁