「Schottky」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

Specifically, if the rectifying units are made of a Schottky diode, the voltage drop can be significantly reduced compared with other types of diodes.例文帳に追加

特に、整流部３０Ａ〜３０Ｆをショットキーダイオードにより構成すれば、他の種類のダイオードに比べて電圧降下を著しく小さくすることができる。 - 特許庁

FABRICATING METHOD OF SILICON CARBIDE SUBSTRATE, SCHOTTKY BARRIER DIODE AND SILICON CARBIDE FILM AND SILICON CARBIDE SUBSTRATE FABRICATED WITH THIS METHOD例文帳に追加

炭化ケイ素基板の製造方法およびその製造方法により製造された炭化ケイ素基板、ならびに、ショットキーバリアダイオードおよび炭化ケイ素薄膜の製造方法 - 特許庁

A Schottky barrier formed between the silicon carbide 13 and electrode 14 decreases in height and an ohmic contact is formed between the electrode 14 and silicon carbide 13 without using an alloying heat treatment.例文帳に追加

炭化珪素１３と電極１４との間に形成されるショットキー障壁の高さが低くなり、合金化熱処理を用いることなく、電極１４と炭化珪素１３との間にオーミックコンタクトが実現される。 - 特許庁

In the Schottky solar cell, a metal electrode of a light receiving surface is made of a nanomesh metal electrode having submicron openings.例文帳に追加

本発明のショットキー型太陽電池は、受光面の金属電極を、サブミクロンの開口を有するナノメッシュ金属電極にすることを特徴とする。 - 特許庁

By setting the content x of nitrogen to less than 0.8, a sharp decline in Schottky characteristic compared with the conventional gate electrode can be prevented.例文帳に追加

また、窒素含有率ｘを０．８未満に設定することにより、従来のゲート電極に比べてショットキー特性が大幅に低下することを回避できる。 - 特許庁

The metal electrode portion comes into Schottky contact with an n-type semiconductor region exposed on the upper face of the semiconductor substrate, and comes into ohmic contact with the semiconductor electrode portion.例文帳に追加

金属電極部は、半導体基板の上面に露出するｎ型半導体領域にショットキー接触しているとともに、半導体電極部にオーミック接触している。 - 特許庁

A plurality of Schottky barrier diode units 10 are formed in an SiC chip 9 and each unit 10 has an independent external output electrode 4.例文帳に追加

ＳｉＣチップ９には、複数個のショットキーバリアダイオードのユニット１０が形成され、各ユニット１０は独立した外部出力電極４を持っている。 - 特許庁

Furthermore, a series connection of a grounded Schottky barrier diode for compressing the signal waveform polarity of an analog switch having a low conduction resistance and a resistor is provided.例文帳に追加

さらに、アナログ切換器の導通抵抗が低い信号波形極性を圧縮する接地されたショトキーバリアダイオードと抵抗の直列接続を有する。 - 特許庁

The diode 1 has a junction section 8 comprising the oxide semiconductor 2 and the organic conductor 3 formed on the oxide semiconductor 2, and the junction section 8 has Schottky junction characteristics.例文帳に追加

ダイオード１は、酸化物半導体２と酸化物半導体２上に形成される有機導電体３とからなる接合部８を備え、接合部８がショットキー接合特性を有する。 - 特許庁

The gate electrode of the Schottky junction gate type field-effect transistor and an ohmic electrode in the source-drain region are formed simultaneously using the same metal.例文帳に追加

ショットキー接合ゲート型の電界効果トランジスタのゲート電極とソース・ドレイン領域のオーミック電極とが同一金属で同時に形成される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor device obtaining a good Schottky characteristic or a good ohmic characteristic even in a reactive plasma etching using an etching gas containing silicon.例文帳に追加

シリコンを含むエッチンガスを用いた反応性プラズマエッチングにおいても、良好なショットキー特性あるいはオーミック特性を得ることができる窒化物半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A laminate structure having the Schottky diode characteristic and a laminate structure having a negative resistance diode characteristic are formed by epitaxial growth on a semi-insulative GaAs substrate 101.例文帳に追加

半絶縁性ＧaＡs基板１０１上に、エピタキシャル成長によりショットキーダイオード特性を有する積層構造と負性抵抗ダイオード特性を有する積層構造とを順に形成する。 - 特許庁

Schottky electrodes 30 are formed adjacent to gate electrodes 28 in the direction perpendicular to the facing direction of a source electrode 24 and a drain electrode 26, in the region in which the source electrode 24 and the drain electrode 26 are faced.例文帳に追加

ショットキー電極３０が、ソース電極２４とドレイン電極２６とが対向する領域の、ソース電極２４とドレイン電極２６とが対向する方向と略直交する方向にゲート電極２８と並んで形成されている。 - 特許庁

To improve resistance to reverse voltage of a Schottky barrier diode and characteristics including a forward characteristic in a simple process by adequately setting a poly-silicon film.例文帳に追加

ポリシリコン膜を適切に設定して、簡易な工程によりショットキーバリアダイオードの逆電圧に対する耐性や順方向特性等の特性を向上させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device which includes a Schottky barrier made of a silicide layer and which can be manufactured while eliminating the need for increasing the number of steps.例文帳に追加

工程を増やすことなく製造することが可能なシリサイド層からなるショットキーバリアを備えた半導体集積回路装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

The first electrode forms a Schottky contact with the second group III hetero-junction, and the second electrode forms an ohmic contact with the second group III nitride hetero-junction.例文帳に追加

前記第１電極は、前記第２のＩＩＩ族窒化物ヘテロ接合とショットキーコンタクトを形成し、前記第２電極は、前記第２のＩＩＩ族窒化物ヘテロ接合とオーミックコンタクトを形成する。 - 特許庁

The ultraviolet sensor is a photovoltaic one that is provided with zinc oxide mono crystal substrate 11 and an ultraviolet light receiver including a Schottky electrode 12 formed on its +c surface.例文帳に追加

紫外線センサは、光起電力型のものであり、酸化亜鉛単結晶基板１１と、その＋ｃ面上に形成されたショットキー電極１２からなる紫外線受光部を備える。 - 特許庁

Among incident lights from the surface of the solar battery, light energy smaller than the semiconductor energy gap, which is not absorbed in a semiconductor, is absorbed with the Schottky barrier junction 5 smaller than the semiconductor energy gap.例文帳に追加

太陽電池表面より入射した光のうち、半導体内で吸収されなかった半導体のエネルギーギャップより小さい光エネルギーを、半導体のエネルギーギャップより小さなショットキー障壁接合５で吸収する。 - 特許庁

The Schottky electrode for the gallium oxide single crystal substrate is manufactured by coating the gallium oxide single crystal substrate with poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate) (S1) in a spin coating method, and vaporizing a solvent (S2).例文帳に追加

酸化ガリウム単結晶基板上にスピンコート法によりpoly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate)を塗布し（Ｓ１）、溶媒を蒸発させる（Ｓ２）ことにより酸化ガリウム単結晶基板用ショットキー電極を製造する。 - 特許庁

An Si substrate 1 is placed on a stage 2, a mercury electrode 3 forming a Schottky barrier with the substrate 1 is contacted with a surface of the substrate 1.例文帳に追加

ステージ２の上にＳｉ基板１が設置され、Ｓｉ基板１の表面にはＳｉ基板１との間でショットキー障壁を構成する水銀電極３が接触している。 - 特許庁

To provide an electrode structure for nitride-based III-V compound semiconductor device, provided with Schottky electrodes which can firmly adhere to a film on a semiconductor and have superior temperature characteristics.例文帳に追加

半導体上の膜付着力が強く、かつ温度特性が優れたショットキー電極を備えた窒化物系III−Ｖ族化合物半導体装置の電極構造を提供する。 - 特許庁

A wide-band gap semiconductor is formed on the Si substrate through the intermediary of a buffer layer to form the Schottky barrier diode, and the buffer layer is a cubic boron phosphide layer.例文帳に追加

Ｓｉ基板上にバッファー層を介してワイドバンドギャップ半導体が形成されているショットキーバリアダイオードであって、バッファー層は、立方晶リン化ホウ素層である。 - 特許庁

A cathode electrode 27 is formed in ohmic contact on the n-type GaN layer 26 and an anode electrode 28 is formed in Schottky contact on the AlGaN layer 24.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ層２６上にオーミック接触して、カソード電極２７が形成され、ＡｌＧａＮ層２４上にショットキー接触して、アノード電極２８が形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a Schottky electrode having excellent characteristics and an ohmic electrode having a flat surface are formed on a silicon carbide substrate.例文帳に追加

シリコンカーバイド基板上に良好な特性のショットキー電極と、表面が平坦なオーミック電極を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device has a gate electrode 1 serving as a Schottky electrode having an inner angle θ1 of a first vertex 3 on the side of a drain electrode 2 serving as an ohmic electrode larger than 90°.例文帳に追加

この半導体装置は、ショットキー電極であるゲート電極１はオーミック電極であるドレイン電極２側の第１の角３の内角θ１が９０°を超えている。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a first and a second Schottky barrier diode D1 and D2, which are connected in parallel and are different types and have barrier metals of different areas.例文帳に追加

互いに並列に接続され、それぞれ異なる種類でかつ異なる面積のバリアメタルを有する第１および第２のショットキーバリアダイオードＤ１、Ｄ２とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

An n-type SiC layer 4 having a relatively high dopant concentration as a buffer film is formed so as to coat the entire face of the Schottky barrier metal 3.例文帳に追加

ショットキーバリア金属３の全面を覆うように緩衝膜としてのドーパント濃度の比較的高いｎ型のＳｉＣ膜４が形成されている。 - 特許庁

After a first electrode consisting of a first metal which is in Schottky contact with the upper layer semiconductor layer is formed, a second electrode consisting of a second metal is formed in the upper layer semiconductor layer.例文帳に追加

上層半導体層にショットキー接触する第１の金属からなる第１の電極を形成した後、上層半導体層に第２の金属からなる第２の電極を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SCHOTTKY DIODE, METHOD FOR MANUFACTURING INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体装置の製造方法、ショットキーバリアダイオードの製造方法及び絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの製造方法並びに半導体装置 - 特許庁

A Schottky barrier semiconductor device comprises embedded semiconductor layers serving as a junction barrier 5 provided outside a guard ring 4 and at a predetermined depth from a surface of a first semiconductor layer.例文帳に追加

ショットキーバリア型半導体装置において、ガードリング４の外側で、第１の半導体層の表面から所定の深さに配設されたジャンクションバリア５としての埋め込み半導体層を具備する。 - 特許庁

To provide a Schottky diode which has a device region formed directly on a surface of a support base of a group-III nitride semiconductor without forming an epitaxial layer.例文帳に追加

エピタキシャル層を形成することなくIII族窒化物半導体の支持基体表面の上に直接デバイス領域を形成したショットキーダイオードを提供する。 - 特許庁

Clamp circuits 2A, 2B which are to be provided in a self- oscillating resonance type converter are formed of Schottky barrier diodes DSBD1, DSBD2 and resistors RD1, RD2.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードＤSBD1，ＤSBD2と抵抗ＲD1，ＲD2とによって、自励式の共振形コンバータに備えられるべきクランプ回路２Ａ，２Ｂを形成する。 - 特許庁

This semiconductor gas sensor is equipped with a heater 4 supported in a beam-like shape on a support member (SOI substrate) made of silicon monocrystal and a Schottky diode formed on the heater 4.例文帳に追加

半導体式ガスセンサは、支持部材（ＳＯＩ基板）に梁状に支持されたシリコン単結晶からなるヒータ４と、ヒータ４上に形成されたショットキーダイオードを備えている。 - 特許庁

The interface of bonding between the organic electrode 2 and the ZnO-based semiconductor 1 has a Schottky barrier formed thereon, and a rectification action is generated between them.例文帳に追加

有機物電極２とＺｎＯ系半導体１との接合界面は、ショットキー障壁が形成されており、これらの間で整流作用が発生する。 - 特許庁

The interface of bonding between the organic electrode 2 and the GaN semiconductor 1 is in a state such as schottky junction, and a rectification action is generated between them.例文帳に追加

有機物電極２とＧａＮ半導体１との接合界面は、ショットキー接合のような状態となっており、これらの間で整流作用が発生する。 - 特許庁

To selectively form a p^+ region on a p-well and to reduce contact resistance of a metal electrode and the p^+ region without using a hard mask in manufacturing a silicon-carbide junction barrier Schottky diode.例文帳に追加

炭化珪素ジャンクションバリアショットキーダイオードの製造において、ハードマスクを使用せずに、ｐウェル上に選択的にｐ^+領域を形成し、また金属電極とｐ^+領域とコンタクト抵抗を低減する。 - 特許庁

The Schottky barrier electrode 8a is composed of a first layer 11a composed of a titanium film containing nitrogen or oxygen or both elements and a second layer 12 made of a metal.例文帳に追加

ショットキバリア電極８ａを、窒素又は酸素又はこれ等の両方を含有するチタン膜から成る第１の層１１ａと金属から成る第２の層１２とで構成する。 - 特許庁

In a Schottky barrier diode 11, a main surface 13a of an n-type barium nitride semiconductor layer 13 includes first and second areas 13b and 13c.例文帳に追加

ショットキバリアダイオード１１では、ｎ型窒化ガリウム系半導体層１３の主面１３ａは、第１のエリア１３ｂと第２のエリア１３ｃとを含む。 - 特許庁

Total carrier density is calculated from all-state density calculated from classical state density of the Schottky barrier potential and the tunneling state density is calculated, and compared with the classical carrier density calculated from the classical state density.例文帳に追加

ショットキー障壁ポテンシャルの古典的状態密度とトンネル状態密度から算出される全状態密度で全キャリア密度を計算し、古典的状態密度で計算した古典的キャリア密度と比較する。 - 特許庁

The Schottky junction element is constituted by laminating a metal oxide film containing at least tungsten-doped indium and having a previously controlled carrier concentration, and a conductive polymer film.例文帳に追加

少なくともタングステンをドープしたインジウムを含み、予めキャリア濃度が制御された金属酸化物膜と、導電性高分子膜との積層により構成される。 - 特許庁

To provide a detection element capable of restraining a thermal electron emission characteristic (influence of Fermi-level pinning), in a Schottky junction part for detecting high frequencies such as terahertz waves.例文帳に追加

テラヘルツ波等の高周波を検出するためのショットキー接合部において、熱電子放出電流特性（フェルミレベルピニングの影響）を抑制することができる検出素子を提供する。 - 特許庁

The outstanding current constriction flow is obtained by Schottky junction via the alloy layer 116 between the electrode 115 and a p^+-GaAs contact layer 114 which is a high concentration semiconductor layer.例文帳に追加

上記電極１１５と高濃度半導体層であるｐ^+−ＧaＡsコンタクト層１１４との間の合金層１１６を介したショットキー接合により優れた電流狭窄性を得る。 - 特許庁

The information proper to users can be written even in the cell holding no diffusion layer by injection of the thermal carrier through the Schottky junction, or by FNT through the diffusion layers.例文帳に追加

ユーザ固有の情報は、拡散層の無いセルにおいても、ショットキー接合からの熱キャリアの注入または拡散層からのＦＮＴによって書き込むことができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including a Schottky diode having relatively small series resistance and a manufacturing method thereof at a relatively low cost.例文帳に追加

本発明は、比較的低いコストにより、比較的低いシリーズ抵抗を有するショットキダイオードを含む半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Since the source electrode 151 is connected to the semiconductor substrate by a Schottky barrier, even if a voltage is applied to a drain electrode 155, a normally on characteristic does not generate.例文帳に追加

ソース電極１５１は半導体基体とショットキー接合しているため、ドレイン電極１５５に電圧を印加してもノーマリオン特性は生じない。 - 特許庁