「N layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(31ページ目) - Weblio英語例文検索

Another embodiment has a peak in the distribution in the layer thickness direction of the p-type impurity and/or the n-type impurity at the position of the hetero interface, formed by the p-type layer (4) and the n-type layer (5).例文帳に追加

一実施形態では、ｐ型層（４）と第２のｎ型層（５）とがなすヘテロ界面の位置に、ｐ型不純物および／またはｎ型不純物の層厚方向の分布のピークを有している。 - 特許庁

A transmission data extract section 23 generates transmission timing signals 26-1-26-n deciding a transmission timing to a destination line in response to the line exchange information 11 and extracts transmission B channel data 12-1-12-n from the multiplexed B channel 25 to provide an output of it to the layer 1 processing sections 1-1-1-n.例文帳に追加

送信データ抽出部２３は送信先回線への送出タイミングを決める送信タイミング信号２６-1〜２６-nを回線交換情報１１に応じて発生させ、多重化Ｂチャネル２５上から送信Ｂチャネルデータ１２-1〜１２-nを抽出してレイヤ１処理部１-1〜１-nに出力する。 - 特許庁

Impurity concentration of the n^--type impurity diffusing region 21 is lower than that of the n^+-type impurity diffusing layer 22.例文帳に追加

Ｎ^−型不純物拡散領域２１の不純物濃度はＮ^＋型不純物拡散層２２の不純物濃度よりも低い。 - 特許庁

This n-type diffusing layer 6 is formed by diffusing an n-type impurity to a part of the silicon film 5 having a partly projected cross-section.例文帳に追加

このｎ型拡散層６は断面凸状のシリコン膜５の一部にｎ型不純物を拡散させて形成したものである。 - 特許庁

A material having a refractive index n satisfying n≥NA is used as the first dielectric layer 64 to reliably attain high resolution.例文帳に追加

第１の誘電体層６４として屈折率ｎがｎ≧ＮＡとなる材料を用いて確実に高い解像度を実現する。 - 特許庁

In the breakdown- proof structure 120, an n-type high resistance layer 122 is formed on the main face of the second parallel p-n structure.例文帳に追加

耐圧構造部１２０のうち、第２の並列ｐｎ構造の主面側にはｎ型の高抵抗層１２２が形成されている。 - 特許庁

The first N^+-doped region, the first P-doped region and the N-doped layer form the vertical NPN transistor 131 of the silicon controlled rectifier 103.例文帳に追加

第一Ｎ＋ドープト領域、第一Ｐ-ドープト領及びＮ-ドープト層は、ＳＣＲ103のバーティカルＮＰＮトランジスタ131を形成する。 - 特許庁

In a semiconductor device, an N-InP buffer layer 2 0.5 to 2 μm in thickness is grown on an N-InP substrate 1 through a MOVPE method.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板１上に，ｎ−ＩｎＰバッファ層２（厚さ０．５〜２μｍ）をＭＯＶＰＥ法によって成長させる。 - 特許庁

Between the n^--type substrate 1 and the p^--type base region 2, an n^+-type carrier accumulation layer 3a or 3b is selectively formed.例文帳に追加

ｎ^−型基板１とｐ^−型ベース領域２の間にｎ^＋型キャリア蓄積層３ａ，３ｂが選択的に形成されている。 - 特許庁

At least one of the plurality of light-emitting elements has a light-emitting layer of n (natural number of n≥2) layers between a pair of electrodes.例文帳に追加

複数の発光素子のなかの少なくとも一は、一対の電極間にｎ（ｎ≧２の自然数）層の発光層を有する。 - 特許庁

The n-type diffusion layer 6 is formed by dispersing n-type impurities in a part of the silicon film 5 whose cross section has protruded contour.例文帳に追加

このｎ型拡散層６は断面凸状のシリコン膜５の一部にｎ型不純物を拡散させて形成したものである。 - 特許庁

The n^+-diffusion layer 14 is connected to the n-type well 12 regarding the diode 17, and a current is controlled by the diode 17.例文帳に追加

Ｎ＋拡散層１４は、ダイオード１７に係るＮ型ウェル１２と接続され、ダイオード１７によって電流が制御される。 - 特許庁

The buffer layer is composed of, for instance, an In_mAl_nGa_1-m-nAs (0≤m<1, 0<n≤1, 0<n+m≤1) epitaxial crystal.例文帳に追加

バッファ層は、例えばＩｎ_ｍＡｌ_ｎＧａ_１−ｍ−ｎＡｓ（０≦ｍ＜１、０＜ｎ≦１、０＜ｎ＋ｍ≦１）のエピタキシャル結晶からなる。 - 特許庁

At least one of the plurality of the light emitting elements has a light emitting layer of n layers (natural number of n≥2) between a pair of electrodes.例文帳に追加

複数の発光素子のなかの少なくとも一は、一対の電極間にｎ（ｎ≧２の自然数）層の発光層を有する。 - 特許庁

A diffusion layer depth of an N-type high concentration source region 107 is larger than that of an N-type low concentration source region 105b.例文帳に追加

Ｎ型高濃度ソース領域１０７は、Ｎ型低濃度ソース領域１０５ｂよりも拡散層深さが深くなっている。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer 3 is formed so that an n++-type drain region 104 and a p+-type well region 105 are disposed apart from each other.例文帳に追加

ｎ形半導体層３は、ｎ^++形ドレイン領域１０４とｐ^+形ウェル領域１０５とが離間して形成される。 - 特許庁

The current in the thyristor flows a path: a n+ type floating emitter layer 24-channel region-n+ type cathode layers 28, 30, and 32.例文帳に追加

サイリスタを流れた電流は、ｎ^+型フローティングエミッタ層２４−チャネル領域−ｎ^+型カソード層２８、３０、３２の経路を流れる。 - 特許庁

A joint part 33a between the N-drain region and the P-epitaxial layer 34 extends between the N+-substrate and a diaphragm of the trench.例文帳に追加

Ｎドレイン領域とＰエピタキシャル層３４との間の接合部３３ａは、Ｎ＋基板とトレンチの隔壁との間に延在する。 - 特許庁

On a top surface of an epitaxial layer 2, N type impurities are ion-implanted to form N^+ semiconductor layers 5 and 6 as a photodetection portion.例文帳に追加

エピタキシャル層２の表面上にＮ型不純物をイオン注入して、受光部となるＮ^＋半導体層５，６を形成する。 - 特許庁

An N^- silicon substrate 1 where an N^+ layer 2 is formed through a silicon oxide film 4 is formed on a P silicon substrate 3.例文帳に追加

Ｐシリコン基板３上にシリコン酸化膜４を介してＮ^+層２の形成されたＮ^-シリコン基板１が設けられている。 - 特許庁

The light-emitting diode includes: an n-type nitride semiconductor layer; a p-type nitride semiconductor layer; and an active region of multiple quantum well structure interposed between the n-type nitride semiconductor layer and the p-type nitride semiconductor layer and including an InGaN quantum well layer; and a superlattice layer intervened between the n-type nitride semiconductor layer and the active region.例文帳に追加

発光ダイオードは、ｎ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層と、前記ｎ型窒化物半導体層と前記ｐ型窒化物半導体層との間に介在され、ＩｎＧａＮ量子井戸層を含む多重量子井戸構造の活性領域と、前記ｎ型窒化物半導体層と前記活性領域との間に介在された超格子層とを含む。 - 特許庁

Subsequently, external force is applied to the modified layer 312 to divide and separate the foot portion 311 of the n layer 31 with the modified layer 312 set as a starting point.例文帳に追加

次いで改質層３１２に外力を加え、改質層３１２を起点としてｎ層３１の裾野の部分３１１を分割、分離する。 - 特許庁

The stripe structure 18 is buried by a p-type InP buried layer 19, an n-type InP buried layer 20, and a p-type InP buried layer 21.例文帳に追加

ストライプ構造１８をｐ型ＩｎＰ埋込層１９、ｎ型ＩｎＰ埋込層２０およびｐ型ＩｎＰ埋込層２１で埋め込む。 - 特許庁

An N+ channel stopper layer 30 is formed in the silicon layer 14 between the base of PTI 31 and the upper face of the BOX layer 16.例文帳に追加

ＰＴＩ３１の底面とＢＯＸ層１６の上面との間におけるシリコン層１４内には、Ｎ^+型のチャネルストッパ層３０が形成されている。 - 特許庁

A lower DBR (distributed Bragg reflector) layer 1, a core layer 2, an upper DBR layer 3, and a dielectric multilayer film 6 are sequentially layered on an n-InP substrate 11.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板１１上に下部ＤＢＲ層１、コア層２、上部ＤＢＲ層３、誘電体多層膜６が順次積層される。 - 特許庁

The light emitting element 100 has a p-electrode 103, a p-type layer 104, an active layer 105, and an n-type layer 106 on a ceramic substrate 101.例文帳に追加

発光素子１００は、セラミック基板１０１上にｐ電極１０３、ｐ型層１０４、活性層１０５、ｎ型層１０６を有している。 - 特許庁

The n-side electrode of an actual LED further comprises an Au layer 11c which is formed on the surface of the Al layer via a barrier metal layer 11b.例文帳に追加

実際のＬＥＤのｎ側電極としては、この表面にさらにバリアメタル層１１ｂを介してＡｕ層１１ｃが形成されている。 - 特許庁

It is preferable that Martens hardness of the first buffer layer, the second buffer layer, and the conductive layer as a whole is 100-500 N/mm^2.例文帳に追加

前記第１緩衝層、第２緩衝層及び導電層全体のマルテンス硬度は、１００〜５００Ｎ／ｍｍ^２であることが好ましい。 - 特許庁

The surface-emitting semiconductor laser has a lower multilayer film reflecting mirror, an n-type contact layer, an active layer, a p-type contact layer, and an upper multilayer film reflecting mirror.例文帳に追加

面発光レーザは、下部多層膜反射鏡、ｎ型コンタクト層、活性層、ｐ型コンタクト層、及び、上部多層膜反射鏡を備える。 - 特許庁

A part used for a pressure sensitive area of n-type single crystal Si layer 1 is etched up to a SiO2 layer 2 used as an etching stopper layer.例文帳に追加

ＳｉＯ_2 層２をエッチングストッパ層としてｎ型単結晶Ｓｉ層１の感圧領域に相当する部分をＳｉＯ_2 層２までエッチングする。 - 特許庁

The semiconductor layer 100 includes a p-type impurity layer 113 and an n-type impurity layer 111 that form a photoelectric conversion part 110.例文帳に追加

半導体層１００は、光電変換部１１０を構成するｐ型不純物層１１３、及びｎ型不純物層１１１を有する。 - 特許庁

A light emitting layer forming part 4 of an N-type layer 2 and a P-type layer 3 composed of GaP is subjected to liquid epitaxial growth on a GaP substrate 1.例文帳に追加

ＧａＰ基板１に、ＧａＰからなるｎ形層２およびｐ形層３の発光層形成部４を液相エピタキシャル成長する。 - 特許庁

An optical guide layer 51, an active layer 52 and an optical guide layer 53 constituted of i-type InGaAsP are formed on an n-type InP substrate 50.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板５０の上に、ｉ型ＩｎＧａＡｓＰからなる光ガイド層５１、活性層５２及び光ガイド層５３を形成する。 - 特許庁

An n-type drift layer 13 and a p-type base layer 15 are formed adjacent on the surface of a p-type semiconductor active layer 11.例文帳に追加

ｐ型の半導体活性層１１の表面にｎ型のドリフト層１３とｐ型のベース層１５とが互いに隣接するように形成される。 - 特許庁

A p-type body layer 12 is formed on a semiconductor substrate 11, and an n^--type offset layer 13 is formed to adjoin the p-type body layer 12.例文帳に追加

半導体基板１１上に、ｐ-型ボディ層１２が形成され、ｐ-型ボディ層１２に隣接してｎ-型オフセット層１３が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element comprises an n-type semiconductor layer, an electrode, a p-type semiconductor layer, and a light-emitting layer.例文帳に追加

実施形態によれば、ｎ形半導体層と、電極と、ｐ形半導体層と、発光層と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

The upper part of the spacer layer, active layer, and buffer layer is worked into a mesa- stripe, with its both sides embedded with p/n-InP layers 8/9.例文帳に追加

スペーサ層、活性層及びバッファ層の上部は、メサストライプ状に加工され、その両側はｐ／ｎ−ＩｎＰ層８／９で埋め込まれている。 - 特許庁

An n-type GaN buffer layer 1 is used as a common semiconductor layer, and a plurality of the mesa regions M are formed on the GaN buffer layer 1.例文帳に追加

ｎ型のＧａＮバッファ層１を共通の半導体層として、このＧａＮバッファ層１上に、メサ領域Ｍが複数形成される。 - 特許庁

An active layer (not shown) composed of a nitride semiconductor material is formed between the n-type semiconductor layer 2 and the p-type semiconductor layer 3.例文帳に追加

ｎ形半導体層２とｐ形半導体層３との間には窒化物半導体材料からなる活性層（図示せず）が設けられている。 - 特許庁

A flattening layer 21 is formed between the n-type gallium-nitride-based semiconductor layer 15 and the light-emitting layer 17, and includes a gallium-nitride-based semiconductor region.例文帳に追加

平坦化層２１は、ｎ型窒化ガリウム系半導体層１５と発光層との間に設けられ、また窒化ガリウム系半導体領域からなる。 - 特許庁

An emitter electrode 18 contacts the N-type emitter layer 15 and the P-type contact layer 16, while a collector electrode 21 contacts the P-type contact layer 10.例文帳に追加

エミッタ電極１８は、Ｎ型エミッタ層１５及びＰ型コンタクト層１６にコンタクトし、コレクタ電極２１は、Ｐ型コレクタ層１０にコンタクトする。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor device capable of expanding a depletion layer to both sides of a p^- type semiconductor layer and an n^- type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ^−型半導体層とｎ^−半導体層側の両方に空乏層を拡大することができる光半導体装置を提供する。 - 特許庁

A p-type InP upper clad layer 21 and a p-type InP cap layer 22 are laminated on the mesa and the n-type InP contact layer 20.例文帳に追加

メサ及びｎ−ＩｎＰコンタクト層２０上にｐ−ＩｎＰ上部クラッド層２１、及びｐ−ＩｎＰキャップ層２２が積層されている。 - 特許庁

An epitaxial layer is grown on a substrate based on such an ordinary method that an n-type layer is initially grown and then a p-type layer is grown.例文帳に追加

最初にｎ型層を成長させ、続いてｐ型層を成長させる通常の方式で、基板上にエピタキシャル層を成長させる。 - 特許庁

This n-type layer 103 is a layer consisting of the n-type Si with an impurity concentration lower than the drain layer 101 and higher than the interlayer 102, and constitutes a drift layer which becomes a main course of a current at the time of operation.例文帳に追加

このＮ型層１０３は、ドレイン層１０１よりも不純物濃度が低く、中間層１０２よりも不純物濃度が高いＮ型Ｓｉからなる層であり、動作時の電流の主経路となるドリフト層を構成している。 - 特許庁