「P- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(45ページ目) - Weblio英語例文検索

Then RIE is performed on the surface of the n-type contact layer 12 and p-type contact layer 18 by using a chlorine gas.例文帳に追加

その後、ｎ型コンタクト層１２およびｐ型コンタクト層１８の表面に対して塩素ガスを用いたＲＩＥを施す。 - 特許庁

A semiconductor device 100 has a structure, in which a p-type semiconductor substrate 1 and an n-type bulk layer 2 are pasted together.例文帳に追加

半導体装置１００は，Ｐ型半導体基板１とＮ型バルク層２とが貼り合わされた構造を有している。 - 特許庁

Source and drain regions 20 including n-type impurities are formed on a silicon substrate 10 including p-type impurities.例文帳に追加

Ｐ型不純物を含有するシリコン基板１０に、Ｎ型不純物を含有するソースドレイン領域２０を形成する。 - 特許庁

Regions 12a, 16a are formed like thin lines at a p-type semiconductor 12 and an n-type semiconductor 16.例文帳に追加

Ｐ型半導体１２及びＮ型半導体１６には、細線状の領域１２ａ、１６ａが形成されている。 - 特許庁

A p+ type punch-through preventing region 6 is not formed in a region directly under an n- type signal accumulation region 2 of a photodiode.例文帳に追加

ｐ^＋ 型パンチスルー防止領域６は、フォトダイオードのｎ^−型信号蓄積領域２直下には形成されていない。 - 特許庁

A p-type silicon region 5 having circular openings periodically is formed on the surface of an n-type silicon region 3.例文帳に追加

ｎ型シリコン領域３の表面に、円形の開口部を周期的に有するｐ型シリコン領域５を形成する。 - 特許庁

The level shift circuit is provided with a precharge circuit including two P type transistors P3, P4, and two N type transistors N3, N4.例文帳に追加

２個のＰ型トランジスタＰ３、Ｐ４と、２個のＮ型トランジスタＮ３、Ｎ４とを有するプリチャージ回路が備えられる。 - 特許庁

That is, the n-type zinc oxide thin film is reformed to a p-type zinc oxide semiconductor of high concentration.例文帳に追加

すなわち、ｎ型の亜鉛酸化物薄膜は、高濃度のｐ型亜鉛酸化物半導体に改質されるのである。 - 特許庁

In the semiconductor device, an N-type epitaxial layer 3 is formed on a P-type single crystal silicon substrate 2.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｐ型の単結晶シリコン基板２上にＮ型のエピタキシャル層３が形成されている。 - 特許庁

The types of the semiconductors at one end and the other end of the semiconductor nanowires 11 are either P type or N type.例文帳に追加

半導体ナノワイヤ１１の一端および他端の半導体のタイプがともにＰ型またはＮ型のいずれかである。 - 特許庁

A trench type gate insulating film 12 is formed in a P type semiconductor region 11 on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上におけるＰ型の半導体領域１１に溝形のゲート絶縁膜１２が形成されている。 - 特許庁

A p-type amorphous silicon film 3 and a surface electrode 4 are formed successively on an i-type amorphous silicon film 2.例文帳に追加

ｉ型非晶質シリコン膜２上にｐ型非晶質シリコン膜３および表面電極４が順に形成されている。 - 特許庁

In this semiconductor device, an n-type epitaxial layer 5 is formed on a p-type single crystal silicon substrate 4.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｐ型の単結晶シリコン基板４上にＮ型のエピタキシャル層５が形成されている。 - 特許庁

Thermo-elements 18, 19 are constituted by connecting a p-type thermo-element and an n-type thermo-element in series electrically.例文帳に追加

熱電素子１８，１９は、ｐ型熱電素子とｎ型熱電素子とが電気的に直列に接続されたものである。 - 特許庁

A halo region 13 as an n-type region is formed along one side of the p-type diffusion region 12.例文帳に追加

このｐ型拡散領域１２の一方の辺に沿ってｎ型領域であるｈａｌｏ領域１３を形成する。 - 特許庁

A seed layer is formed on each of the p-type surface and the n-type surface while the sheet layers are electrically separated.例文帳に追加

ｐ型表面上及びｎ型表面上に夫々シード層を電気的に分離された状態で形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an n-type MISFET and a p-type MISFET in which a large drain current flows.例文帳に追加

大きなドレイン電流を流せるｎＭＩＳＦＥＴとｐＭＩＳＦＥＴを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To prevent slipping between a press roller 5 and heated material P in a press roller driving type and film heating type heating device 16.例文帳に追加

加圧ローラ駆動方式・フィルム加熱方式の加熱装置１６において、加圧ローラ５と被加熱材Ｐのスリップを防ぐ。 - 特許庁

To provide a method for producing a low resistance p-type compound semiconductor material.例文帳に追加

低抵抗のｐ型化合物半導体材料の製造方法を提供することである。 - 特許庁

In the drift layer 1 is provided a p+-type buried doped layer 9 with a floating potential.例文帳に追加

そして、ｎ-型ドリフト層１内に、電位の浮いたｐ+型埋め込みドープ層９を設ける。 - 特許庁

The semiconductor substrate SUB has a primary surface and has p-type regions in its inside.例文帳に追加

半導体基板ＳＵＢは主表面を有し、かつ内部にｐ型領域を有する。 - 特許庁

A diffusion region 7, where p-type impurity is diffused, is formed in the window layer 6.例文帳に追加

窓層６にはｐ型不純物が拡散された拡散領域７が形成されている。 - 特許庁

The laminating p-type ZnTe layers 20a, 20c, 20e, 20g, 20i are formed thick on the low defect contact layer 21.例文帳に追加

ｐ型ＺｎＴｅ層２０ａ，２０ｃ，２０ｅ，２０ｇ，２０ｉの厚さは低欠陥コンタクト層２１側を厚くする。 - 特許庁

A p-channelMOS transistor 30 is formed on the high resistance n-type base layer.例文帳に追加

この高抵抗ｎ型ベース層にはｐ−ｃｈＭＯＳトランジスタ３０が形成されている。 - 特許庁

The first p-type contact layer 16a has an Mg concentration not higher than 3×10^19/cm^3.例文帳に追加

第１ｐ型コンタクト層１６ａは、Ｍｇ濃度が３×１０^19／ｃｍ^3 以下である。 - 特許庁

The source/drain layers 6 are provided in contact with outside of the extension layer 4, and is formed into p-type.例文帳に追加

ソース・ドレイン層６は、エクステンション層４の外側に接して設けられ、ｐ型である。 - 特許庁

Thus, the positive hole is smoothly discharged from the P-type well region 120 to the ground.例文帳に追加

したがって、Ｐ型ウエル領域１２０からの正孔を円滑にグランドに排出できる。 - 特許庁

To detect failure of an ATS-P (N) type pickup on ground itself.例文帳に追加

ＡＴＳ−Ｐ（Ｎ）形の地上子自体の故障を検出することができるようにする。 - 特許庁

Thereby, the p-type deep layer 10 can be formed up to a further deep location.例文帳に追加

これにより、より深い位置までｐ型ディープ層１０を形成することが可能となる。 - 特許庁

The P-type diffusion layers 11, 13 are electrically connected to each other via upper layer wiring.例文帳に追加

Ｐ型拡散層１１，１３は上層配線を介して電気的に接続されている。 - 特許庁

A p-well 131 is formed in a main surface of the n-type impurity region 121.例文帳に追加

ｎ型不純物領域１２１の主面内にはｐウェル１３１が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a memory cell of a SRAM and has a p-type well region W20.例文帳に追加

半導体装置は、ＳＲＡＭのメモリセルを備え、ｐ型ウエル領域Ｗ２０を有する。 - 特許庁

To provide a p-type Mg metallic compound (Mg_2X) excellent in electric conductivity.例文帳に追加

電気伝導性に優れたｐ型のＭｇ金属化合物（Ｍｇ_２Ｘ）を提供すること - 特許庁

METHOD FOR EVALUATING ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF BORON-DOPED P-TYPE SILICON AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON WAFER例文帳に追加

ボロンドープｐ型シリコンの電気的特性の評価方法、およびシリコンウェーハの製造方法 - 特許庁

A semiconductor device comprises a SRAM memory cell and has a p-type well region W20.例文帳に追加

半導体装置は、ＳＲＡＭメモリセルを備え、ｐ型ウエル領域Ｗ２０を有する。 - 特許庁

The n-side barrier layer is provided between the multilayered laminate and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｎ側障壁層は、多層積層体とｐ形半導体層との間に設けられる。 - 特許庁

Only a p-type FET is used as a transistor to form an integrated circuit.例文帳に追加

集積回路を構成するトランジスタとしてｐ型ＦＥＴのみを用いたものである。 - 特許庁

With this configuration, the Zn system p-type electrode exhibits superior electrical, optical and thermal characteristics.例文帳に追加

これにより、Ｚｎ系ｐ型電極は優れた電気、光学及び熱的特性を示す。 - 特許庁

In the top face of a p^- substrate 200, an n-type dopant region 121 is formed.例文帳に追加

ｐ^-基板２００の上面内に、ｎ型不純物領域１２１が形成されている。 - 特許庁

The N-type drain region 18 is made so that it does not develop a short circuit with the P-well 14.例文帳に追加

Ｎ型ドレイン領域１８は、Ｐウェル１４と非短絡状態となるように設ける。 - 特許庁

The p-type electrode 12 and heat sink 14 are connected through a solder layer 13.例文帳に追加

ｐ型電極１２とヒートシンク１４とはハンダ層１３を介して接続されている。 - 特許庁

Another n^+-layer 17 is formed partially in the upper surface of the p-type well layer 14.例文帳に追加

ｎ^+層１７は、ｐ型ウェル層１４の上面内に部分的に形成されている。 - 特許庁

The trench 120 penetrates the p-type collector layer 32 and intrudes into the base region 110.例文帳に追加

トレンチ１２０は、ｐ型コレクタ層３２を貫通してベース領域１１０に侵入している。 - 特許庁

The ballistic electrons pass through a carrier recombination process in the p-type semiconductor layer 40 to emit light.例文帳に追加

そしてｐ型半導体層４０中でキャリア再結合過程を経ることで発光する。 - 特許庁

To provide a nitride based semiconductor laser structure which is decreased in number of p-type semiconductor layers.例文帳に追加

ｐ型半導体層の数を減らした窒化物系半導体レーザ構造体の提供。 - 特許庁