「MICROPIPE」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The micropipe density represents a count of the total micropipes on the surface divided by the surface area of the wafer.例文帳に追加

なお、マイクロパイプ密度は、表面上にある全マイクロパイプの総数を、ウェハの表面積で割ったものを表す。 - 特許庁

To produce a single crystal SiC epitaxial film which is less in micropipe defects and high in reproducibility and uniformity of film thickness.例文帳に追加

マイクロパイプ欠陥が少なく、膜厚の再現性および均一性が高い単結晶ＳｉＣエピタキシャルを生成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for preventing deterioration in element characteristics caused by a micropipe and transition and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

マイクロパイプや転移に起因する素子特性の低下のない半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device that can block a micropipe existing in an SiC substrate.例文帳に追加

ＳｉＣ基板に存在するマイクロパイプを、閉塞させることが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To produce a high grade single crystal at high productivity, hardly containing lattice defect and micropipe defect.例文帳に追加

格子欠陥およびマイクロパイプ欠陥の非常に少ない高品位の単結晶を非常に生産性よく製造することができるようにする。 - 特許庁

In particular, the micropipe defect and in-base-plane defect can be discriminated from other defects by using the classifying method.例文帳に追加

特に、本発明による分類方法を用いることにより、マイクロパイプ欠陥及び基底面内欠陥を他の欠陥から区別することが可能である。 - 特許庁

To provide an epitaxial growth method for a silicon carbide single crystal which method hardly causes micropipe defects and improves the crystal growth rate.例文帳に追加

マイクロパイプ欠陥が発生しにくく、かつ結晶成長速度を向上させた炭化珪素単結晶のエピタキシャル成長方法を提供する。 - 特許庁

To reduce dislocation not only within a micropipe but also the surface of a base bottom, and to reduce lamination defects in a manufacturing method of an SiC substrate, the SiC substrate, and a semiconductor device.例文帳に追加

ＳｉＣ基板の製造方法及びＳｉＣ基板並びに半導体装置において、マイクロパイプだけでなく基底面内転位及び積層欠陥も低減すること。 - 特許庁

To provide an inspecting device that detect micropipe defects formed in an SiC substrate and an epitaxial layer and a defect in a base surface with high precision, and discriminates them from other defects.例文帳に追加

SiC基板及びエピタキシャル層に形成されたマイクロパイプ欠陥及び基底面内欠陥を高精度に検出でき、他の欠陥から区別できる検査装置を実現する。 - 特許庁

To eliminate the influence of micropipes, and to manufacture the silicon carbide rectifying element of a large area, using a silicon carbide substrate including the micropipe.例文帳に追加

マイクロパイプを含む炭化珪素基板を用いた炭化珪素整流素子において、マイクロパイプの影響を無くし、大面積の炭化珪素整流素子を歩留まりよく製造する。 - 特許庁

To produce a large, high purity, high-quality single crystal hardly containing grain boundary, micropipe defect, etc.例文帳に追加

非常に大型で、しかも、結晶粒界、マイクロパイプ欠陥等が非常に少ない上に高純度できわめて良質の単結晶を生産性よく製造することができるようにする。 - 特許庁

To provide a high quality, high performance single crystal of SiC not only little in the generation of micropipe defects and interface defects, but having a wide terrace and high in the flatness of the surface.例文帳に追加

マイクロパイプ欠陥や界面欠陥等の発生が少ないとともに、幅広なテラスを有し表面の平坦度の高い、高品質、高性能な単結晶SiCの提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high quality and high performance single crystal silicon carbide which has a micropipe defect density in the surface of ≤1 piece/cm^2, a broad terrace, and a surface with a high flatness.例文帳に追加

表面のマイクロパイプ欠陥密度が１／ｃｍ^2以下で、幅広なテラスを有し表面の平坦度の高い、高品質、高性能な単結晶ＳｉＣの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide high-quality, high-performance single crystal SiC which has high smoothness and forms few micropipe defect, interface defect, etc., by controlling the film thickness of the single crystal SiC at growth.例文帳に追加

成長時に単結晶SiCの膜厚を制御することにより、マイクロパイプ欠陥や界面欠陥等の発生が少なく平坦度の高い、高品質、高性能な単結晶SiCを提供する。 - 特許庁

To realize a semiconductor device having a semiconductor element made of single crystal SiC by solving a problem of micropipe defect and utilizing characteristics of high temperature, high breakdown strength and high reliability.例文帳に追加

単結晶ＳｉＣから構成される半導体素子を有する半導体デバイスを、マイクロパイプ欠陥を克服して高温、高耐圧、高信頼性の特性を活かして実現する。 - 特許庁

To provide a method for producing a silicon carbide single crystal capable of producing a single crystal silicon carbide wafer having a very low micropipe density and a large diameter.例文帳に追加

本発明は、マイクロパイプ密度が極めて小さく、かつ、大口径の単結晶炭化珪素ウエハを取り出せる、炭化珪素単結晶の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a silicon carbide single crystal with a large diameter and high quality, including little micropipe defects, screw dislocation and edge dislocation, a silicon carbide substrate and a method for manufacturing the substrate.例文帳に追加

マイクロパイプ欠陥，螺旋転位，及び刃状転位をほとんど含まず，大口径高品質の炭化珪素単結晶、炭化珪素基板及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing long high-quality single crystal SiC, having a large diameter and a fast growing speed while suppressing defects such as a micropipe, and to provide a manufacturing device that can be suitably used for the above method.例文帳に追加

成長速度が速く、マイクロパイプ等の欠陥を抑制した高品質な長尺、大口径の単結晶ＳｉＣの製造方法及び製造方法に好適に使用可能な製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing, at a high speed, a single crystal SiC scarcely generating micropipe (microvoid) defects, interface defects or the like and having high purity, extremely high quality and high performance.例文帳に追加

マイクロパイプ欠陥や界面欠陥等の発生が少ないとともに、純度も高くて非常に高品質、高性能な単結晶ＳｉＣを高速度に成長させることができる単結晶ＳｉＣの育成方法を提供する。 - 特許庁

The single crystal wafer of SiC has a diameter of at least about 100 mm, a micropipe density of less than about 25 cm^-2, and a polytype selected from a group consisting of 3C, 4H, 6H, 2H and 15R polytypes.例文帳に追加

少なくとも約１００ｍｍの直径と、約２５ｃｍ^−２未満のマイクロパイプ密度とを有し、また、３Ｃ、４Ｈ、６Ｈ、２Ｈおよび１５Ｒポリタイプからなる群から選択されるポリタイプを有するＳｉＣ単結晶ウェハ。 - 特許庁

To provide high-quality, high-performance single crystal SiC which has a wide terrace and high smoothness and forms few micropipe defect, interface defect, etc., by controlling the film thickness of the single crystal SiC at growth.例文帳に追加

成長する単結晶SiCの膜厚を制御することにより、マイクロパイプ欠陥や界面欠陥等の発生が少ないとともに、幅広なテラスを有し表面の平坦度の高い、高品質、高性能な単結晶SiCを提供すること。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SIC CRYSTAL TO REDUCE MICROPIPE PROPAGATING FROM SUBSTRATE AND SiC CRYSTAL, SiC SINGLE CRYSTAL FILM, SiC SEMICONDUCTOR ELEMENT, SiC SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND ELECTRONIC DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SiC BULK CRYSTAL例文帳に追加

基板から継続するマイクロパイプを低減させるＳｉＣ結晶の製造方法およびＳｉＣ結晶、ＳｉＣ単結晶膜、ＳｉＣ半導体素子、ＳｉＣ単結晶基板および電子デバイス、ならびにＳｉＣバルク結晶の製造方法 - 特許庁

To produce a high quality large SiC single crystal which has very few micropipe defects or other defects such as grain boundaries and is capable of sufficiently meeting the requirements for a semiconductor device, with excellent productivity.例文帳に追加

マイクロパイプ欠陥や結晶粒界等の欠陥が非常に少なくて半導体デバイスとしての要求を十分に満たす高品質かつ大型の単結晶ＳｉＣを非常に生産性よく製造することができるようにする。 - 特許庁

At this time, on the surface side of the substrate, the epitaxial growth proceeds by a CVD method, the gas of SiC sublimated from the vicinity 12b of the back surface of the substrate is recrystalized in the vicinity 12a of the surface of the substrate and the micropipe defect 11 is clogged.例文帳に追加

そして、基板表面側はＣＶＤ法によりエピタキシャル成長が進行しており、基板裏面近傍１２ｂから昇華したＳｉＣの昇華ガスは、基板表面近傍１２ａにて再結晶化し、マイクロパイプ欠陥１１が閉塞する。 - 特許庁

To grow a very high quality, every high performance and large-size SiC single crystal with good productivity without causing crystal defects, micropipe defects or the like due to the influence of a contamination by impuri ties and thermal strain in the growth process.例文帳に追加

成長過程での不純物の混入及び熱歪みの影響による結晶欠陥やマイクロパイプ欠陥等の発生がなく、非常に高品質、高性能で、かつ、大型の単結晶ＳｉＣを生産性よく育成することができるようにする。 - 特許庁

To provide a production method of a silicon carbide single crystal that can suppress generation of micropipe defects, has a different type of polymorphism from that of silicon carbide used for a sublimation raw material and has little commingling of silicon carbide having other types of polymorphism.例文帳に追加

マイクロパイプの発生を抑制できる上に、更に昇華用原料として用いる炭化珪素と異なる多形を有すると共に、他種類の多形の炭化珪素の混入の少ない炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, the succession of the defect growth of the micro pipe 5 in the seed crystal 4 can be suppressed, while the part of the seed crystal stays on the upper stream side, and the succession of the defect growth of the micropipe 5 can be inhibited all over the growing faces of the silicon carbide single crystal 6.例文帳に追加

これにより、炭化珪素単結晶６の成長面の全体においてマイクロパイプ欠陥５の継承を停止させることができ、炭化珪素単結晶６の成長面全体においてマイクロパイプ欠陥５の継承を防止できる。 - 特許庁

Therein, surface temperature of the SiC substrate is lower than back surface temperature thereof, therefore, the gas sublimated from the vicinity 12b of the back surface of the substrate having a high temperature is moved to the vicinity 12a of the surface of the substrate having a low temperature through a micropipe defect 11 which is hollow.例文帳に追加

そして、ＳｉＣ基板裏面より基板表面の温度が低くなっていることから、温度が高い基板裏面近傍１２ｂから昇華したガスが中空であるマイクロパイプ欠陥１１を通して、温度の低い基板表面近傍１２ａに移動する。 - 特許庁

To provide a method with which silicon carbide monocrystal which is excellent in dielectric breakdown property, heat resistance and radiation resistance, etc., is suitable for electronic and optical device, etc., is free from the contamination of polycrystal and polymorphism and the defect such as micropipe and is high quality can be efficiently manufactured in the form of large diameter in the state having no breakage, etc.例文帳に追加

絶縁破壊特性、耐熱性、耐放射線性等に優れ、電子・光学デバイス等に好適で、多結晶や多型の混入やマイクロパイプ等の欠陥のない高品質な炭化ケイ素単結晶を割れ等がない状態で大口径に効率よく製造し得る方法の提供。 - 特許庁

To provide a production method of a silicon carbide single crystal, by which both of micropipe defects and void defects in a seed crystal are suppressed, and thereby a high-quality silicon carbide single crystal can be produced in a process of producing a silicon carbide single crystal by an improved Rayleigh method.例文帳に追加

改良レーリー法により炭化ケイ素単結晶を製造するときに、種結晶のマイクロパイプ欠陥及びボイド欠陥を共に抑制し、これにより品質の高い炭化ケイ素単結晶を製造することのできる炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

When the silicon vapor pressure atmosphere is made higher than the silicon saturated vapor pressure, namely in a state rich in silicon, sublimation of silicon from the coating material 5 can be prevented and micropipe defects 4a can be surely covered with the coating material 5 in the heat treatment.例文帳に追加

このように、珪素飽和蒸気圧より高い珪素蒸気圧雰囲気、つまり珪素リッチの状態になるようにすれば、被覆材料５からの珪素の昇華を防止することができ、熱処理時に被覆材料５によってマイクロパイプ欠陥４ａが確実に覆われるようにすることができる。 - 特許庁

To provide the growth method that enables the growth of a high quality large SiC crystal which has no crystal defects causing defectiveness of device operation, such as micropipe or polytype inclusion within the crystal, and also, contains drastically reduced concentration of residual impurities greatly affecting electric characteristics of the crystal.例文帳に追加

デバイス動作不良の原因となるマイクロパイプ、ポリタイプの混在等の結晶欠陥が無く、結晶の電気的特性に大きく影響を与える残留不純物濃度も大幅に低減された高品質でかつ大型のＳｉＣ結晶を育成可能なＳｉＣ結晶の液相エピタキシャル成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method capable of manufacturing an SiC high breakdown voltage semiconductor in high yield and throughput by enabling vapor epitaxial growing of a semiconductor single crystal silicon carbide (SiC) film by using a polycrystal silicon carbide (SiC) substrate having ion-implanted impurity atoms as a source in addition to recovering micropipe defects of a single crystal silicon carbide (SiC) in a short time.例文帳に追加

単結晶炭化ケイ素（ＳｉＣ）のマイクロパイプ欠陥を短時間で修復することに加えて、不純物原子をイオン注入した多結晶炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板をソースとして半導体単結晶炭化ケイ素（ＳｉＣ）膜を気相エピタキシャル成長することを可能とし、ＳｉＣ高耐圧半導体が高い歩留まりとスループットで生産可能となる方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of silicon carbide substrate is characterized in manufacturing a substrate including a single crystal layer formed on a polycrystal substrate with the steps of preparing at least for single crystal silicon carbide substrate having density of micropipe of 30 pieces/cm^2 or less and polycrystal silicon carbide substrate and then bonding the single crystal silicon carbide substrate and the polycrystal silicon carbide substrate, and thereafter making thinner the single crystal silicon carbide substrate.例文帳に追加

炭化珪素基板の製造方法であって、少なくとも、マイクロパイプの密度が３０個／ｃｍ^２以下の単結晶炭化珪素基板と多結晶炭化珪素基板を準備し、前記単結晶炭化珪素基板と前記多結晶炭化珪素基板とを貼り合わせる工程を行い、その後、前記単結晶炭化珪素基板を薄膜化する工程を行い、多結晶基板上に単結晶層を形成した基板を製造することを特徴とする炭化珪素基板の製造方法。 - 特許庁