「N III」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The process for producing free-standing III-N layer comprises depositing at least one first III-N layer 15 by means of molecular beam epitaxy on an Li(Al, Ga)O_x substrate 7, where 1≤x≤3.例文帳に追加

Li(Al, Ga)O_X基板（１≦ｘ≦３）７上に、分子線エピタキシ法により少なくとも１つの第一のIII-N層１５を堆積させる工程を備える。 - 特許庁

The p-type oxide semiconductor consists of oxide of group X(=II, III, IV, V) and metal-nitrogen bond composed of at least one among group Y(≤X) nitrides, for instance, Li-N, Be-N, Mg-N, Al-N, Ga-N is introduced into the p-type oxide semiconductor.例文帳に追加

X ( =II 、III 、IV 、V ) 族酸化物からなるｐ型酸化物半導体であって、前記ｐ型酸化物半導体中にY ( ≦X ）族窒化物のなかの少なくとも1 つ、例えばLi-N、Be-N、Mg-N、Al-N、Ga-N Aなど、からなる金属−窒素結合を導入する。 - 特許庁

The n-type III-V group compound semiconductor layer 20 contains tellurium as an n-type dopant.例文帳に追加

ｎ型III−Ｖ族化合物半導体層２０は、ｎ型ドーパントとしてテルルを含む。 - 特許庁

III-N TYPE COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｎ系化合物半導体装置 - 特許庁

Ge-DOPED N-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

Ｇｅドープｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体 - 特許庁

N-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAMINATION STRUCTURE例文帳に追加

ｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体 - 特許庁

The junction region 19 comprises an n-type III-V compound semiconductor layer 25 and a p-type III-V compound semiconductor layer 27.例文帳に追加

接合領域１９は、ｎ型III−Ｖ化合物半導体層２５およびｐ型III−Ｖ化合物半導体層２７からなる。 - 特許庁

A tunnel junction TJ is formed with the p-type III-V group compound semiconductor layer 18 and the n-type III-V group compound semiconductor 20.例文帳に追加

ｐ型III−Ｖ族化合物半導体層１８とｎ型III−Ｖ族化合物半導体層２０とによってトンネル接合ＴＪが形成されている。 - 特許庁

In order of an area I, an area II' and an area III, n-wells 231(I), 235(II) and 233(III) are formed.例文帳に追加

また、領域I、領域II’、IIIの順にイオン注入によりｎウェル２３１（I）、２３５（II）、２３３（III）を形成する。 - 特許庁

The EA modulator device 37b has an n-type III-V compound semiconductor clad layer 17b, a III-V compound semiconductor SCH layer 19b, a III-V compound semiconductor active layer 21b, a III-V compound semiconductor SCH layer 23b, and a p-type III-V compound semiconductor clad layer 25b.例文帳に追加

ＥＡ型変調器デバイス部４７ｂは、ｎ型III-Ｖ族化合物半導体クラッド層１７ｂ、III-Ｖ族化合物半導体ＳＣＨ層１９ｂ、III-Ｖ族化合物半導体活性層層２１ｂ、III-Ｖ族化合物半導体ＳＣＨ層２３ｂ、ｐ型III-Ｖ族化合物半導体クラッド層２５ｂを有する。 - 特許庁

The DC device 47a has an n-type III-V compound semiconductor clad layer 3b, a III-V compound semiconductor SCH layer 5b, a III-V compound semiconductor active layer 7b, a III-V compound semiconductor SCH layer 9b, and a p-type III-V compound semiconductor clad layer 11b.例文帳に追加

ＬＤデバイス部４７ａは、ｎ型III-Ｖ族化合物半導体クラッド層３ｂ、III-Ｖ族化合物半導体ＳＣＨ層５ｂ、III-Ｖ族化合物半導体活性層層７ｂ、III-Ｖ族化合物半導体ＳＣＨ層９ｂ、およびｐ型III-Ｖ族化合物半導体クラッド層１１ｂを有する。 - 特許庁

To crystal-grow an n- or i-type group III nitride semiconductor on the surface of a p-type group III nitride semiconductor, and to expose the surface of the p-type group III nitride semiconductor without etching a part of the n- or i-type group III nitride semiconductor.例文帳に追加

ｐ型のIII族窒化物半導体の表面に、ｎ型またはｉ型のIII族窒化物半導体を結晶成長するとともに、ｎ型またはｉ型のIII族窒化物半導体の一部をエッチングしないでｐ型のIII族窒化物半導体の表面を露出させる - 特許庁

When a Ge+ ion is, for example, implanted to the III nitride semiconductor to set an n type, an N+ ion is simultaneously implanted, its surface is covered with an SiO2, and heat-annealed.例文帳に追加

III族窒化物半導体に例えばGe^+イオンを打ち込みｎ型にする際、N^+イオンを同時に打ち込み、表面をSiO_2で被覆した上、熱アニールをする。 - 特許庁

To provide a method of forming an ohmic electrode of an n-type group III nitride semiconductor with low contact resistance.例文帳に追加

低コンタクト抵抗なｎ型III 族窒化物半導体のオーミック電極の形成方法。 - 特許庁

To produce an n-type group III nitride semiconductor having a high Si concentration and good crystallinity.例文帳に追加

Ｓｉ濃度が高く、結晶性のよいｎ型III 族窒化物半導体を製造すること。 - 特許庁

A group III nitride semiconductor element 11 comprises a substrate 13, an n-type group III nitride semiconductor region 15, a light-emitting layer 17, and a p-type group III nitride semiconductor region 19.例文帳に追加

III族窒化物半導体素子１１は、基板１３、ｎ型III族窒化物半導体領域１５、発光層１７、及びｐ型III族窒化物半導体領域１９を備える。 - 特許庁

A light emitting layer 12 made of a group III-V nitride semiconductor is formed between a first semiconductor layer 11 made of an n-type group III-V nitride semiconductor and a second semiconductor layer 13 made of a p-type group III-V nitride semiconductor.例文帳に追加

ｎ型のIII-Ｖ族窒化物半導体からなる第１半導体層１１と、ｐ型のIII-Ｖ族窒化物半導体からなる第２半導体層１３との間に、III-Ｖ族窒化物半導体からなる発光層１２が形成されている。 - 特許庁

BACK EXTRACTION METHOD OF Am (III) AND Pu (IV) IN ORGANIC SOLVENT INTO NITRIC ACID BY N, N, N', N'-TETRAMETHYLDIGLYCOLAMIDE (TMDGA) COMPOUND例文帳に追加

Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルジグリコールアミド（ＴＭＤＧＡ）化合物により有機溶媒中のＡｍ（ＩＩＩ），Ｐｕ（ＩＶ）を硝酸溶液に逆抽出する方法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING N-TYPE GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL, N-TYPE GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL, AND CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

ｎ型ＩＩＩ族窒化物単結晶の製造方法、ｎ型ＩＩＩ族窒化物単結晶および結晶基板 - 特許庁

To obtain low resistance between an n-type electrode and an n-type layer composed of a III nitride-system compound semiconductor.例文帳に追加

ｎ型電極とIII族窒化物系化合物半導体からなるｎ型層と間に更なる低抵抗化を得る。 - 特許庁

In an epitaxial structure 1, a lower n-type semiconductor layer 19, a group III-V compound semiconductor layer 21, and an upper n-type semiconductor layer 23 are laminated in this order.例文帳に追加

エピ構造１では、下部ｎ型半導体層１９、III−Ｖ族化合物半導体層２１、上部ｎ型半導体層２３の順に積層されている。 - 特許庁

SELECTIVE MASKING METHOD OF III-N LAYER, MANUFACTURING METHOD OF SELF-SUSTAINED III-N LAYER OR DEVICE, AND PRODUCT OBTAINED BY ITS METHOD例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｎ層の選択的マスキング方法、自立ＩＩＩ−Ｎ層もしくはデバイスの製造方法、および当該方法により得られる製品 - 特許庁

Each of the first and second electrode layers 11 and 13 includes IV or III-V semiconductor groups doped with a p-type carrier or an n-type carrier.例文帳に追加

第１及び第２の電極層１１，１３は、P型或いはn型キャリアーがドープされたIV族或いはIII-V族の半導体から構成される。 - 特許庁

METHOD OF MEASURING PEPTIDE (PIIIP) OF N-TERMINAL OF III TYPE PROCOLLAGEN例文帳に追加

ＩＩＩ型プロコラーゲンのＮ末端のペプチド（ＰＩＩＩＰ）の測定方法 - 特許庁

n-TYPE ELECTRODE FOR III NITRIDE-SYSTEM COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子用のｎ型電極 - 特許庁

III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING P-N JUNCTION例文帳に追加

ｐｎ接合を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置 - 特許庁

GROWING METHOD OF N-TYPE GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

ｎ型ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層の成長方法 - 特許庁

N-TYPE GROUP III NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR AND PRODUCTION METHOD THEREFORE例文帳に追加

ｎ型ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体及びその製造方法 - 特許庁

Each layer of a group-III nitride semiconductor light-emitting element is made of a group-III nitride semiconductor, and the group-III nitride semiconductor light-emitting element includes at least an n-type-layer-side cladding layer 103, a light-emitting layer 104, and a p-type-layer-side cladding layer 106.例文帳に追加

各層がIII 族窒化物半導体から成り、ｎ型層側クラッド層１０３、発光層１０４、ｐ型層側クラッド層１０６を少なくとも有するIII 族窒化物半導体発光素子である。 - 特許庁

Here is an example (kelly printed the job named outline from host rose): k ll ll k l l k l l k k eeee l l y y k k e e l l y y k k eeeeee l l y y kk k e l l y y k k e e l l y yy k k eeee lll lll yyy y y y y yyyy ll t l i t l oooo u u ttttt l ii n nnn eeee o o u u t l i nn n e e o o u u t l i n n eeeeee o o u u t l i n n e o o u uu t t l i n n e e oooo uuu u tt lll iii n n eeee r rrr oooo ssss eeee rr r o o s s e e r o o ss eeeeee r o o ss e r o o s s e e r oooo ssss eeee Job: outline Date: Sun Sep 17 11:04:58 1995 例文帳に追加

次に、このヘッダページの例を示 します (kelly が ジョブ名outline を rose というホストから印字 された場合)。 - FreeBSD

To provide a manufacturing method of a group III-V(N) compound semiconductor multilayer object such as GaNAs having strong potential modulation and steep concentration gradient of N atoms even on a heterointerface.例文帳に追加

強いポテンシャル変調を有するとともに、ヘテロ界面においても急峻なN原子の濃度勾配を有する、GaNAs等のIII-V(N)族化合物半導体多層体の製造方法を提供する。 - 特許庁

Am (III) and Pu (IV) contained in an organic solvent are back-extracted by using a nitric acid solution having a concentration of ≥0.1 M and containing dissolved N,N-dipropyl-diglycolamide acid (PDGAA) compound.例文帳に追加

有機溶媒中のAm(III)，Pu(IV)を、N,N-ジプロピルジグリコールアミド酸（PDGAA）化合物を溶解した0.1 M以上の濃度の硝酸溶液を用いて逆抽出する。 - 特許庁

An N-type contact layer 21 is obtained by growing a second N-type GaN layer 212 under the condition of the V/III ratio being high, on a first N-type GaN layer 211 grown under the condition with the V/III ratio of the nitrogen material (molar ratio) to a gallium material being low.例文帳に追加

Ｎ型コンタクト層２１は、ガリウム原料に対する窒素原料の割合（モル比）であるＶ／III比が低い条件で成長した第１Ｎ型ＧａＮ層２１１上に、Ｖ／III比が高い条件で第２Ｎ型ＧａＮ層２１２を成長させて得られたものである。 - 特許庁

To provide a structure wherein a depletion layer traverses an n-type layer piercing a p-type layer during an off period in an n-channel vertical group III nitride semiconductor device including an n-type group III nitride semiconductor layer piercing the p-type layer.例文帳に追加

ｐ型層を貫通するｎ型のIII族窒化物半導体層を備えているｎチャネル型の縦型のIII族窒化物半導体装置であって、オフ時にはｐ型層を貫通するｎ型層を空乏層が横断する構造と、その構造を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor light emitting element includes a crack preventive layer 15 made of an n-type GaN having a lower dopant concentration than an n-type contact layer 4A between the n-type contact layer 4A made of the n-type GaN of the element obtained by laminating a group III nitride semiconductor and an n-type clad layer 5A made of an n type AlGaN.例文帳に追加

３族窒化物半導体を積層してなる発光素子のｎ型ＧａＮからなるｎ型コンタクト層４Ａとｎ型ＡｌＧａＮからなるｎ型クラッド層５Ａとの間に、ｎ型コンタクト層４Ａよりもドーパント濃度が低いｎ型ＧａＮからなるクラック防止層１５を設ける。 - 特許庁

The compounds of formula (III) : RNH_2 {wherein, R is -(CH_2)_nAr group [wherein, (n) is 3, 4 or 5; Ar is a heterocyclic group capable of having one or more substituents]} or their acid adducts.例文帳に追加

次式(III) ＲＮＨ_2 (III) （ここで、Ｒは−（ＣＨ_2 ）_n Ａｒ基（ここで、ｎは３、４又は５の数を表わし、Ａｒは１個以上の置換基を有し得る複素環式基を表わす。）を表わす。）の化合物又はそれらの酸との付加塩。 - 特許庁

To provide a method of stably obtaining an n-type group III nitride semiconductor layer of low resistance and continuity and a group III nitride semiconductor layered product obtained by this method.例文帳に追加

低抵抗で、しかも連続性のあるｎ型III族窒化物半導体層を安定して得る方法、及びこの方法によって得られるIII族窒化物半導体積層体を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a III-V compound semiconductor layer can improve crystallinity of the III-V compound semiconductor layer containing N atoms, to provide a method of manufacturing a semiconductor photonic device, and to provide the semiconductor photonic device.例文帳に追加

Ｎ原子を含むIII−Ｖ族化合物半導体層の結晶性をより向上させ得るIII−Ｖ族化合物半導体層の製造方法、半導体光素子の製造方法、および半導体光素子を提供する。 - 特許庁

A part of the surface of a second group III nitride semiconductor layer is exposed by etching a layer formed on the surface of a second group III nitride semiconductor layer containing a n-type impurity or of i-type with a gas containing no nitrogen element.例文帳に追加

ｎ型の不純物を含むか又はｉ型の第２のIII族窒化物半導体層の表面に形成されている層を、窒素元素を含まないガスでエッチングして、第２のIII族窒化物半導体層の表面の一部を露出させる。 - 特許庁

Moreover, the first group III-V compound semiconductor layer and the second group III-V compound semiconductor layer may contain at least one or more among (In, Ga, Al) and (As, P, N), respectively.例文帳に追加

また、第１のIII−V族化合物半導体層と第２のIII−V族化合物半導体層は（Ｉｎ，Ｇａ，Ａｌ）と（Ａｓ，Ｐ，Ｎ）のうち少なくともそれぞれ一つ以上含んでいても良い。 - 特許庁

An n-type semiconductor layer group comprising the group III nitride with the Ga content of 50 atomic % or higher to all the group III elements is formed on the light emitting layer.例文帳に追加

次いで、前記発光層上に全III族元素に対するＧａ含有量が５０原子％以上であるIII族窒化物からなるｎ型半導体層群を形成する。 - 特許庁

To provide a III group nitride semiconductor light-emitting device n-type electrode which is low in contact resistance and is superior in bondability, and a III group nitride semiconductor light-emitting device utilizing the same.例文帳に追加

接触抵抗が低く、ボンダビリティーに優れた III族窒化物半導体発光素子用ｎ型電極と、それを利用した III族窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

In the group III nitride-based electron device 11, a drift layer 15 is provided on a main surface 13a and is made of an n^--type group III nitride semiconductor having a silicon concentration of less than 1×10^17 cm^-3.例文帳に追加

III族窒化物系電子デバイス１１では、ドリフト層１５は主面１３ａ上に設けられており、また１×１０^１７ｃｍ^−３未満のシリコン濃度を有するｎ^−型III族窒化物系半導体からなる。 - 特許庁

An n-type impurity-containing or i-type second group III nitride semiconductor region 44 is provided on a position where it is opposite to the first group III nitride semiconductor region 28 with the interposition of the preventing film 36.例文帳に追加

第１のIII族窒化物半導体領域２８と不純物拡散防止膜３６を介して向かい合う位置に、ｎ型の不純物を含むかまたはｉ型の第２のIII族窒化物半導体領域４４を備えている。 - 特許庁

To provide a group III-V compound semiconductor light receiving element having a light receiving layer having a group III-V compound semiconductor layer including Sb as a group V constituent element, and an n-type InP window layer and reducing a dark current.例文帳に追加

Ｖ族構成元素としてＳｂを含むIII−Ｖ化合物半導体層を有する受光層とｎ型ＩｎＰ窓層とを有しており暗電流を低減可能なIII−Ｖ族化合物半導体受光素子を提供する。 - 特許庁