「P-2-P」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

P=Fh/(0.0045×Dt2)...(1) (De/Dt)2=0.259/[(Pe/Po)5/7×[1-(Pe/Po)2/7]1/2]...(2).例文帳に追加

P =Fh/(0.00465×Dt^2) …（１） (De/Dt)^2 = 0.259/[(Pe/Po)^5/7×[1-(Pe/Po)^2/7]^1/2] …（２） - 特許庁

Whether an event satisfying P(i)>P(i+1) and P(i+1)<P(i+2), where priority of an i-th prefix event is P(i), occurs twice or more, once or none is examined in a step S31.例文帳に追加

ステップＳ３１で、i番目のプレフィクスイベントの優先度をP(i)としたときに、P(i)＞P（i+1）かつP（i+1）＜P（i+2）となる現象が２回以上、１回または０回発生したかを検査する。 - 特許庁

(p) responding to a notice under subregulation 16.3(2);例文帳に追加

(p) 規則16.3(2)に基づく通知に応答すること - 特許庁

In rocking=P(i)-2×P(i-1)+P(i-2), P(i), P(i-1), and P(i-2) indicate pressure or differential pressure at time (i), i-1, and i-2, respectively.例文帳に追加

揺動＝Ｐ（ｉ）−２×Ｐ（ｉ−１）＋Ｐ（ｉ−２）ここにおいて、Ｐ（ｉ）、Ｐ（ｉ−１）、Ｐ（ｉ−２）は時刻ｉ、ｉ−１、ｉ−２の圧力または差圧である。 - 特許庁

Several numbers P of wireless devices are divided into several Windows 1 and 2 including several numbers Q (Q<P) of wireless devices.例文帳に追加

複数個Pの無線機は、複数個Q（Q＜P)の無線機を含む複数のWindow１、２に分けられる。 - 特許庁

As a division ratio, values of P×R×2-2×P/Q, P×R×2-P/Q, P×R×2, P×R×2+P/Q, and P×R×2+2×P/Q can be set.例文帳に追加

分周比として、Ｐ×Ｒ×２−２×Ｐ／Ｑ、Ｐ×Ｒ×２−Ｐ／Ｑ、Ｐ×Ｒ×２、Ｐ×Ｒ×２＋Ｐ／Ｑ、Ｐ×Ｒ×２＋２×Ｐ／Ｑの値を設定する。 - 特許庁

In the expression, n and m are each an integer, N=2^p and p is an integer.例文帳に追加

（ここで、ｎ、ｍは整数、Ｎ＝２^ｐ、ｐは整数である） - 特許庁

A positioning system 2 specifies the position P of a portable terminal 1.例文帳に追加

測位システム２は携帯端末１の位置Pを特定する。 - 特許庁

(2) Publication of flyers (Continuation) (See p. 220.) 例文帳に追加

（2）チラシの発行（継続）（p.228参照） - 経済産業省

At least one fresnesl optical element 2 has positive refractive power and satisfies conditional inequality (1): 0.05<L_P/ϕ_P<1, wherein L_P is a distance from the fresnel optical element 2 to the imaging optical system 1 and ϕ_P is the effective diameter of the fresnel optical element 2.例文帳に追加

（１） ０．０５＜Ｌ_P ／φ_P ＜１ただし、Ｌ_P はフレネル光学素子２から結像光学系１までの距離、φ_P はフレネル光学素子２の有効直径である。 - 特許庁

PD=H×2×tan(α/2)/√Q/√P.例文帳に追加

ＰＤ＝Ｈ×２×tan(α/2)/√Ｑ/ √Ｐ - 特許庁

A general formula (2) is represented as P-Lm.例文帳に追加

］ 一般式（２）Ｐ−Ｌｍ - 特許庁

A P-type well region 2 is formed on the surface of an N-type Si substrate 1.例文帳に追加

n型Si基板1の表面に、p型ウェル領域2が形成されている。 - 特許庁

The consumed power P is estimated from an equation (1): P=Vd×Id+Vq×Iq (337), and an equation (2): Ib=P/Vb (338).例文帳に追加

式（１）より消費電力Ｐを推定し（３３７）、式（２）より電源電流Ibを推定する（３３８）。 - 特許庁

An N-type CCD channel region 3 is provided in the P-type well region 2 and divided in a vertical direction by P+-type channel blocking regions 12.例文帳に追加

p型ウェル領域2に、n型CCDチャネル領域3が設けられ、p^+型チャネル阻止領域12で垂直方向に分割されている。 - 特許庁

A gripping device 1 includes: a gripping metal fitting 2 for gripping without fastening a pipe body P; and a fixing metal fitting 3 coupled with the gripping metal fitting 2 and fixed to the pipe body P.例文帳に追加

把持装置１は、管体Pを締め付けることなく把持する把持金具２と、これに結合され管体Pに固定される固定金具３とからなる。 - 特許庁

In a received data memory 910, received data of P parallel bits in the case of a parallel number P=6 is held using for 2 [words].例文帳に追加

受信データメモリ９１０には、並列数P=6の場合のPパラレルビットの受信データが2[word]分使って保持されている。 - 特許庁

The p-type semiconductor regions 40 are exposed on bottom surfaces 6c of the grooves 2.例文帳に追加

p型半導体領域４０は、溝２の底面６ｃにおいて露出している。 - 特許庁

A type P+ type embedded layer 2 is formed at a type P- type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｐ−型半導体基板１にＰ＋型埋め込み層２を形成する。 - 特許庁

This key generating method decides (p) with which y2=x3+1 (mod p) becomes safe.例文帳に追加

ｙ^2 ≡ｘ^3 ＋１（ｍｏｄ ｐ）が安全となるｐを決定する。 - 特許庁

In the image display apparatus, image data P(d) obtained from an arbitrary view point d is selected from image data P(1), P(2), ..., P(N).例文帳に追加

画像データＰ（１）、Ｐ（２）、…、Ｐ（Ｎ）の中から、任意の視点ｄの画像データＰ（ｄ）が選択される。 - 特許庁

In this pipe jacking method, the insert 1 of a precedent pipe P is inserted into a socket 2 of the precedent pipe P to connect the pipes P together for newly arranging a pipeline inside a sleeve pipe P'.例文帳に追加

管Ｐの挿し口１を先行する管Ｐの受口２に挿入して継合わせつつさや管Ｐ’内に管路を新設する推進工法である。 - 特許庁

In this jacking method, a pipeline is newly installed in a sheath pipe P' while inserting the spigot 1 of a pipe P into a socket 2 of a preceding pipe P to connect the pipes P.例文帳に追加

管Ｐの挿し口１を先行する管Ｐの受口２に挿入して継合わせつつさや管Ｐ’内に管路を新設する推進工法である。 - 特許庁

A correlation signal is obtained through a square-sum operation of (I/P)2+(Q/P)2 by the square calculation circuit a16.例文帳に追加

二乗演算回路ａ１６による二乗和演算（Ｉ／Ｐ）^2＋（Ｑ／Ｐ）^2により相関信号が得られる。 - 特許庁

An n-type clad layer 2, an n-type light containment layer 3, an undoped MQW layer 4, a cap layer 5, a p-type light containment layer 6, a p-type clad layer 7 and a p-type contact layer 8 are sequentially grown on an n-type GaN substrate 1, and LD structure is obtained.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ基板１上にｎ型クラッド層２、ｎ型光閉じ込め層３、アンドープMQW層４、キャップ層５、p型光閉じ込め層６、p型クラッド層７、p型コンタクト層８を順次成長させてLD構造を得た。 - 特許庁

In this method, both of the three-phase voltages Ua-p, Ub-p, and Uc-p of the auxiliary power source and the three-phase voltages Ua-g, Ub-g, and Uc-g of the power grid are detected, and the detected voltage is converted into the two components Ud-com and Uq-com on a d-q face.例文帳に追加

本発明の方法は、補助電源の三相電圧Ua＿p，Ub＿p及びUc＿pとパワー・グリッドの三相電圧Ua＿g，Ub＿g及びUc＿gの両方を検出し、検出された電圧をd-q面上の2成分Ud＿com及びUq＿comに変換する。 - 特許庁

2. Financial support in the construction industry (Continuation) (See p. 215.) 例文帳に追加

2 ．建設業における金融支援（継続）（p.222参照） - 経済産業省

Defaults to 1:2:3:4:5:6:7:8:9:o:l:n:p (volume names can be multicharacter).例文帳に追加

デフォルト値は 1:2:3:4:5:6:7:8:9:o:l:n:p である(ボリューム名では複数個の文字が使える)。 - XFree86

In the magnetic sensor part 2, magnetic field intensity information formed near a buried pipe P is obtained.例文帳に追加

磁気センサ部(2) においては、埋設管(P) の近傍に形成される磁界強度情報を得る。 - 特許庁

P is set as an initial value Q[0] and 2×P is set as an initial value of Q[1] (Fig. 2, S1).例文帳に追加

Ｑ［０］の初期値としてＰ、Ｑ［１］の初期値として２×Ｐを設定する（図２，Ｓ１）。 - 特許庁

A p-type well 2 and an n-type well 3 are adjacently formed on a silicon substrate 1 by respectively using a p-type well mask 2 and an n-type well mask 3.例文帳に追加

シリコン基板１上に、Ｐウエル２、Ｎウエル３を互いに隣接して形成する。 - 特許庁

To obtain a p-type GaAs single crystal having an average dislocation density of ≤100/cm^-2, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

平均転位密度100cm^-2以下のp型GaAs単結晶及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The p-type GaAs single crystal has an average dislocation density of ≤100/cm^-2 and contains Si, Zn, B and In as dopants.例文帳に追加

本発明のp型GaAs単結晶は、平均転位密度100cm^-2以下のp型GaAs単結晶であって、ドーパントとして、Si，Zn，B，及びInを含有することを特徴とする。 - 特許庁

A p well 2 is formed on the surface of a p-type substrate, and then an n well 3 is formed within the p well 2 in a plane view.例文帳に追加

Ｐ型基板の表面にＰウエル２を形成し、平面視でＰウエル２の内部にＮウエル３を形成する。 - 特許庁

For example, p-tolyl-bis(6-methoxy-2-naphthyl)amine is demethylated in the presence of boron tribromide to synthesize p-tolyl-bis(6-hydroxy-3-naphthyl)amine, which is used as a production intermediate and reacted with acryloyl chloride in the presence of triethylamine to produce p-tolyl-bis(6-acryloxy-2-naphthyl)amine.例文帳に追加

例えば、p-トリル-ビス（6-メトキシ-2-ナフチル）アミンを三臭化ホウ素の存在下に脱メチル化してp-トリル-ビス（6-ヒドロキシ-2-ナフチル）アミンを合成し、これを製造中間体に用いて塩化アクリロイルとトリエチルアミンの存在下に反応させてp-トリル-ビス（6-アクリロキシ-2-ナフチル）アミンを製造する。 - 特許庁

The control unit 140 sets an output to which y_p^2 stored in the storage unit 110 and y_p are inputted in the multiplier unit 130 to be output y_p^3 and calculates a pairing value, based on the obtained x_p^3 and y_p^3.例文帳に追加

制御部１４０は、乗算部１３０に記憶部１１０に格納したｙ_ｐ^２とｙ_ｐを入力した出力をｙ_ｐ^３とし、算出したｘ_ｐ^３及びｙ_ｐ^３に基づきペアリング値を算出する。 - 特許庁

A control unit 140 of the pairing calculation device 100 inputs y_p and y_p into a multiplier unit 130 with respect to a given point (x_p, y_p) on an ellipsoidal curve, causes the multiplier unit to calculate y_p^2, and stores the result in a storage unit 110.例文帳に追加

ペアリング算出装置１００の制御部１４０は、楕円曲線上の任意の点（ｘ_ｐ、ｙ_ｐ）に対し、乗算部１３０にｙ_ｐとｙ_ｐとを入力してｙ_ｐ^２を算出させて記憶部１１０に格納する。 - 特許庁

A thyristor type VCSEL 2 having an N-P-N-P structure has a structure in which a tyristor having the N-P-N-P structure is held by N-type and P-type Bragg reflectors (DBR) 26, 28.例文帳に追加

ｎｐｎｐ構造のサイリスタ型ＶＣＳＥＬ２０は、ｎｐｎｐ構造のサイリスタをｎ型およびｐ型のブラッグ反射器（ＤＢＲ）２６，２８で挟んだ構造のものである。 - 特許庁

A controller writes data with first to p-th (p is a natural number satisfying p<n) addresses and p-th+1 to m-th (m is a natural number satisfying p+2≤m≤n) addresses to the first and second original blocks.例文帳に追加

コントローラは、第１乃至第ｐ（ｐはｐ＜ｎを満たす自然数）アドレス、第ｐ＋１乃至第ｍ（ｍはｐ＋２≦ｍ≦ｎを満たす自然数）アドレス、を付されたデータを第１、第２オリジナルブロックにそれぞれ書き込む。 - 特許庁

The comparison of the two different time period showed that the increased index scores for the later period were highly significant（p<0.0001）.例文帳に追加

これら2つの時期の比較は，後期の指数スコア増大がきわめて有意なことを示した（p＜0.0001）。 - 英語論文検索例文集

The comparison of the two different time period showed that the increased index scores for the later period were highly significant（p < 0.0001）.例文帳に追加

これら2つの時期の比較は，最新時期の指数スコア増大がきわめて有意なことを示した（p < 0.0001）。 - 英語論文検索例文集

After the paper P is supplemented into the paper cassette 1, the paper cassette 1 is pushed into the device body.例文帳に追加

そして、給紙カセット1に用紙Pを補給した後、給紙カセット1を装置本体2に押し入れる。 - 特許庁

A P-type low-concentration anode region 12 is formed on a P-type semiconductor substrate 2.例文帳に追加

Ｐ型の低濃度アノード領域１２は、Ｐ型半導体基板２に形成される。 - 特許庁

A height of the confluence P is, favorably, set to be lower than that the drain outlet la and 2a of the turning motors 1 and 2.例文帳に追加

また合流点(P) の高さを二つの旋回モータ(1,2) のドレン出口(1a,2a) よりも低くした方が良い。 - 特許庁

That is, (1) 5<f_3/f<100, (2) n_d(n)-n_d(p)<0.2 and (3) ν(p)-ν(n)>35.例文帳に追加

（１） ５＜ｆ_3／ｆ＜１００ （２） ｎ_d（ｎ）−ｎ_d（ｐ）＜０．２ （３） ν（ｐ）−ν（ｎ）＞３５ - 特許庁