「P- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(37ページ目) - Weblio英語例文検索

A photoelectric conversion portion includes the P-type semiconductor region 110 and the N-type semiconductor region 119.例文帳に追加

光電変換部は、Ｐ型半導体領域１１０とＮ型半導体領域１１９を含んで構成される。 - 特許庁

A P-type base region is formed in the semiconductor substrate 201 contiguously with the N-type region 202.例文帳に追加

半導体基板２０１内にＮ型領域２０２と隣り合うようにＰ型のベース領域が形成されている。 - 特許庁

For example, a recess 2a is formed on the n^- type channel layer 2, and the p^+ type gate region 4 is formed in the recess 2a.例文帳に追加

例えば、ｎ^-型チャネル層２に凹部２ａを形成し、この凹部２ａ内にｐ^+型ゲート領域４を形成する。 - 特許庁

An n-type impurity layer 50 and a p-type impurity layer 60 are formed in the surface of substrate 20S.例文帳に追加

基板表面２０Ｓ内にはｎ型不純物層５０及びｐ型不純物層６０が形成されている。 - 特許庁

In the lateral junction type field effect transistor, an n-type epitaxial layer 4 and a gate region 5 are formed successively on a p^--epitaxial layer 3.例文帳に追加

ｐ^-エピタキシャル層３上に、ｎ型エピタキシャル層４とゲート領域５とが順に形成されている。 - 特許庁

A trench gate 17 is formed to get at the n-type drift layer 10 passing through the p-type base layer 11.例文帳に追加

トレンチ・ゲート１７はｐ型ベース層１１を貫通してｎ型ドリフト層１０に達するように形成されている。 - 特許庁

A P^---type impurity layer 12 is provided under N^--type impurity layers 2 and 3 which become a drain of the MOSFET.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのドレインとなるＮ^−型不純物層２、３の下に、Ｐ^−−型不純物層１２を設ける。 - 特許庁

A photodiode 51 is provided with an N-type impurity introduction region 7 and a P^+-type impurity introduction region 6.例文帳に追加

フォトダイオード５１は、Ｎ型不純物導入領域７とＰ^+型不純物導入領域６とを備えている。 - 特許庁

P-type thermoelectric materials 15A and the n-type thermoelectric materials 15B are formed on the second lower electrode 13.例文帳に追加

第２下部電極１３上にはＰ型熱電材料１５ＡとＮ型熱電材料１５Ｂが形成されている。 - 特許庁

The emitter layer 13 is N-type semiconductor region, and the second base layer 14 is a P-type semiconductor region.例文帳に追加

エミッタ層１３は、Ｎ型半導体領域であり、第２のベース層１４は、Ｐ型半導体領域である。 - 特許庁

On the n-type semiconductor layer 12 for the protection element, an active layer and a p-type semiconductor layer 13 are layered.例文帳に追加

保護素子用のｎ型半導体層１２には、活性層及びｐ型半導体層１３を積層してある。 - 特許庁

Further, the N-type semiconductor 11 and the P-type semiconductor 12 are connected at one end by an electrode 14.例文帳に追加

更に、Ｎ型半導体１１とＰ型半導体１２とは電極１４により一端が接続されている。 - 特許庁

The first comparator 20 is a P type comparator and the second and third comparators 21 and 22 are N type comparators.例文帳に追加

第１のコンパレータ２０は、Ｐ型コンパレータであり、第２及び第３のコンパレータ２１，２２はＮ型コンパレータある。 - 特許庁

A group of layers from the n-type contact layer 104 to the p-type contact layer 108 compose a UV-ray emission portion.例文帳に追加

ｎ型コンタクト層１０４からｐ型コンタクト層１０８までの層が紫外線発光部を構成している。 - 特許庁

Thereby, p-type and n-type carbon nanotubes and field effect transistors may be embodied according to the carrier-trapping material.例文帳に追加

これにより、トラッピング物質によって、ｐ型またはｎ型炭素ナノチューブ及び電界効果トランジスタを具現できる。 - 特許庁

The bound of the n-type channel part and the bound of the p-type channel part delimitate an intrinsic region (72) in the substrate.例文帳に追加

ｎ型チャンネル部の境界及びｐ型チャンネル部の境界は、基板内の真性領域（７２）を画定する。 - 特許庁

In this field effect transistor(FET), a large number of P-type base regions 14 having N-type source regions 15 are arranged.例文帳に追加

本発明のＦＥＴは、ｎ型ソース領域１５を有するｐ型ベース領域１４が多数配列されている。 - 特許庁

Thus, it is possible to prevent the surface of the dividing part 25 in the p type semiconductor layer 23 from being inverted to n type.例文帳に追加

こうして、ｐ型半導体層２３における分割部２５の表面がｎ型に反転することを防止する。 - 特許庁

Side surfaces 12a, 22a of the respective p-type thermoelectric conductors 17 and the respective n-type thermoelectric conductors 27 are slanted.例文帳に追加

各Ｐ型熱電導体１７及び各Ｎ型熱電導体２７の側面１２ａ、２２ａを傾斜させる。 - 特許庁

The dual gate electrode 4 contains a p-type section 4a, an n-type section 4b and a pn connecting section held by these sections 4a and 4b.例文帳に追加

デュアルゲート電極４は、Ｐ型部４ａと、Ｎ型部４ｂと、これらに挟まれたＰＮ接続部とを含む。 - 特許庁

To selectively form a silicon-germanium layer by a p-type MOSFET region and an n-type MOSFET region.例文帳に追加

ｐ型ＭＯＳＦＥＴ領域とｎ型ＭＯＳＦＥＴ領域とで、選択的にシリコン・ゲルマニウム層を形成する。 - 特許庁

The semiconductor structure comprises an n-type semiconductor layer, a semiconductor active layer, and a p-type semiconductor layer.例文帳に追加

その内、半導体構造はｎ型半導体層、半導体活性層及びｐ型半導体層で構成される。 - 特許庁

A diode 1 has a semiconductor substrate 2, a n^--type semiconductor layer 3 and a p^+-type semiconductor region 4.例文帳に追加

ダイオード１は、半導体基板２と、ｎ^−型半導体層３と、Ｐ^＋型半導体領域４とを備えている。 - 特許庁

On one side of a semiconductor substrate 11, an N-type buffer layer 12 and a P-type collector layer 10 are formed.例文帳に追加

半導体基板１１の一面側には、Ｎ型バッファ層１２及びＰ型コレクタ層１０が形成される。 - 特許庁

The second n-type semiconductor layer 19 is formed between the active layer 15 and the p-type semiconductor layer 17.例文帳に追加

第２のｎ型半導体層１９は、活性層１５とｐ型半導体層１７との間に設けられている。 - 特許庁

A p-type silicon carbide region 4 having a rectangular planar shape is formed on the n-type withstand voltage layer 3.例文帳に追加

ｎ型の耐圧層３に平面形状が長方形のｐ型炭化ケイ素領域４が形成されている。 - 特許庁

A p-type region and an n-type region are exposed on one principal plane 8a of the solar cell substrate 8.例文帳に追加

太陽電池基板８の一の主面８ａには、ｐ型領域及びｎ型領域が露出している。 - 特許庁

This image sensor 10 has an image sensing element that includes an N-type conducting region 26 and a P-type pinned layer 37.例文帳に追加

イメージ・センサ１０は、Ｎ型導通領域２６と、Ｐ型ピン型層３７とを含むイメージ検出素子を有する。 - 特許庁

An active region 13 is provided between a p-type semiconductor layer 15 and an n-type semiconductor layer 17.例文帳に追加

活性領域１３は、ｐ型半導体層１５とｎ型半導体層１７との間に設けられている。 - 特許庁

A first epitaxial layer 12 high in the concentration of n-type impurities is provided on a p-type silicon wafer 11.例文帳に追加

Ｐ型シリコンウェーハ１１上には、Ｎ型不純物の濃度が高い第１のエピタキシャル層１２が設けられている。 - 特許庁

A mask is arranged on an n-type semiconductor layer 4, and a p-type dopant is diffused into an unmasked region.例文帳に追加

ｎ型半導体層４上にマスクを配置して、マスクされていない領域に、ｐ型ドーパントを拡散させる。 - 特許庁

Subsequently, a p-type amorphous silicon film 3 is formed on the i-type amorphous silicon film 2 by plasma CVD.例文帳に追加

続いて、ｉ型非晶質シリコン膜２上にプラズマＣＶＤ法によりｐ型非晶質シリコン膜３を形成する。 - 特許庁

An n-type semiconductor layer 21 and a p-type semiconductor layer 23 are laminated on one surface of a support layer 1.例文帳に追加

ｎ型半導体層２１及びｐ型半導体層２３は、支持層１の一面上で積層されている。 - 特許庁

The semiconductor laser array 1 includes a p-type clad layer 11, an n-type clad layer 15, and an active layer 13.例文帳に追加

半導体レーザアレイ１は、ｐ型クラッド層１１と、ｎ型クラッド層１５と、活性層１３と、を備えている。 - 特許庁

N-type impurities such a phosphorus or p-type impurities such as boron are introduced into a semiconductor substrate, i.e. a wafer 25.例文帳に追加

半導体基板であるウェハ２５内に、リン等のｎ型不純物やボロン等のｐ型不純物を導入する。 - 特許庁

And the thickness of the gate insulating film of the n-type MIS transistor is thicker than that of the p-type MIS transistor.例文帳に追加

そして、このＮ型ＭＩＳトランジスタのゲート絶縁膜はＰ型ＭＩＳトランジスタのゲート絶縁膜よりも厚い。 - 特許庁

A resistance circuit includes resistive elements R1, TR, and R2 comprising a p-type diffusion layer formed in an n-type layer.例文帳に追加

抵抗回路は、Ｎ型層に形成されたＰ型拡散層からなる抵抗素子Ｒ１，ＴＲ，Ｒ２を含む。 - 特許庁

It is preferable that the semiconductor light-emitting element includes an n-type semiconductor layer formed between the substrate and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ここで、基板とｐ型半導体層との間に設置されたｎ型半導体層を含むことが好ましい。 - 特許庁

A p-type polysilicon layer 7 is disposed on a n-type semiconductor layer 2 which is a single crystal silicon layer.例文帳に追加

単結晶シリコン層であるｎ−型半導体層２の上に、ｐ型の多結晶シリコン層７を設ける。 - 特許庁

The collector layer 11 is an N-type semiconductor region and the first base layer 12 is a P-type semiconductor region.例文帳に追加

コレクタ層１１は、Ｎ型半導体領域であり、第１のベース層１２は、Ｐ型半導体領域である。 - 特許庁

The light-emitting part is provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer and includes a first light-emitting layer.例文帳に追加

発光部は、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられ、第１発光層を含む。 - 特許庁

The N type epitaxial layer 4 of the semiconductor device is formed on a p-type silicon substrate 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｐ型のシリコン基板３上にＮ型のエピタキシャル層４が形成されている。 - 特許庁

On both the sides of an intrinsic semiconductor layer, n-type semiconductor layers 6 and p-type semiconductor layers 5 are alternately provided.例文帳に追加

真性半導体層の両側にｎ型半導体層６およびｐ型半導体層５を交互に設けた。 - 特許庁

In a CMOS imaging sensor 1, an N-type semiconductor layer 12 is formed on a P-type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサ１において、Ｐ型の半導体基板１１上にＮ型の半導体層１２を形成する。 - 特許庁

A material ingot is pulverized, and it is solidified and molded to make solid and molded p-type and n-type thermoelectric element materials.例文帳に追加

原料インゴットを粉末化した後、固化成形してｐ型及びｎ型熱電材料の固化成形体とする。 - 特許庁