「N layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

On the other side of the semiconductor substrate 11, a P-type base layer 14, an N-type emitter layer 15, and a P-type contact layer 16 are formed.例文帳に追加

半導体基板１１の他面側には、Ｐ型ベース層１４、Ｎ型エミッタ層１５及びＰ型コンタクト層１６が形成される。 - 特許庁

The section 1 has the double heterostructure, constituted by laminating a p-type clad layer 8, the active layer 4, and an n-type clad layer 7 on another.例文帳に追加

該発光層部１は、ｐ型クラッド層８、活性層４及びｎ型クラッド層７が互いに積層されたダブルヘテロ構造を有する。 - 特許庁

On the upper surface of a sapphire substrate 1, an N-type semiconductor layer 2, an active layer 4, and a P-type semiconductor layer 5 are laminated in this order.例文帳に追加

サファイア基板１の上面には、Ｎ型半導体層２、活性層４、Ｐ型半導体層５がこの順に積層してある。 - 特許庁

A gate insulating film 14, a semiconductor layer 15, an ohmic contact layer (n^+ semiconductor layer) 16, and a protective film 17 are formed thereon.例文帳に追加

これらの上にゲート絶縁膜１４と半導体層１５とオーミックコンタクト層（ｎ＋半導体層）１６と保護膜１７を形成する。 - 特許庁

An Al electrode 32 is formed above the P+ diffusion layer 24, and an Au thin film layer 34 is formed on the surface of the N+ diffusion layer 33.例文帳に追加

Ｐ^+拡散層２４の上方にはＡｌ電極３２が、Ｎ^+拡散層３３の表面にはＡｕ薄膜層３４が形成される。 - 特許庁

An Al electrode 12 is formed above the P+ diffusion layer 4, and an Au thin film layer 14 is formed on the surface of the N+ diffusion layer 13.例文帳に追加

Ｐ^+拡散層４の上方にはＡｌ電極１２が、Ｎ^+拡散層１３の表面にはＡｕ薄膜層１４が形成される。 - 特許庁

A shared vacuum chamber 17 communicates with the p-layer formation chamber 11, the i-layer formation chambers 13 and the n-layer formation chamber 15.例文帳に追加

共用真空チャンバー１７は、ｐ層生成チャンバー１１、ｉ層生成チャンバー１３及びｎ層生成チャンバー１５に連絡している。 - 特許庁

An n-type clad layer 21, an active layer 25 and a p-type clad layer 23 are arranged in the direction of a normal axis NX of a principal surface 17a.例文帳に追加

ｎ型クラッド層２１、活性層２５及びｐ型クラッド層２３は主面１７ａの法線軸ＮＸの方向に配置される。 - 特許庁

The p-side contact layer includes a plurality of protrusions protruding in a first direction toward the p-type semiconductor layer from the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ側コンタクト層は、ｎ形半導体層からｐ形半導体層に向かう第１方向に突出した複数の突起部を含む。 - 特許庁

An insulation layer 3 is formed on an n-type semiconductor layer 2 where a high-concentration impurity doped layer on the surface is removed by etching.例文帳に追加

エッチングによって表面の高濃度の不純物ドープ層を除去したｎ型半導体層２上に、絶縁膜３を形成する。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor multilayer structure 2 includes: a light-emitting layer 10; an n-type semiconductor layer 11; and a p-type semiconductor layer 12.例文帳に追加

III族窒化物半導体積層構造２は、発光層１０と、ｎ型半導体層１１と、ｐ型半導体層１２とを備えている。 - 特許庁

In the first formation step, a nitride semiconductor layer including at least one layer of Al_xGa_(1-x)N layer 14 is formed on a substrate 11.例文帳に追加

第１形成工程では、基板１１上に、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ｎ層１４を少なくとも一層含む窒化物半導体層を形成する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device is provided with a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer interposing an active layer and mutually joined.例文帳に追加

半導体発光素子は、活性層を介在させて互いに接合されたｐ型半導体層とｎ型半導体層とを備える。 - 特許庁

The fin layer 4 is formed to connect the P^+ common source semiconductor layer 2 and N^+ common source semiconductor layer 3 to each other.例文帳に追加

フィン層４は、Ｐ^＋共通ソース半導体層２とＮ^＋共通ソース半導体層３とを接続するように形成されている。 - 特許庁

On an n-type GaN substrate 10, an n-type AlGaN clad layer 14, an undoped active layer 16, a p-type AlGaN electron barrier layer 18, a p-type AlGaN clad layer 20, and a p-type GaN contact layer 22 are formed in order.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ基板１０上に、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１４、アンドープの活性層１６、ｐ型ＡｌＧａＮ電子障壁層１８、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層２０及びｐ型ＧａＮコンタクト層２２が順番に形成されている。 - 特許庁

A light-transmitting transparent electrode layer 160 is stacked onto the n-type semiconductor layer 150, and is provided from one side of the optical absorption layer 130, the buffer layer 140, and the n-type semiconductor layer 150 to one of the back electrode layers 120.例文帳に追加

ｎ型半導体層１５０に積層するとともに光吸収層１３０、バッファ層１４０およびｎ型半導体層１５０の一側から裏面電極層１２０の一方に亘って透光性の透明電極層１６０を設ける。 - 特許庁

A photodiode 15 includes an N-type charge accumulation layer 53 formed on a P-type well 52, a P type depletion preventive layer 54 disposed on the charge accumulation layer 53, and an N-type top layer 55 disposed on the depletion preventive layer 54.例文帳に追加

フォトダイオード１５は、Ｐ型ウエル５２に形成されたＮ型の電荷蓄積層５３と、電荷蓄積層５３上に配置されたＰ型の空乏化防止層５４と、空乏化防止層５４上に配置されたＮ型の表面層５５とを有する。 - 特許庁

A p-type GaN layer 10 is stacked on an n^- type GaN layer 6, an aperture 28 penetrating through the p-type GaN layer 10 is formed on the p-type GaN layer 10, and an n-type GaN layer 26 is filled in the aperture 28.例文帳に追加

ｎ^−型のＧａＮ層６にp型のＧａＮ層１０が積層されており、ｐ型のＧａＮ層１０にｐ型のＧａＮ層１０を貫通するアパーチャー２８が形成されており、そのアパーチャー２８にｎ型のＧａＮ層２６が充填されている。 - 特許庁

A manufacturing method of the diode begins by depositing an Al_xGa_1-xN nucleation layer on a SiC substrate, then an n+GaN buffer layer, an n-GaN layer, an Al_xGa_1-xN barrier layer, and an SiO_2 dielectric layer are deposited.例文帳に追加

ダイオードを製造する方法は、ＳｉＣ基板上にＡｌ_xＧａ_1-xＮ核生成層を付着させることによって開始され、次いでｎ＋ＧａＮ緩衝層、ｎ−ＧａＮ層、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ障壁層およびＳｉＯ_2誘電体層を付着させる。 - 特許庁

An N-type GaAlAs clad layer 2 and P-type GaAlAs clad layer 4 confine injection carriers in a P-type GaAlAs active layer 3, while an N-type GaAs block layer 5 concentrates a current in the light-emission region of the active layer 3.例文帳に追加

Ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２およびＰ型ＧａＡｌＡｓクラッド層４によってＰ型ＧａＡｌＡｓ活性層３内の注入キャリアを閉じ込め、Ｎ型ＧａＡｓブロック層５によって、活性層３の発光領域に電流を集中させる。 - 特許庁

Area occupancy of the P+ type contact layer 17 to the N+ type source layer 18 can be enlarged compared to a conventional case for forming the P+ type contact layer 17 in the P type base layer 13 just below the bottom face of the N+ type source layer 18.例文帳に追加

また、Ｎ＋型ソース層１８の底面の直下のＰ型ベース層１３内にＰ＋型コンタクト層１７を形成するため、従来に比して、Ｐ＋型コンタクト層１７のＮ＋ソース層１８に対する面積占有率を大きくできる。 - 特許庁

In the semiconductor device, a laminate of an n-type cladding layer 12b, an absorbing layer 12c, a p-type cladding layer 12d and a p-type high concentration layer 12e is formed in a mesa type on an n-type high concentration layer 12a formed on the surface of a substrate 11 and used as a cathode of the photodiode.例文帳に追加

基板１１表面に形成されフォトダイオードのカソードなるｎ型高濃度層１２ａ上にｎ型クラッド層１２ｂ、吸収層１２ｃ、ｐ型クラッド層１２ｄ及びｐ型高濃度層１２ｅの積層体をメサ型に形成する。 - 特許庁

In the semiconductor light emitting element having a structure that an active layer 6 is pinched between the n-type clad layer 3 and the p-type clad layer 10, an Al_xGa_1-xN(AlGaN) layer having the composition ratio x of Al of 0.01≤x<0.06 is employed as the n-type clad layer.例文帳に追加

ｎ型クラッド層３とｐ型クラッド層１０との間に活性層６が挟まれた構造を有する半導体発光素子において、ｎ型クラッド層として、Ａｌ組成比ｘが０．０１≦ｘ＜０．０６のＡｌ_xＧａ_1-xＮ（ＡｌＧａＮ）層を用いる。 - 特許庁

The resonator 1 is constituted by successively laminating an n-type AlGaN clad layer 2, an n-type GaN optical waveguide layer 13, an InGaN active layer 14, a p-type GaN optical guide layer 15, and a p-type AlGaN clad layer 16 upon a substrate.例文帳に追加

レーザ共振器１は、基板上にｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１２、ｎ型ＧａＮ光導波層１３、ＩｎＧａＮ活性層１４、ｐ型ＧａＮ光導波層１５、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１６を順次積層することにより構成する。 - 特許庁

The semiconductor device for electric power in an embodiment includes a p-type collector layer 1, an n-type base layer 3, a p-type base layer 4, an n-type source layer 5, a gate electrode 8, an inter-layer insulating film 9, a collector electrode 11, and an emitter electrode 12.例文帳に追加

実施形態の電力用半導体装置は、ｐ形コレクタ層１と、ｎ形ベース層３と、ｐ形ベース層４と、ｎ形ソース層５と、ゲート電極８と、層間絶縁膜９と、コレクタ電極１１と、エミッタ電極１２と、を備える。 - 特許庁

The light emitting diode 1 is provided with a substrate 3 formed of a nitride for transmitting light, an n-type buffer layer 5 sequentially laminated on the principal surface 3a of the substrate 3, an n-type clad layer 7, an active layer 9, a p-type clad layer 11, and a p-type contact layer 13.例文帳に追加

発光ダイオード１は、光を透過する窒化物からなる基板３と、基板３の主面３ａ上に順に積層されたｎ型バッファ層５、ｎ型クラッド層７、活性層９、ｐ型クラッド層１１、及びｐ型コンタクト層１３とを備える。 - 特許庁

Plural layers 0 to (n) managed by a layer management means 9 are provided.例文帳に追加

レイヤ管理手段９によって管理された複数のレイヤ０〜レイヤｎを備える。 - 特許庁

A p-type region 40 is provided on a part of the n-type InP layer 36.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ層３６の一部にｐ型領域４０が設けられている。 - 特許庁

The absorption layer 13 has a smaller band gap than the n-type InP substrate 11.例文帳に追加

吸収層１３は、ｎ型ＩｎＰ基板１１よりもバンドギャップが小さい。 - 特許庁

An n-type epitaxial layer 5 is formed on a semiconductor substrate 20.例文帳に追加

本発明は、半導体基板２０上にｎ型エピタキシャル層５が形成される。 - 特許庁

To provide novel technique for obtaining an n-type ZnO-based semiconductor layer.例文帳に追加

ｎ型ＺｎＯ系半導体層を得るための新規な技術を提供する。 - 特許庁

A p^+ collector region is provided on the surface layer of an n buffer region 7.例文帳に追加

ｎバッファ領域７の表面層には、ｐ^+コレクタ領域が設けられている。 - 特許庁

Next, a through oxide film 5 is formed on the whole face of an N type epitaxial layer 4.例文帳に追加

次に、Ｎ型エピタキシャル層４の全面にスルー酸化膜５を形成する。 - 特許庁

A semiconductor channel region is formed on the N and P ground layer regions.例文帳に追加

ＮおよびＰグラウンド層領域の上に半導体チャネル領域を形成する。 - 特許庁

A p-embedded layer 13 is formed right below the n-diffusion region 5.例文帳に追加

ｎ-拡散領域５の直下には、ｐ-埋め込み層１３が形成されている。 - 特許庁

The n^+ buffer layer 31 sufficiently secures the withstand voltage during a reverse bias being applied.例文帳に追加

ｎ^＋バッファ層３１は、逆バイアス印加時の耐圧を十分に確保する。 - 特許庁

A p^--type leakage stopper region 112 is formed on an n^+-type buffer layer 103.例文帳に追加

Ｎ^＋型バッファ層１０３にＰ^−型リークストッパ領域１１２を形成する。 - 特許庁

In this connection, an n-type and a p-type of each layer and each region may be replaced.例文帳に追加

なお、各層および各領域のｎ型とｐ型とを入れ替えても良い。 - 特許庁

In the expression, n is a thickness of the organic layer.例文帳に追加

４００［Å］≦Ｌ≦ｎ×３［Å］（ただし、ｎは、有機層の厚さを示す。） - 特許庁

The n-type semiconductor layer 14 has a thickness of 10-40 nm.例文帳に追加

そして、ｎ形半導体層１４の厚さが１０ｎｍないし４０ｎｍである。 - 特許庁

It is desirable that the pressure-sensitive adhesive layer further contains N-methyl-2-pyrrolidone.例文帳に追加

粘着剤層は、Ｎ−メチル−２−ピロリドンを更に含有することが好ましい。 - 特許庁

As a result, the substrate to which a fine pattern N is transferred or a worked layer P is obtained.例文帳に追加

その結果、微細パタンＮが転写された基板又は被加工層Pを得る。 - 特許庁

An n-type padding diffusion layer 101 is formed in the upper part of a substrate 100.例文帳に追加

基板１００の上部にＮ型埋め込み拡散層１０１を形成する。 - 特許庁

An anode electrode 36 is formed, to compose a schottky junction with the n-layer 31.例文帳に追加

ｎ- 層31とショットキー接合を形成するアノード電極36が形成されている。 - 特許庁

The electron transport layer 3 contains an n-type inorganic compound semiconductor.例文帳に追加

電子輸送層３として、ｎ型の無機化合物半導体を含むものを用いる。 - 特許庁