「P- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

Afterwards, a clad layer 56 constituted of p-type InP is formed on the optical guide layer 53.例文帳に追加

その後、光ガイド層５３の上に、ｐ型ＩｎＰからなるクラッド層５６を形成する。 - 特許庁

Subsequently, a p-type clad layer 7 is formed on the etching stop layer 6 so as to contact the etching stop layer 6.例文帳に追加

次いで、エッチングストップ層６上に接するように、ｐ型クラッド層７を形成する。 - 特許庁

The P-type single-crystal silicon substrate 50 is biased to become a ground potential or a negative potential.例文帳に追加

Ｐ型の単結晶シリコン基板５０は接地電位または負の電位にバイアスされる。 - 特許庁

A silicon thin film which is formed with a peripheral circuit and a selective gate transistor is p-type.例文帳に追加

周辺回路や選択ゲートトランジスタが形成されるシリコン薄膜は、ｐ型である。 - 特許庁

The P-type impurity region 19a is electrically connected to the collector electrode 23.例文帳に追加

Ｐ型不純物領域１９ａはコレクタ電極２３に電気的に接続されている。 - 特許庁

Subsequently, a p-type contact layer 8 is formed on the clad layer 7 so as to contact the clad layer 7.例文帳に追加

次いで、クラッド層７上に接するように、ｐ型コンタクト層８を形成する。 - 特許庁

To provide a p-type semiconductor which provides low-contact resistance for electrode and assures superior transmission efficiency.例文帳に追加

電極との接触抵抗が低く、透過効率のよいｐ型半導体を提供する。 - 特許庁

A plurality of p-type semiconductor layers 22 are provided on a surface of a photodiode array 2.例文帳に追加

フォトダイオードアレイ２の表面には、複数のｐ型半導体層２２が設けられている。 - 特許庁

The P-type impurity region 19b is electrically connected to the drain electrode 24.例文帳に追加

Ｐ型不純物領域１９ｂはドレイン電極２４と電気的に接続されている。 - 特許庁

METHOD FOR EPTAXIALLY GROWING AND PRODUCING P-TYPE III NITRIDE, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

ｐ型３族窒化物の結晶成長方法および製造方法、並びに半導体素子 - 特許庁

The P channel type Amplifier P_chAMP1 is operated after the operation of the sense amplifier SAMP.例文帳に追加

センスアンプＳＡＭＰが動作した後にＰチャネル型アンプＰ_ｃｈＡＭＰ１が動作する。 - 特許庁

In the same way, P-type MOSFET chips 61, 62 are directly installed to the circuit board 3.例文帳に追加

また、同様にＰ型ＭＯＳＦＥＴチップ６１，６２を直接回路基板３に組付ける。 - 特許庁

Oxidation-resistant insulating films 8 are provided on both side surfaces of the P-type silicon film 11.例文帳に追加

Ｐ型シリコン膜１１の両側面には耐酸化性絶縁膜８が設けられる。 - 特許庁

The first region 13a-1 includes a ridge portion and the ridge portion has p-type conductivity.例文帳に追加

第１領域１３ａ−１はリッジ部を含み、リッジ部はｐ型導電性を有する。 - 特許庁

The voltage of a P-type well 104 is adjusted from the outside via a resistance element N10.例文帳に追加

Ｐ型ウェル１０４の電圧を、抵抗素子Ｎ１０を介して外部から調整する。 - 特許庁

This TFT is a P channel type TFT of SOI structure without a body contact.例文帳に追加

このＴＦＴは、ボディイコンタクトを持たないＳＯＩ構造のＰチャネル型ＴＦＴである。 - 特許庁

To provide a p-type Mg metallic compound (Mg_2X) excellent in conductivity, and to provide a device using the same.例文帳に追加

伝導性に優れたｐ型のＭｇ金属化合物（Ｍｇ_２Ｘ）を提供すること - 特許庁

In the top face of the n-type dopant region 121, a p well 131 is formed.例文帳に追加

ｎ型不純物領域１２１の上面内に、ｐウェル１３１が形成されている。 - 特許庁

The upper part of the p-type contact layer 7 is intentionally formed into an irregular shape.例文帳に追加

このｐ型コンタクト層７の上面には凹凸形状が故意に形成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor material of a low-resistance p-type compound.例文帳に追加

低抵抗のｐ型化合物半導体材料の製造方法を提供することである。 - 特許庁

A deep p-type layer 4 is formed so as to surround the bottom surface and both corner parts of a trench 5.例文帳に追加

トレンチ５の底面および両角部を囲むようにディープｐ型層４を形成する。 - 特許庁

To provide an SiC bipolar semiconductor element which has excellent crystal quality consisting of a p-type SiC substrate.例文帳に追加

ＳｉＣ基板をｐ型とした結晶品質の良いＳｉＣバイポーラ素子を提供する。 - 特許庁

QUANTITATIVE ANALYSIS LIMIT DETERMINING METHOD FOR IRON CONCENTRATION ANALYSIS IN BORON-DOPED P-TYPE SILICON例文帳に追加

ボロンドープｐ型シリコン中の鉄濃度分析における定量分析限界決定方法 - 特許庁

A metal layer 15 is provided on the principal plane 13a of the p-type semiconductor region 13.例文帳に追加

金属層１５はｐ型半導体領域１３の主面１３ａ上に設けられる。 - 特許庁

An orientation notch 32 is formed in a part of an outer periphery of a p-type semiconductor substrate 10.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１０の外周部の一部にオリエンテーションノッチ３２を形成する。 - 特許庁

Layers from the reflection layer 3 to the p-type clad layer 7 are epitaxially grown on the substrate 2.例文帳に追加

反射層３〜ｐ型クラッド層７は基板２上にエピタキシャル成長させられている。 - 特許庁

The transistor structure (10) comprises a p-type well (12) formed in a substrate.例文帳に追加

本発明によるトランジスタ構造（１０）は、基板内に形成されたｐ型ウェル１２を備える。 - 特許庁

To provide a P-channel type nonvolatile semiconductor memory device capable of mitigating disturb stress.例文帳に追加

ディスターブストレスを緩和できるＰチャネル型不揮発性半導体記憶装置提供する。 - 特許庁

A halogen element, for example, fluorine or chlorine is introduced into the p-type contact layer 45.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層４５には、ハロゲン元素、例えばフッ素又は塩素が導入されている。 - 特許庁

To provide a large silicon oxide layer comprising p-type microscopic crystal silicon oxides.例文帳に追加

均一な大面積ｐ型微小結晶性シリコン酸化物シリコン酸化物層の形成。 - 特許庁

p-TYPE SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THEM例文帳に追加

ｐ型半導体結晶とその製造方法、並びにそれらを用いた半導体素子 - 特許庁

III-V GaN BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR AND p-TYPE ELECTRODE APPLIED THERETO例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族ＧａＮ系化合物半導体及びそれに適用されるｐ型電極 - 特許庁

A single pixel includes a deep N well 18 formed in a P-type epitaxial substrate 10.例文帳に追加

単一の画素はＰ型エピタキシャル基板１０に形成された深いＮウエル１８を含む。 - 特許庁

The hydrogen is easily diffused through the p-type layer from the surface exposed by the trench.例文帳に追加

水素はｐ型層を通ってトレンチにより露出させた面から容易に拡散する。 - 特許庁

A second electrode 12 is in contact with the outside p^+-type semiconductor region 17.例文帳に追加

外側Ｐ^＋型半導体領域１７には第２の電極１２を接触させない。 - 特許庁

P-type impurity ions are then implanted at a part for forming an LOCOS film 2, using a resist mask.例文帳に追加

そして、レジストマスクを用いてLOCOS膜２形成箇所に、ｐ型不純物をイオン注入する。 - 特許庁

FORMING METHOD FOR P-TYPE NONCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR FILM AND PRODUCING METHOD FOR PHOTOELECTRIC CONVERTING ELEMENT例文帳に追加

ｐ型非結晶半導体膜の形成方法及び光電変換素子の製造方法 - 特許庁

A cathode resistance lowering region 8 is formed on the surface of a p-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１の表面にはカソード低抵抗化領域８が形成されている。 - 特許庁

A p-type side electrode 32 is extended along the ridge stripe between the high density fault regions.例文帳に追加

ｐ側電極32は、高密度欠陥領域間をリッジストライプ部に沿って延在している。 - 特許庁

MANUFACTURING METHODS OF P TYPE Ga2O3 FILM AND PN JUNCTION Ga2O3 FILM例文帳に追加

ｐ型Ｇａ２Ｏ３膜の製造方法およびｐｎ接合型Ｇａ２Ｏ３膜の製造方法 - 特許庁

A photodiode array 20 is provided with p-type semiconductor layers 22 on the front surface side thereof.例文帳に追加

フォトダイオードアレイ２における表面側には、ｐ型半導体層２２が設けられている。 - 特許庁

A P-type semiconductor substrate 10 includes a first region AA and a second region BB.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板１０は第１領域ＡＡと第２領域ＢＢを有する。 - 特許庁

An electron stopper layer 17 is provided between the active layer and the p-type clad layer.例文帳に追加

活性層とｐ型クラッド層との間には電子ストッパー層１７が設けられている。 - 特許庁

A plurality of right hexagonal P+ type semiconductor regions are provided in a Schottky junction region.例文帳に追加

ショットキー接合領域に、正六角形状のＰ＋型半導体領域を複数設ける。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING P-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ｐ型のＩＩＩ族窒化物半導体層を含む半導体装置とその製造方法 - 特許庁