「P- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(40ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an organic p-type material usable in an electronic device.例文帳に追加

電子デバイスにおいて利用することができる有機ｐ型材料を提供すること。 - 特許庁

Each p-type line-shaped resurf 15 is connected to an EQR electrode 5.例文帳に追加

そして、各ｐ型ライン状リサーフ部１５は、ＥＱＲ電極５に接続されている。 - 特許庁

In a semiconductor integrated circuit device, an n-channel transistor 1, a p-channel transistor 2, and an MOS type varactor element 3 are provided on the surface of a p-type substrate PSub.例文帳に追加

半導体集積回路装置において、Ｐ型基板ＰＳｕｂの表面にＮチャネルトランジスタ１、Ｐチャネルトランジスタ２及びＭＯＳ型バラクタ素子３を設ける。 - 特許庁

When 1 V is applied to the P type well 123, electric charges are injected into a channel (P type well 213) from a source 116 and a drain 117 by its forward bias (a).例文帳に追加

Ｐ型ウェル１２３に１Ｖが印加されると，その順方向バイアスによって，ソース１１６およびドレイン１１７からチャネル（Ｐ型ウェル１２３）に電子が注入される（ａ）。 - 特許庁

A plurality of transistor elements connected in parallel with each other are formed on a p-type substrate 8, and a well contact 1 is configured of a p-type diffusion layer so as to surround them.例文帳に追加

互いに並列接続された複数のトランジスタ素子をＰ型基板８上に形成し、これらを取り囲むようにウェルコンタクト１をＰ型拡散層により構成する。 - 特許庁

Further, the 1st P-type conductive regions 4, 8, 9, and 10 and 2nd P-type conductive regions 5, 11, 12, and 13 are arranged having their ends put one over each other as seen in a plane.例文帳に追加

また、第１Ｐ型導電領域４，８，９，１０と第２Ｐ型導電領域５，１１，１２，１３とは、平面的に見てそれぞれ端部が重なり合うように配置する。 - 特許庁

FORMATION PROCESS OF AS-GROWN-P-TYPE ACTIVE GROUP III-V NITRIDE COMPOUND例文帳に追加

ａｓ−ｇｒｏｗｎｐ型活性ＩＩＩ−Ｖ族窒化化合物の形成工程 - 特許庁

The p-type semiconductor layer activated by plasma is able to develop a function similar to that of a p-type semiconductor activated by thermal effects by an already known technology.例文帳に追加

本発明のプラズマにより活性化されたｐ型半導体層は周知の技術により熱効果により活性化されたｐ型半導体層と相似の機能を発揮する。 - 特許庁

To provide an array substrate for controlling the threshold voltage of a p-type thin-film transistor easily.例文帳に追加

Ｐ型薄膜トランジスタの閾値電圧の制御が容易なアレイ基板を提供する。 - 特許庁

Then, the n-type polysilicon layer 4 and the p-type polysilicon layer 5 are connected to a gate terminal 7, and the N well 2 is connected through a P^+-diffuse layer 3 to an SD terminal 8.例文帳に追加

そして、Ｎ型ポリシリコン層４及びＰ型ポリシリコン層５をゲート端子７に接続し、Ｎウエル２をＰ^＋拡散層３を介してＳＤ端子８に接続する。 - 特許庁

Consequently, such a p-type concentration distribution that the concentration of a p-type impurity becomes higher as going toward the boron-introduced areas 2 from the element area of the substrate 1 is formed.例文帳に追加

これにより、半導体基板１の素子領域からボロン導入領域２に向けてｐ型の不純物濃度が高くなるようなｐ型濃度分布が形成されている。 - 特許庁

To provide a silicon wafer for a p-type high-frequency device by enabling a region where p/n-type inversion is caused to be formed within a depth range deeper than that of a carbon-doped wafer.例文帳に追加

ｐ／ｎ型反転の起きる領域を炭素ドープウェーハに比べてより深々度範囲に形成可能とし、ｐ型の高周波デバイス向けシリコンウェーハを提供する。 - 特許庁

The charge accumulating units 55 of respective pixels 11 are arranged on the P-type epitaxial layer 53.例文帳に追加

各画素１１の電荷蓄積部５５は、Ｐ型エピタキシャル層５３に配置される。 - 特許庁

To improve drive capacity and reliability of a p-type MOS transistor by preventing depletion in a p-type gate electrode and reducing the sheet resistance.例文帳に追加

ｐ型のゲート電極における空乏化を防止すると共にシート抵抗の低下を図り、ｐ型のＭＯＳトランジスタの駆動能力及び信頼性を向上させる。 - 特許庁

The trench 120 elongates from the backside of a p-type collector layer 32 toward the surface side thereof and passes the surface of the p-type collector layer 32 to intrude into a base region 110.例文帳に追加

トレンチ１２０は、ｐ型コレクタ層３２の裏面から表面側に向けて伸び、ｐ型コレクタ層３２の表面を通過してベース領域１１０に侵入している。 - 特許庁

On the surface 1A, an N-type semiconductor layer 2 and a P-type semiconductor layer 3 are sequentially grown epitaxially to form a P-N junction surface 5 which contributes to light emission.例文帳に追加

この表面１Ａ上に、Ｎ型半導体層２およびＰ型半導体層３を順にエピタキシャル成長させて、発光に寄与するＰＮ接合面５が形成されている。 - 特許庁

Meanwhile, p-type second bumps 23, 24 are respectively provided at p-type substrate side electrodes 21, 22 provided at the packaging substrate 20 side so that the bumps are each an Au stud bump.例文帳に追加

一方、実装基板２０側に設けられたｐ型等の基板側電極２１、２２にｐ型等の第２のバンプ２３、２４を設け、該バンプはＡｕのスタッドバンプである。 - 特許庁

After a gate oxide film 3 is formed on the upper layer of a low-density P-type semiconductor substrate 1, a P-type gate electrode 4 is formed on the upper layer of the gate oxide film 3.例文帳に追加

低濃度Ｐ型の半導体基板１の上層にゲート酸化膜３を形成した後、ゲート酸化膜３上層にＰ型のゲート電極４を形成する。 - 特許庁

TRANSISTOR HAVING P-TYPE BURIED LAYER UNDER SOURCE REGION AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ソース領域の下にｐ型埋込み層を備えたトランジスタ及びその作製方法 - 特許庁

The active layer 18 and the p-type clad layer 54 are laminated in a Z-direction.例文帳に追加

活性層１８及びｐ型クラッド層５４は、Ｚ方向に積層されている。 - 特許庁

The p-well 4B is used as the base of the vertical type npn bipolar transistor 30.例文帳に追加

このＰウエル４Ｂは、縦型ＮＰＮバイポーラトランジスタ３０のベースに用いられる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a p-type gallium nitride based semiconductor for providing a gallium nitride based semiconductor containing p-type dopant without performing activation annealing.例文帳に追加

活性化アニールを行うことなく、ｐ型ドーパントを含む窒化ガリウム系半導体を提供可能な、ｐ型窒化ガリウム系半導体を作製する方法を提供する。 - 特許庁

The p type layer of the active region may be a quantum well layer or a barrier layer.例文帳に追加

活性領域のｐ型層は、量子井戸層又はバリア層とすることができる。 - 特許庁

The contact 107 is not formed in the high-density P-type diffusion region 106.例文帳に追加

前記高濃度Ｐ型拡散領域１０６には、コンタクト１０７は形成されない。 - 特許庁

A p-type semiconductor block 11 is formed by a p-type thermoelectric conversion material and has a pillar 11a and a connection 11b which is protruded from the pillar 11a in a lateral direction.例文帳に追加

ｐ型半導体ブロック１１はｐ型熱電変換材料により形成され、柱部１１ａと該柱部１１から横方向に突出する接続部１１ｂとを有する。 - 特許庁

A semiconductor substrate includes a p type body region 10 and a semiconductor layer 12.例文帳に追加

半導体基板は、ｐ型のボディ領域１０と半導体層１２とを有する。 - 特許庁

The p-type layer in the active region can be a quantum well layer or a barrier layer.例文帳に追加

活性領域のｐ型層は、量子井戸層又はバリア層とすることができる。 - 特許庁

An auto dope preventing film 34 is formed on a rear surface of the p-type semiconductor substrate 10.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１０の裏面にオートドープ防止膜３４を形成する。 - 特許庁

The photosensor 4 has a p^+ region 22 and an n-type region 24 beneath which a p^- region 26 (overflow barrier) and an n-type region 28 as a transfer path are formed.例文帳に追加

光センサー４はｐ＋領域２２およびｎ型領域２４から成り、その下にｐ−領域２６（オーバーフローバリア）と、転送路としてのｎ型領域２８が形成されている。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor luminous element having a high emission intensity by providing a p-type ohmic electrode having a low contact resistance with respect to a p-type boron phosphide semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ形リン化硼素半導体層について低い接触抵抗のｐ形オーミック電極を設けて、高発光強度の化合物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The p-type ohmic electrode is constituted such that the bottom-face that contacts the surface of the p-type boron-phosphide-based semiconductor layer is made of a film of a lanthanoide element or its alloy.例文帳に追加

ｐ形リン化硼素系半導体層の表面に接触する底面部をランタノイド元素またはその合金の膜としてｐ形オーミック電極を構成する。 - 特許庁

More specifically, no p-type impurities are added to the semiconductor layers 18b, 18c.例文帳に追加

すなわち、半導体層１８ｂ，１８ｃには、ｐ型の不純物は添加されてない。 - 特許庁

The photodiode 20a comprises a p^+-type top layer 22a and a charge accumulating section 21a, and the photo-diode 20b comprises a p^+-type top layer 22b and a charge accumulating section 21b.例文帳に追加

フォトダイオード２０ａは、Ｐ^+型表面層２２ａと電荷蓄積部２１ａとを備え、フォトダイオード２０ｂは、Ｐ^+型表面層２２ｂと電荷蓄積部２１ｂとを備える。 - 特許庁

The film thickness of the p-type amorphous silicon film 24 is 6 to 80 nm.例文帳に追加

ｐ型非晶質シリコン膜２４の膜厚は、６ｎｍ以上８０ｎｍ以下である。 - 特許庁

A P type guard ring region 12 is formed surrounding the guard ring trench 15.例文帳に追加

ガードリングトレンチ１５の周囲には、Ｐ型のガードリング領域１２が形成されている。 - 特許庁

The gate contact electrode 21 is arranged in contact with the first p-type region 16, to overlap the whole thereof with the first p-type region 16 in top view.例文帳に追加

ゲートコンタクト電極２１は、平面的に見てその全体が第１のｐ型領域１６に重なるように、第１のｐ型領域１６に接触して配置されている。 - 特許庁

The transistor sizes of the P-type MOS transistors 8 and 9 are so designed that the divided voltage never becomes below 0.3 V when the P-type MOS transistor 10 turns on.例文帳に追加

Ｐ型ＭＯＳトランジスタ８，９のトランジスタサイズは、その分圧電圧がＰ型ＭＯＳトランジスタ１０のオン動作時に０．３Ｖ以下にならないように設計されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor luminescent element of high luminosity by improving a p-type contact layer.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層を改良し、高光度の半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

Furthermore, by using the Cl2H2 gas as a p-type doping material, an HEMT can be produced continuously within the same chamber 10, after the p-type doping process.例文帳に追加

また、ｐ型ドーピング材料としてCI_2H_2ガスを用いることにより、ｐ型ドーピング工程の後、同一チャンバ内で連続してＨＥＭＴを生成することが可能となる。 - 特許庁

Also, in the varactor element 14, the surface of the p-type substrate 1 is formed with an N well 2, and the gate insulating film 6 and the p-type polysilicon layer 5 are formed on the N well 2.例文帳に追加

また、バラクタ素子１４においては、Ｐ型基板１の表面にＮウエル２を形成し、その上にゲート絶縁膜６及びＰ型ポリシリコン層５を設ける。 - 特許庁

Then, a p-type electrode 10 for contact with the p-type GaN contact layer 7 is formed by evaporation and spattering on the oxide film 9 and the insulating film 8.例文帳に追加

続いて、酸化膜９および絶縁膜８上に、ｐ型ＧａＮコンタクト層７への接触を図るｐ型電極１０を蒸着もしくはスパッタにより形成する。 - 特許庁

Then p-type regions 36A are formed, by introducing a p-type impurity to the surface section of the substrate 22 by low-energy ion implantation by using the photoresistor layer 6 as a mask.例文帳に追加

この第２のフォトレジスト層６をマスクとしてｐ型不純物を基板表面部に低エネルギーのイオン注入により導入し、ｐ型領域３６Ａを形成する。 - 特許庁

The metal gate can have a work function which matches a work function of a p-type polysilicon.例文帳に追加

メタルゲートは、ｐ型ポリシリコンの仕事関数と整合する仕事関数を有し得る。 - 特許庁

A P type base layer 18 is formed in the upper part of the second semiconductor layer 12.例文帳に追加

Ｐ型のベース層１８が第２半導体層１２の上部に形成されている。 - 特許庁

An anode side electrode 6 jointed to the P-type area 4 is formed from the exposed surface of the P-type area 4 to the upper face of the second insulating layer 10.例文帳に追加

そして、Ｐ型領域４の露出表面から第２絶縁層１０の上面にかけて、Ｐ型領域４と接合したアノード側電極６を形成する。 - 特許庁