「Schottky Barrier Diode」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A Schottky barrier diode 100 includes a semiconductor layer 1 containing GaN, and a Schottky electrode 2.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード１００は、ＧａＮを含む半導体層１と、ショットキー電極２とを備えている。 - 特許庁

To provide a horizontal Schottky barrier diode (SBD) semiconductor device which operates fast by reducing Schottky junction capacitance.例文帳に追加

ショットキー接合容量を低減し、高速動作が可能な横型ＳＢＤ半導体装置を提供する。 - 特許庁

To easily obtain an SiC Schottky barrier diode, small in the leakage current of a Schottky electrode and excellent in element characteristics.例文帳に追加

ショットキー電極のリーク電流が小さい良好な素子特性のＳｉＣショットキーバリアダイオードを容易に得る。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode in which an area of a Schottky junction surface can be increased even if a chip size is small.例文帳に追加

小さなチップサイズでもショットキ接合面の面積を大きくすることができるショットキバリアダイオードを提供すること。 - 特許庁

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE WITH JUNCTION BARRIER SCHOTTKY DIODE例文帳に追加

ジャンクションバリアショットキーダイオードを備えた炭化珪素半導体装置 - 特許庁

A Schottky barrier diode D1 suppresses a ringing generated during a fall of a voltage.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードＤ１は、電圧の立ち下り時に発生するリンギングを抑圧する。 - 特許庁

A gallium nitride semiconductor region 3 for a Schottky barrier diode is formed on the buffer layer 2.例文帳に追加

バッファ層２の上シヨットキバリアダイオ−ド用の窒化ガリウム半導体領域３を形成する。 - 特許庁

SILICON CARBIDE JUNCTION BARRIER SCHOTTKY DIODE WITH SUPPRESSED MINORITY CARRIER INJECTION例文帳に追加

少数キャリアの注入が抑制される炭化シリコン接合障壁ショットキーダイオード - 特許庁

SCHOTTKY BARRIER DIODE HAVING LATERAL TRENCH STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

横型トレンチ構造を有するショットキー・バリア・ダイオード及びその製造方法 - 特許庁

Each Schottky barrier diode is isolated by an insulating region formed by ion implantation.例文帳に追加

イオン注入による絶縁化領域により、各ショットキーバリアダイオードを分離する。 - 特許庁

A Schottky barrier diode 2 is connected in parallel between an internal circuit 5 and the LC filter 3.例文帳に追加

内部回路５とＬＣフィルタ３の間にショットキーバリアダイオード２を並列に接続する。 - 特許庁

In the protection element (13), a Schottky barrier diode is formed as the protection element.例文帳に追加

保護素子部分（１３）に保護素子としてのショットキーバリアダイオードが形成されている。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SCHOTTKY BARRIER DIODE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードを備えた半導体装置およびその製造方法 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode which materializes a miniaturization and a low cost, and can decrease noises.例文帳に追加

小型化・低コスト化を実現しつつ雑音を低減できるショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH SCHOTTKY BARRIER DIODE, AND PRODUCTION METHOD OF THE SAME例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードを備えた炭化珪素半導体装置およびその製造方法 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode which is improved in surge resistance without changing rectifying characteristics.例文帳に追加

整流特性を変えることなくサージ耐性を向上させたショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

METHOD OF FORMING BURIED LAYER OF SEMICONDUCTOR DEVICE, SCHOTTKY BARRIER DIODE, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

半導体装置の埋込み層形成方法、ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode which has high ESD resistance and a small backward leakage current.例文帳に追加

ＥＳＤ耐量が高く、逆方向漏れ電流の少ないショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

SILICON-CARBIDE JUNCTION BARRIER SCHOTTKY DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

炭化珪素ジャンクションバリアショットキーダイオードおよびその製造方法 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode which has a low ON resistance and a small chip size.例文帳に追加

オン抵抗が低くチップサイズが小さいショットキーバリアダイオードを提供すること。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode which well operates in response to a high-frequency signal.例文帳に追加

高周波の信号に応じて精度よく動作するショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To make a nitride-based Schottky barrier diode high in breakdown voltage and to reduce a leakage current.例文帳に追加

窒化物系ショットキーバリアダイオードを高耐圧化し、且つリーク電流が低減する。 - 特許庁

An SBD (Schottky barrier diode) chip 3 is fixed on the conductive plate 17 via an anisotropic conductive film 22.例文帳に追加

導電プレート１７上に異方性導電膜２２を介してＳＢＤチップ３が固着されている。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode which is formed of superior crystals and equipped with a substrate having no dry spot.例文帳に追加

基板の荒れがなく、良質な結晶のショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode having comprehensively superior leakage characteristics and withstanding voltage characteristics.例文帳に追加

リーク特性および耐圧特性が総合的に優れたショットキバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

An SBD (Schottky barrier diode) chip 3 is fixed on the die pad 17 via an anisotropic conductive film 21.例文帳に追加

ダイパッド１７上に異方性導電膜２１を介してＳＢＤチップ３が固着されている。 - 特許庁

To solve the problem that a Schottky barrier diode deteriorates in diode characteristics and so on owing to mechanical damage due to a load and ultrasonic vibration when wire bonding to an anode electrode of the Schottky barrier diode is carried out.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードのアノード電極にワイヤボンディングする時の荷重と超音波振動による機械的ダメージにより、ダイオード特性が劣化するなどの問題が発生していた - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR, SCHOTTKY BARRIER DIODE, LIGHT-EMITTING DIODE, LASER DIODE AND MANUFACTURING METHOD OF THESE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法、ショットキーバリアダイオード、発光ダイオード、レーザダイオード、およびそれらの製造方法 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode, having a junction barrier Schottky structure, that enables improvement of reverse surge withstand capability of a Schottky junction portion.例文帳に追加

ジャンクションバリアショットキー構造をもつダイオードにおいて、ショットキー接合部の逆サージ耐量を改善することが可能なショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a Schottky diode in which a Schottky barrier in a reverse directional bias is high and the Schottky barrier in a forward directional bias is low.例文帳に追加

逆方向バイアスにおけるショットキー障壁が高く、順方向バイアスにおけるショットキー障壁が低くできるショットキーダイオードを提供する。 - 特許庁

In the pulse modulator for a nonradiative dielectric line, a metallic member 8 having a face opposed to a Schottky barrier diode 7 is arranged closely on the side opposite to a mode suppressor 1b of the Schottky barrier diode 7.例文帳に追加

非放射性誘電体線路用のパルス変調器において、ショットキーバリアダイオード７のモードサプレッサ１ｂと反対側に、ショットキーバリアダイオード７に対向する面を有する金属部材８が近接配置されている。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a Schottky barrier diode, with which a leakage current when applying a reverse voltage can be reduced, and a Schottky barrier diode.例文帳に追加

逆方向電圧印加時の漏れ電流を低減することができるショットキーバリアダイオードの製造方法およびショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a junction barrier Schottky diode which can make compatible the reduction of a leakage current and the increase of an on-current while avoiding the reduction of a breakdown voltage of the junction barrier Schottky diode.例文帳に追加

ジャンクションバリアショットキーダイオードの耐圧を低下させることなく、リーク電流の低減とオン電流の増大を両立したダイオードを提供する。 - 特許庁

There are also provided: a silicon carbide Schottky diode including a silicon carbide junction barrier region disposed within a drift region of the diode; and a method for manufacturing the silicon carbide Schottky diode.例文帳に追加

ダイオードのドリフト領域内に配置された炭化シリコン接合障壁領域を含む炭化シリコンショットキーダイオード、およびこの炭化シリコンショットキーダイオードを製造する方法も提供される。 - 特許庁

The switching element can be various elements including a Zener diode, a Schottky barrier diode, or an MIM.例文帳に追加

スイッチング素子は、ツェナーダイオード、ショットキーバリアダイオード、または、ＭＩＭを含む様々な素子であることが可能である。 - 特許庁

A metal thin film 2 and an SOI layer 3 form a Schottky barrier diode (hereinafter, a diode) 1.例文帳に追加

金属薄膜２とＳＯＩ層３とは、ショットキー・バリア・ダイオード（以下、ダイオード）１を形成している。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode exhibiting a sufficient characteristic and having a mesa-structure, and to provide a method of manufacturing the diode.例文帳に追加

良好な特性を示す、メサ構造部を備えたショットキーバリアダイオードおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A cathode of the first Schottky barrier diode 21 is connected to a cathode of the first PN junction diode 11a.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード２１のカソードは、第１のＰＮ接合ダイオード１１ａのカソードに接続されている。 - 特許庁

A first Schottky barrier diode 21 as an unipolar device is connected in parallel to a first PN junction diode 11a as a bipolar device.例文帳に追加

バイポーラデバイスであるＰＮ接合ダイオード１１ａに、ユニポーラデバイスであるショットキーバリアダイオード２１が並列に接続されている。 - 特許庁

The Schottky barrier diode which has high performance can be formed by varying the impurity density of the cathode area of the Schottky barrier diode nearby its Schottky junction and cathode electrode and further using a trench structure and heavily doped polycrystalline silicon for the cathode electrode.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードのカソード領域の不純物濃度を、ショットキ接合近傍とカソード電極近傍で変え、さらにカソード電極をトレンチ構造と高濃度多結晶シリコンを用いることにより、高性能なショットキーバリアダイオードを形成できることを特徴とする。 - 特許庁

The Schottky barrier diode 2 has a lower saturation voltage and a shorter recovery time than those of the diode 8 for antistatic protection, so the voltage is clipped at a voltage, at which the diode 8 for antistatic protection will not act against the counter electromotive force from the Schottky barrier diode 2.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード２は静電保護用ダイオード８に比べて、飽和電圧が低く、回復時間も短い為、ショットキーバリアダイオード２からの逆起電力による静電保護用ダイオード８のターンオン動作をさせない電圧でクリップする。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode where a Schottky metal 5 can be prevented from separating from an insulating film 4 due to the fact that bonding between the Schottky metal 5 and the insulating film 4 is not high enough in strength.例文帳に追加

ショットキメタル５と絶縁被膜４との接着強度が小さいことに起因するショットキメタル５と絶縁被膜４の剥離現象を防止したショットキバリアダイオードを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode wherein the peeling of a metal layer which covers an oxide film in contact is suppressed even when platinum is used as a Schottky barrier metal.例文帳に追加

ショットキーバリア金属として白金を用いた場合でも、酸化膜に接触して覆う金属層の剥がれを抑制することのできるショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element having Schottky junction structure superior in backward direction characteristic, without sacrificing the forward direction characteristic, a Schottky barrier diode, and a semiconductor substrate for forming a Schottky junction for forming the diode.例文帳に追加

順方向特性を犠牲にすることなく、優れた逆方向特性を備えたショットキー接合構造を有する半導体素子およびショットキーバリアダイオードと、これを形成するためのショットキー接合形成用半導体基板を提供する。 - 特許庁

In the Schottky barrier diode 41, a gallium nitride epitaxial layer 45 is formed on a group III nitride substrate 45 having a conductivity.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード４１では、窒化ガリウム系エピタキシャル層４５は、導電性を有するIII族窒化物基板４５上に設けられている。 - 特許庁