「Memory method」に関連した英語例文の一覧と使い方(124ページ目) - Weblio英語例文検索

METHOD OF ISOLATING SELF ALIGN SHALLOW TRENCH ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING NONVOLATILE MEMORY DEVICE UTILIZING THIS例文帳に追加

セルフアライン−シャロートレンチ素子分離法及びこれを利用した不揮発性メモリ装置の製造方法 - 特許庁

ELECTRONIC EQUIPMENT CONTROL METHOD BY USING DETACHABLE MEMORY COMPONENT, AND ELECTRONIC EQUIPMENT TO WHICH THE METHOD IS APPLIED例文帳に追加

着脱自在メモリー部品を用いた電子機器制御方法及びそれが実施される電子機器 - 特許庁

DIFFUSION PREVENTION FILM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AS WELL AS SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

拡散防止膜およびその製造方法および半導体記憶素子およびその製造方法 - 特許庁

IMAGE-FORMING APPARATUS, IMAGE-PROCESSING APPARATUS, METHOD FOR SYNTHESIZING IMAGE, METHOD FOR PROCESSING IMAGE, AND MEMORY MEDIUM例文帳に追加

画像形成装置、画像処理装置、画像合成方法、画像処理方法、及び記憶媒体 - 特許庁

METHOD FOR UPDATING TRIE TYPE ASSOCIATIVE MEMORY, AND ROUTER FOR EXECUTING THE METHOD例文帳に追加

ＴＲＩＥタイプの連想メモリを更新する方法およびこのような方法を実行するルータ - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND VIRTUAL GROUND ARRAY CONNECTION METHOD例文帳に追加

半導体記憶装置、その製造方法および半導体記憶装置の仮想グランドアレイ接続方法 - 特許庁

FORMING METHOD OF CAPACITOR INSULATING FILM, FORMING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, MANUFACTURING APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

キャパシタ絶縁膜の形成方法、半導体記憶装置の形成方法、半導体製造装置 - 特許庁

IMAGE PROCESSING SYSTEM, CONTROL METHOD THEREFOR, IMAGE PROCESSOR, CONTROL METHOD THEREFOR AND COMPUTER READABLE MEMORY例文帳に追加

画像処理システム及びその制御方法、画像処理装置及びその制御方法、コンピュータ可読メモリ - 特許庁

TEST-WRITE-IN METHOD FOR CELL ARRAY OF SEMICONDUCTOR MEMORY, AND CIRCUIT PERFORMING THE METHOD例文帳に追加

半導体メモリーのセルアレイへの試験的書き込み方法およびその方法を実行する回路 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

半導体装置およびその製造方法並びに半導体記憶装置およびその製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, FERROELECTRIC MEMORY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

半導体装置およびその製造方法、並びに、強誘電体メモリ装置およびその製造方法 - 特許庁

CARD ISSUING METHOD, DATA RESTORING METHOD FOR CARD, AND CARD WITH READABLE/WRITABLE MEMORY例文帳に追加

カード発行方法およびカードのデータ回復方法および読み書き可能なメモリを有したカード - 特許庁

DEVICE, METHOD, AND SYSTEM FOR MEMORY MEDIUM PROCESSING, AND GAME MANAGEMENT METHOD例文帳に追加

記憶媒体処理装置、記憶媒体処理方法、記憶媒体処理システムおよび遊技管理方法 - 特許庁

MSM CURRENT LIMITING ELEMENT, RESISTIVE MEMORY ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD AND OPERATING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ＭＳＭ電流制限素子および抵抗メモリ素子、ならびにその製造方法および操作方法 - 特許庁

RESISTANCE CHANGE TYPE NONVOLATILE MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND METHOD OF FORMING RESISTANCE CHANGE LAYER例文帳に追加

抵抗変化型不揮発性メモリおよびその製造方法ならびに抵抗変化層の形成方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY AND ITS CONTROL METHOD, METHOD OF DECIDING WHETHER TO RECOVER DEFECTIVE ADDRESS OR NOT例文帳に追加

半導体記憶装置及びその制御方法、並びに不良アドレスの救済可否判定方法 - 特許庁

PORTABLE TERMINAL, MEMORY CARD, MANAGEMENT TERMINAL, PORTABLE TERMINAL CONTROL SYSTEM, USE LIMITING METHOD AND SAVING METHOD例文帳に追加

携帯端末、メモリカード、管理端末、携帯端末制御システム、使用制限方法及び退避方法 - 特許庁

METHOD FOR OPERATING NONVOLATILE CHARGE TRAPPING MEMORY DEVICE, AND METHOD FOR DETERMINING STATE OF PROGRAMMING/DELETING例文帳に追加

不揮発性電荷トラッピングメモリデバイスの動作方法およびプログラミング／消去の状態の決定方法 - 特許庁

To provide a memory controller which can improve throughput in a flash memory system using a plurality of flash memories, the flash memory system equipped with the memory controller, and a control method of flash memories.例文帳に追加

複数のフラッシュメモリを用いたフラッシュメモリシステムで、処理効率を向上させることができるメモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びに、フラッシュメモリの制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a processor, a memory test method, and a memory test system capable of an operation test of a built-in data memory by a passage similar to a case of making access to the built-in data memory at ordinary operation time (command executing time).例文帳に追加

通常の動作時（命令実行時）に内蔵データメモリにアクセスする場合と同様の経路により内蔵データメモリの動作テストが可能なプロセッサ、メモリテスト方法、メモリテストシステムを提供する。 - 特許庁

To provide a memory control apparatus and a memory control method in which the reduction of a memory band width can be effectively avoided even if the refresh processing of a DRAM and normal memory access processing are executed simultaneously.例文帳に追加

ＤＲＡＭのリフレッシュ処理と通常のメモリアクセス処理とが重なったときにもメモリバンド幅の低下を有効に回避させることが可能なメモリ制御装置およびメモリ制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory having configuration enabling a leakage defect of a memory cell to be detected regardless of a data value of the memory cell, and to provide a method for detecting the leakage defect of the nonvolatile semiconductor memory.例文帳に追加

メモリセルのデータ値の如何にかかわらずメモリセルのリーク不良を検出することができるような構成の不揮発性半導体メモリ及びそのリーク不良検出方法を提供する。 - 特許庁

To provide bias to a plurality of memory sectors in a memory element by bulk of a smaller region in a non-volatile memory element of especially a flash type and providing method for bias in a memory element.例文帳に追加

特にフラッシュ型の不揮発性のメモリ素子、およびメモリ素子内のバイアス付与方法に関し、より小さな領域のバルクによってメモリ素子内の複数のメモリ・セクタにバイアスを付与することを目的とする。 - 特許庁

To manage the free space of a buffer memory through a small memory space and easily determine an overflow of the buffer memory, in a chain system buffer memory device and a free space management method therefor.例文帳に追加

チェーン方式によるバッファメモリ装置及びその空き領域管理方法に関し、バッファメモリの空き領域の管理を少ないメモリ領域で行い、また、バッファメモリのオーバーフローを簡易に判定可能にする。 - 特許庁

MEMORY, METHOD FOR OPERATING MEMORY HAVING A PLURALITY OF ROW DECODER CIRCUIT RELATED TO SUBARRAY OF AT LEAST ONE MEMORY BANK AND AT LEAST ONE MEMORY BANK INCLUDING A PLURALITY OF SUBARRAY例文帳に追加

メモリ、ならびに複数のサブアレイを含む少なくとも１つのメモリバンクおよび少なくとも１つのメモリバンクのサブアレイに関連付けられる複数のロウデコーダ回路を有するメモリを動作させるための方法 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory cell capable of electrically obtaining operation of a nonvolatile memory in simple structure by means of an organic transistor, nonvolatile memory and control method of the nonvolatile memory cell.例文帳に追加

有機トランジスタにより簡単な構造で電気的に不揮発性メモリの動作が得られる不揮発性記憶素子及び不揮発性メモリ並びに不揮発性記憶素子の制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory system which includes a memory controller equipped with an address-scrambling function to a flash memory device which stores 2N+1 bit data, and also provide a method for scrambling address data in the memory system.例文帳に追加

２Ｎ＋１ビットデータを格納するフラッシュメモリ装置に対するアドレススクランブル機能付きメモリ制御器を含むメモリシステム、およびそのメモリシステムにおいてアドレスデータをスクランブルする方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for writing data in a semiconductor memory device and a semiconductor memory device which suppress a variation in a reading current in a sub-memory region that becomes a reference cell of a memory cell of a semiconductor memory device, and can reduce an erroneous determination when determining the reading current of the memory cell.例文帳に追加

半導体記憶装置のメモリセルの参照セルとなる副記憶領域の読出し電流の変動を抑制して、メモリセルの読出し電流の判定時における誤判定を低減することができる半導体記憶装置へのデータの書込み方法及び半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

According to one aspect, a method for utilizing a memory system that has a nonvolatile memory with at least one reserved memory area includes steps of: providing a power to the memory system; initializing the nonvolatile memory; and writing a first signature into the reserved memory area.例文帳に追加

本発明のある局面によると、少なくとも１つの保留メモリ領域を含む不揮発性メモリを有するメモリシステムを利用する方法は、電力をメモリシステムに提供する工程と、不揮発性メモリを初期化する工程と、第１の署名を保留メモリ領域に書き込む工程とを含む。 - 特許庁

The method for judging correct lamination of a tape member comprises a step of storing the imaging pattern of the board 2A in a first memory 73 (first memory) before the ACF4 is adhered.例文帳に追加

ＡＣＦ４が貼付される前の基板２Ａの撮像パターンを第１メモリ７３（第１のメモリ）に記憶する。 - 特許庁

To provide a device and a method for verifying program operation of a nonvolatile memory and a memory card including this device.例文帳に追加

不揮発性メモリのプログラム動作を検証する装置及び方法、並びにその装置を含むメモリカードを提供する。 - 特許庁

MEMORY MEDIUM STORED WITH GAME PROGRAM, GAME CONTROL METHOD, AND GAME APPARATUS CAPABLE OF READING DATA FROM THE MEMORY DEDIUM例文帳に追加

ゲームプログラムを記憶した記憶媒体、ゲーム制御方法及び、前記記憶媒体からデータの読取が可能なゲーム装置 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an MFMOS memory transistor and an MFMS memory transistor, in which precision etching treatment is not required.例文帳に追加

精密なエッチング処理を必要としない、ＭＦＭＯＳおよびＭＦＭＳメモリトランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a memory arbitration circuit and a memory arbitration method for further shortening the latency of one bus master.例文帳に追加

一方のバスマスタのレイテンシをより短くすることができるメモリ調停回路及びメモリ調停方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a device for adjusting memory operation between memory components arranged in various positions.例文帳に追加

さまざまな位置に配置されたメモリ・コンポーネントの間でメモリ動作を調整する方法および装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory device having a memory cell including a high coupling ratio and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

高いカップリング比を有するメモリセルを備えた不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁

CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SLURRY COMPOSITION FOR PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE POLISHING AND METHOD OF POLISHING PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

相変化メモリデバイスの研磨用化学機械研磨用スラリー組成物およびそれを使った相変化メモリデバイスの研磨方法 - 特許庁

MEMORY MODULE SYSTEM CONNECTING ONLY SELECTED MEMORY MODULE TO DATA LINE AND DATA INPUT/OUTPUT METHOD UTILIZING THE SYSTEM例文帳に追加

選択されるメモリモジュールのみをデータラインに連結するメモリモジュールシステム及びこれを利用したデータ入出力方法 - 特許庁

DATA-DRIVEN TAG TABLE APPARATUS, DATA-DRIVEN CACHE MEMORY, AND READ AND WRITE METHOD IN DATA-DRIVEN CACHE MEMORY例文帳に追加

データ駆動型タグテーブル装置及びデータ駆動型キャッシュメモリ並びにデータ駆動型キャッシュメモリでのリード及びライト方法 - 特許庁

To provide a memory device lowering a contact resistance between a silicon diode and an electrode film, and to provide a method of manufacturing the memory device.例文帳に追加

シリコンダイオードと電極膜との間のコンタクト抵抗が低い記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, along with its manufacturing method, that comprises a memory cell containing a TMR film whose memory accuracy does not degrade.例文帳に追加

記憶精度が劣化しないＴＭＲ膜を含むメモリセルを有する半導体装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which can increase a storage data value per bit and to provide a method of manufacturing the semiconductor memory device.例文帳に追加

１ビットあたりの記憶データ値を増やすことが可能な半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for storing Encrypted information into flash memory and a drive for flash memory, which have improved concealment.例文帳に追加

秘匿性が向上されたフラッシュメモリへの暗号情報の格納方法およびフラッシュメモリ用ドライブを提供する。 - 特許庁

To provide a flash memory device for narrowing a threshold value voltage distribution of programmed memory cells, and to provide an operation method.例文帳に追加

プログラムされたメモリセルのしきい値電圧分布を狭めることができるフラッシュメモリ装置及び動作方法を提供する。 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY DEVICE INCLUDING MEMORY CELL HAVING DIFFERENT PHASE CHANGE MATERIALS, AND METHOD AND SYSTEM RELATED TO THE SAME例文帳に追加

互いに異なる相変化物質を備えたメモリセルを有する相変化メモリ素子、それに関連した方法及びシステム - 特許庁