「N layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

A drain electrode 12 is formed on the n-type GaN layer 6 (a leading-out unit 19), and a source electrode 11 is formed on the upper surface of the n-type GaN layer 8.例文帳に追加

また、ｎ型ＧａＮ層６（引き出し部１９）にはドレイン電極１２が形成され、ｎ型ＧａＮ層８の上面にはソース電極１１が形成されている。 - 特許庁

The photo-semiconductor light emitting device comprises an n-GaAs substrate (1) consisting of semiconductor single crystal having an n-side electrode (6) at the rear surface and an n1-GaAsP layer (21) formed thereon as a growth layer.例文帳に追加

裏面にｎ側電極(6)を持つ半導体単結晶から成るｎ−ＧａＡｓ基板(1)、その上に成長層として形成されたｎ１−ＧａＡｓＰ層(21)を有する。 - 特許庁

Related to an HEMT substrate 15, an n+-GaAs contact layer 14 on an n-AlGaAs electron supply layer 13 is selectively removed, to form a recess channel 23.例文帳に追加

ＨＥＭＴ基板１５におけるｎ−ＡｌＧａＡｓ電子供給層１３上のｎ^+ −ＧａＡｓコンタクト層１４が選択的に除去され、リセス溝２３が形成されている。 - 特許庁

In an embodiment, an N^- type second semiconductor layer 12 of a first conductivity type is formed on an N^++ type first semiconductor layer 11 in a semiconductor device 10.例文帳に追加

一実施形態によれば、半導体装置１０は、Ｎ^＋＋型の第１半導体層１０上にＮ^−型の第１導電型の第２半導体層１２が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device includes a photodiode having a p-type semiconductor layer 11, an n-type semiconductor layer 12, and an n-type cathode region 15 in this sequence on a p-type semiconductor substrate 10.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１０上に、ｐ型半導体層１１、ｎ型半導体層１２およびｎ型カソード領域１５をこの順に有するフォトダイオードを備える。 - 特許庁

A photoresist (unillustrated) is formed on a region 12 provided with an n-type diffusion layer.例文帳に追加

ｎ型拡散層を有する領域１２上にフォトレジスト（図示せず）を形成する。 - 特許庁

In an n-type SiCz layer etching step, the n-type SiC layer is etched through dry etching using a mixed gas comprising a gas containing F and a gas containing O.例文帳に追加

そして、ｎ型ＳｉＣｚ層エッチング工程では、Ｆを含有するガスとＯを含有するガスとを含む混合ガスを用いたドライエッチングによりｎ型ＳｉＣ層がエッチングされる。 - 特許庁

Along the side face of the deep trench 6, the drain region 16 and an N^+ type vertical conductive layer 17 connected with the N^+ type lateral conductive layer 4 is formed.例文帳に追加

またディープトレンチ６の側面に沿って、ドレイン領域１６とＮ^＋型横方向導電層４とに接続されたＮ^＋型縦方向導電層１７が形成されている。 - 特許庁

By forming a tungsten layer on an n-side contact metal layer at the n-side of an element, a barrier effect is maintained, and ohmic contact can be improved.例文帳に追加

また、素子のｎ側において、ｎ側コンタクト金属層の上にタングステン層を設けることにより、バリア効果を維持しつつ、オーミック接触を改善することができる。 - 特許庁

In addition, a barrier metal film 110 and the n^--drain layer 101 are Schottky-joined and the surface of the n^--drain layer 101 is roughed with the inverse sputtering.例文帳に追加

さらに、バリアメタル膜１１０とＮ^−型ドレイン層１０１とをショットキー接合するとともに、Ｎ^−型ドレイン層１０１の表面を逆スパッタリングして粗面化した。 - 特許庁

In the manufacturing method, a photoresist mask 12 is formed on the surface of an n^--GaN layer 11 (figure 1a).例文帳に追加

ｎ^- −ＧａＮ層１１の表面に、フォトレジストマスク１２を形成する（図１ａ）。 - 特許庁

An N^+ dispersion layer 16 introducing the N type impurity is formed in a monocrystal silicon layer 11 with an element formation area 5 divided by the insulation separation trench 6.例文帳に追加

絶縁分離トレンチ６により区画された素子形成領域５間の単結晶シリコン層１１にはＮ型不純物を導入されたＮ^＋拡散層１６が形成される。 - 特許庁

The n-type cladding layer 12 includes n-type impurities at least in the first semiconductor layer 12A of the first and second semiconductor layers 12A, 12B.例文帳に追加

ｎ型クラッド層１２は、第１半導体層１２Ａおよび第２半導体層１２Ｂのうち少なくとも第１半導体層１２Ａにｎ型不純物を含んでいる。 - 特許庁

An N type epitaxial layer 2 is formed on the front surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の表面にＮ型のエピタキシャル層２が形成されている。 - 特許庁

A source electrode 110 and a drain electrode 112 are respectively formed in a profile of contacting the n^+-type GaN semiconductor layer 106 and the n^+-type GaN semiconductor layer 104.例文帳に追加

ｎ＋型ＧａＮ半導体層１０６及びｎ＋型ＧａＮ半導体層１０４に接する形でそれぞれソース電極１１０及びドレイン電極１１２が形成される。 - 特許庁

Below the first bonding electrode 81, an n-type semiconductor layer 12 for a protection element is formed isolated from the n-type semiconductor layer 2 for the light-emitting element.例文帳に追加

第１のボンディング電極８１の下方には、発光素子用のｎ型半導体層２から分離して保護素子用のｎ型半導体層１２を形成してある。 - 特許庁

The nitride compound semiconductor is equipped with a layer formed of the n-type nitride compound semiconductor shown in (1) as an n-type nitride compound semiconductor layer (2).例文帳に追加

（２）ｎ型窒化物系化合物半導体層として、上記（１）のｎ型窒化物系化合物半導体からなる層を有することを特徴とする窒化物系化合物半導体。 - 特許庁

The N type layer 22 on the shallow side is formed by implanting ions of the element larger in mass with energy lower than the time when the N type layer 20 on the deep side is formed.例文帳に追加

また、浅い方のＮ型層２２は、質量の大きい元素を、深い方のＮ型層２０の形成時よりも低エネルギーでイオン注入することにより形成される。 - 特許庁

Ionized Ga and N, which are substances constituting an n-type layer or a p-type layer, are implanted into an ion implantation area 10A under the surface of a sapphire substrate 10.例文帳に追加

サファイア基板１０の表面下のイオン打ち込み領域１０Ａにｎ層またはｐ型層を構成する物質であるイオン化したＧａおよびＮを打ち込む。 - 特許庁

In the semiconductor device, a non-doped first epitaxial layer 46 and an N- or N--type second epitaxial layer 47 laminated thereon are formed on a P--type semiconductor substrate 45.例文帳に追加

この半導体装置では、Ｐ^—型の半導体基板４５上にノンドープの第１エピタキシャル層４６、ＮまたはＮ^-で積層した第２エピタキシャル層４７が形成される。 - 特許庁

Subsequently, the ground surface is exposed to proton emission and to two types of laser beams of different wavelengths to form an N^+ first buffer layer 2 and an N second buffer layer 12.例文帳に追加

次いで、この研削された面にプロトンを照射し、異なる波長の２種類のレーザを同時に照射して、Ｎ^+第１バッファ層２と、Ｎ第２バッファ層１２とを形成する。 - 特許庁

Then, an SiGe layer is selectively epitaxially grown only on the n^- well 3n.例文帳に追加

続いて、Ｎ^−ウェル３ｎ上にのみＳｉＧｅ層を選択エピタキシャル成長させる。 - 特許庁

The isolation regions 13 are formed so as to be shallower than the N-type diffusion layer 14.例文帳に追加

この分離領域１３は、Ｎ型拡散層１４よりも浅く形成される。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device of the present invention comprises an n-type InP substrate 1, an n-type InP lower cladding layer 3 formed in stripe shape on the n-type InP substrate 1, an activity layer 4 having a resonator resonating in parallel direction against the above-mentioned n-type InP substrate 1, and a stripe structure 10 including the n-type InP upper cladding layer 5.例文帳に追加

本発明の半導体発光素子は、ｎ型ＩｎＰ基板１と、このｎ型ＩｎＰ基板１上にストライプ状に形成された、ｎ型ＩｎＰ下部クラッド層３、前記ｎ型ＩｎＰ基板１に対して平行な方向の共振器を有している活性層４、およびｐ型ＩｎＰ上部クラッド層５を含むストライプ構造１０とを備えている。 - 特許庁

This nitride semiconductor device comprises an n-type nitride semiconductor layer 220, an electron emitting layer 230 comprising a nitride semiconductor layer including a tertiary group transition element, formed on the n-type nitride semiconductor layer, an active layer 240 formed on the electron emitting layer, and a p-type nitride semiconductor layer 250 formed on the active layer.例文帳に追加

窒化物半導体発光素子は、ｎ型窒化物半導体層２２０と、前記ｎ型窒化物半導体層上に形成され、第３族転移元素を含む窒化物半導体層からなる電子放出層２３０と、前記電子放出層上に形成された活性層２４０と、前記活性層上に形成されたｐ型窒化物半導体層２５０と、を含む。 - 特許庁

The guard band region 34 has the same conductivity type (N-type) as that of the N-type diffusion layer 33 which constitutes the photodiode PD, and has a dopant concentration lower than that of the N-type diffusion layer 33.例文帳に追加

ガードバンド領域３４は、フォト・ダイオードＰＤを構成するＮ型拡散層３３と同じ導電型（Ｎ型）であり、かつ不純物濃度がＮ型拡散層３３の不純物濃度よりも低く形成されている。 - 特許庁

An N^+-type drain region 38 is formed on the surface layer of an N-type well region 35, and an N^+-type source region 39 adjacent to the sidewall of the groove 34 is formed on the surface layer of the region 37.例文帳に追加

そして、Ｎ型ウェル領域３５の表面層にＮ^＋型ドレイン領域３８が形成され、Ｐ型ベース領域３７の表面層に溝３４の側壁に隣接するＮ^＋型ソース領域３９が形成されている。 - 特許庁

The number of peaks of impurity concentration of the n-type pillar regions 15 formed in the n-type epitaxial layer 13 is larger than that of the p-type pillar regions formed in the n-type epitaxial layer 13.例文帳に追加

ｎ型エピタキシャル層１３に形成されるｎ型ピラー領域１５の不純物濃度のピークの数は、ｎ型エピタキシャル層１３に形成されるｐ型ピラー領域の不純物濃度のピークの数よりも多い。 - 特許庁

This semiconductor device has a p type well region 4 and an n+ drain region 2 isolated and formed in an n type semiconductor layer 1 on an insulating layer 11 and an n+ source region 3 formed in the p type well region 4.例文帳に追加

絶縁層１１上のｎ形半導体層１内には、ｐ形ウェル領域４と、ｎ^^^+形ドレイン領域２とが離間して形成され、ｎ^+形ソース領域３がｐ形ウェル領域４内に形成されている。 - 特許庁

An N-type diffusion layer 9 and a P-type diffusion layer 11 are formed away from the N-type well 3 and having a space between each other on the P-type semiconductor substrate 1 at a position surrounded by the N-type well 3.例文帳に追加

Ｎ型拡散層３で囲まれた位置のＰ型半導体基板１に、Ｎ型拡散層３とは間隔をもって、かつ互いに間隔をもって、Ｎ型拡散層９及びＰ型拡散層１１が形成されている。 - 特許庁

With this structure, etching is accurately carried out to expose the second n-type layer 112, and the contact resistance of the n-electrode 16 can be reduced without deteriorating translucency of the n-type layer 11.例文帳に追加

この構造によると、第２ｎ型層１１２が露出するまで正確にエッチングすることができ、ｎ型層１１の透光性などを悪化させることなくｎ電極１６の接触抵抗を低減することができる。 - 特許庁

A p-type well region 4 and an n+ type drain region 2, away from each other, are formed in an n-type semiconductor layer 1 on an insulating layer 11, and an n+ type source region 3 is formed in the p-type well region 4.例文帳に追加

絶縁層１１上のｎ形半導体層１内には、ｐ形ウェル領域４と、ｎ^^^+形ドレイン領域２とが離間して形成され、ｎ^+形ソース領域３がｐ形ウェル領域４内に形成されている。 - 特許庁

An n^+-type source/drain region 112, a p^+-type source/drain region 113, a p-type well 114, an n-type well 117, a p^+-diffusion layer 115, and an n^+-diffusion layer 116 are formed on the embedded oxide film 102.例文帳に追加

埋め込み酸化膜１０２上にｎ^+ 型ソース／ドレイン領域１１２，ｐ^+ 型ソース／ドレイン領域１１３，ｐ型ウェル１１４，ｎ型ウェル１１７，ｐ^+ 拡散層１１５，及びｎ^+ 拡散層１１６が形成されている。 - 特許庁

The N-doped n-type SiC epitaxial layer 102 and the P-doped n-type SiC epitaxial layer 103 are formed in epitaxial growth with the use of not less than two kinds of dopants, for instance, nitrogen and phosphorus.例文帳に追加

Ｎドープｎ型ＳｉＣエピタキシャル層１０２およびＰドープｎ型ＳｉＣエピタキシャル層１０３は、エピタキシャル成長時に２種類以上のドーパント、たとえば、窒素およびリンを用いることによって形成される。 - 特許庁

The semiconductor laser element includes an n-type clad layer 102, an active layer 103, a p-type clad layer 104, and a p-type contact layer 105 which are formed on the surface of an n-type GaN substrate 101, and a p-type ohmic electrode 106 formed on the upper surface of the p-type contact layer 105.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ基板１０１の一面上にｎ型クラッド層１０２、活性層１０３、ｐ型クラッド層１０４、およびｐ型コンタクト層１０５が形成され、ｐ型コンタクト層１０５の上面にｐ型オーミック電極１０６が形成されている。 - 特許庁

The diode, having an n-type semiconductor layer provided on a surface of a p-type semiconductor substrate and also having the current path formed in the horizontal direction of the substrate, has an anode electrode structure formed by laminating a molybdenum silicide layer, a Ti layer, and an Al layer on a surface of the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型半導体基板表面にｎ型半導体層を設け、基板の水平方向に電流経路が形成されるダイオードにおいて、ｎ型半導体層表面に、モリブデンシリサイド層、Ｔｉ層およびＡｌ層を積層したアノード電極構造とする。 - 特許庁

In a semiconductor device, an n+-type drain diffusion areas 4 which is formed as an impurity diffusion layer is formed in the n-type silicon layer (silicon active layer) of an SOI substrate constituted by forming the silicon layer 3 on a single-crystal silicon substrate 1 through a silicon oxide insulating layer 2.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１上にシリコン酸化膜からなる絶縁層２を介してｎ形シリコン層（シリコン活性層）３を有するＳＯＩ基板のｎ形シリコン層３に不純物拡散層たるｎ^+形ドレイン拡散領域４が形成されている。 - 特許庁

The present invention relates to a nitride-based light emitting device having a buffer layer, an n-type nitride semiconductor layer, an active layer and a p-type nitride semiconductor layer formed on a substrate, wherein an Al_1-xSi_xN interlayer is formed inside of the n-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

基板上に、バッファ層、ｎ型窒化物半導体層、活性層、及びｐ型窒化物半導体層からなる窒化物系発光素子において、前記ｎ型窒化物半導体層内に、Ａｌ_１−ｘＳｉ_ｘＮからなる中間層を有することを特徴とする。 - 特許庁

An emission element 1 includes: a quantum cascade active layer 4 being an active layer using the intersubband transition; an n-type buffer layer 3 and an n-type guide layer 5 as first conduction-type semiconductor layers; and a photonic crystal layer 7 as a two-dimensional diffraction grating.例文帳に追加

発光素子１では、サブバンド間遷移を用いた活性層である量子カスケード活性層４と、第１導電型の半導体層としてのｎ型バッファ層３およびｎ型ガイド層５と、２次元回折格子としてのフォトニック結晶層７とを備える。 - 特許庁

An n-type semiconductor layer 3, an undoped semiconductor layer 4, and a p-type semiconductor layer 5 for absorbing long wavelength light are laminated in a substrate 1; and an n-type semiconductor layer 6 and an undoped semiconductor layer 7 for absorbing short wavelength light are laminated thereon.例文帳に追加

基板１に長波長光を吸収するためのｎ型半導体層３、アンドープ半導体層４、ｐ型半導体層５を積層し、その上部に短波長光を吸収するためのｎ型半導体層６、アンドープ半導体層７を積層する。 - 特許庁

The light emitting diode includes an intermediate barrier layer 59c having a bandgap relatively wider than the first barrier layer 59b adjacent to the N-type compound semiconductor layer 57 and the n-th barrier layer 59b adjacent to the P-type compound semiconductor layer 63.例文帳に追加

この発光ダイオードは、Ｎ型化合物半導体層５７と隣接する第１障壁層５９ｂ及びＰ型化合物半導体層６３と隣接する第ｎ障壁層５９ｂに比べて相対的に広いバンドギャップを有する中間障壁層５９ｃを含む。 - 特許庁

An internal glue rubber layer 5 in which an adhesiveness improving agent (N, N'-m-phenylenedimaleimide) is added is formed between a tooth part rubber layer 2 and a tooth cloth layer 3, and an external glue rubber layer 6 in which a low friction agent (PTFE) is added is formed on the tooth front surface side of the tooth cloth layer 3.例文帳に追加

歯部ゴム層２と歯布層３との間に接着性改善剤（Ｎ，Ｎ’−ｍ−フェニレンジマレイミド）が添加された内側糊ゴム層５を、歯布層３の歯表面側に低摩擦剤（ＰＴＦＥ）が添加された外側糊ゴム層６をそれぞれ設ける。 - 特許庁

By constructing a conduction band energy level of the intermediate layer 40 so as to be higher than that of the cladding layer 10 of the n-type semiconductor, the diffusion of an electron 1 from the cladding layer 10 of the n-type semiconductor to the optical waveguide layer 20 which is a non-doped layer is prevented.例文帳に追加

この中間層４０の伝導帯エネルギー準位を、ｎ型半導体のクラッド層１０よりも高くなるように構成することによって、ｎ型半導体のクラッド層１０からノンドープ層である光導波層２０への電子１の拡散が防止される。 - 特許庁

This photovoltaic cell is equipped with a base layer 14, a primary window layer 12 containing a first type (N-type) doping substance and arranged on the layer 14, and a secondary window layer 11 containing a first type (N-type) doping substance and arranged on the layer 12.例文帳に追加

ベース層と、第１の型（Ｎ型）のドーピング物質を含み、ベース層14上に配置されている１次ウィンドウ層12と、第１の型（Ｎ型）のドーピング物質を含み、１次ウィンドウ層12上に配置されている２次ウィンドウ層11とを備えていることを特徴とする。 - 特許庁

The current diffusion layer is formed by alternately laminating a first InAlGaN layer, having an electron concentration higher than the concentration of the electrons of the n-side contact layer and a second InAlGaN layer having concentration of electrons lower than the electron concentration of the n-side contact layer.例文帳に追加

上記電流拡散層は、上記ｎ側コンタクト層の電子濃度より高い電子濃度を有する第１ＩｎＡｌＧａＮ層と上記ｎ側コンタクト層の電子濃度より低い電子濃度を有する第２ＩｎＡｌＧａＮ層とが交互に積層され形成される。 - 特許庁