「P- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(44ページ目) - Weblio英語例文検索

A pair of main trenches 13 are formed in such a way that they pass the p-type base layer 12 so as to reach the n-type base layer 11.例文帳に追加

ｐ型ベース層１２を貫きｎ型ベース層１１に達するように、一対の主トレンチ１３が形成される。 - 特許庁

In another embodiment, a surface of a p-type layer of an acceptor-doped III to V group is covered with a n-type layer positioned over.例文帳に追加

別の実施形態では、アクセプタドーピングIII-Ｖ族ｐ型層の表面は、上に位置するｎ型層によって覆われる。 - 特許庁

To provide a device including a semiconductor structure having a light emitting region, a p-type region and an n-type region.例文帳に追加

発光領域とｐ型領域とｎ型領域とを有する半導体構造体を含むデバイスを提供すること。 - 特許庁

To realize a power-MOSFET using n-type drift layers and p-type drift layers and capable of reducing the ON-resistance.例文帳に追加

オン抵抗の低減化を図れる、ｎ型ドリフト層とｐ型ドリフト層を用いたパワーＭＯＳＦＥＴを実現すること。 - 特許庁

The silicide layer 4 is formed on the top surfaces of the n-type and p-type polysilicons 2, 3 wherefrom their peripheral edges are excluded.例文帳に追加

シリサイド層４は、ｎ型及びｐ型のポリシリコン２，３上面における周縁部を除く部位に形成されている。 - 特許庁

Output nodes 12 and 13 are connected to the gates of a P-type transistor and N-type transistor of the INV circuit, respectively.例文帳に追加

出力ノード１２および１３は、それぞれＩＮＶ回路のＰ型トランジスタおよびＮ型トランジスタのゲートに接続される。 - 特許庁

The thermal modules 14 and 15 are formed by electrically connecting the p-type thermoelectric device and n-type thermoelectric device in series.例文帳に追加

熱電モジュール１４，１５は、ｐ型熱電素子とｎ型熱電素子とが電気的に直列に接続されたものである。 - 特許庁

A depletion layer extends also from the interface between the n-type drift layer 7 and the p-type line-shaped resurf 15.例文帳に追加

これにより、オフ状態で、ｎ型ドリフト層７とｐ型ライン状リサーフ部１５との界面からも空乏層が拡がる。 - 特許庁

The wide part of the p^+ type gate region 4 is made to be separated from the n^- type channel layer 2 by a predetermined distance.例文帳に追加

そして、ｐ^+型ゲート領域４のうち幅広とされた部分がｎ^-型チャネル層２から所定距離離れるようにする。 - 特許庁

The base of the transistor comprises a heavily doped p-type single crystal SiGeC layer, and its emitter comprises an n-type single crystal Si layer.例文帳に追加

又、ベースは高濃度ｐ型単結晶ＳｉＧｅＣ層からなり、更にエミッタはｎ型単結晶Ｓｉ層からなる。 - 特許庁

Then, a P-type body layer 6 is formed in every other line in the N-type well layer 2 held between the plurality of trenches 3.例文帳に追加

次に前記複数のトレンチ３に挟まれたＮ型ウエル層２に１列おきにＰ型ボディ層６を形成する。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer 12 is divided into a plurality of light receiving region S by a p-type element isolation region 13.例文帳に追加

ｎ型半導体層１２はｐ型素子分離領域１３によって複数の受光領域Ｓに分離されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor structure for use in n-type and p-type MOSFET devices, and the method of manufacturing the same.例文帳に追加

ｎ型及びｐ型ＭＯＳＦＥＴデバイスに使用するための半導体構造体と、その製造方法とを提供する。 - 特許庁

In the top face of the p well 131, an n^+-type drain region 137 and an n^+-type source region 133 are formed.例文帳に追加

ｐウェル１３１の上面内に、ｎ^+型ドレイン領域１３７及びｎ^+型ソース領域１３３が形成されている。 - 特許庁

A body layer 2 made of a p-type impurity region is formed on an n^- layer 6 made of an n-type impurity region.例文帳に追加

Ｎ型不純物領域からなるＮ^-層６には、Ｐ型不純物領域からなるボディ層２が形成されている。 - 特許庁

The groove 108 penetrates the n-type layer, an active layer, and a p-type layer and has a depth reaching an etching stopper layer 109.例文帳に追加

この溝１０８は、ｎ型層、活性層、ｐ型層を貫通し、エッチングストッパ層１０９に達する深さである。 - 特許庁

A core semiconductor region 19 is disposed between the n-type cladding region 15 and the p-type cladding region 17.例文帳に追加

コア半導体領域１９は、ｎ型クラッド領域１５とｐ型クラッド領域１７との間に設けられている。 - 特許庁

A light emitting diode structure is formed by a p-type semiconductor layer 11, the light emitting layer 12 and an n-type semiconductor layer 13.例文帳に追加

ｐ型半導体層１１、発光層１２およびｎ型半導体層１３により発光ダイオード構造を形成する。 - 特許庁

The upper surfaces of the n-type InP layer 13 and the p-type InP region 14 are covered with a surface protection film 15.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ層１３及びｐ型ＩｎＰ領域１４の上面は表面保護膜１５により覆われている。 - 特許庁

To provide a method for easily manufacturing a semiconductor substrate having n-type layers and p-type layers in stripes in a plane.例文帳に追加

ｎ型層とｐ型層とを面内で縞状に交互に有する半導体基板の容易な製造方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor region 2 containing an n-type clad layer 7, and active layer 8, and a p-type clad layer 9 is provided on a substrate 1.例文帳に追加

基板１の上にｎ型クラッド層７、活性層８、ｐ型クラッド層９を含む半導体領域２を設ける。 - 特許庁

The translucent substrate 3 has a lead (conductive part) 21 connected with p-type and n-type electrodes of the light-emitting devices 2.例文帳に追加

透光性基板３が有したリード（導電部）21に発光素子２のｐ側電極及びｎ側電極を接続する。 - 特許庁

An energizing path for cooling is formed between an among the N-type pattern 3, the discharge electrode 6 and the P-type pattern 4.例文帳に追加

そして、Ｎ型パターン３、放電電極６及びＰ型パターン４の間に、冷却用の通電経路を設ける。 - 特許庁

The p-type channel width is larger than the n-type channel width so as to increase the linearity of ON-resistance of the switch as a result.例文帳に追加

結果としてスイッチのオン抵抗の線形性を増加させるために、ｐチャネル幅はｎチャネル幅よりも大きい。 - 特許庁

The i-type semiconductor layer 16 has at least one corner 16e which does not come into contact with the p-type semiconductor layer 14.例文帳に追加

ｉ型半導体層１６は、ｐ型半導体層１４に非接触な角部１６ｅを少なくとも１つ有する。 - 特許庁

In the standard cell S, a p-type and an n-type dummy gate electrodes GAp, GAn which will always be in OFF state are arranged.例文帳に追加

スタンダードセルＳには、常時オフ状態となるＰ型及びＮ型のダミーゲート電極ＧＡｐ、ＧＡｎが配置される。 - 特許庁

A P-type base region 2 is stretched from a main surface 1a of an N- type substrate 1 to the perpendicular direction of the main surface 1a.例文帳に追加

ｎ^-型基板１の主表面１ａから主表面１ａの垂直方向にｐ型ベース領域２を延設する。 - 特許庁

Here is disclosed a light-emitting diode including an n-type semiconductor layer, an active layer, a p-type semiconductor layer, and a transparent electrode layer.例文帳に追加

ｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層、及び透明電極層を備える発光ダイオードが開示される。 - 特許庁

To provide a branched type compound usable as an organic p-type semiconductor excellent in charge transport property and stability.例文帳に追加

電荷輸送性及び安定性に優れる有機ｐ型半導体として利用可能な分岐型化合物を提供すること。 - 特許庁

On a semiconductor substrate (not shown in Figure), a p-type active region 1 and an n-type active region 2 are formed.例文帳に追加

半導体基板上（図示せず。）に、ｐ型の活性領域１とｎ型の活性領域２とが形成されている。 - 特許庁

An extension drain region 101 comprising an n-type impurity layer is formed at a p-type semiconductor substrate 100.例文帳に追加

ｐ型の半導体基板１００にはｎ型不純物層からなる延長ドレイン領域１０１が形成されている。 - 特許庁

The p+-type silicon layer 3 and the n^+-type silicon layers 4 are set higher in impurity concentration than the support substrate 2.例文帳に追加

Ｐ^＋型シリコン層３及びＮ^＋型シリコン層４の不純物濃度は支持基板２の不純物濃度よりも高くする。 - 特許庁

A P type electrothermal conversion semiconductor 1 and an N type electrothermal conversion semiconductor 2 are bonded by electric discharge plasma junction method.例文帳に追加

Ｐ型熱電変換半導体１とＮ型熱電変換半導体２とを放電プラズマ接合法により接合した。 - 特許庁

In the planar MOSFET, especially, an n-channel type DMOSFET, p-type polysilicon 7 is used for a gate electrode.例文帳に追加

プレーナ型ＭＯＳＦＥＴ、特にＮチャネル型のＤＭＯＳＦＥＴにおいて、ゲート電極にＰ型ポリシリコン７を用いる。 - 特許庁

A power MOSFET 21 has an n-type drift layer 10 and a p-type base layer 11 laminated and formed thereon.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴ２１は、ｎ型ドリフト層１０とその上に積層形成されたｐ型ベース層１１とを具備する。 - 特許庁

An n-type channel layer 12 is formed on the surface of the p-type well layer 11 between the deep diffusion layers 14 and 14.例文帳に追加

ディープ拡散層間１４，１４間のｐ型ウェル層１１表面に、ｎ型チャネル層１２が形成されている。 - 特許庁

The thermopile-type infrared sensor comprises the thermopile 13 on an insulating substrate 12 supported at a P-type single-crystal Si substrate 11.例文帳に追加

Ｐ型単結晶Ｓｉ基板１１に支えられた絶縁基材１２上に熱電堆（サーモパイル）１３を有する。 - 特許庁

The impurity 106 is introduced into a channel region between the p-type region 102 and the n-type region 103.例文帳に追加

不純物１０６は、ｐ型領域１０２とｎ型領域１０３とに挟まれたチャネル領域に導入されている。 - 特許庁

The thermoelectric conversion element 10 comprises a p-type thermoelectric conversion material 11 and an n-type thermoelectric conversion material 12.例文帳に追加

熱電変換素子１０は、ｐ型熱電変換材料１１と、ｎ型熱電変換材料１２とを備えている。 - 特許庁

N-type doping regions as sources are formed to the lower sections of the slit structures, and the upper sections of the p-type wells are used as drains.例文帳に追加

また、該スリット構造の下方にはソースとなるｎ型ドーピング領域を形成し、ｐ型ウェル上はドレインとする。 - 特許庁

Next, it is heated to activate impurities of the N-type impurity layer 32 and P-type impurity layer 34.例文帳に追加

次いで、熱処理を施して、Ｎ型不純物層３２及びＰ型不純物層３４の不純物を活性化させる。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element comprises an n-type cladding layer 14, a p-type cladding layer 16, and an active layer 12.例文帳に追加

本発明の実施の形態の半導体発光素子は、ｎ型クラッド層と、ｐ型クラッド層と、活性層とを備える。 - 特許庁

On the front side of an n-type semiconductor substrate 5, p-type regions 7 are two-dimensionally arranged in an array.例文帳に追加

ｎ型半導体基板５には、その表面側において、ｐ型領域７がアレイ状に２次元配列されている。 - 特許庁

A P-type element isolation region 13 formed on an N-type epitaxial layer 12 and defining a drain region 121 is formed.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャル層１２に形成され、ドレイン領域１２１を規定するＰ型素子分離領域１３が形成される。 - 特許庁

An emitter electrode 1 uses a p-type diamond semiconductor, and a collector electrode 2 uses an n-type diamond semiconductor.例文帳に追加

エミッタ電極１にｐ型ダイヤモンド半導体を用いると共に、コレクタ電極２にｎ型ダイヤモンド半導体を用いている。 - 特許庁