「P- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(47ページ目) - Weblio英語例文検索

P-TYPE 3-5 COMPOUND SEMICONDUCTOR, MANUFACTURING METHOD THEREFOR AND COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

ｐ型３−５族化合物半導体、その製造方法及び化合物半導体素子 - 特許庁

ELECTRODE STRUCTURE OF P-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER AND METHOD FOR FORMING THE SAME例文帳に追加

ｐ型のＩＩＩ族窒化物半導体層上の電極構造とその形成方法 - 特許庁

To obtain a P-type GaN based compound semiconductor in a GaN compound semiconductor element.例文帳に追加

ＧａＮ系化合物半導体素子において、Ｐ型ＧａＮ系化合物半導体を得る。 - 特許庁

P-type impurity ions are then implanted via the silicon oxide film using a resist mask.例文帳に追加

そして、レジストマスクを用いてシリコン酸化膜を介してｐ型不純物をイオン注入する。 - 特許庁

A p-type gallium-nitride-based semiconductor layer 19 is formed on the light-emitting layer 17.例文帳に追加

ｐ型窒化ガリウム系半導体層１９は、発光層１７上に設けられている。 - 特許庁

Firstly, an ONO film 12 accumulating charge is formed on a p-type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

まず、ｐ型の半導体基板１１の上に、電荷を蓄積するＯＮＯ膜１２を形成する。 - 特許庁

An ONO film 102 for accumulating charges is formed on a p-type semiconductor substrate 101.例文帳に追加

ｐ型の半導体基板１０１の上に、電荷を蓄積するＯＮＯ膜１０２を形成する。 - 特許庁

A P-type substrate region right under a gate electrode of high side switches 31 to 33 is grounded.例文帳に追加

ハイサイドスイッチ３１〜３３のゲート電極直下のＰ型基板領域を接地する。 - 特許庁

Afterwards, an epitaxial growth film (p-type base area 3) is formed in the epi-trench 2.例文帳に追加

その後、このエピ用トレンチ２内に、エピタキシャル成長膜（ｐ型ベース領域３）を形成する。 - 特許庁

Irregularities 22a, 22b are formed on the surface 1a of a p-type silicon crystal substrate 1.例文帳に追加

ｐ型シリコン結晶基板１の表面１ａに、凹凸２２ａ，２２ｂを形成する。 - 特許庁

A collector region 2 is formed by carrying out ion implantation in the p-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１にイオン注入を行うことでコレクタ領域２を形成する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING CMOS DEVICE BY IMPLANTATION OF N- AND P-TYPE CLUSTER IONS AND NEGATIVE IONS例文帳に追加

Ｎ及びＰ型クラスターイオン及び陰イオンの注入によるＣＭＯＳ素子の製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR, p-TYPE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR BONDING ELEMENT, pn-JUNCTION ELEMENT, AND PHOTOELECTRIC CONVERTER例文帳に追加

半導体、ｐ型半導体、半導体接合素子、ｐｎ接合素子、および光電変換装置 - 特許庁

An embedding printer P prints a correlation type electronic watermark in print data (step S11).例文帳に追加

印刷データに相関型の電子透かしを埋め込み印刷機Ｐで印刷する（ステップＳ１１）。 - 特許庁

PLASMA NITRIDING APPARATUS, FORMATION OF INSULATING FILM, AND MANUFACTURE OF P-TYPE SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

プラズマ窒化処理装置、絶縁膜の形成方法及びｐ形半導体素子の製造方法 - 特許庁

In the top layer of the body region 13, a P type source region 14 is formed.例文帳に追加

ボディ領域１３の表層部には、Ｐ型のソース領域１４が形成されている。 - 特許庁

In the transition region, a p-type deep diffusion layer 3c which serves as FLR is provided.例文帳に追加

遷移領域には、ＦＬＲとなるｐ型の深い拡散層３ｃが設けられている。 - 特許庁

To provide a new material having performances superior as a p-type thermoelectric conversion material.例文帳に追加

ｐ型熱電変換材料として優れた性能を有する新規な材料を提供する。 - 特許庁

A light receiving element has a P region 20 consisting of a p-type semiconductor, an N region 30 consisting of an n-type semiconductor, and an I region 40 consisting of an i-type semiconductor provided between the P region 20 and the N region 30 on one side of a substrate 10.例文帳に追加

基板１０の一面側にｐ型半導体よりなるＰ領域２０と、ｎ型半導体よりなるＮ領域３０と、そのＰ領域２０およびＮ領域３０の間に設けられたｉ型半導体よりなるＩ領域４０とを有している。 - 特許庁

A p-type impurity introduced region 8p is formed by introducing a p-type impurity in a top surface of a semiconductor substrate 1 using the side wall 6a as a mask, and a groove 9 is formed on a top surface of the p-type impurity introduced region 8p using the side wall 6a as a mask.例文帳に追加

サイドウォール６ａをマスクとして半導体基板１の表面にｐ型不純物を導入してｐ型不純物導入領域８ｐを形成し、サイドウォール６ａをマスクとしてｐ型不純物導入領域８ｐの表面に溝９を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a p-type nitride semiconductor for improving yield of the p-type nitride semiconductor, by preventing a voltage abnormality due to an abnormality in contact resistance between an electrode and the p-type nitride semiconductor, and to provide a nitride semiconductor device.例文帳に追加

電極とｐ型窒化物半導体との間のコンタクト抵抗異常による電圧異常を防止して、ｐ型窒化物半導体の歩留まりを向上させるためのｐ型窒化物半導体の製造方法および窒化物半導体装置を提供する。 - 特許庁

The storage device further comprises a P-type dense impurity concentration region 332a formed in the P-type well region 332 becoming a third bit line in such a manner that the impurity concentration region 332a is interposed between P-type thin impurity concentration regions 332b and 332c.例文帳に追加

第３ビット線となるＰ型のウェル領域３３２内には、Ｐ型の不純物濃度が濃い領域３３２ａを形成し、さらにＰ型の不純物濃度の濃い領域３３２ａはＰ型の不純物濃度の薄い領域３３２ｂ，３３２ｃで挟まれている。 - 特許庁

A p-type polysilicon layer 11 is formed between a p-type collector region 10 of a reverse blocking IGBT and a collector electrode 13, so that spinkings can be prevented from invading from an Al collector electrode to the p-type collector region, to obtain a high breakdown voltage non-detectiveness ratio.例文帳に追加

逆阻止ＩＧＢＴのｐ型コレクタ領域１０とコレクタ電極１３の間にｐ型ポリシリコン層１１を形成することで、Ａｌのコレクタ電極からｐ型コレクタ領域へスパイキングが侵入すること防止し、高い耐圧良品率を得ることができる。 - 特許庁

In a solar cell element 10 comprising a semiconductor substrate 1 having a p-type semiconductor layer, the p-type semiconductor layer has an Si-N bond internally and a passivation layer 7 is provided on the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型半導体層を有する半導体基体１を備えた太陽電池素子１０であって、前記ｐ型半導体層は内部にＳｉ−Ｎ結合を有しており、前記ｐ型半導体層の上にパッシベーション層７が設けられている太陽電池素子１０とする。 - 特許庁

The p-type InGaAlP cladding layer 34 is provided with a high density layer 41 having a relatively high doping density of a p-type impurity, and a low density layer 42 formed on the high density layer 41 and having a relatively low doping density of a p-type impurity.例文帳に追加

ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ下クラッド層３４は、ｐ型不純物のドーピング濃度の相対的に高い高濃度層４１と、その高濃度層４１上に形成され、ｐ型不純物のドーピング濃度の相対的に低い低濃度層４２とを備えている。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor device having such a P-type electrode that contact resistance between a P-type contact layer and the P-type electrode is low and stable output and operation can be obtained, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

本発明は、Ｐ型コンタクト層とＰ型電極との間のコンタクト抵抗が低抵抗であって、安定した出力および動作が得られるようなＰ型電極を備える窒化物半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The dopant of a p-type clad layer and a p-type active layer is Ge, with its carrier concentration in the range of 8×1017 to 12×1017 cm-3, the thickness of the p-type active layer is set to 0.5 to 1.2 μm, and the oxygen concentration is set less than 3×1016 cm-3.例文帳に追加

ｐ型クラッド層およびｐ型活性層のドーパントをＧｅとし、そのキャリヤ濃度を８×１０^17ｃｍ^-3以上１２×１０^17ｃｍ^-3未満、ｐ型活性層の層厚を０．５μｍ以上１．２μｍ以下で酸素濃度を３×１０^16ｃｍ^-3未満とする。 - 特許庁

A semiconductor laser comprises a p-type GaN guide layer 307, a current constriction layer 308, which is an AlN layer, formed on the p-type GaN guide layer 307, and a p-type cladding layer 309 so formed as to embed an opening portion of the current constriction layer 308.例文帳に追加

半導体レーザは、ｐ型ＧａＮガイド層３０７と、ｐ型ＧａＮガイド層３０７上に形成された、ＡｌＮ層である電流狭窄層３０８と、電流狭窄層３０８の開口部を埋め込むように形成されたｐ型クラッド層３０９とを有する。 - 特許庁

On one surface side of a substrate 10, the light receiving element has a P-region 20 composed of a p-type semiconductor, an N-region 30 composed of an n-type semiconductor, and an I-region 40 composed of an i-type semiconductor that is prepared between the P-region 20 and the N-region 30.例文帳に追加

基板１０の一面側にｐ型半導体よりなるＰ領域２０と、ｎ型半導体よりなるＮ領域３０と、そのＰ領域２０およびＮ領域３０の間に設けられたｉ型半導体よりなるＩ領域４０とを有している。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device including a p-type group III nitride semiconductor layer 8, comprises: etching or dicing a laminate structure including the p-type group III nitride semiconductor layer 8 from a front surface or a back surface thereof to a depth not reaching the p-type group III nitride semiconductor layer 8; and dividing the laminate structure into individual semiconductor devices by cleaving the remaining thickness.例文帳に追加

ｐ型のIII族窒化物半導体層８を含む積層構造の表面または裏面からｐ型のIII族窒化物半導体層８に達しない深さまでエッチングまたはダイシングし、残った厚みをへき開して個々の半導体装置に分割する。 - 特許庁

When a type of a printed board P is changed and so on, the support pin 12 is transferred before a new printed board P is produced.例文帳に追加

プリント基板Ｐの機種切替え等に伴って、新たなプリント基板Ｐの生産の前に、支持ピン１２の移載動作が行われる。 - 特許庁

A groove 108 is formed on a surface of this light-emitting element 100 on the side joined to a p-electrode 103 of a p-type layer 104.例文帳に追加

発光素子１００は、ｐ型層１０４のｐ電極１０３と接合している側の表面には、溝１０８が形成されている。 - 特許庁

The P-channel MOS transistor 109 is formed in an N well diffusion area formed on a substrate of a P conductivity type.例文帳に追加

このＰチャネルＭＯＳトランジスタ１０９は、Ｐ導電型の基板上に形成されたＮウェル拡散領域内に形成されている。 - 特許庁

Near the corner of the light-emitting element 50, a bonding electrode, i.e. a P electrode 8, is formed in contact with the P-type semiconductor layer 5.例文帳に追加

発光素子５０の角部付近には、Ｐ型半導体層５に接触してボンディング電極であるＰ電極８を形成してある。 - 特許庁

As the result, a p-type region 14 is formed on the region of the n^--GaN layer 11 over the p-GaN layer 13 (Fig. 1d).例文帳に追加

その結果、ｐ−ＧａＮ層１３上層のｎ^- −ＧａＮ層１１の領域には、ｐ型領域１４が形成される（図１ｄ）。 - 特許庁

The element comprises a p-type nitride semiconductor layer and a p-side electrode 18 comprising a palladium oxide film 30 on the surface of the nitride semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体層と、窒化物半導体層表面上の酸化パラジウム膜３０を含むｐ側電極１８とを備える。 - 特許庁

A p-electrode is formed over the top surface of the p-type nitride semiconductor layer 4 with a current-constricting insulation film 5 of SiO2 in between.例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体層４上面にＳｉＯ_2よりなる電流狭窄用絶縁膜５を介して、ｐ電極を形成する。 - 特許庁

Ohmic electrodes 51 are formed within ranges of the bottom surfaces 6c of the grooves 2 to form ohmic junctions J1 with the p-type semiconductor regions 40.例文帳に追加

オーミック電極５１は、溝２の底面６ｃの範囲内に形成されてp型半導体領域４０にオーミック接合Ｊ１している。 - 特許庁

In the outer peripheral part of the base layer 2, a p-type RESURF layer 5 of low concentration is formed and relieves an electric field in a p-n junction part.例文帳に追加

ｐ型ベース層２の外周部には、低濃度のｐ型リサーフ層５が形成され、ｐｎ接合部での電界緩和を行っている。 - 特許庁

A semiconductor laser element is constituted with an n-type contact layer 3, an n-type clad layer 4, an MQW active layer 5, and a p-type first clad layer 6a formed successively on a sapphire substrate 2.例文帳に追加

サファイア基板２上にｎ−コンタクト層３、ｎ−クラッド層４、ＭＱＷ活性層５およびｐ−第１クラッド層６ａが順に形成される。 - 特許庁

Between the n-type diffusion region 2 and the p well 10, an n^--type diffusion region 11 is formed having a lower dopant concentration than that of the n-type diffusion region 2.例文帳に追加

Ｎ型拡散領域２とＰウェル１０との間に、Ｎ型拡散領域２よりも不純物濃度の低いＮ^−型拡散領域１１を設ける。 - 特許庁

The channel region is n-type or i-type, is in contact with a surface of the p-type region, and provided with a first channel region and a second channel region.例文帳に追加

チャネル領域は、ｎ型またはｉ型であり、ｐ型領域の表面に接しており、第１チャネル領域と第２チャネル領域を有している。 - 特許庁

To provide a means for uniformly forming a p-type layer, an i-type layer, and an n-type layer each formed as a very thin film in organic semiconductor layers of a photoelectric conversion element.例文帳に追加

光電変換素子の有機半導体層の極めて薄い膜厚のＰ型層やＩ型層、Ｎ型層を均一に形成する手段を提供する。 - 特許庁

Moreover, a trench 13 is formed in a portion pinched by a p-type base layer 4 and an n-type buffer layer 7 of the surface layer of the n-type drift layer 3.例文帳に追加

また、ｎ型ドリフト層３の表面層のｐ型ベース層４およびｎ型バッファ層７に挟まれた部分にトレンチ１３が設けられている。 - 特許庁

Then, the gate of a p-type transistor is worked, the n-type transistor is covered with a protective film, and acceptor ions are implanted by a mass nonseparation-type ion implantation apparatus.例文帳に追加

次にｐ型トランジスタのゲート加工を行い、ｎ型トランジスタを保護膜で被覆した後アクセプター・イオンを質量非分離型イオン注入装置で行う。 - 特許庁