「IB element」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Switching element modules M11 and M12, for example, constituting a single arm of a power conversion circuit are distributed to two cooling bodies HS11 and HS12, so insulating materials IB11 and IB 12 do not exceed insulating resistance even if the number of connections for series increases.例文帳に追加

電力変換回路の１アームを構成する、例えばスイッチング素子モジュールＭ１１，Ｍ１２を２つの冷却体ＨＳ１１，ＨＳ１２に分割して設置することで、直列接続数を増やしても絶縁材ＩＢ１１，ＩＢ１２が絶縁耐量を超えないようにする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solar cell including a photoelectric conversion layer formed of at least one compound semiconductor consisting of a group Ib element, a group IIIb element and a group VIb element, and an insulating layer formed by anodizing Al, in which degradation of insulating characteristics caused by a crack in the insulating layer can be prevented even when the photoelectric conversion layer is formed at a high temperature exceeding 500°C.例文帳に追加

Ｉｂ族元素、IIIｂ族元素およびVIｂ族元素からなる少なくとも１種の化合物半導体からなる光電変換層、および、Ａｌを陽極酸化してなる絶縁層を有する太陽電池の製造において、光電変換層の成膜を５００℃を超える高温で行っても、絶縁層のクラックに起因する絶縁特性の劣化を防止できる太陽電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

A metal precursor formation material 10 for solar cell according to the present invention has a plurality of particles 12 deposited on a base 11, and the particles 12 have core particles 16 containing a group IIIA element, and a coating substrate 14 which covers peripheries of the core particles 16 and contains a group IB element.例文帳に追加

本発明に係る太陽電池用金属プリカーサー形成材１０は、複数の粒子１２が基体１１上に堆積されている太陽電池用金属プリカーサー形成材であって、粒子１２は、IIIＡ族元素を含むコア粒子１６と、コア粒子１６の周りを被覆し、IＢ族元素を含む被覆物質１４とを有することを特徴とする。 - 特許庁

The sanitary insect pest repellent is obtained by allowing crystalline fine particles of titanium oxide having an average particle diameter within the range of 2-500 nm to contain at least one element selected from group VIIA, VIII, IB and IIB elements and boron within the range of 0.1-20 wt.% expressed in terms of oxides as a repellent component.例文帳に追加

平均粒子径が２〜５００ｎｍの範囲にある結晶性酸化チタン微粒子に、忌避成分として周期律表 VIIＡ、VIII、ＩＢ、IIＢ族およびホウ素から選ばれた少なくとも１種の元素成分を酸化物として０．１〜２０重量％の範囲で含有する。 - 特許庁

A catalyst for the production of ethylene oxide is formed by causing a carrier having α-alumina as a main component thereof to incorporate therein silica and a metal or a compound of at least one element selected from the elements of the groups Ib and IIb in the periodic table of the elements such as, for example, silver oxide and depositing silver on the carrier.例文帳に追加

α−アルミナを主成分とする担体にシリカと周期律表第ＩｂおよびＩＩｂ族の元素から選ばれる少なくとも１種の元素の金属または化合物、例えば酸化銀とを含有させ、これに銀を担持してエチレンオキシド製造用触媒とする。 - 特許庁

The perovskitic nanoparticles have a perovskite structure represented by A_xB_yO_z (wherein A is an at least one element selected from the group consisting of group IA elements, group IB elements, group IIA elements, and group IIB elements; and B is at least one element selected from the transition metal elements) and have a primary particle diameter of 10 to 50 nm.例文帳に追加

本発明のペロブスカイト型ナノ粒子は、Ａ_ｘＢ_ｙＯ_ｚ（ただし、ＡはＩＡ族元素、ＩＢ族元素、ＩＩＡ族元素、ＩＩＢ属元素の群から選択される１種または２種の元素、Ｂは遷移金属元素から選択される１種以上の元素）からなるペロブスカイト構造を有し、一次粒子径が１０ｎｍ以上かつ５０ｎｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

Elements belonging to a group 8 or a group Ib, or a laminated film or an alloy film of them are used for a constituent of the upper electrode of the thin-film electron source, and the quantity of an S content or the like adhering to the upper electrode is set not larger than 20 mol% of the total of the elements used for the upper electrode in terms of element.例文帳に追加

薄膜電子源の上部電極成分として８族またはＩｂ族に属する元素、あるいはそれらの積層膜、合金膜を用い、上部電極に付着しているＳ分等の量を、元素換算で、上部電極として用いられている元素総量の２０mol％以下とした。 - 特許庁

A current output from a switching current source 3 becomes the fixed minimum Imin when luminance is not more than prescribed low luminance, a fixed-cycle pulse width current Ib corresponding to a luminance setting signal Vs flows in a light emitting element 4 by a switching means 6, and a dummy current Id having a phase opposite to the pulse width current flows in a constant current load 7.例文帳に追加

所定の低輝度以下ではスイッチング電流源３から出力される電流は一定の最小値Ｉminとなり、スイッチ手段６により輝度設定信号Ｖsに対応する定周期のパルス幅電流Ｉbが発光素子４に流れるとともに、パルス幅電流Ｉbと逆位相のダミー電流Ｉdが定電流負荷７に流れる。 - 特許庁

This method for producing a transition metal catalyst with carrier comprises gradually adding a solution of a transition metal complex based on group VIIIB, IB or IIB element (optionally its mixture with a cocatalyst) to a particulate organic or inorganic carrier material in such a manner that the volume of the solution to be used is double or less the porosity of the carrier material to effect entirely renewing the surface of the carrier material.例文帳に追加

元素周期表のＶＩＩＩＢ、ＩＢ、ＩＩＢ族の元素に基づく遷移金属錯体溶液を、必要に応じて助触媒と混合して、微粒子状の有機または無機担体材料に、前記溶液の使用容積を前記担体材料の空隙率の二倍以下として、ゆっくりと添加し担体材料の表面を一新させる、担体を有する遷移金属触媒の製造法が提供される。 - 特許庁

The method for producing chalcopyrite type fine particles includes at least partially dissolving a group Ib metal compound, a group IIIb metal compound, and a simple substance of a group VIb element and/or a compound thereof in a polar organic solvent to obtain a raw material solution 1 and heating the raw material solution 1 to bring the polar organic solvent into a supercritical state 3 to synthesize the chalcopyrite type fine particles.例文帳に追加

第Ｉｂ族金属化合物、第ＩＩＩｂ族金属化合物、及び第ＶＩｂ族元素の単体及び/又はその化合物を、極性有機溶媒に少なくとも部分的に溶解させて、原料溶液１を得、そしてこの原料溶液１を加熱して極性有機溶媒を超臨界状態３にすることによって、カルコパイライト系微粒子を合成することを含む、カルコパイライト系微粒子の製造方法とする。 - 特許庁