「IB element」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

As for a phase-changing optical recording medium, a recording layer 4 is made of phase-changing recording materials containing a Ib group element, a IIIb group element, an Sb element and a Te element.例文帳に追加

相変化光記録媒体１に関し、記録層４は、Ｉｂ族元素、 IIIｂ族元素、Ｓｂ元素及びＴｅ元素を有する相変化記録材料による。 - 特許庁

A bias current Ib flows to a lower electrode 17 of a tunnel magnetoresistive effect element 10.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子１０の下部電極１７にバイアス電流Ｉｂを流す。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 2 is constituted of the p-type semiconductor layer 2 and a chalcopyrite structure semiconductor including a Ib group element, a IIIb group element and a VIb group element.例文帳に追加

ｐ形半導体層２はＩｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＶＩｂ族元素とを含むカルコパイライト構造半導体からなる。 - 特許庁

The film 13 is a semiconductor thin film which functions as a light absorbing layer, and contains a group Ib element, a group IIIb element, and a group VIb element.例文帳に追加

化合物半導体薄膜１３は、光吸収層として機能する半導体薄膜であり、Ｉｂ族元素、IIIｂ族元素およびVIｂ族元素を含む。 - 特許庁

The semiconductor film has a composition with a group Ia element and a group Vb element doped in a compound semiconductor of a chalcopyrite structure comprising a group Ib element, a group IIIb element, and a group VIb element.例文帳に追加

本発明の半導体膜は、Ｉｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とを含むカルコパイライト構造の化合物半導体に、Ｉａ族元素およびＶｂ族元素が添加された組成を有する。 - 特許庁

FILM SOLAR CELL ELEMENT BASED ON IB-IIIA-VIA COMPOUND SEMICONDUCTOR, AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

ＩＢ−ＩＩＩＡ−ＶＩＡ族化合物半導体ベースの薄膜太陽電池素子およびその製造方法 - 特許庁

Then, etching is performed by irradiating with the ion beam IB the semiconductor element 12 rotated.例文帳に追加

そして、半導体素子１２を回転させた状態でイオンビームＩＢを照射し、エッチング加工を行う。 - 特許庁

To improve energy conversion efficiency of a solar cell that is provided with a semiconductor film containing a Ib group element, a group IIIb element and a VIa group element as an optical absorption layer.例文帳に追加

Ｉｂ族元素、IIIｂ族元素及びVIａ族元素を含有する半導体膜を光吸収層として備えた太陽電池におけるエネルギー変換効率を向上させる。 - 特許庁

The film 14 contains a group Ib element, a group IIIb element, and a group VIb element and also contains sulfur at a higher composition ratio than that of the film 13.例文帳に追加

化合物半導体薄膜１４は、Ｉｂ族元素、IIIｂ族元素およびVIｂ族元素を含み、化合物半導体薄膜１３よりも高い組成比で硫黄を含む。 - 特許庁

The octahedron contains at least one element M selected from the group IIIB elements, group IVB elements, group VB elements, group VIB elements, group VIIB elements, group VIII elements, group IB elements, group IIB elements, and group IIIA elements in the periodic table.例文帳に追加

八面体は、元素周期表の第IIIB族、第IVB族、第VB族、第VIB族、第VIIB族、第VIII族、第IB族、第IIB族および第IIIA族の元素から選ばれる少なくとも１つの元素Ｍを含む。 - 特許庁

The thin film 12 contains a compound semiconductor layer 12b, which is arranged so as to come into contact with the first electrode film 11 an contains a group Ib element, a group IIIb element, and a group VIb element.例文帳に追加

薄膜１２は、第１の電極膜１１と接触するように配置された、Ｉｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とを含む化合物半導体層１２ｂを含む。 - 特許庁

The solar cell has a photoelectric conversion layer including a semiconductor layer including an Ib group element, a IIIb group element and a VIb group element on an aluminum substrate provided with an insulative anodic oxidation film.例文帳に追加

絶縁性の陽極酸化膜を有するアルミニウム基板上に、Ｉｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とからなる半導体層を含む光電変換層を有する、太陽電池。 - 特許庁

The method of manufacturing a solar cell includes: a sputtering process for sputtering a target including a group Ib element and a target including a group IIIb element in an atmosphere including Se, and forming a layer including the group Ib element, group IIIb element, and Se on a substrate; and a heat-treatment process for heating the layer.例文帳に追加

本発明の太陽電池の製造方法は、Ｉｂ族元素を含むターゲット及びＩＩＩｂ族元素を含むターゲットを、Ｓｅを含む雰囲気中でスパッタして、Ｉｂ族元素、ＩＩＩｂ族元素及びＳｅを含む層を基板上に形成するスパッタリング工程と、層を加熱する熱処理工程と、を備える。 - 特許庁

The light receiving elements 13a, 13b respectively generate a current Ia and a current Ib by receiving the light emitted from the light emitting element 2.例文帳に追加

受光素子１３ａ，１３ｂは、発光素子２から照射された光を受けて電流Ｉａ，Ｉｂをそれぞれ発生する。 - 特許庁

To provide a film solar battery element based on a IB-IIIA-VIA compound semiconductor, and a method of forming such a solar cell element.例文帳に追加

本発明は、ＩＢ−IIIＡ−VIＡ族化合物半導体ベースの薄膜太陽電池素子およびこのような太陽電池素子を製造するための方法に関するものである。 - 特許庁

This film solar cell element is provided with the same back electrode 4 of an alloy layer between a group IB metal and a group IIIA metal as those being deposited and formed for production of a polycrystalline IB- IIIA-VIA absorption layer, between the p-type conductivity polycrystalline group IB-IIIA-VIA absorption layer and a carrier film 1 having a role as a substrate.例文帳に追加

ｐ型導電率の多結晶ＩＢ−IIIＡ−VIＡ族吸収体層と基板としての役割を持つキャリア・フィルムとの間に多結晶ＩＢ−IIIＡ−VIＡ族吸収体層の生成のために沈着形成されるものと同じＩＢ族金属とIIIＡ族金属との合金相のバック電極が設けられる。 - 特許庁

FORMATION METHOD OF Ib-IIIb-VIb2 COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM AND SOLAR CELL ELEMENT HAVING THE THIN FILM FORMED BY THE METHOD例文帳に追加

Ｉｂ−ＩＩＩｂ−ＶＩｂ２族化合物半導体薄膜の形成方法およびこの方法で形成された薄膜を有する太陽電池素子 - 特許庁

The vapor-deposited amount of the group IB element in the zone 12 is controlled based on the predicted value so that the composition ratio of the XYZ_2 compound thin film at the end point of the film deposition zone 12 becomes a target value of the composition ratio between the group IB element and the group IIIB element in the XYZ_2 thin film at a previously set end point of the zone 12.例文帳に追加

製膜ゾーン１２の終点におけるＸＹＺ_2化合物薄膜の組成比が予め設定されたゾーン１２の終点におけるＸＹＺ_2薄膜の第ＩＢ族元素と第ＩＩＩＢ族元素の組成比の目的値となるように前記予測値に基づきゾーン１２における第ＩＢ族元素の蒸着量を制御する。 - 特許庁

This device is provided with an ion source 2 for emitting an ion beam IB, and a sample stage 8 equipped with a rotary stage that holds a semiconductor element 12 and rotates the semiconductor element 12; and adjusts an angle at which the ion beam IB enters into the surface of the semiconductor element 12 by adjusting the inclination angle of an ion column 1 having the ion source 2 on its inside.例文帳に追加

イオンビームＩＢを出射するイオン源２と、半導体素子１２を保持するとともに、半導体素子１２を回転させる回転ステージを備えた試料ステージ８とを備え、イオン源２を内部に備えたイオンカラム１の傾斜角度を調節することによって、イオンビームＩＢが半導体素子１２の表面に入射する角度を調節する。 - 特許庁

The chalcopyrite type fine particles have a group Ib metal element, a group IIIb metal element, and a group VIb element and have an average crystallite diameter of 2-20 nm and a single crystal particle rate of 80% or more.例文帳に追加

また、第Ｉｂ族金属元素、第ＩＩＩｂ族金属元素、及び第ＶＩｂ族元素を有し、平均結晶子径が２ｎｍ〜２０ｎｍであり、且つ単結晶粒子の割合が８０％以上である、カルコパイライト系微粒子とする。 - 特許庁

A method for producing the compound semiconductor thin film containing a group IB element, group IIIB element, and group VIB element comprises: a step for preparing an application agent containing a group IB element, group IIIB element, and group VIB element; a step for forming an application film by applying the application agent to a substrate; and a step for baking under pressure in which the application film is heated and sintered while pressure is mechanically applied.例文帳に追加

ΙＢ族元素、ΙΙΙＢ族元素およびＶΙＢ族元素を含む化合物半導体薄膜の製造方法であって、ΙＢ族元素、ΙΙΙＢ族元素およびＶΙＢ族元素を含有する塗布剤を調製する工程と、前記塗布剤を基板に塗布して塗布膜を形成する工程と、前記塗布膜を、機械的に圧力を加えた条件下で加熱して焼結させる加圧焼成工程とを含むことを特徴とする化合物半導体薄膜の製造方法。 - 特許庁

Therefore, a current Is flowing in the bit line 11b is Is=Vs(Rb-Ra)/(Ra×Rb). Where, a resistive value of the storage element Ia is assumed to Ra, a resistive value of the storage element Ib is assumed to be Rb.例文帳に追加

従って、ビット線１１ｂに流れる電流Ｉｓは、記憶素子１ａの抵抗値をＲａ、記憶素子１ｂの抵抗値をＲｂとすると、Ｉｓ＝Ｖｓ・（Ｒｂ−Ｒａ）／（Ｒａ・Ｒｂ）となる。 - 特許庁

In the catalyst for selective hydrogenation reaction with a carbonyl group, a carrier is carried with an element of the sixth period of the VIII group and an element of the IB group as a metal ultra-fine particle having an average particle diameter of 6 nm or smaller.例文帳に追加

VIII 族第６周期元素及びＩＢ族元素を平均粒子径６ｎｍ以下の金属超微粒子として担体に担持してなるカルボニル基に対する選択的水素化反応用触媒。 - 特許庁

In addition, a selection circuit 34 outputs a bias current Ib to the light emitting element facing the light guiding path 12 through which an optical signal is transmitted based on a selection control signal C.例文帳に追加

また、選択回路３４は、選択制御信号Ｃに基づいて、光信号を伝送する導光路に対向する発光素子にバイアス電流Ｉｂを出力する。 - 特許庁

LMX_2 (where L represents at least one group IB element, M represents at least one group IIIB, and X represents at lest one group VIB, respectively.) ...(i)例文帳に追加

ＬＭＸ_２（ここで、Ｌは少なくとも１種のＩＢ族元素、Ｍは少なくとも１種のＩＩＩＢ族、Ｘは少なくとも１種のＶＩＢ族を各々示す。）・・・（ｉ） - 特許庁

To provide a manufacturing method for a compound-semiconductor thin-film containing a group IB element, In and Ga as group IIIB elements and a group VIB element and having the excellent uniformity of Ga distribution in the film-thickness direction.例文帳に追加

ＩＢ族元素と、IIIＢ族元素としてＩｎおよびＧａと、VIＢ族元素とを含み、その膜厚方向におけるＧａ分布の均一性が良好な化合物半導体薄膜を製造するための方法を提供する。 - 特許庁

When the driving current I and a bias current Ib are inputted to the light emitting element and an inputted current exceeds a threshold current, the element is driven to emit light in accordance with the driving current I, and outputs the optical signal.例文帳に追加

発光素子は、駆動電流とバイアス電流が入力されることにより、入力された電流が閾電流を越えることにより、駆動電流に応じて発光駆動して、光信号を出力する。 - 特許庁

The manufacturing method of chalcopyrite nanoparticles shown in Ib group metal-IIIb group metal-VIb group element by mixing Ib group metal compound, IIIb group metal compound, and VIb group compound of the periodic table, in an organic solvent and forming nanoparticles, is provided.例文帳に追加

周期律表第Ｉｂ族金属化合物、第IIIｂ族金属化合物、および第VIｂ族化合物を有機溶媒中で混合してナノ粒子を形成することを特徴とする第Ｉｂ族金属—第IIIｂ族金属—第VIｂ族元素で表わされるカルコパイライトナノ粒子の製造方法。 - 特許庁

To provide an n-type compound semiconductor thin film, a method of manufacturing thereof and a solar cell using the same, by allowing a compound semiconductor thin film expressed as a composition formula AB3C5 (A is a group Ib element, B is a group IIIb element, and C is a group VIb element) in which a group II element is contained.例文帳に追加

組成式がＡＢ_3Ｃ_5（ただしＡはＩｂ族元素、ＢはIIIｂ族元素、ＣはVIｂ族元素）で表わされる化合物半導体薄膜にII族元素を含有させることによって、キャリア密度の高いｎ型の化合物半導体薄膜およびその製造方法ならびにこれを用いた太陽電池を提供する。 - 特許庁

To provide a chalcopyrite film by a safe method by sufficiently combining a group Ib metal, a group IIIb metal, and a group VIb element only by heat treatment without using an atmosphere including a group VIb element (Se, S, Te).例文帳に追加

ＶＩｂ族元素（Ｓｅ、Ｓ、Ｔｅ）を含有する雰囲気を使用せずに、Ｉｂ族金属およびＩＩＩｂ属金属とＶＩｂ族元素とを加熱処理のみにより十分に化合させて、カルコパイライト膜を安全性の高い手段により得る。 - 特許庁

The laser driver circuit 100 has a current source 11 for feeding a current to a semiconductor laser element 10, and a current limiter circuit 21 for limiting the current Ib fed to the laser element from the current source.例文帳に追加

レーザ駆動回路１００は、半導体レーザ素子１０に電流を供給する電流源１１と、この電流源から半導体レーザ素子に供給される電流Ｉｂを制限する電流制限回路２１を有している。 - 特許庁

Further, a selection circuit 72 outputs a bias current Ib (Iba to Obn) to the light emitting element of the light emitting element group opposed to the light guide path for transmitting the optical signal by each electric signal on the basis of a selection control signal C.例文帳に追加

また、選択回路７２は、選択制御信号Ｃに基づいて、電気信号ごとに、光信号を伝送する導光路に対向する発光素子群の発光素子にバイアス電流Ｉｂ（Ｉｂａ〜Ｉｂｎ）を出力する。 - 特許庁

This initial biasing current signal Ib is added to current command signal Iref of the steady-state current during the period of time ranging from the start of the starting of the movable element 14 to the predetermined time t1.例文帳に追加

この初期バイアス電流信号Ｉｂは、可動子１４の起動開始から所定時間ｔ１までの間、定常電流の電流指令信号Ｉｒｅｆに加算される。 - 特許庁

Ultrafine particles of at least one kind of activation metal element selected from group IB element of the periodic table are dispersed in an oxidation reaction catalyst containing group VA, group VIA, group VIIA or group VIII metal element.例文帳に追加

周期律表ＩＢ族元素より選ばれる少なくとも１種の活性化用金属元素の超微粒子を、周期律表ＶＡ族、ＶＩＡ族、ＶＩＩＡ族もしくはＶＩＩＩ族の金属元素を含む酸化反応用触媒中に分散させて含有せしめることを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor thin film constituted in a chalcopyrite structure containing a group Ib element, a group IIIb element, and a group VIb element comprising Se uses cracked and radicalized Se by the plasma in a film-forming process.例文帳に追加

Ｉｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＳｅを含むＶＩｂ族元素とからなるカルコパイライト構造の半導体薄膜の製造方法であって、上記半導体薄膜は製膜過程において、プラズマによってクラッキングされてラジカル化したセレンを用いたことを特徴とする半導体薄膜の製造方法。 - 特許庁

As the kind of an element component to be selected from VIIA, VIII, IB, IIB and rare earth element in periodic table, Mn, Cu, Zn, Co, Ni, Ag, Pt and Au are particularly preferable form the viewpoint of safety, oxidation decomposition activity and the like.例文帳に追加

周期律表 VIIＡ、VIII、ＩＢ、IIＢ族及び希土類元素から選ばれた少なくとも１種の元素成分としては、特に、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕは人体に対する安全性および酸化分解活性などの点で好ましい。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a compound semiconductor thin film where a uniformity in a Ga distribution in the direction of a film thickness is appropriate or the Ga distribution in the direction of the film thickness can be arbitrarily controlled in the compound semiconductor thin film that comprises a group IB element, a group IIIB element, and a group VIB element and contains In and Ga as the group IIIB element.例文帳に追加

ＩＢ族元素、ＩＩＩＢ族元素およびＶＩＢ族元素から成り、ＩＩＩＢ族元素としてＩｎとＧａを含む化合物半導体薄膜において、その膜厚方向のＧａ分布の均一性が良好であるか、または膜厚方向のＧａ分布を任意に制御することができる化合物半導体薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

When an arm (a) and an arm (b) are changed over, a switch SWa is turned on and a switch SW4 is turned off, when ia+ib>0, and an element switch SW3 is turned on at the time when a potential Vb reaches a battery voltage.例文帳に追加

アームａとアームｂでの切り替えの場合、ｉａ＋ｉｂ＞０の場合には、Ｓｗａをオンし、Ｓｗ４をオフにし、電位Ｖｂがバッテリ電圧に達した時点で素子Ｓｗ３をオンにする。 - 特許庁

This conductive composition includes a compound represented by a formula 1, a metallic material including an element selected from the VIII group and IB group in the periodic table, and the glass frit.例文帳に追加

下記一般式（１）で表される化合物と、周期律表８族および１Ｂ族元素から選ばれるいずれかの元素を含む金属材料と、ガラスフリットとを含有する導電性組成物である。 - 特許庁

To prevent the waste of Se material when the semiconductor thin film, such as CIGS based thin film, is formed during manufacturing of a semiconductor thin film constituted in a chalcopyrite structure containing a group Ib element, a group IIIb element, and a group VIb element comprising Se, and a photoelectric conversion device.例文帳に追加

Ｉｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＳｅを含むＶＩｂ族元素とからなるカルコパイライト構造の半導体薄膜半導体薄膜の製造及び光電変換素子の製造に際し、ＣＩＧＳ系薄膜等の半導体薄膜の製膜過程におけるセレン原料の浪費を防止することを課題とする。 - 特許庁

In a method for treating a nitrogen compound in water by an electrochemical technique, an electric conductor containing the Group Ib or IIb element or an electric conductor coated with the same Group element is used as a metal material constituting a cathode 6.例文帳に追加

本発明は、電気化学的手法により被処理水中の窒素化合物を処理する方法であって、カソード６を構成する金属材料として、周期表の第Ｉｂ族又は第ＩＩｂ族を含む導電体、若しくは、同族を導電体に被覆したものを用いる。 - 特許庁

This method for producing both of cyclododecanone and cyclododecanol features contacting epoxycyclododecanes with hydrogen in the presence of a platinum group catalyst where (a) a platinum group metal and (b) at least one element selected from the group consisting of group VIII, Ib, IIb, IIIb, IVb, Vb, VIb and VIIb elements and lanthanoid elements or compounds thereof as a cocatalyst are supported by a carrier.例文帳に追加

白金族触媒が、（ａ）白金族金属と（ｂ）助触媒としてVIII族、Ib族、IIb族、IIIb族、IVb族、Vb族、VIb族、VIIb族およびランタノイド元素からなる群より選ばれる少なくとも１つの元素またはその化合物とを担体に担持したものからなり、該触媒の存在下、エポキシシクロドデカン類と水素とを接触させることを特徴とするシクロドデカノン及びシクロドデカノールの製造法により解決される。 - 特許庁

The magnetoresistive element 111 comprises three magnetoresistive elements 111a-111c which are arranged so as to sense angular change in the composite vector occurring, along with a change in the current Ib as respective sine wave signals having phases different from another.例文帳に追加

この磁気抵抗素子１１１は、合成ベクトルの上記電流Ｉｂの変化に伴う角度変化を各々位相の異なる正弦波信号として感知するように配置された３つの磁気抵抗素子１１１ａ〜１１１ｃからなる。 - 特許庁

The current sensor employs a magnetoresistive element 111, which senses angular change in a composite vector of a first magnetic vector generated by current Ib in a bus bar BS and a second magnetic vector generated by a bias magnet 120.例文帳に追加

電流センサは、バスバーＢＳの電流Ｉｂによって発生する第１の磁気ベクトルとバイアス磁石１２０による第２の磁気ベクトルとの合成ベクトルの角度変化を感知する磁気抵抗素子１１１を有して構成される。 - 特許庁

At this time, group IB metal element powder is added in addition to the solder alloy powder into the flux and Zn is captured after soldering to suppress the growth of a compound layer generated at the boundary with wiring patterns by the solid phase reaction of the Zn.例文帳に追加

その際、フラックス中に、はんだ合金粉末の他にＩＢ族金属元素粉末を添加し、はんだ付け後にＺｎを捕獲し、Ｚｎの固相反応により配線パターンとの界面に生じる化合物層の成長を抑制する。 - 特許庁