「N layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

A cathode electrode film 19 is formed on the rear surface of the n+ cathode layer 11.例文帳に追加

ｎ^^+ カソード層１１の裏面には、カソード電極膜１９が形成されている。 - 特許庁

The n^- semiconductor area 5 and the source metallic layer 4 are Schottky-joined with each other.例文帳に追加

ｎ-半導体領域５とソース金属層４とはショットキー接合されている。 - 特許庁

The p-type impurity layer 60 is formed between the n-type impurity layers 50.例文帳に追加

ｐ型不純物層６０はｎ型不純物層５０間に形成されている。 - 特許庁

Of the laminated structure, the upper layer part of n-InP clad layer, an active layer, the lower-part p-InP clad layer, the AlInAs layer, the upper-part p-InP clad layer, and the p-GaInAs contact layer are formed as a stripe-like ridge 33.例文帳に追加

積層構造のうち、ｎ−ＩｎＰクラッド層の上層部、活性層、下部ｐ−ＩｎＰクラッド層、ＡｌＩｎＡｓ層、上部ｐ−ＩｎＰクラッド層、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層は、ストライプ状リッジ３３として形成されている。 - 特許庁

The substrate for the light-emitting element includes a semiconductor layer (an n-type semiconductor layer 5, a light-emitting layer 6, a p-type semiconductor layer 7, and a substrate 4) including the light-emitting layer 6, and the base substrate 2 bonded to the semiconductor layer through an intermediate layer 35.例文帳に追加

発光素子用基板は、発光層６を含む半導体層（ｎ型半導体層５、発光層６、ｐ型半導体層７、基板４）と、半導体層と中間層３５を介して接合された基礎基板２とを備える。 - 特許庁

A semiconductor laser having a structure laminating a buffer layer 11, a grating layer 2, a grating buried layer 3, a light confinement layer 4, a multiple quantum well active layer 5, a light confinement layer 6, and a clad layer 7 is formed on an n-type substrate 1.例文帳に追加

ｎ型基板１の上に、バッファ層１１、回折格子層２、回折格子埋込層３、光閉込層４、多重量子井戸活性層５、光閉込層６、クラッド層７を積層した構造の半導体レーザが形成されている。 - 特許庁

This semiconductor laser 10 has a double-heterojunction multiplayer structure of a 1st buffer layer 14, a 2nd buffer layer 16, an n-type clad layer 18, an active layer/guide layer 20, a p-type clad layer 22, and a p-type cap layer 24 on a substrate 12.例文帳に追加

本半導体レーザ素子１０は、基板１２上に、第１バッファ層１４、第２バッファ層１６、ｎ型クラッド層１８、活性層／ガイド層２０、ｐ型クラッド層２２、及びｐ型キャップ層２４のダブルヘテロ接合積層構造を備える。 - 特許庁

After the second process, n^+ impurity regions 3 and 5 are formed at regions overlapped with the n-type impurity region by implanting ions into the n-type impurity region in the n^- epitaxial layer 2 (the third process).例文帳に追加

第２工程後、ｎ^-エピタキシャル層２におけるｎ型不純物領域にイオン注入し、ｎ型不純物領域と重なる領域にｎ^+不純物領域３および５を形成する（第３工程）。 - 特許庁

At the time of forming an n--type drift area 1c and a p-type base region 2 and an n+-type source region 3, an n--type well layer 11 and a p-type base region 12 and an n+-type region 13 are also formed at the time same.例文帳に追加

ｎ^-型ドリフト領域１ｃ、ｐ型ベース領域２、及びｎ^+型ソース領域３の形成時に、ｎ^-型ウェル層１１、ｐ型ベース領域１２、及びｎ^+型領域１３も同時に形成する。 - 特許庁

Then an n^--type gate silicon area 110 and an n^+-gate silicon area 111 are formed by injecting ions of n-type impurities into a part where a metal film 108 of the n-type gate silicon layer 105 and p-type gate silicon layer 107 is removed ((f) in Fig.).例文帳に追加

Ｎ型ゲートシリコン層１０５及びＰ型ゲートシリコン層１０７の金属膜１０８が除去された部分に、Ｎ型不純物をイオン注入して、Ｎ^-型ゲートシリコン領域１１０及びＮ^+型ゲートシリコン領域１１１を形成する（図２（ｆ））。 - 特許庁

Then, an n-type semiconductor layer 35 is selectively formed in the recess 23 in a contact state with the n-type impurity region 19r, thus forming a photoelectric conversion unit which includes the n-type impurity region 19r and the n-type semiconductor layer 35.例文帳に追加

その後、凹部２３内にｎ型不純物領域１９ｒに接する状態で選択的にｎ型半導体層３５を形成し、ｎ型不純物領域１９ｒとｎ型半導体層３５とからなる光電変換部を形成する。 - 特許庁

The silicon carbide semiconductor substrate 100 has a silicon carbide mono crystal substrate 101 with an N-doped n-type SiC epitaxial layer 102 with nitrogen (N) doped and a P-doped n-type SiC epitaxial layer 103 with a phosporous (P) doped sequentially laminated.例文帳に追加

炭化珪素半導体基板１００は、炭化珪素単結晶基板１０１上に、窒素（Ｎ）をドープしたＮドープｎ型ＳｉＣエピタキシャル層１０２、およびリン（Ｐ）をドープしたＰドープｎ型ＳｉＣエピタキシャル層１０３が順に積層されている。 - 特許庁

In the MRAM with this constitution, the resistant value between the first magnetic material layer and the (n+1)-th magnetic material layer can be different values of {(n^2+n+2)/2} pieces or more, according to the direction of the first-(n+1)-th spontaneous magnetization.例文帳に追加

このような構成を有する当該磁性メモリでは、第１〜第（ｎ＋１）自発磁化の方向に応じて、第１磁性体層と第（ｎ＋１）磁性体層との間の抵抗値が、少なくとも｛（ｎ^２＋ｎ＋２）／２｝個以上の互いに異なる値をとり得る。 - 特許庁

Next, at least a portion of the initial oxide layer (104), overlying the heavily-doped N+ layer, is removed.例文帳に追加

次に、濃くドープされたＮ＋層の上層の初期の酸化物層（１０４）の少なくとも一部分が取除かれる。 - 特許庁

A current blocking layer 11 containing an N-type inversion region is formed on a side surface of a ridge-shaped clad layer 9.例文帳に追加

リッジ形状のクラッド層９の側面にｎ型反転領域を含む電流阻止層１１を設ける。 - 特許庁

The diameter of each pit 20 at the interface between the n-type cladding layer 13 and the light-emitting layer 14 ranges from 110 to 150 nm.例文帳に追加

ｎ型クラッド層１３と発光層１４との界面でのピット２０の直径は１１０〜１５０ｎｍである。 - 特許庁

The defect-suppressing layer 205 is of p-type, and the photodiode 208 and the inversion layer 209 are of n-type.例文帳に追加

欠陥抑制層２０５はＰ型となっており、フォトダイオード２０８と反転層２０９とはＮ型となっている。 - 特許庁

The upper surface of the third buried layer 9 is covered with a semiconductor layer 11 made of n-type InP.例文帳に追加

第３埋め込み層９の上面は、ｎ型のＩｎＰからなる半導体層１１により覆われている。 - 特許庁

An n-type body layer 63 extended from the side of a source layer 55 to the lower portion of a gate electrode 54 is formed.例文帳に追加

ソース層５５の側からゲート電極５４の下方へ延びたＮ型のボディ層６３が形成されている。 - 特許庁

This spike prevents diffusion of dopants into another layer, without having to form a p-n junction in the layer.例文帳に追加

スパイクによって、ｐｎ接合を層内に形成することなく、別の層にドーパントが拡散することが防止される。 - 特許庁

An n-type impurity layer 50 and a p-type impurity layer 60 are formed in the surface of substrate 20S.例文帳に追加

基板表面２０Ｓ内にはｎ型不純物層５０及びｐ型不純物層６０が形成されている。 - 特許庁

In the lateral junction type field effect transistor, an n-type epitaxial layer 4 and a gate region 5 are formed successively on a p^--epitaxial layer 3.例文帳に追加

ｐ^-エピタキシャル層３上に、ｎ型エピタキシャル層４とゲート領域５とが順に形成されている。 - 特許庁

A trench gate 17 is formed to get at the n-type drift layer 10 passing through the p-type base layer 11.例文帳に追加

トレンチ・ゲート１７はｐ型ベース層１１を貫通してｎ型ドリフト層１０に達するように形成されている。 - 特許庁

An inter-layer insulating layer 9 is formed which has a contact hole 9a reaching the n-type source/drain region 4.例文帳に追加

このｎ型ソース／ドレイン領域４に達するコンタクトホール９ａを有する層間絶縁層９が形成される。 - 特許庁

An n^++ diffusion layer 107 is formed on an internal side face of the groove 105 using the etching mask layer 102 as a diffusion mask.例文帳に追加

エッチングマスク層１０２を拡散マスクとして、溝１０５の内側面にＮ＋＋拡散層１０７を形成する。 - 特許庁

A resist layer is formed on the p-type substrate 1, and n-type impurity ions are implanted into the p-type substrate 1 from above the resist layer.例文帳に追加

次に、ｐ型基板１上に、レジストを形成し、レジスト上方からｎ型不純物イオンを注入する。 - 特許庁

The SiGe alloy layer 4 and the n-type diffusion layer 5 are surrounded by a side wall film 6 composed of a silicon oxide film.例文帳に追加

ＳｉＧｅ合金層４およびｎ型拡散層５は、シリコン酸化膜からなる側壁膜６で囲われる。 - 特許庁

The emitter layer 13 is N-type semiconductor region, and the second base layer 14 is a P-type semiconductor region.例文帳に追加

エミッタ層１３は、Ｎ型半導体領域であり、第２のベース層１４は、Ｐ型半導体領域である。 - 特許庁

The SiGe alloy layer 4 and the n-type diffusion layer 5 are surrounded by a sidewall film 6 made of a silicon oxide film.例文帳に追加

またＳｉＧｅ合金層４およびｎ型拡散層５は、シリコン酸化膜からなる側壁膜６で囲われる。 - 特許庁

A group of layers from the n-type contact layer 104 to the p-type contact layer 108 compose a UV-ray emission portion.例文帳に追加

ｎ型コンタクト層１０４からｐ型コンタクト層１０８までの層が紫外線発光部を構成している。 - 特許庁

The FET 101 has an n type well 122, a gate electrode 124, a source layer 125 and a drain layer 126.例文帳に追加

ＦＥＴ１０１は、ｎ型ウェル１２２，ゲート電極１２４，ソース層１２５及びドレイン層１２６を有している。 - 特許庁

The second interface layer does not exist in the first interface layer, and includes an additional element different from Si, O, and N.例文帳に追加

第２の界面層は第１の界面層内になくかつＳｉ、Ｏ及びＮと異なる添加元素を有する。 - 特許庁

An even and high-resistance N- layer con be manufactured easily on the active layer side of a laminated substrate at a low cost.例文帳に追加

張り合わせ基板の活性層側に均一で高抵抗のＮ^−層を簡単に低コストで作製できる。 - 特許庁

An n-current block layer 6 having a striped opening part 20 is formed on the p-first clad layer 5.例文帳に追加

ｐ−第１クラッド層５上にはストライプ状開口部２０を有するｎ−電流ブロック層６が形成される。 - 特許庁

On the n-type InP cladding layer 16, an insulating film 17 is formed so as to cover the upper part of the active layer 15.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰクラッド層１６上に、活性層１５の上方を覆うように絶縁膜１７を形成する。 - 特許庁

Then, a resist layer is applied on the p-type substrate 1, and n-type impurity ions are implanted into the p-type substrate 1 from above the resist layer.例文帳に追加

次に、ｐ型基板１上に、レジストを形成し、レジスト上方からｎ型不純物イオンを注入する。 - 特許庁

An n+Si layer is formed between the source electrode 110 or drain electrode 111 and semiconductor layer.例文帳に追加

ソース電極１１０あるいはドレイン電極１１１と半導体層の間にはｎ＋Ｓｉ層が形成されている。 - 特許庁

On one side of a semiconductor substrate 11, an N-type buffer layer 12 and a P-type collector layer 10 are formed.例文帳に追加

半導体基板１１の一面側には、Ｎ型バッファ層１２及びＰ型コレクタ層１０が形成される。 - 特許庁

The gallium-nitride-based semiconductor region is also situated between the n-type gallium-nitride-based semiconductor layer 15 and the light-emitting layer 17.例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体領域もｎ型窒化ガリウム系半導体層と発光層との間に位置する。 - 特許庁

An active region 13 is provided between a p-type semiconductor layer 15 and an n-type semiconductor layer 17.例文帳に追加

活性領域１３は、ｐ型半導体層１５とｎ型半導体層１７との間に設けられている。 - 特許庁

These tunnel junction structures are covered with the n-type spacer layer 25 provided on the second spacer layer.例文帳に追加

これらのトンネル接合構造は、第２のスペーサ層上に設けられたｎ型スペーサ層２５によって覆われている。 - 特許庁

A resistance circuit includes resistive elements R1, TR, and R2 comprising a p-type diffusion layer formed in an n-type layer.例文帳に追加

抵抗回路は、Ｎ型層に形成されたＰ型拡散層からなる抵抗素子Ｒ１，ＴＲ，Ｒ２を含む。 - 特許庁

It is preferable that the semiconductor light-emitting element includes an n-type semiconductor layer formed between the substrate and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ここで、基板とｐ型半導体層との間に設置されたｎ型半導体層を含むことが好ましい。 - 特許庁

An annular deep trench 6 is formed on an N^--type SOI layer 5 laminated on a BOX layer 4.例文帳に追加

ＢＯＸ層４上に積層されたＮ^−型のＳＯＩ層５に、環状のディープトレンチ６が形成されている。 - 特許庁

The collector layer 11 is an N-type semiconductor region and the first base layer 12 is a P-type semiconductor region.例文帳に追加

コレクタ層１１は、Ｎ型半導体領域であり、第１のベース層１２は、Ｐ型半導体領域である。 - 特許庁