「Schottky Barrier Diode」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To improve adhesiveness to a semiconductor substrate without changing height of a barrier even in the case that a metal poor in adhesion with the semiconductor substrate is made as a barrier metal, in Schottky barrier diode.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードにおいて、半導体基板との密着性の悪い金属をバリア金属とした場合にも、バリア高さを変えずに半導体基板との密着性を向上させる。 - 特許庁

An ON voltage V1 at a diode current Io is set lower than an energization start voltage Vbd of a body diode 2 of an SiC-MOSFET1 as shown in current voltage characteristic-1 of an SiC Schottky barrier diode 3.例文帳に追加

ＳｉＣショットキーバリアダイオード３の電流電圧特性−１に示すように、ダイオード電流Ｉｏでのオン電圧Ｖ１を、ＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴ１のボディーダイオード２の通電開始電圧Ｖｂｄより低く設定する。 - 特許庁

This device is provided with a reference voltage generating circuit 7 having a Zener diode 13, thermistor 11 having dependency on power supply voltage and temperature, resistors R1-R5 having power supply voltage dependency and Schottky barrier diode(SBD) 12 of a diode having temperature dependency.例文帳に追加

ツェナーダイオード１３と、電源電圧及び温度依存性のあるサーミスタ１１と、電源電圧依存性のある抵抗Ｒ１〜Ｒ５と、温度依存性のあるダイオードＳＢＤ１２を有する基準電圧発生回路７を備える。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a group III-V compound semiconductor, a Schottky barrier diode, a light-emitting diode, a laser diode, and the manufacturing method of these which can reduce n-type carrier density.例文帳に追加

ｎ型のキャリア濃度を低減できるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法、ショットキーバリアダイオード、発光ダイオード、レーザダイオード、およびそれらの製造方法を提供する。 - 特許庁

Because the Schottky electrode 24 is Schottky-connected with the N-silicon region 21, an electrode material compatible with a semiconductor process can be used, and therefore, it is possible to form the Schottky barrier diode 20 on a semiconductor substrate 11 identical to that of the vertical P-channel power MOSFET 10.例文帳に追加

ショットキー電極２４は、Ｎ−シリコン領域２１とショットキー接続するため、半導体プロセスと整合性のある電極材料を用いることができるので、縦型ＰチャネルパワーＭＯＳＦＥＴ１０と同一半導体基板１１上にショットキーバリアダイオード２０を形成することができる。 - 特許庁

A Schottky diode comprises an n-type semiconductor substrate 1, a Schottky electrode 3, and a p-type diffusion layer 2 serving as a leakage restraining structure for restraining a leakage current by producing a barrier layer when a reverse bias voltage is applied to between the Schottky electrode 3 and the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ショットキバリアダイオードは、Ｎ型半導体基板１と、ショットキ電極３と、ショットキ電極３と半導体基板１との間に逆バイアス電圧が印加されたときに空乏層を生じさせることによりリーク電流を抑制するリーク抑制構造部としてのＰ型拡散層２とを備える。 - 特許庁

To provide a SBD(Schottky Barrier Diode) element where the Schottky contact area is increased, by providing it with a trench groove on the surface of silicon, and also where the forward voltage VF is small and its control is easy, by using plural kinds of barrier metals different in work function.例文帳に追加

シリコン表面にトレンチ溝を設けてショットキー接触面積を増大すると共に、仕事関数の異なる複数種類のバリア金属を用いることで、順方向電圧ＶＦが小さく且つその制御が容易なＳＢＤ素子を得る。 - 特許庁

The junction barrier region includes: a first silicon carbide region having a first doping concentration in the drift region of the diode; and a second silicon carbide region disposed between the first silicon carbide region and a Schottky contact of the Schottky diode, in the drift region.例文帳に追加

この接合障壁領域は、ダイオードのドリフト領域内にあって第１のドーピング濃度を有する第１の炭化シリコン領域と、ドリフト領域内にあって、第１の炭化シリコン領域とショットキーダイオードのショットキーコンタクトとの間に配置された第２の炭化シリコン領域とを含む。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a first and a second Schottky barrier diode D1 and D2, which are connected in parallel and are different types and have barrier metals of different areas.例文帳に追加

互いに並列に接続され、それぞれ異なる種類でかつ異なる面積のバリアメタルを有する第１および第２のショットキーバリアダイオードＤ１、Ｄ２とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a Schottky barrier diode whose barrier height can be easily regulated and hardly changes even in an after soldering process.例文帳に追加

バリアハイトの調整が容易で、後工程のはんだ工程においてもバリアハイトが変化しにくいショットキーバリアダイオードの製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor pressure sensor is constituted of both a Schottky barrier diode element 10 made of a barrier film 1, an electrode film 2, and an n-type semiconductor substrate 3 and a seating part 4.例文帳に追加

半導体圧力センサは、バリア膜１、電極膜２、ｎ型半導体基板３からなるショッキーバリアダイオード素子１０と台座部４とで構成されている。 - 特許庁

The barrier correction layer is so designed as to decrease or increase the invert leakage current of the Schottky diode structure depending on whether Ti or Pt is used to form a diode junction.例文帳に追加

また、このバリア修正層を、ダイオード接合を形成するのにＴｉを用いているかＰｔを用いているかに応じて、ショットキ・ダイオード構造の逆漏れ電流が減少又は増加するように設計する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is constructed by connecting an SBD (Schottky barrier diode) and a ZD (constant voltage diode) for protection in parallel, and which has a large avalanche resistance and has a short Trr and a low Vf.例文帳に追加

ＳＢＤ（ショットキー・バリア・ダイオード）と保護用ＺＤ（定電圧ダイオード）を並列に接続したアバランシェ耐量の大きい半導体装置において、短いＴrr、低いＶfを有した半導体装置を提供する。 - 特許庁

An anode of the first Schottky barrier diode 21 is connected to an anode of the first PN junction diode 11a via a connection metal member 31 on which an inductance L1 is parasitic.例文帳に追加

第１のショットキーバリアダイオード２１のアノードは、インダクタンスＬ１が寄生している接続金属部材３１を介して、第１のＰＮ接合ダイオード１１ａのアノードに接続されている。 - 特許庁

A combined semiconductor rectifying device 1 is configured such that a PN-type silicon diode 1b and a Schottky barrier diode 1a of a semiconductor, whose breakdown voltage is higher than that of silicon and whose band gap is wider than that of the silicon, are connected in series.例文帳に追加

ＰＮ型シリコンダイオード１ｂとシリコンよりも高耐圧でワイドバンドギャップな半導体のショットキーバリアダイオード１ａを直列接続した複合半導体整流素子１とする。 - 特許庁

A Schottky barrier diode 20 is formed, which has an N-silicon region 21 in a region neighboring a vertical P-channel power MOSFET and demarcated by an insulating layer, a Schottky electrode 23 Schottky-connected with the N-silicon region 21, an N+silicon region 22 formed in the surface layer part of the N-silicon region 21, and a diode electrode 24 electrically connected with the N+silicon region 22.例文帳に追加

縦型ＰチャネルパワーＭＯＳＦＥＴに隣接し、絶縁層により区画された領域にＮ−シリコン領域２１と、Ｎ−シリコン領域２１とショットキー接続されるショットキー電極２３と、Ｎ−シリコン領域２１の表層部に形成されたＮ＋シリコン領域２２と、Ｎ＋シリコン領域２２と電気的に接続されたダイオード電極２４と、を有するショットキーバリアダイオード２０を形成する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode where a forward current can be increased for inhibiting leakage current, and electrical characteristics per unit area can be varied, without changing the concentration of a semiconductor substrate and the metal of a metal electrode, and an integrated circuit that incorporates the Schottky barrier diode.例文帳に追加

順方向電流を増大しリーク電流を抑制することが可能となり、半導体基板濃度や金属電極の金属を変えることなく単位面積当たりの電気特性可変なショットキーバリアダイオード及びそのショットキーバリアダイオードを内蔵した集積回路を提供することを目的としている。 - 特許庁

This semiconductor device loaded with the field effect transistor and a Schottky barrier diode within the same semiconductor substrate is provided with an embedded dope layer of a second conductivity type embedded with prescribed pitches at a prescribed depth in the drift layer of a first conductivity type in the Schottky barrier diode region.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、同一半導体基板内に電界効果トランジスタ及びショットキーバリアダイオードを搭載した半導体装置が、ショットキーバリアダイオード領域における第一導電型のドリフト層中の所定の深さに所定のピッチで埋め込まれた第二導電型の埋込ドープ層を備えているものである。 - 特許庁

Since a control circuit 9 keeps a transistor 4 in a blocking state while detecting abnormalities, a reflux current flows only in a Schottky barrier diode 5 to generate voltage drop by the Schottky barrier diode 5 when the transistor 4 becomes in the blocking state while a transistor 3 is in the blocking state.例文帳に追加

制御回路９は、異常を検出している間にはトランジスタ４を遮断状態に保持するので、トランジスタ３が遮断状態のときにトランジスタ４が遮断状態になると、還流電流がショットキーバリアダイオード５のみに流れ、ショットキーバリアダイオード５による電圧降下が発生する。 - 特許庁

Thereby, a Schottky barrier diode composing the SBD thermistor for detecting a change of a current flowing into the Schottky barrier diode configured by bringing a metal into contact with a semiconductor as a temperature change is driven by voltage in a range of ±0.1 V to be voltage in a voltage area of a non-saturation characteristic area.例文帳に追加

そのため、半導体に金属を接触させたショットキーバリアダイオードに流れる電流の変化を温度の変化として検出するショットキーバリアダイオード・サーミスタを構成するショットキーバリアダイオードを、非飽和特性領域の電圧領域の電圧である、±０.１Ｖの範囲内の電圧で駆動する。 - 特許庁

The Schottky diode is composed of a semiconductor substrate whose surface is a first crystal orientation plane, and a metallic part that is made of metallic atoms introduced through the surface of the semiconductor substrate to form a Schottky barrier on the second crystal orientation plane of the semiconductor substrate.例文帳に追加

表面が第一の結晶方位面の半導体基板と、前記半導体基板の表面から侵入した金属原子からなり、前記半導体基板の第二の結晶方位面でショットキー障壁を形成する金属部とを有することを特徴とするショットキーダイオードによって解決する。 - 特許庁

The semiconductor device 200 is a trench gate type semiconductor device in which the Schottky barrier diode and the power MOS are formed on the same substrate, wherein a Schottky range and a MOS range are alternately arranged using a trench gate 21 as a boundary.例文帳に追加

半導体装置２００は，ショットキバリアダイオードとパワーＭＯＳトランジスタとが同一基板上に形成されたトレンチゲート型半導体装置であり，ショットキ領域とＭＯＳ領域とがトレンチゲート２１を境界として交互に配置されている。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode that reduces the anode electrode area, while ensuring a Schottky junction area, suppresses the increase in the reverse leakage current accompanying the reduction in the anode electrode area by an isolation embedded layer, and further can appropriately maintain linearity in the forward direction.例文帳に追加

ショットキー接合面積を確保しながらアノード電極面積を縮小し、それに伴う逆方向リーク電流の増大を分離埋め込み層により抑制し、しかも、順方向の直線性を良好に維持することが可能なショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

The Schottky barrier diode 1 includes an epitaxial layer 4 in which a plurality of trenches 7 are formed by digging from a surface and mesas 8 are formed between the adjacent trenches 7, and a Schottky metal 11 formed in contact with the surface of the epitaxial layer 4 including an inner wall surface of the trenches 7.例文帳に追加

ショットキバリアダイオード１は、表面から掘り下げた複数のトレンチ７が形成され、隣接するトレンチ７の間にメサ部８が形成されたエピタキシャル層４と、トレンチ７の内壁面を含むエピタキシャル層４の表面に接するように形成されたショットキメタル１１とを含む。 - 特許庁

When a reverse bias is applied to the Schottky barrier diode 11, strength of an electric field near an edge of the Schottky junction 23 becomes low by overlap of an electric field from the first conductive portion 19a and an electric field from the second conductive portion 19b.例文帳に追加

ショットキバリアダイオード１１に逆バイアスが印加される場合、第１の導電部１９ａからの電界と第２の導電部１９ｂからの電界との重ね合わせにより、ショットキ接合２３のエッジ付近の電界強度を小さくなる。 - 特許庁

To provide a switching circuit employing a wideband gap Schottky barrier diode which can reduce turn on loss of a switching element while controlling ringing caused by junction capacitance of a diode and stray inductance even if a feedback diode consisting of a wideband gap semiconductor is used.例文帳に追加

帰還ダイオードにワイドバンドギャップ半導体によるものを使用しても、該ダイオードの接合容量と浮遊インダクタンスによるリンギングを抑制しつつ、スイッチング素子のターンオン損失も低減できるワイドバンドギャップショットキバリアダイオードを用いたスイッチング回路を提供する。 - 特許庁

A Schottky barrier diode 1 includes an n-conductive type GaN substrate 2, an n-GaN epitaxial layer 3, and an ohmic electrode 6.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード１は、導電型がｎ型であるＧａＮ基板２およびｎ−ＧａＮエピタキシャル層３と、オーミック電極６とを備える。 - 特許庁

To provide a gallium nitride Schottky-barrier diode containing a gallium nitride semiconductor film being capable of controlling an electron concentration by a donor concentration and having a high resistivity.例文帳に追加

ドナー濃度により該電子濃度を制御可能な高比抵抗の窒化ガリウム系半導体膜を含む窒化ガリウム系ショットキバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

One embodiment is a Schottky barrier diode (10) made from GaN based material whose Fermi level (or surface potential) is not pinned.例文帳に追加

本発明の一実施形態は、そのフェルミ準位（または表面ポテンシャル）がピン止めされないＧａＮ系材料から作成されたショットキー障壁ダイオード（１０）である。 - 特許庁

FABRICATING METHOD OF SILICON CARBIDE SUBSTRATE, SCHOTTKY BARRIER DIODE AND SILICON CARBIDE FILM AND SILICON CARBIDE SUBSTRATE FABRICATED WITH THIS METHOD例文帳に追加

炭化ケイ素基板の製造方法およびその製造方法により製造された炭化ケイ素基板、ならびに、ショットキーバリアダイオードおよび炭化ケイ素薄膜の製造方法 - 特許庁

A plurality of Schottky barrier diode units 10 are formed in an SiC chip 9 and each unit 10 has an independent external output electrode 4.例文帳に追加

ＳｉＣチップ９には、複数個のショットキーバリアダイオードのユニット１０が形成され、各ユニット１０は独立した外部出力電極４を持っている。 - 特許庁

Furthermore, a series connection of a grounded Schottky barrier diode for compressing the signal waveform polarity of an analog switch having a low conduction resistance and a resistor is provided.例文帳に追加

さらに、アナログ切換器の導通抵抗が低い信号波形極性を圧縮する接地されたショトキーバリアダイオードと抵抗の直列接続を有する。 - 特許庁

To improve resistance to reverse voltage of a Schottky barrier diode and characteristics including a forward characteristic in a simple process by adequately setting a poly-silicon film.例文帳に追加

ポリシリコン膜を適切に設定して、簡易な工程によりショットキーバリアダイオードの逆電圧に対する耐性や順方向特性等の特性を向上させる。 - 特許庁

A wide-band gap semiconductor is formed on the Si substrate through the intermediary of a buffer layer to form the Schottky barrier diode, and the buffer layer is a cubic boron phosphide layer.例文帳に追加

Ｓｉ基板上にバッファー層を介してワイドバンドギャップ半導体が形成されているショットキーバリアダイオードであって、バッファー層は、立方晶リン化ホウ素層である。 - 特許庁

To selectively form a p^+ region on a p-well and to reduce contact resistance of a metal electrode and the p^+ region without using a hard mask in manufacturing a silicon-carbide junction barrier Schottky diode.例文帳に追加

炭化珪素ジャンクションバリアショットキーダイオードの製造において、ハードマスクを使用せずに、ｐウェル上に選択的にｐ^+領域を形成し、また金属電極とｐ^+領域とコンタクト抵抗を低減する。 - 特許庁

In a Schottky barrier diode 11, a main surface 13a of an n-type barium nitride semiconductor layer 13 includes first and second areas 13b and 13c.例文帳に追加

ショットキバリアダイオード１１では、ｎ型窒化ガリウム系半導体層１３の主面１３ａは、第１のエリア１３ｂと第２のエリア１３ｃとを含む。 - 特許庁

ELECTRODE FILM/SILICON CARBIDE STRUCTURE, SILICON CARBIDE SCHOTTKY BARRIER DIODE, FIELD EFFECT TRANSISTOR OF METAL-SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURE, OPTIMUM METHOD FOR FORMING ELECTRODE FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE FILM/SILICON CARBIDE STRUCTURE例文帳に追加

電極膜／炭化珪素構造体、炭化珪素ショットキバリアダイオード、金属−炭化珪素半導体構造電界効果トランジスタ、電極膜の成膜最適化方法および電極膜／炭化珪素構造体の製造方法 - 特許庁

By adjusting a resistance value of the trimmable chip resistor 3, the bias current to flow to the Schottky barrier diode 2 is controlled, thereby tuning mixer characteristics.例文帳に追加

トリマブルチップ抵抗３の抵抗値を調整することにより、ショットキーバリアダイオード２に流れるバイアス電流を制御してミキサー特性をチューニングすることができる。 - 特許庁

To speed up the switching of a Schottky barrier diode having a super junction structure which flows a current in on-state and depletes in off-state.例文帳に追加

オン状態では電流を流し、オフ状態では空乏化する超接合構造を有するショットキーバリアダイオードの、高速スイッチング化を図る。 - 特許庁

To obtain a more correct measurement value by removing an error generated in photoelectric conversion when measuring a temperature change by detecting infrared rays by a thermal sensor using a Schottky barrier diode.例文帳に追加

ショットキー・バリア・ダイオードを用いた熱型センサを使い、赤外線を検出して温度変化を測定するときに光電変換で起こる誤差を除去し、より正しい測定値を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a transistor of trench gate structure and Schottky barrier diode can be mounted mixedly, inexpensively, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

トレンチゲート構造のトランジスタと、ショットキーバリアダイオードとを、低コストで混載させることのできる半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an SiC semiconductor device equipped with a schottky diode for controlling a barrier height to suppress the increase in a reverse leakage current value, and its production method.例文帳に追加

バリアハイトを制御し、逆方向リーク電流値が高くなることを抑制できるショットキーダイオードを備えたＳｉＣ半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of effectively improving the trade off relation between the forward voltage(VF) of a Schottky barrier diode(SBD) and its reverse leakage current (JR).例文帳に追加

ショットキバリアダイオード（ＳＢＤ）の順方向電圧（Ｖ_Ｆ）と逆方向漏れ電流（Ｊ_Ｒ）のトレードオフ関係を効果的に改善する方法を提供する。 - 特許庁

The Schottky barrier diode 11 includes a conductive nitride support substrate 13, an n^- type gallium nitride family semiconductor portion 15, an insulator 17, a first electrode 19.例文帳に追加

ショットキバリアダイオード１１は、導電性の窒化物支持基体１３と、ｎ^−型窒化ガリウム系半導体部１５と、絶縁体１７と、第１の電極１９とを備える。 - 特許庁

A carrier spreads greatly since the downward shifting is checked by an energy barrier between the Schottky electrode and the window layer, so the light emitting efficiency of the light emitting diode rises.例文帳に追加

キャリヤは、ショットキー電極とウィンドウ層との間のエネルギー障壁によって、下方への移動が阻止されるため大いに拡がり、発光ダイオードの発光効率が向上する。 - 特許庁