「PT Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Also, the device has a common line path transistor PT connected between a bit line BL and a supply node of the prescribed voltage, and drive circuits 5, 10A, 12 driving the memory cell by controlling each of a BL voltage, a PL voltage, a prescribed voltage, and a voltage of a control node of the common line path transistor PT.例文帳に追加

ビット線ＢＬと所定電圧の供給ノード間に接続された共通線パストランジスタＰＴと、ＢＬ電圧、ＰＬ線電圧、所定電圧、および、共通線パストランジスタＰＴの制御ノードの電圧をそれぞれ制御して、メモリセルを駆動する駆動回路５,１０Ａ,１２と、を有する。 - 特許庁

A VMM 20 generates a shadow PT 140 inhibiting a privilege memory requiring read/write emulation from being read and written using an RSV bit, and the shadow PT 140 and a second PT 170 that a second OS 40 running on a first OS 30 has are registered with an x86-compatible CPU having a page exception detecting function using two PTs.例文帳に追加

ＶＭＭ２０が、読み書きのエミュレーションを要する特権メモリに対してＲＳＶビットを用いて読み書きを禁止したシャドウＰＴ１４０を生成し、２つのＰＴを用いるページ例外検出機能を備えたｘ８６互換ＣＰＵに、当該シャドウＰＴ１４０と、第１のＯＳ３０上で稼動する第２のＯＳ４０が有する第２のＰＴ１７０を登録する。 - 特許庁

A ferroelectric thin film optical memory device is made a sandwich-structured device in which a PLZT 2 as a memory material, a CdS 3 as a photoconductive film, and an ITO4 as a transparent electrode are laminated on a Pt(111)/TiO_x/SiO_2/Si (100) substrate 1.例文帳に追加

本発明の解決手段は、Ｐｔ（１１１）／ＴｉＯ_ｘ／ＳｉＯ_２／Ｓｉ（１００） 基板上１に、メモリー材料としてＰＬＺＴ２、光導電膜としてＣｄＳ３、透明電極としてＩＴＯ４を積層させたサンドイッチ構造の素子とすることである。 - 特許庁

The manufacturing process of a capacitor of a ferroelectric memory element comprises a step for separating the storing electrode by performing CMP for an insulating film until the Pt layer of the storing electrode is exposed by using acidic CMP slurry comprising organic acid.例文帳に追加

強誘電体メモリ素子のキャパシタの製造工程において、有機酸を含む酸性のＣＭＰスラリーを利用し、貯蔵電極のＰｔ層が露出するまで絶縁膜をＣＭＰして貯蔵電極を分離する段階を含むことを特徴とする。 - 特許庁

In an utterance period extracting processing which is performed by the speech recognition device, a signal level P of the sound signal specifies a period which is a speech determination threshold Pt or more, continuously for a time threshold T1 or more , as a speech period, and stores it in a second memory (S260 to S320).例文帳に追加

音声認識装置が実行する発話期間抽出処理では、音響信号の信号レベルＰが、時間閾値Ｔ１以上継続して音声判定閾値Ｐｔ以上となる期間を音声期間として特定して、第二メモリに格納する（Ｓ２６０〜Ｓ３２０）。 - 特許庁

The semiconductor storage device includes a semiconductor substrate 1, a memory cell transistor including a tunnel insulating film 2a, a charge accumulation layer 3, an inter-poly insulating film 5, and a control gate electrode 6 which are laminated in order, a select gate transistor ST, and a high-voltage type peripheral circuit transistor PT.例文帳に追加

半導体基板１と、順に積層されたトンネル絶縁膜２ａ、電荷蓄積層３、インターポリ絶縁膜５、及び制御ゲート電極６を含むメモリセルトランジスタと、選択ゲートトランジスタＳＴと、高電圧型の周辺回路トランジスタＰＴと、を備えている。 - 特許庁

To provide a method which can separate a storing electrode not to generate scratch in a Pt layer of a storing electrode substance and does not generate a level difference between the storing electrode and an insulating film in a capacitor manufacturing process of a ferroelectric memory element (FeRAM).例文帳に追加

本発明は、強誘電体メモリ素子（ＦｅＲＡＭ）のキャパシタ製造工程中、貯蔵電極と絶縁膜との段差が発生しないと共に、貯蔵電極物質のＰｔ層にスクラッチが発生しないよう貯蔵電極を分離することができる方法を提供する。 - 特許庁

The resistance change type nonvolatile memory has such a structure that a metal electrode 13 formed of Pt or the like is formed on the substrate 11 such as a silicon substrate via an adhesion layer 12, and the resistance change layer 15 is formed on the metal electrode 13 via a conductive oxide layer 14, and then a metal electrode 16 formed of Au or the like is formed on the resistance change layer 15.例文帳に追加

シリコン基板等の基板１１上に密着層１２を介してＰｔ等からなる金属電極１３を形成し、その上に導電性酸化物層１４を介して抵抗変化層１５を形成し、その上にＡｕ等からなる金属電極１６を形成することにより抵抗変化型不揮発性メモリを構成する。 - 特許庁