「N III」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

N-TYPE OHMIC ELECTRODE FOR N-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT HAVING SAME, AND N-TYPE OHMIC ELECTRODE FORMING METHOD例文帳に追加

ｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体のためのｎ形オーミック電極、それを備えた半導体発光素子、及びｎ形オーミック電極の形成方法 - 特許庁

To provide a new II-III-N semiconductor nanoparticle, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

新規のＩＩ−ＩＩＩ−Ｎ半導体ナノ粒子および当該ＩＩ−ＩＩＩ−Ｎ半導体ナノ粒子の製造方法を提供する。 - 特許庁

LIGHT-EMITTING DEVICE n TYPE ELECTRODE, ITS MANUFACTURING METHOD AND III GROUP NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

発光素子用ｎ型電極及びその製造方法並びにそれを用いたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子 - 特許庁

The n-type cladding layer 12 is formed on the principal surface 11a of the group III-V compound semiconductor substrate.例文帳に追加

ｎ型クラッド層１２は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の主面１１ａ上に形成される。 - 特許庁

An active layer 14 is composed of a GaAs system group III-V compound semiconductor containing nitrogen (N) such as GaInNAs mix crystal or the like.例文帳に追加

活性層１４は、ＧａＩｎＮＡｓ混晶など、窒素（Ｎ）を含むＧａＡｓ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により構成されている。 - 特許庁

To provide a group-III nitride semiconductor light emitting device which is equipped with an n-type nitride semiconductor layer at a high doping concentration and exhibits a high crystallinity.例文帳に追加

高いドーピング農度で、かつ結晶性の良いｎ型窒化物半導体層を備えたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

A semiconductor layer 20 composed of a nitride III-V compound semiconductor is laminated on a substrate 11 composed of n-type GaN.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮよりなる基板１１に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりなる半導体層２０が積層されている。 - 特許庁

The III-V compound semiconductor polycrystalline thin film formed in such a manner is used for an n type layer of the semiconductor device.例文帳に追加

このようにして形成したＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体多結晶薄膜を半導体装置のｎ型層に用いる。 - 特許庁

An n-type clad layer 7 of III nitride compound conductor, an active layer 9, and a p-type clad layer 11 are formed thereon.例文帳に追加

その上にＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体よりなるｎ型クラッド層７，活性層９，ｐ型クラッド層１１などを積層する。 - 特許庁

[2] In the method of manufacturing described in [1], the group III-V compound semiconductor is n-type or p-type.例文帳に追加

〔２〕３−５族化合物半導体が、ｎ型またはｐ型であることを特徴とする上記〔１〕の製造方法。 - 特許庁

A base film of a III-V semiconductor containing Ga and N and flatter than the substrate surface is disposed on the substrate surface.例文帳に追加

この表面に、Ｇａ及びＮを含むＩＩＩ−Ｖ族半導体からなり、基板表面よりも平坦な下地膜が配置されている。 - 特許庁

To provide a Ge-doped n-type group III nitride semiconductor layer which produces fewer pits, is excellent in evenness, and is of a low resistance.例文帳に追加

ピットの発生が少ない平坦性に優れた低抵抗のＧｅドープｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体層を提供すること。 - 特許庁

The present application provides a novel composition made of a novel compound semiconductor represented by Zn-(II)-III-N.例文帳に追加

本願は、Ｚｎ−（ＩＩ）−ＩＩＩ−Ｎにて示される新規の化合物半導体の形態の新たな組成物を提供する。 - 特許庁

To produce an n-type group III nitride single crystal that has a high quality and a low resistance by a simple process.例文帳に追加

簡単な工程によって、高品質かつ低抵抗であるｎ型ＩＩＩ族窒化物単結晶を製造する。 - 特許庁

Then, a crystal of a group III nitride is grown, to thereby obtain an N-polar crystal having extremely high quality.例文帳に追加

その後、ＩＩＩ族窒化物を結晶成長させることにより、極めて高品質なＮ極性結晶を得ることができる。 - 特許庁

Dopants, for example an n-type dopant like Ga which is an element of group III and p-type dopant like N which is an element of group V, are doped on a ZnO crystal layer, wherein the n-type dopant is more than the p-type dopant and the n-type dopant is dorped at the impurity concentration of 1×1018 cm-3 or higher.例文帳に追加

ＺｎＯ結晶層にドーパントとして、たとえばＧａのようなIII族元素などのｎ型ドーパントと、たとえばＮのようなＶ族元素などのｐ型ドーパントとがドーピングされ、そのｎ型ドーパントがｐ型ドーパントより多く、かつ、ｎ型ドーパントが１×１０^18ｃｍ^-3以上の不純物濃度にドーピングされている。 - 特許庁

A 2,4-bis-N,N-dialkylaminomethylene acetonedicarboxylic acid dialkyl ester (III) which is synthesized by condensation of an acetonedicarboxylic acid dialkyl ester (I) and an N,N-dialkylformamido dialkyl acetal (II) is treated with a strong acid to give the 4H-pyran-4-one.例文帳に追加

アセトンジカルボン酸ジアルキルエステル(Ｉ)とＮ，Ｎ−ジアルキルホルムアミドジアルキルアセタール(ＩＩ)を縮合して合成される２，４−ビスＮ，Ｎ−ジアルキルアミノメチレンアセトンジカルボン酸ジアルキルエステル(ＩＩＩ)を強酸で処理し、４Ｈ−ピラン−４−オンを製造する。 - 特許庁

The ZnO based compound semiconductor element includes: an n-type semiconductor layer which is doped with nitrogen (N) together with group III elements; a p-type semiconductor layer which is formed over the n-type semiconductor layer; and the active layer formed between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ＺｎＯ系化合物半導体素子は、ＩＩＩ族元素とともに窒素（Ｎ）がドープされたｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層の上方に形成されたｐ型半導体層と、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に形成された活性層とを含む。 - 特許庁

The active layer 15 is formed on the first n-type semiconductor layer 13 and includes a III-V group compound semiconductor layer including nitrogen and arsenic as V group elements.例文帳に追加

活性層１５は、第１のｎ型半導体層１３上に設けられており、Ｖ族元素として窒素及び砒素を含むIII-V族化合物半導体層を有する。 - 特許庁

In this group III nitride semiconductor laser 11, a semiconductor lamination 15 is formed on a principal surface 13a of a substrate 13 formed of a hexagonal n-type gallium nitride.例文帳に追加

III族窒化物半導体レーザ１１では、半導体積層１５は、六方晶系のｎ型窒化ガリウムからなる基板１３の主面１３ａ上に設けられている。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor light-emitting element of n-side up type made from an epitaxial wafer comprising a group III nitride semiconductor crystal layer of cubic and hexagonal systems with different crystal structure.例文帳に追加

立方晶と六方晶の結晶構造型を相違するＩＩＩ族窒化物半導体結晶層を備えたエピタキシャルウェーハから作製したｎサイドアップ型のＩＩＩ族窒化半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The concentration of hydrogen in the semiconductor layer 21 exceeds 6×10^16 cm^-3 and n-type dopant 23 is added to the semiconductor layer 21.例文帳に追加

III−Ｖ化合物半導体層２１の水素濃度は６×１０^１６ｃｍ^−３を越えており、III−Ｖ化合物半導体層２１には、ｎ型ドーパント２３が添加されている。 - 特許庁

To provide a crystal growth method of a group III-V compound semiconductor, in which crystallinity is high and light emitting efficiency is improved, containing at least gallium (Ga), indium (In), nitrogen (N), and arsenic (As).例文帳に追加

結晶性に優れ、発光効率が向上した、少なくともガリウム(Ｇａ)、インジウム(Ｉｎ)、窒素(Ｎ)、砒素(Ａｓ)を含むIII−Ｖ族化合物半導体の結晶成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor light emitting diode made of an n side rise type laminate having a light emitting layer made of a gallium nitride-indium and having a high output and excellent monochromaticity.例文帳に追加

窒化ガリウム・インジウムを発光層とするｎサイドアップ型の積層体からなる高出力で単色性に優れるIII 族窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To decrease an ohmic contact resistance to an n-type semiconductor layer in a semiconductor light emitting device using a III-V nitride-based compound semiconductor to enable a low-voltage operation.例文帳に追加

III-Ｖ族窒化物系化合物半導体を用いた半導体発光素子において、ｎ型半導体層に対するオーミックコンタクト抵抗を低減して低電圧動作を実現できるようにする。 - 特許庁

The laminating temperature of the buffer layer, the p-type group III nitride semiconductor crystal layer of cubic system and the n-type group III nitride semiconductor crystal layer of hexagonal system is optimized.例文帳に追加

上記緩衝層、立方晶のｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層、六方晶のｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層の積層温度を最適化する。 - 特許庁

When forming the nitride semiconductor lamination structure made of group III nitride semiconductor, an insulation film mask 8 having an opening 9 is formed on an n-type GaN layer 7.例文帳に追加

III族窒化物半導体からなる窒化物半導体積層構造の形成工程において、ｎ型ＧａＮ層７の上には、開口部９を有する絶縁膜マスク８が形成される。 - 特許庁

Since the dry etching surface of the p-type group III nitride semiconductor 8 is rendered n-type by defects caused by etching, ohmic contact cannot be attained when an electrode is formed on a flat plane subjected to dry etching.例文帳に追加

ｐ型III族窒化物半導体８のドライエッチング面は、エッチングによって生じた欠陥によってｎ型化しているために、平坦平面にドライエッチングしておいて電極を形成するとオーミック接触しない。 - 特許庁

To enable the low-resistance and surface planarization of an intermediate layer comprising a n-type group III nitride semiconductor between a crystal substrate and an emission part, and to enable the layer to raise emission intensity.例文帳に追加

結晶基板と発光部との間の、ｎ型III族窒化物半導体からなる中間層の低抵抗化、表面の平坦化を可能とし、発光強度を向上させることができるようにする。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element with a structure capable of preventing a p-type dopant from being diffused into an n-type semiconductor layer composed of a group III nitride semiconductor.例文帳に追加

III族窒化物半導体からなるｎ型の半導体層へ、ｐ型不純物が拡散することを抑制することができる構造の窒化物半導体素子を提供すること。 - 特許庁

To provide methods and apparatus that are optimized for producing Group III-N (nitrogen) compound semiconductor wafers, particularly for producing GaN wafers.例文帳に追加

本発明は、第III族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウエハを製造するために、特にＧａＮウエハを製造するために最適化された方法及び装置に関する。 - 特許庁

According to this semiconductor laser, a group III-V compound semiconductor layer 21 is formed between an embedded semiconductor layer 19 formed of an InP semiconductor and a second clad layer 23 formed of an n-type InP semiconductor.例文帳に追加

本発明に係る半導体レーザによれば、ＩｎＰ半導体からなる埋込半導体層１９とｎ型ＩｎＰ半導体からなる第２クラッド層２３との間にIII−Ｖ族化合物半導体層２１が設けられる。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor light emitting element hardly causing deterioration in crystallinity due to a dopant concentration of a first n-type semiconductor layer and achieving high output, and a method for manufacturing the group III nitride semiconductor light emitting element.例文帳に追加

第一ｎ型半導体層のドーパント濃度に起因する結晶性の低下が生じにくく、かつ、高い出力の得られるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method capable of simultaneously forming a p pad electrode 15 and an n electrode 16 in a face-up-type group III nitride semiconductor light-emitting element provided with a transparent electrode comprising ITO on a p-type layer.例文帳に追加

ｐ型層上にＩＴＯからなる透明電極が設けられたフェイスアップ型のIII 族窒化物半導体発光素子において、ｐパッド電極１５とｎ電極１６を同時に形成することができる製造方法の実現。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting device having a structure in which an n-type electrode can favorably be ohmic-contacted to a device body comprising a group III nitride semiconductor having a nonpolar face as a main surface.例文帳に追加

非極性面を主面としたIII族窒化物半導体で構成された装置本体に対してｎ型電極を良好にオーミック接触させることができる構造の半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor multilayer structure 2 includes an n-type semiconductor layer 11, a p-type semiconductor layer 12 and a light emitting layer 10 held between them, and a laser resonator is formed at a ridge stripe 20.例文帳に追加

III族窒化物半導体積層構造２は、ｎ型半導体層１１と、ｐ型半導体層１２と、これらに挟まれた発光層１０とを含み、リッジストライプ２０の部分にレーザ共振器が形成されている。 - 特許庁

To simplify the manufacture of a compound semiconductor light-emitting element, made up of an n-type group III compound semiconductor layer and a p-type BP semiconductor layer, each provided with an ohmic electrode.例文帳に追加

ｎ形III族化合物半導体層とｐ形ＢＰ半導体層との各々にオーミック電極を設けてなる化合物半導体発光素子にあって、化合物半導体発光素子を簡便に得られる様にする。 - 特許庁

In a process for manufacturing a field effect transistor composed of a group III nitride semiconductor, an n-type GaN layer 2 and a p-type GaN layer 3 are formed on a substrate 12.例文帳に追加

III族窒化物半導体からなる電界効果トランジスタの製造工程において、まず、基板１２の上にｎ型ＧａＮ層２およびｐ型ＧａＮ層３が形成される。 - 特許庁

The group III nitride-based compound semiconductor light-emitting element 100 is a face-up type LED where the n-electrode 30 is a light-reflecting electrode layer and takes out light passing through the translucent electrode 21.例文帳に追加

III族窒化物系化合物半導体発光素子１００は、ｎ電極３０が光反射電極層であり、透光性電極２１を通過した光の取り出しを行うフェイスアップ型ＬＥＤである。 - 特許庁

On a sapphire substrate 10, a low-temperature GaN buffer layer 11 and a p-type Al_xGa_(1-x)N (0≤x≤1) layer 12 as the III nitride semiconductor are stacked in this order.例文帳に追加

サファイア基板１０上には、低温ＧａＮバッファー層１１、III族窒化物半導体としてのｐ型Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ｎ（０≦ｘ≦１）層１２が順次に積層されている。 - 特許庁

To provide a technique for preventing formation of a heavily-doped n-type region on an interface between a semiconductor base layer and a semiconductor layer, in a crystal growth method of a group III-V compound semiconductor.例文帳に追加

III-V族化合物半導体の結晶成長方法において、半導体下地層と半導体層の界面に高濃度なｎ型領域が形成されることを抑制する技術を提供すること。 - 特許庁

To provide a junction type group III nitride transistor configured to be fabricated without regrowing a p-type semiconductor and a low-concentration n-type semiconductor.例文帳に追加

ｐ型半導体および低濃度ｎ型半導体の再成長を行うことなく作製可能な構造を有する接合型III族窒化物トランジスタを提供する。 - 特許庁

In the production method, firstly, a Group III nitride semiconductor layer 11, an ITO electrode 15, a p-electrode 12, and an n-electrode 13 are formed on a top surface of a GaN substrate 10 through MOCVD.例文帳に追加

まず、ＧａＮ基板１０表面上に、ＭＯＣＶＤ法によってIII 族窒化物半導体からなる半導体層１１、ＩＴＯ電極１５、ｐ電極１２、ｎ電極１３を形成する。 - 特許庁

An n-type layer 103, the light emitting layer 104 and a p-type layer 105 in which III nitride compound semiconductor or the like is formed on a sapphire substrate 101 are sequentially formed by an MOVPE method or the like.例文帳に追加

MOVPE 法等により、サファイア基板１０１上にIII 族窒化物系化合物半導体等であるｎ型層１０３、発光層１０４、ｐ型層１０５を順次形成する。 - 特許庁

To provide a layer structure to stably obtain predetermined element performance by the highly sophisticated control of a n-type impurity profile at a hetero interface in a III-group nitride semiconductor element.例文帳に追加

III族窒化物半導体素子におけるヘテロ界面のｐ型不純物プロファイルを高度に制御し、所望の素子性能を安定的に実現する層構造を提供する。 - 特許庁