LTOを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 32件
In this case, the low temperature oxide film LTO is constituted of as an etching stopper film so that the low temperature oxide film LTO and the polysilicon film PS1 can be prevented from being over-etched.例文帳に追加
このとき、低温酸化膜LTOがエッチングストッパ膜となるため、低温酸化膜LTO及びポリシリコン膜PS1がオーバーエッチングされることがない。 - 特許庁
LTO (Linear Tape-Open) Technology developed into two open tape format specifications, Accelis and Ultrium, because not all users require the same features and functionality. 例文帳に追加
LTO技術は, 2種類のオープン・テープ・フォーマット仕様, すなわちAccelisとUltriumとを開発した.すべてのユーザが同一の特徴と機能性を要求するとは限らないからである. - コンピューター用語辞典
The upper part of the LTO film 10 is etched with the SiN film 11 as a mask.例文帳に追加
SiN膜11をマスクとしてLTO膜10の上部をエッチングする。 - 特許庁
A recessed part 10a, on which the shape of a lower layer is reflected, is formed above the LTO film 10.例文帳に追加
LTO膜10の上部に下層の形状が反映された凹部10aが形成される。 - 特許庁
A SiN film 11 is formed on the LTO film 10, and a part is left in the recessed part 10a.例文帳に追加
LTO膜10上にSiN膜11を形成した後、その一部を凹部10a内に残す。 - 特許庁
To provide a magazine system for storing and processing a DLT cartridge system or a LTO cartridge system.例文帳に追加
DLTカートリッジシステムまたはLTOカートリッジシステムを格納および処理するマガジンシステムを提供する。 - 特許庁
When an actual vehicle speed SPD exceeds a limited vehicle speed LtO, speed control by driving operation of the driver is limited, and its maximum speed is limited up to the limited vehicle speed LtO or its vicinity.例文帳に追加
実車両速度SPDが制限車速Lt0を超えた場合に、運転者の運転操作による速度制御を制限してその最高速度を制限車速Lt0又はその近傍までに制限する。 - 特許庁
Then, a silicon nitride film SN2 is formed on the low temperature oxide film LTO, and dry-etched and selectively removed.例文帳に追加
次に、この低温酸化膜LTO上に、シリコン窒化膜SN2を形成し、ドライエッチングを施して選択的に除去する。 - 特許庁
In the medium-throwing apparatus that can throw an LTO cartridge 30 and a DLT cartridge 40 and is detachably fitted to a library device 20, a misinsertion detection nib 19 for detecting an LTO side cutout section 32 formed at the LTO cartridge 30 and a DLT side cutout section 42 formed at the DLT cartridge 40 is provided.例文帳に追加
LTOカートリッジ30とDLTカートリッジ40を共に投入可能な構成とされており、ライブラリ装置20に着脱可能に装着される媒体投入装置において、LTOカートリッジ30に形成されているLTO側切り欠き部32と、DLTカートリッジ40に形成されているDLT側切り欠き部42とを共に検出しうる誤挿入検出爪19を設ける。 - 特許庁
A resist film 12 is formed, a UV curing processing is executed, and the resist film 12 is left in the etched part above the LTO film 10.例文帳に追加
レジスト膜12を形成しUVキュア処理を施し、LTO膜10上部のエッチングされた部分にレジスト膜12を残す。 - 特許庁
Then, the USG film 7 and LTO film 8 are polished through a CMP method until the surface of the silicon nitride film 3 is exposed.例文帳に追加
次に、シリコン窒化膜3表面が露出するまで、USG膜7及びLTO膜8をCMP法を用いて研磨する。 - 特許庁
Then, after the photoresist pattern 4 is removed, a USG film 7 and an LTO film 8 are successively deposited so as to fill up the groove 5.例文帳に追加
次に、フォトレジストパターン4を除去した後、溝5を埋設するように、USG膜7及びLTO膜8を順次堆積する。 - 特許庁
To provide error correction coding for a codeword header in a data tape recording format of linear tape open 4th generation (LTO-4).例文帳に追加
リニア・テープ・オープン第4世代(LTO−4)のデータテープ録音フォーマットの符号語ヘッダに対するエラー訂正コーディングが提供される。 - 特許庁
A magnetic tape device performs at least one of data write processing or data read processing to an LTO (Linear Tape-Open) wound around a reel.例文帳に追加
磁気テープ装置は、リールに巻回されたLTOに対してデータの書き込み処理もしくは読み出し処理の少なくとも一方を実施する。 - 特許庁
Consequently, generation of gas due to an additional reaction between LTO and electrolyte is suppressed, and thereby, it is possible to effectively prevent the secondary battery from swelling.例文帳に追加
したがって、LTOと電解液との追加反応によるガス発生が抑えられて、二次電池のスウェリングを効果的に防止することができる。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a CMOS image sensor wherein the LTO film is prevented from delamination by pad etching performed two times for changing the pad layout.例文帳に追加
パッドエッチングを2回行い、パッドレイアウトを変更してLTO膜の剥離を防止したCMOSイメージセンサの製造方法を提供すること。 - 特許庁
Depositing of a polysilicone film having a thickness of 1.5 μm using pressure-reduced CVD and ion pouring into the polysilicone film are repeated twice for annealing to fill a hole in a recessed part 18 formed in an LTO layer 16 and add a polysilicone lower layer 19 having a thickness of 3 μm to the LTO layer 16.例文帳に追加
減圧CVDを用いた1.5μmの厚さのポリシリコン膜の堆積と、かかるポリシリコン膜へのイオン注入とを2回繰り返した後に、アニールすることにより、LTO層16に形成された凹部18の孔埋めを行うとともに、厚さが3μmのポリシリコンの下層19をLTO層16に付加させる。 - 特許庁
The magnetic tape device rotates the reel and drives the LTO in a prescribed position in which the data write processing or data read processing can be performed by a magnetic head.例文帳に追加
そして、磁気テープ装置は、リールを回転させ、LTOを磁気ヘッドによってデータの書き込み処理もしくは読み出し処理が可能な所定の位置に駆動させる。 - 特許庁
On both sides in the tape longitudinal direction of A-D bursts constituting an LTO servo pattern respectively, auxiliary pulses 10 parallel with a line orthogonal to a tape edge and having a length roughly equal to a spacing along the line orthogonal to the tape edge between both ends in the tape width direction of the respective bursts A-D are formed at prescribed spacings in the tape longitudinal direction from the respective bursts A-D.例文帳に追加
LTOサーボパターンを構成するA〜Dバーストのテープ長手方向の各々両側に、テープエッジに直交する線に対して平行であり、且つA〜Dの各バーストのテープ幅方向両端間の、前記テープエッジに直交する線に沿う間隔と略等しい長さの補助パルス10を、A〜Dの各バーストからテープ長手方向に所定間隔隔てて形成する。 - 特許庁
A coupling oxide film COX is formed on a silicon substrate 1, a polysilicon film PS1 is formed, and a low temperature oxide film LTO is accumulated so that the thickness can be set so as to be, for example, 10nm.例文帳に追加
シリコン基板1上にカップリング酸化膜COXを形成し、ポリシリコン膜PS1を形成し、低温酸化膜LTOを、厚さが例えば10nmになるように堆積する。 - 特許庁
Then, the silicon nitride film 3 is removed, the USG film 7 and LTO film 8 are removed by etching by the use of the same etchant, by which a less rugged element isolation region of shallow trench structure can be formed.例文帳に追加
次に、シリコン窒化膜3を除去した後、同一のエッチング剤を用いて、USG膜7及びLTO膜8をエッチング除去することにより、段差の少ないシャロウトレンチ構造の素子分離領域を形成する。 - 特許庁
The magnetic tape device is disposed along the width direction of a magnetic tape of the driven LTO and detects medium defect caused at either beginning end or termination end in the width direction of the magnetic tape.例文帳に追加
そして、磁気テープ装置は、駆動されるLTOの磁気テープの幅方向に沿って配置され、磁気テープの幅方向における始端もしくは終端の少なくともいずれか一方に生じた媒体異常を検出する。 - 特許庁
Embodiments may allow a data storage tape meeting a currently accepted data storage tape specification, e.g,, an LTO Ultrium specification, to record data in a higher density than density currently implemented with the specification.例文帳に追加
実施形態は、現在受け入れられているデータ記憶テープ仕様、例えば、LTOウルトリウム仕様を満たすデータ記憶テープが、その仕様を使用して現在実施されている密度より高密度でデータを記録することを可能にし得る。 - 特許庁
After an LTO film is deposited on the surface of a surface channel layer 5 terminated with Si, heat treatment is performed at 700°C-900°C in order to oxidize only Si terminating on the surface of the surface channel layer 5.例文帳に追加
Si終端とした表面チャネル層5の表面にLTO膜をデポジションしたのち、700℃以上かつ900℃以下での熱処理を行うことで表面チャネル層5の表面で終端しているSiのみを酸化させる。 - 特許庁
To provide a semiconductor wafer manufacturing method and apparatus, capable of obtaining high planarity surface of a semiconductor wafer at a low cost, even by single-side polishing as well as by double-side polishing, without having to additionally provide a process of forming a protective film such as an LTO or the like.例文帳に追加
半導体ウェーハの製造方法及び製造装置において、LTO等の保護膜を形成する工程を追加する必要が無く、片面研磨でも低コストで両面研磨と同様の高平坦度を得ること。 - 特許庁
When the area of the positive electrode active material layer is formed so as to be larger than that of the negative electrode active material layer, all LTO (Lithium Titanium Oxide) contained in the negative electrode active material layer is used for charge and discharge.例文帳に追加
このように正極活物質層の面積が負極活物質層の面積より大きく形成される場合、負極活物質層に含まれた全てのLTO(Lithium Titanium Oxide)が充放電に使われる。 - 特許庁
The titanium oxide system dielectric film 32 is formed by LTO (LaTiO) containing lanthanum (La) which is not included in the first and second titanium oxide films 31a, 31b, in addition to titanium (Ti) which is included in the first and second titanium oxide films 31a, 31b.例文帳に追加
酸化チタン系誘電体膜32は、第1の酸化チタン膜31a及び第2の酸化チタン膜31bに含まれているチタン(Ti)に加えて、第1の酸化チタン膜31a及び第2の酸化チタン膜31bに含まれていないランタナム(La)を含んだLTO(LaTiO)で形成されている。 - 特許庁
The image sensor comprises: a lower structure having a photodiode and wiring; a protective film formed on the lower structure; a thermosetting resin film formed on the protective film; a color filter array formed on the thermosetting resin film; a microlens array formed on the color filter array; and an LTO (Low Temperature Oxide) film formed on the microlens array.例文帳に追加
本実施形態に係るイメージセンサは、フォトダイオードと配線が備えられた下部構造物と、下部物の上に形成された保護膜と、保護膜の上に形成された熱硬化性樹脂膜と、熱硬化性樹脂膜の上に形成されたカラーフィルタアレイと、カラーフィルタアレイの上に形成されたマイクロレンズアレイと、マイクロレンズアレイの上に形成されたLTO(Low Temperature Oxide)膜と、を含む。 - 特許庁
The electrode assembly includes a positive electrode with a positive electrode active material layer, a negative electrode provided with a negative electrode active material layer including LTO (Lithium Titanium Oxide), and a separator interposed between the positive electrode and the negative electrode and an area of the positive electrode active material layer is formed so as to be larger than that of the negative electrode active material layer.例文帳に追加
本発明によれば、電極組立体は、正極活物質層が備えられた正極と、LTO(Lithium Titanium Oxide)を含む負極活物質層が備えられた負極と、正極と負極の間に介在されるセパレーターとを含み、正極活物質層の面積が負極活物質層の面積より大きく形成される。 - 特許庁
When a CPU 11 of a DAB (digital audio broadcasting) receiver receives a DAB radio wave in time data display processing, the CPU 11 applies demodulation processing and digital conversion processing to the radio wave by a DAB receiving part 17 to acquire FIG data and extracts LTO or UTC data from the FIG data according to data of a time setting method stored in a storage device 14.例文帳に追加
DAB受信機1のCPU11は、時刻データ表示処理において、DABの電波を受信した場合に、DAB受信部17によりこの電波に復調処理やデジタル変換処理を施してFIGデータを取得し、記憶装置14に記憶された時刻の設定方法のデータに従ってFIGデータからLTOまたはUTCのデータを抽出する。 - 特許庁
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