「LOW-TEMPERATURE POLYSILICON」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD OF MANUFACTURING LOW-TEMPERATURE POLYSILICON TFT例文帳に追加

低温ポリシリコンＴＦＴの製造方法 - 特許庁

LOW-TEMPERATURE POLYSILICON THIN-FILM TRANSISTOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY例文帳に追加

低温ポリシリコン薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING LOW-TEMPERATURE POLYSILICON TFT DEVICE例文帳に追加

低温ポリシリコンＴＦＴ装置の製造方法 - 特許庁

LOW-TEMPERATURE POLYSILICON TFT STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD OF ITS CHANNEL LAYER例文帳に追加

低温ポリシリコンＴＦＴ構造及びそのチャネル層の製造方法 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a low-temperature polysilicon thin film.例文帳に追加

本発明は低温ポリシリコン薄膜の製造方法に関する。 - 特許庁

To provide a level shift circuit which is appropriate for low temperature polysilicon (LTPS).例文帳に追加

低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）に好適なレベルシフト回路を提供する。 - 特許庁

IMAGE DISPLAY SYSTEM AND METHOD FOR LASER ANNEALING OF LOW-TEMPERATURE POLYSILICON例文帳に追加

画像表示システム及び低温ポリシリコンのレーザアニール方法 - 特許庁

LOW-TEMPERATURE POLYSILICON THIN-FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME例文帳に追加

低温ポリシリコン薄膜トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

The low pressure and low temperature CVD method assures slower growth rate of polysilicon and higher flatness of the surface.例文帳に追加

減圧・低温ＣＶＤ法はポリシリコンの成長速度が遅く、表面の平坦度が高い。 - 特許庁

Cost Modeling of Low-Temperature Polysilicon TFT Liquid Crystal Displays with Integrated Drivers 例文帳に追加

統合されたドライバを持つ低温多結晶TFT液晶ディスプレイのコスト・モデル - コンピューター用語辞典

METHOD FOR PRODUCING LOW-TEMPERATURE POLYSILICON THIN FILM TRANSISTOR HAVING MULTILAYER CHANNEL PASSIVATION STEP例文帳に追加

多層チャンネルパッシベーション段階を有する低温ポリシリコン薄膜トランジスターの製造方法 - 特許庁

To provide a high-quality polysilicon film and high-performance transistor at a low processing temperature.例文帳に追加

低いプロセス温度で高品質のポリシリコン膜及び高性能トランジスタを提供する。 - 特許庁

PLANARIZING SOLUTION FOR PLANARIZING LOW TEMPERATURE POLYSILICON FILM PANEL例文帳に追加

低温ポリ−シリコン薄膜パネルを平坦化するためのポリシリコン平坦化溶液 - 特許庁

A polysilicon film (Poly SiGe film) containing germanium can contain boron in a high concentration as compared with a polysilicon film and furthermore is a material that is easily set to be low resistance since the activation rate of the boron at a low temperature is high.例文帳に追加

ゲルマニウムを含むポリシリコン膜（ポリＳｉＧｅ膜）はポリシリコン膜に比べてホウ素を高濃度に含有することができ、さらに低温におけるホウ素の活性化率が高いことから低抵抗にすることが容易な材料である。 - 特許庁

To evaluate a condition of a polysilicon film with good repeatability when evaluating a crystal condition of a polysilicon film formed by a low temperature polycrystallizing process.例文帳に追加

低温多結晶化プロセスで形成されたポリシリコン膜の結晶状態を評価する際に、再現性がよくポリシリコン膜の状態を評価する。 - 特許庁

To provide a displaying device having high reliability which prevents diffusing from an aluminum element to a polysilicon layer in a heating process when using an aluminum conductive layer to a source-drain electrode contacting a low-temperature polysilicon, and avoids the occurrence of a displaying failure.例文帳に追加

低温ポリシリコンと接するソース・ドレイン電極にアルミニウム系導電層を用いた場合の加熱工程でのポリシリコン層へのアルミニウム元素の拡散を防止し、表示不良の発生を回避する。 - 特許庁

To provide a method for producing a low-temperature polysilicon thin film transistor having a multilayer channel passivation step.例文帳に追加

多層チャンネルパッシベーション段階を有する低温ポリシリコン薄膜トランジスターの製造方法、を提供する。 - 特許庁

To shorten a processing time by securing the reproducibility of evaluated results when evaluating a polysilicon film formed in a low-temperature polycrystallizing process.例文帳に追加

低温多結晶化工程で形成されたポリシリコン膜を評価する際に、評価結果の再現性を確保し、処理時間を短縮する。 - 特許庁

Many switching elements 103 are formed in a matrix shape by using low-temperature polysilicon in a semiconductor layer on an array substrate.例文帳に追加

アレイ基板上の半導体層に、低温ポリシリコンを用いて多数のスイッチング素子１０３をマトリックス状に形成する。 - 特許庁

To surely obtain an evaluation result at the time of evaluating the crystal condition of a polysilicon film formed by a low temperature polycrystallization process.例文帳に追加

低温多結晶化プロセスで形成されたポリシリコン膜の結晶状態を評価する際に、確実に評価結果を得る。 - 特許庁

Thus, the output voltage of the signal line driving circuit 17 can be lowered and the reliability of circuit elements in which low temperature polysilicon is used is enhanced.例文帳に追加

このため信号線駆動回路１７の出力電圧を低減でき、低温ポリシリコンを用いた回路素子の信頼性を向上することができる。 - 特許庁

A layer 7, such as polysilicon, is deposited on a semiconductor substrate 1 and insulating films 4, 5 protecting a gate at a low temperature of approximately 600°C.例文帳に追加

ポリシリコンなどの層７を６００℃程度の低温で半導体基板１上及びゲートを保護する絶縁膜４、５上に堆積させる。 - 特許庁

To provide a frequency division circuit having a large operation margin in a drive circuit integrated type display apparatus using a low temperature polysilicon process.例文帳に追加

低温ポリシリコンプロセスを用いた駆動回路一体型の表示装置において、動作マージンの大きな分周回路を提供する。 - 特許庁

LAMINATED STORAGE CAPACITOR STRUCTURE USED FOR LOW-TEMPERATURE POLYSILICON THIN FILM TRANSISTOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE例文帳に追加

低温ポリシリコン薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ装置に用いられる積層蓄積容量構造 - 特許庁

To prevent deterioration of transistor characteristics due to crystallinity of poloysilicon film quantity in the reverse staggered-type transistor structure of low-temperature polysilicon.例文帳に追加

低温ポリシリコンの逆スタガ型トランジスタ構造において、ポリシリコン膜質の結晶性によるトランジスタ特性劣化を防止する。 - 特許庁

To reduce power consumption and to enhance reliability in a liquid crystal display device in which low temperature polysilicon is used.例文帳に追加

低温ポリシリコンを用いた液晶表示装置において、低電力化と信頼性の向上を図ること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method that improves the element characteristics of a low-temperature polysilicon thin-film transistor, and reduces the production cost.例文帳に追加

低温ポリシリコン薄膜トランジスタの素子特性を改善し、製造コストを削減する事ができる製造方法の提供。 - 特許庁

In this case, the low temperature oxide film LTO is constituted of as an etching stopper film so that the low temperature oxide film LTO and the polysilicon film PS1 can be prevented from being over-etched.例文帳に追加

このとき、低温酸化膜ＬＴＯがエッチングストッパ膜となるため、低温酸化膜ＬＴＯ及びポリシリコン膜ＰＳ１がオーバーエッチングされることがない。 - 特許庁

To reduce or essentially remove an upheaval or protrusion which generally extends upward from an almost plane surface of polysilicon film that is manufactured by low-temperature polysilicon silicon (LTPS) annealing of an amorphous silicon film deposited on a substrate.例文帳に追加

基板に堆積した非結晶シリコンの膜を低温ポリＳｉ（ＬＴＰＳ）アニーリングすることにより製造される、概ね平面であるポリシリコン膜の表面から一般的には上向きに伸びている隆起または突起を、低減または本質的に排除すること。 - 特許庁

The temperature-detecting diode 20 comprises a P+-type polysilicon 23, which is an anode region of high impurity concentration, an N+-type polysilicon 25 which is a cathode region of high impurity concentration, and a P-type polysilicon 24, which is an anode region of relatively low impurity concentration formed between the regions.例文帳に追加

温度検出用ダイオード２０は、高不純物濃度のアノード領域であるＰ^^+ 型ポリシリコン２３と、高不純物濃度のカソード領域であるＮ^+ 型ポリシリコン２５と、それらの領域の間に形成される比較的不純物濃度の低いアノード領域であるＰ型ポリシリコン２４から構成される。 - 特許庁

For this phosphorus diffusion method, at vapor-diffusion of phosphorus P to a polysilicon film 12 which is a base film, the upper limit of a temperature is the relatively low temperature of 850°C capable of P density control and the upper limit of a pressure is 5000 Pa capable of the P density control.例文帳に追加

下地膜であるｐｏｌｙＳｉ膜１２にリン（Ｐ）を気相拡散するに際し、温度はＰ濃度制御が可能で比較的低温の８５０℃を上限とし、かつ圧力はＰ濃度制御可能な５０００Ｐａを上限とする。 - 特許庁

After a polysilicon forming a selection element is deposited in an amorphous state at a low temperature, crystallization and activation of impurities are performed with heat treatment, in a short time, by laser annealing.例文帳に追加

選択素子を形成するポリシリコンをアモルファス状態で低温で成膜した後、レーザーアニールによる短時間熱処理で結晶化と不純物活性化を行う。 - 特許庁

When the low-temperature polycrystallizing process is performed by using an excimer laser, linearity or periodicity appears in the space structure of the surface of the formed polysilicon film in accordance with the energy density given to amorphous silicon.例文帳に追加

エキシマレーザによる低温多結晶化工程時に、アモルファスシリコンに与えるエネルギ密度に応じて、形成されたポリシリコン膜の膜表面の空間構造に直線性や周期性が現れる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing thin film semiconductor device utilizing a low-temperature polysilicon technique which can use large grain size of the crystal particles of the semiconductor thin film, thereby can improve the characteristic.例文帳に追加

半導体薄膜の結晶粒径の大粒径化を図ることができ、これにより特性の向上を図ることが可能な低温ポリシリコン技術を用いた薄膜半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a low-temperature polysilicon film in which the growth direction of crystal grains can be randomly adjusted according to the position to be polycrystallized and at the position, the growth direction of the crystal grains is uniform in a certain direction.例文帳に追加

結晶粒の成長方向を多結晶化すべき位置に応じて任意に調整することができ、その位置において、結晶粒の成長方向が一定の方向に揃った低温ポリシリコン膜を得る。 - 特許庁

To form a protective film with H_2 excellent passivation effect when low-temperature polysilicon is filmed, and to form a TFT having stable electric characteristics.例文帳に追加

低温ポリシリコンに対する成膜において、Ｈ_２パッシベーション効果の優れた保護膜を形成すると共に、電気的特性が安定したＴＦＴを形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing low-temperature polysilicon TFT devices which are formed on the same substrate and kept high in uniformity.例文帳に追加

同一基板上に均一性よく複数の低温ポリシリコンＴＦＴ装置を製造できる低温ポリシリコンＴＦＴ装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a formation apparatus and a formation method, capable of obtaining a low-temperature polysilicon film that does not undergo the fluctuation in crystal grain size and has a uniform crystal grain size.例文帳に追加

結晶粒の大きさの変動が少なく、均一な結晶粒サイズの低温ポリシリコン膜を得ることができる形成装置及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide an image display system improved in electron mobility of a thin film transistor by expanding the particle diameter of crystal and a method for laser annealing of low-temperature polysilicon.例文帳に追加

結晶粒径を拡大し、薄膜トランジスタの電子移動度を高める画像表示システム及び低温ポリシリコンのレーザアニール方法を提供する。 - 特許庁

A coupling oxide film COX is formed on a silicon substrate 1, a polysilicon film PS1 is formed, and a low temperature oxide film LTO is accumulated so that the thickness can be set so as to be, for example, 10nm.例文帳に追加

シリコン基板１上にカップリング酸化膜ＣＯＸを形成し、ポリシリコン膜ＰＳ１を形成し、低温酸化膜ＬＴＯを、厚さが例えば１０ｎｍになるように堆積する。 - 特許庁

To provide a processing method for wafers wherein such a highly clean silicon wafer can be obtained having a low resistance that a metal impurity contained inside a silicon wafer is captured by the processing method, without performing any high-temperature heat treatment of the silicon wafer after forming a polysilicon film on the silicon wafer.例文帳に追加

ポリシリコン膜を成膜した後に高温熱処理を行うことなく、シリコンウェーハ内部の金属不純物を捕獲し、高清浄低抵抗のシリコンウェーハが得られるシリコンウェーハの加工方法を提供する。 - 特許庁

To realize luminance characteristics by using a power supply circuit which can be produced using low-temperature polysilicon TFTs and CG silicon TFTs, in a display device that uses current driven type display elements.例文帳に追加

電流駆動型表示素子を用いた表示装置において、低温ポリシリコンＴＦＴやＣＧシリコンＴＦＴで作製可能な電源回路を用いて輝度特性を実現する。 - 特許庁

To cut down the occupying area and the cost of an excimer laser annealing system of a double-process chamber method giving a high throughput of low-temperature polysilicon TFT liquid crystal panel.例文帳に追加

低温ポリシリコンＴＦＴ液晶パネルの高スループットダブルプロセスチャンバ方式エキシマレーザアニーリングシステムの専有面積及びコストを削減する。 - 特許庁

To manufacture a liquid crystal display device having a quick operating speed and a superior display performance by enhancing mobility of a low temperature polysilicon TFT and further contriving to lower diffusion layer resistance in a source and drain part.例文帳に追加

低温ポリシリコンＴＦＴの移動度を向上させ、しかもソースドレイン部の拡散層抵抗の低抵抗化を図り、動作スピードの早い表示能性の優れた液晶表示装置を作製可能にする。 - 特許庁

To provide: a thin-film transistor comprising a low-temperature polysilicon transistor having a low off-current, excellent potential-holding characteristics, low power usage, and a high operating speed; a method for manufacturing the thin-film transistor; and a liquid-crystal display device using the same.例文帳に追加

オフ電流が小さく、電位保持特性が優れており、消費電力が低いと共に、動作速度も速い低温ポリシリコントランジスタを含む薄膜トランジスタ、この薄膜トランジスタの製造方法及びそれを使用した液晶表示装置を提供する。 - 特許庁