「N-type Si」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A porous Si layer 2 is formed on a single-crystal Si substrate 1 and a p^+-type Si layer 3, a p-type Si layer 4, and an n^+-type Si layer 5 all of which become solar battery layers are formed on the Si layer 2.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基板１上に多孔質Ｓｉ層２を形成し、その上に太陽電池層となるｐ^+ 型Ｓｉ層３、ｐ型Ｓｉ層４およびｎ^+ 型Ｓｉ層５を形成する。 - 特許庁

For example, a-Si film 13 and n^+-type a-Si film 15 accomplish the bank.例文帳に追加

例えば、ａ−Ｓｉ膜１３とｎ＋型ａ−Ｓｉ膜１５とがバンクを成している。 - 特許庁

The underlayer 3 consists of a p-type poly-Si, the (p) layer 4 consists of p-type a-Si:H, the (i) layer 5 consists of i-type a-Si:H, the (n) layer 6 consists of n-type a-Si:H, and the electrode 7 consists of Al.例文帳に追加

下地層３は、ｐ型ｐｏｌｙ−Ｓｉからなり、ｐ層４は、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｉ層５は、ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｎ層６は、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、電極７は、Ａｌからなる。 - 特許庁

The n-type silicon oxide film 2 includes a plurality of quantum dots 21 made of n-type Si.例文帳に追加

ｎ型シリコン酸化膜２は、ｎ型Ｓｉからなる複数の量子ドット２１を含む。 - 特許庁

For example, an n-type epitaxial layer 12 is grown on the surface of an n-type Si substrate 11.例文帳に追加

たとえば、ｎ型Ｓｉ基板１１の表面に、ｎ型エピタキシャル層１２を成長させる。 - 特許庁

An Si dope GaN layer (n-type GaN layer) 84 is grown thereon.例文帳に追加

その上に、ＳｉドープＧａＮ層（ｎ型ＧａＮ層）８４を成長した。 - 特許庁

A plurality of IGBT cells are formed on an n-type Si substrate 10.例文帳に追加

ｎ型Ｓｉ基板１０上に複数のＩＧＢＴセルが形成されている。 - 特許庁

An i-type Si semiconductor layer is disposed between an n-type Si semiconductor layer or p-type Si semiconductor layer and an i-type Si_xGe_1-x semiconductor layer (where 0≤x≤0.6).例文帳に追加

ｎ型Ｓｉ半導体層又はｐ型Ｓｉ半導体層とｉ型Ｓｉ_ｘＧｅ_１−ｘ半導体層（但し、０≦ｘ≦０．６）の間に、ｉ型Ｓｉ半導体層を配置することとした。 - 特許庁

An i-type a-Si layer 2 and a p-type a-Si layer 3 are deposited on the substrate 1 (an n-type silicon wafer), and a PIN junction is formed (a).例文帳に追加

基板１（ｎ型シリコンウエハ）上に、ｉ型ａ−Ｓｉ層２及びｐ型ａ−Ｓｉ層３を堆積させてｐｉ接ｎ合を作成する（ａ）。 - 特許庁

Two boundary lines between the n-type polycrystalline Si 5a and p-type polycrystalline Si 5b are on the n-type CCD channel area 3 adjacent to the boundary between the n-type CCD channel area 3 and p+-type channel stop area 4.例文帳に追加

ｎ型多結晶Ｓｉ５ａとｐ型多結晶Ｓｉ５ｂとの境界線は２個所ともｎＣＣＤチャネル領域３とｐ^+型チャネル阻止領域４との境界近傍のｎ型ＣＣＤチャネル領域３上にある。 - 特許庁

To obtain a larger area to take out light without including an n-type Si substrate and a buffer layer, concerning a GaN-base LED to be formed by using a GaN-LED on Si substrate.例文帳に追加

GaN-LED on Si基板を利用して形成されるGaN系LEDにおいて、n型Si基板及びバッファ層を含まず、かつ光を取り出すための領域の面積を広く取ることが可能である。 - 特許庁

An ONO gate insulating film G of three-layered structure composed of Si oxide film 6/Si nitride film 5/Si oxide film 4 is formed on the surface of an N-type CCD channel region 3, and a poly-Si transfer electrode 7 is provided on the ONO gate insulating film G.例文帳に追加

n型CCDチャネル領域3表面に、Si酸化膜6/Si窒化膜5/Si酸化膜4の3層構造のONOゲート絶縁膜Gが形成され、ONOゲート絶縁膜G上に、ポリSi転送電極7を設けている。 - 特許庁

While a P-channel type MISFET is covered by a mask layer RM, ion (at least one of F, Si, C, Ge, Ne, Ar, and Kr is included) is implanted into an N-type source region and an N-type drain region of N-channel type MISFET.例文帳に追加

マスク層ＲＭによりＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴを覆いつつ、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのＮ型ソース領域およびＮ型ドレイン領域に、イオン（F,Si,C,Ge,Ne,Ar,Krのうち少なくとも一種類を含む）を注入する。 - 特許庁

Thereafter, an N type epitaxial layer 4 is formed so as to cover the whole face of the P type Si substrate 1.例文帳に追加

その後、Ｐ型Ｓｉ基板１の全面を覆うように、Ｎ型エピタキシャル層４を形成する。 - 特許庁

A p-type impurity doping region 11a is formed to an n-type silicon (Si) board 11.例文帳に追加

ｎ型シリコン（Ｓｉ）基板１１に、ｐ型不純物ドープ領域１１ａが形成されている。 - 特許庁

An n-type polycrystalline Si thin film 3 and a p-type polycrystalline Si thin film 4 are formed on the metal electrode 2 by an epitaxial growth method.例文帳に追加

ｎ型多結晶Ｓｉ薄膜３及びｐ型多結晶Ｓｉ薄膜４は、エピタキシャル成長法により金属電極２上に形成する。 - 特許庁

To enhance power generation efficiency by facilitating to increase optical intensity on the interface of a p-type Si film and an n-type Si film.例文帳に追加

本発明は、該ｐ型Ｓｉ膜とｎ型Ｓｉ膜との界面の光強度を上げやすくして発電効率を高めることを課題とする。 - 特許庁

An n-type poly-Si resistor 7 and a p-type poly-Si resistor 8 in which the ratio of their height to their width is at one or higher are formed at the beam 15.例文帳に追加

梁１５には、高さ／幅が１以上のｎ型およびｐ型ポリＳｉ抵抗７，８が形成される。 - 特許庁

A P--type Si layer 25 and an N+-type Si layer 24 are laminated successively in this sequence from a viewpoint of an incident light 28 which is incident on a solar cell.例文帳に追加

太陽電池の光入射側４８から見て、ｐ^-型Ｓｉ層２５とｎ^+型Ｓｉ層２４の順に配列して半導体層を積層する。 - 特許庁

An N- type Si layer 6 that becomes a collector layer is formed while the layer 6 contacts an exposed N- type collector layer 4 on a P- type substrate 1.例文帳に追加

Ｐ−型基板１上の露出したＮ−型コレクタ層４に接するようにコレクタ層となるＮ−型Ｓｉ層６が形成されている。 - 特許庁

An NPN type bipolar transistor BT, in which an N well 11 is a collector layer, a P+ type Si layer 12A formed on a surface of the N wall 11 is a base layer, and an N+ type Si layer 15 formed on a surface of the P+ type Si layer 12A is an emitter layer, is formed.例文帳に追加

Ｎウエル１１をコレクタ層とし、Ｎウエル１１の表面に形成されたＰ＋型Ｓｉ層１２Ａをベース層とし、Ｐ＋型Ｓｉ層１２Ａの表面に形成されたＮ＋型Ｓｉ層１５をエミッタ層とする、ＮＰＮ型のバイポーラトランジスタＢＴが形成されている。 - 特許庁

While a p-channel MISFET is covered with a mask layer RM, ion (including at least a kind of F, Si, C, Ge, Ne, Ar, and Kr) is implanted to the n-type source region and n-type drain region of n-channel MISFET.例文帳に追加

マスク層ＲＭによりＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴを覆いつつ、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのＮ型ソース領域およびＮ型ドレイン領域に、イオン（F,Si,C,Ge,Ne,Ar,Krのうち少なくとも一種類を含む）を注入する。 - 特許庁

An exemplary SiGeC heterojunction bipolar transistor has a collector comprising an n-type single crystal Si layer and an n-type single crystal SiGe layer.例文帳に追加

ＳｉＧｅＣヘテロ接合バイポーラトランジスタの代表例のコレクタは、ｎ型単結晶Ｓｉ層、及びｎ型単結晶ＳｉＧｅ層からなる。 - 特許庁

The semiconductor device has a p-n diode 5a composed of a p-type SiGe layer 13 and an n-type Si layer 15 joined with the layer 13.例文帳に追加

ｐ型ＳｉＧｅ層１３と、当該ｐ型ＳｉＧｅ層１３に接合するｎ型Ｓｉ層１５とからなるｐｎダイオード５ａを備えたものである。 - 特許庁

An SiC layer 2 is formed with a CVD process on an Si(111) substrate layer 1 doped to an n-type.例文帳に追加

ｎ型にドーピングしたＳｉ(111)基板層１上に、ＣＶＤ法によりＳｉＣ層２を形成する。 - 特許庁

To produce an n-type group III nitride semiconductor having a high Si concentration and good crystallinity.例文帳に追加

Ｓｉ濃度が高く、結晶性のよいｎ型III 族窒化物半導体を製造すること。 - 特許庁

The layer 30 also has a heavily doped n-type Si body area 22, n--type Si area 23, SiGe channel area 24 containing an n-type impurity at a low concentration, lightly doped n-type Si cap layer 25, and contact 26 which is a conductor member connecting a gate electrode 17 to the Si body area 22.例文帳に追加

また、高濃度のｎ型Ｓｉボディ領域２２と、ｎ^- Ｓｉ領域２３と、低濃度のｎ型不純物を含むＳｉＧｅチャネル領域２４と、低濃度のｎ型Ｓｉキャップ層２５と、ゲート電極１７とＳｉボディ領域２２とを電気的に接続する導体部材であるコンタクト２６とが設けられている。 - 特許庁

Then, silicon (Si) is added to the injected area to form an n-type region.例文帳に追加

そして、注入領域にシリコン（Ｓｉ）を添加してｎ型領域を形成する。 - 特許庁

Recesses (scribe line) 45 are cut in the P--type Si layer 25 beyond the N+-type Si layer 24, and a positive electrode 32 is filled into the recess 45 through the intermediary of a P+-type Si layer 26.例文帳に追加

半導体層２４、２５の裏面に、ｎ^+型Ｓｉ層２４を超えｐ^-型Ｓｉ層２５をもえぐる凹部（スクライブライン）４５があり、前記凹部４５のなかにｐ^+型Ｓｉ層２６を介して正電極３２が埋め込まれている。 - 特許庁

A Si adhesive substrate is constituted by sticking one surface 20b of an N^--type high resistivity Si substrate 20 having face orientation (111) different from the Si substrate 10 on a surface 10a of an N^+-type low resistivity Si substrate 10 having face orientation (100).例文帳に追加

面方位が（１００）のＮ^＋型低比抵抗Ｓｉ基板１０の面１０ａ上に、面方位がＳｉ基板１０とは異なる（１１１）のＮ^−型高比抵抗Ｓｉ基板２０の一方の面２０ｂを貼り合わせて、Ｓｉ貼合基板を構成する。 - 特許庁

The n-type layer 3 comprises, for example, a p-type dopant, such as Mg as well as an n-type dopant like Si, while the p-type layer 5 comprises, for example, an n-type dopant such as Si as well as p-type dopant such as Mg.例文帳に追加

このｎ形層３が、たとえばＳｉのようなｎ形ドーパントだけでなく、たとえばＭｇのようなｐ形ドーパントを含有しており、また、ｐ形層５も、たとえばＭｇのようなｐ形ドーパントだけでなく、たとえばＳｉのようなｎ形ドーパントを含有している。 - 特許庁

On a substrate 1, an n-type μc-Si:H layer 2, an i-type μc-Si:H layer 3 serving as photoelectric conversion layer, a p-type μc-Si:H layer 4, a p-type a-Si:H layer 5 and a transparent electrode 6 made of ITO are laminated and formed in the order.例文帳に追加

基板１上に、ｎ型μｃ−Ｓｉ：Ｈ層２、光電変換層となるｉ型μｃ−Ｓｉ：Ｈ層３、ｐ型μｃ−Ｓｉ：Ｈ層４、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈ層５、及び、ＩＴＯ製の透明電極６がこの順に積層形成されている。 - 特許庁

A P-type semiconductor layer 30 added a prescribed impurity is provided in a prescribed region of the surface 20a side opposite to the Si substrate 10 of the N^--type Si substrate 20, and a photodiode 1 having a PN junction by the N^--type Si substrate 20 and the P-type semiconductor layer 30 is constituted.例文帳に追加

また、Ｎ^−型Ｓｉ基板２０のＳｉ基板１０とは反対側の面２０ａ側の所定領域に、所定の不純物が添加されたＰ型半導体層３０を設けて、Ｎ^−型Ｓｉ基板２０とＰ型半導体層３０とによるＰＮ接合を有するフォトダイオード１を構成する。 - 特許庁

SiOx, are arranged at one or both ends of a grain boundary 30 formed between columnar crystals in the μc-Si layer 14, short circuit of an electric current via the grain boundary 30 can be prevented between the n-type a-Si regions 131 and p-type a-Si regions 151.例文帳に追加

これにより、μc-Si層１４内で柱状晶間に形成される結晶粒界３０の一方もしくは両方の端部に絶縁部材であるSiOxから成る層（第１絶縁層１３２及び第２絶縁層１５２）が配置されるため、n型a-Si層１３１とp型a-Si層１５１との間で結晶粒界３０を介して電流が短絡することを防ぐことができる。 - 特許庁

The deep n-type well is further provided with a second deep n-type well 103 provided at the bottom surface side of the p-type Si substrate 101 more than the first deep n-type well 105, and has n-type impurity concentration different from that of the firs deep n-type well 105.例文帳に追加

ディープｎ型ウェルは、第一のディープｎ型ウェル１０５よりもｐ型Ｓｉ基板１０１の底面側に設けられており、第一のディープｎ型ウェル１０５と異なるｎ型の不純物濃度を有する第二のディープｎ型ウェル１０３を備える。 - 特許庁

A high concentration phosphoric ion is implanted into a region for forming a pn junction varactor on a p-type Si substrate, and after a carbon is implanted, a low concentration n-type Si layer is formed on the Si substrate.例文帳に追加

Ｐ型Ｓｉ基板上のＰＮ接合バラクタの形成領域に高濃度のリンイオンを注入し、カーボンを注入した後、Ｓｉ基板上に低濃度のＮ型Ｓｉ層を形成する。 - 特許庁

Thereafter, the upper part of the a-Si film is nitrided through a treatment with N2 plasma or He/N2 plasma to deposit an n-type silicon film.例文帳に追加

その後、Ｎ_２プラズマもしくはＨｅ／Ｎ_２プラズマ処理等によりa−Ｓｉ膜上部を窒化させ、n型シリコン膜を堆積する。 - 特許庁

Lithium ions are electrochemically injected into the n-type Si substrate 11 to peel the n-type Si substrate 11 from the nitride-based group III-V compound semiconductor layer 13, n-type active layer 14, and a p-type nitride-based group III-V compound semiconductor layer 15.例文帳に追加

ｎ型Ｓｉ基板１１中にリチウムイオンを電気化学的に挿入することによりｎ型Ｓｉ基板１１をバッファ層１２、ｎ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１３、活性層１４およびｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５から剥離する。 - 特許庁

Further, photocurrent is generated when the interface between the n-type Si substrate 1 and the n-type Mg_XZnO layer 2 has received light, however, the photocurrent flows through the interface between Mg_XZnO and Si as a two-dimensional carrier.例文帳に追加

また、ｎ型Ｓｉ基板１とｎ型Ｍｇ_ＸＺｎＯ層２との界面で光を受光すると、光電流が発生するが、光電流は、Ｍｇ_ＸＺｎＯとＳｉの界面を２次元性キャリアとして流れる。 - 特許庁

The nitride-based semiconductor device comprises a substrate made of an n-type nitride-based semiconductor doped with hydrogen, and an n-type nitride-based semiconductor layer doped with one of Si, Se, and Ge formed on the upper surface of the substrate.例文帳に追加

酸素がドープされたｎ型の窒化物系半導体からなる基板と、前記基板の上面上に形成された、Si、Se及びGeのいずれかがドープされたｎ型の窒化物系半導体層とを窒化物系半導体素子が備える。 - 特許庁

After an n-type Si layer is epitaxially grown, the silicon oxide film 3 is first evaporated in the formation area A of the high-speed HBT and it is removed therefrom, and then the n-type Si layer is grown.例文帳に追加

その後Ｎ型Ｓｉ層をエピタキシャル成長させると、高速用ＨＢＴの形成領域Ａではまずシリコン酸化膜３の蒸発が起こり除去されてからＮ型Ｓｉ層が成長する。 - 特許庁

On the P type SiGe layer 7, a P type Si layer 8 including N+ type emitter region 19 and the external base region is formed.例文帳に追加

そのＰ型ＳｉＧｅ層７上にＮ＋型エミッタ領域１９と外部ベース領域とを含むＰ型Ｓｉ層８が形成されている。 - 特許庁

To raise the efficiency and reliability of a semiconductor laser apparatus having an n-type AlGaInP clad layer or a semiconductor layer including an n-type AlGaAs using an Si as an n-type dopant.例文帳に追加

ｎ型ドーパントとしてＳｉを用い、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層もしくはｎ−ＡｌＧａＡｓを含む半導体層を有する半導体レーザ装置の高効率化・高信頼性化を図る。 - 特許庁

Then an internal wall insulating film 4 and n^+-type doped Poly-Si 5 are arranged in the trench 3, and an n^+-type impurity layer 6 is formed below the trench 3 while extending from a bottom surface of the trench 3 to the n^--type substrate 1.例文帳に追加

そして、トレンチ３の内部に内壁絶縁膜４とｎ^+型ドープトＰｏｌｙ−Ｓｉ５を配置し、トレンチ３の下方において、トレンチ３の底面からｎ^-型基板１に向かって伸びるようにｎ^+型不純物層６を形成する。 - 特許庁

When an N-type conductive layer 2 is grown on a semiconductor substrate 1 through an MOVPE method, a mixture of Si2H6 and H2Se as N-type dopant is fed to enable Si and Se to reside in the N-type conductive layer.例文帳に追加

半導体基板１上に、ＭＯＶＰＥ法によってｎ型導電性層２を成長させる場合に、ｎ型ドーパントとしてＳｉ_2Ｈ_6およびＨ_2Ｓｅを供給してｎ型導電性層中にＳｉおよびＳｅを存在させる。 - 特許庁