「Schottky」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

A first metallization layer 15 different from a second metallization layer 16 of Schottky metal having great influence on the rectifying characteristics is arranged in contact with a P type guard ring region 13.例文帳に追加

整流特性に多大なる影響力をもつショットキー金属である第２の金属層１６とは異なる第１の金属層１５を、Ｐ型ガードリング領域１３に接触するように配置する。 - 特許庁

On the other hand, the virtual gate Schottky electrode is formed in such a manner that an electrode metal film is evaporated on the exposed AlGaAs layer from a prescribed direction after the upper semiconductor layer and the GaAs layer are partially, selectively removed.例文帳に追加

一方バーチャルゲートショットキー電極は、上層半導体層とＧａＡｓ層の一部を選択除去した後、露出したＡｌＧａＡｓ層に所定の方向から電極金属膜を蒸着して形成する。 - 特許庁

To provide a structure whose barrier metal cannot be peeled off, in a Schottky barrier type semiconductor device where the termination treatment of a depletion layer has been made by utilizing field plate structure and in the method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

フィールドプレート構造を利用して空乏層の終端処理が施されたショットキーバリア型半導体装置とその製造方法において、バリアメタルが剥がれない構造を提供する。 - 特許庁

A voltage is prevented from being concentrically-applied to a gate insulator 24, especially to a corner part of a trench part 23 so that a schottky electrode 22 formed on a AlGaN layer 20 carries (transports) electron holes into a source electrode 30.例文帳に追加

ＡｌＧａＮ層２０上に形成されたショットキー電極２２が、正孔をソース電極３０に流す（輸送する）ため、ゲート絶縁膜２４、特にトレンチ部２３のコーナー部に集中して電圧が印加されることがなくなる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which contains a joining area of a metal semiconductor compound/semiconductor, such as a field effect transistor containing one contact of a rectification or Schottky barrier, and to provide its semiconductor device manufacturing method.例文帳に追加

１つの整流又はショットキーバリアコンタクトを含む電界効果トランジスタのような金属半導体化合物／半導体の接合領域を含む半導体装置の提供。 - 特許庁

The Schottky-diode 20, the MOSFET 30, and the MOSFET 40 have a withstand voltage characteristic and a carrier travelling characteristic due to a lamination structure of a δ doped layer and the undoped layer, and are integrated on a common substrate.例文帳に追加

ショットキーダイオード２０やＭＯＳＦＥＴ３０，４０は、δドープ層とアンドープ層との積層構造により、耐圧特性とキャリア走行特性とを有し、かつ、共通の基板上に集積化されている。 - 特許庁

A first electrode 2 for Schottky contact is connected with the N-type semiconductor region 5 and the P^+-type guard ring region 6, and a second electrode 3 is connected with the N^+-type semiconductor region 7 and the P^+-type semiconductor region 8.例文帳に追加

ショットキ接触用の第１の電極２がＮ型半導体領域５とＰ^＋型ガードリング領域６とに接続され、第２の電極３がＮ^＋型半導体領域７とＰ^＋型半導体領域８とに接続されている。 - 特許庁

To provide a Schottky gate FET, capable of suppressing effectively the phenomenon, in which a characteristic is changed by decreasing current, and after that a transistor operates at an over power.例文帳に追加

過電力でのトランジスタ動作後に電流が減少して特性が変動する現象の発生を有効に抑制できるショットキーゲートＦＥＴを提供する。 - 特許庁

To integrate a control part and an output circuit for a bus into an IC with the use of a general process by eliminating a Schottky diode for preventing the reversed flow of an electric current.例文帳に追加

電流の逆流防止用のショットキ・ダイオードを無くし、一般的なプロセスを用いて制御部とバス用出力回路を一体化してＩＣ化できるようにする。 - 特許庁

Thus, when a gate rectifying current that is a forward current is generated, a potential drop is generated by the resistor 21 for gate voltage suppression, and a gate voltage of the Schottky junction FET 13 is reduced.例文帳に追加

これにより、順方向電流であるゲート整流電流が発生すると、ゲート電圧抑制用抵抗２１によって電位降下が生じ、ショットキー接合ＦＥＴ１３のゲート電圧が引き下げられる。 - 特許庁

Thus, the performance of the thermoelectric transducer 1 can be made higher than a thermoelectric transducer which is composed of a semiconductor superlattice and has a size of the Schottky barrier of 0 to 0.4 eV.例文帳に追加

これにより、熱電変換素子１の性能を、半導体超格子からなる熱電変換素子であって、エネルギー障壁の大きさが０〜０．４ｅＶである熱電変換素子よりも高くすることができる。 - 特許庁

Direct contact with a source region is not provided in the p-body region 6 of the MOSFET, and electrical connection with the p-type junctions at the ends of the Schottky junction is provided via the MOSFET.例文帳に追加

また、ＭＯＳＦＥＴのｐボディ領域６内でソース領域と直接のコンタクトせず、前記ショットキー接合の端部のｐ型領域にＭＯＳＦＥＴを介して電気的に接続される構造を有する。 - 特許庁

A Schottky gate electrode 7 is disposed closer to the source electrode 5 in the channel layer 3 so as to be brought into contact with both the inside and the outside of a recess 8.例文帳に追加

チャネル層３に凹部８の中と外との両方に接触するようにショットキ−・ゲ−ト電極７をソ−ス電極５寄りに片寄って配置する。 - 特許庁

To realize a high quality field-effect transistor which is free from a fluctuation in pinch-off voltages or a decrease in drain current due to a shift of Schottky boundary, which deteriorates device characteristics.例文帳に追加

ショットキー界面の移動によるピンチオフ電圧の変動やドレイン電流の減少など素子特性の劣化を招くことが無い高品質の電界効果トランジスタを実現する。 - 特許庁

In addition, since the first metallic layer 171 in contact with the electron supplying layer 14 has a large work function, a high Schottky barrier is formed and an excellent Shottky contact is obtained.例文帳に追加

ＡｌＧａＮ電子供給層１４と接する第１金属層金属は仕事関数が大きいためショットキー障壁が高く良好なショットキー接触が得られる。 - 特許庁

The gallium oxide single crystal substrate is coated with poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate) to which 4 to 6 wt.% of dimethyl sulfoxide is added to form a thin film, and then the conductivity is improved to form an electrode having a more excellent Schottky property.例文帳に追加

poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate)にdimethyl sulfoxideを４〜６重量％添加したものを酸化ガリウム単結晶基板上に塗布して薄膜形成すれば、導電率が向上し、さらに良好なショットキー性を有する電極が形成される。 - 特許庁

The silicon carbide semiconductor device includes: a Schottky metal portion 8 for an N-type epitaxial layer 2 on an SiC single-crystal substrate 1; and the ohmic electrode 5 for a p-type silicon carbide single crystal 4 provided to the N-type epitaxial layer.例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶基板１上のＮ型エピタキシャル層２に対するショットキー金属部８と、Ｎ型エピタキシャル層に設けられたｐ型炭化珪素単結晶４に対するオーミック性電極５とを備える。 - 特許庁

The ratio Rsch of a region on a Schottky junction 7 to a region of an anode electrode 1, the cell pitch W, the diffusion depth Xj of a p+ anode layer 2 meet a relation W<K(Xj/Rsch) with K set to 5 or less.例文帳に追加

ショットキー接合部７の領域のアノード電極１の領域に対する割合Ｒsch と、セルピッチＷと、Ｐ^+ アノード層２の拡散深さＸJ の関係を、Ｗ＜Ｋ（Ｘj ／Ｒsch ）を満足させながら、Ｋの値を５以下とする。 - 特許庁

When the Schottky junction is inversely biased, a pn junction formed between the inverse rejection region 33b and rectifying region 13 is also inversely biased, and the rectifying region 13 is filled with a depletion layer spreading from the pn junction.例文帳に追加

ショットキー接合が逆バイアスされるとき、逆阻止領域３３ｂと整流領域１３の間に形成されるｐｎ接合も逆バイアスされ、ｐｎ接合から広がった空乏層で整流領域１３が満たされる。 - 特許庁

The combination of the CdTe semiconductor and an indium anode enables the detector to function as a Schottky contact, which substantially blocks leakage current.例文帳に追加

ＣｄＴｅ半導体とインジウムアノードとの組み合わせにより、Ｘ線検出器はショットキーコンタクトとして機能することが可能であり、漏れ電流をほぼ阻止する。 - 特許庁

When the voltage level of the input signal is higher than that of the voltage sources, the Schottky diode conducts charge to prevent the charge from being conducted through the first and second parasitic bipolar transistors.例文帳に追加

入力信号の電圧レベルが、電圧源の電圧レベルよりも高いとき、ショットキー・ダイオードは、第１寄生バイポーラトランジスタ及び第２寄生バイポーラトランジスタを伝導させないように、電荷を伝導する。 - 特許庁

An anode of the first Schottky barrier diode 21 is connected to an anode of the first PN junction diode 11a via a connection metal member 31 on which an inductance L1 is parasitic.例文帳に追加

第１のショットキーバリアダイオード２１のアノードは、インダクタンスＬ１が寄生している接続金属部材３１を介して、第１のＰＮ接合ダイオード１１ａのアノードに接続されている。 - 特許庁

At least one of the electrodes 3 forms a Schottky junction having a barrier height not more than that of the photon energy of the light 6 between the electrode and the semiconductor layer 2.例文帳に追加

電極３のうち少なくとも１つは、半導体層２との間に光６のフォトンエネルギー以下の障壁高さを持つショットキー接合を形成する。 - 特許庁

To provide an epitaxial substrate capable of achieving a semiconductor device that has excellent schottky contact characteristics as well as satisfactory device characteristics.例文帳に追加

ショットキーコンタクト特性が優れており、かつ、良好なデバイス特性を有する半導体素子を実現することができるエピタキシャル基板を提供する。 - 特許庁

In power transistors, the reduction in dielectric coupling reduces switching power losses, and in Schottky diodes, the trench width is reduced.例文帳に追加

パワートランジスタにおいて、誘電結合部における低減によりスイッチング電力損失が低減させられ、ショットキダイオードにおいてトレンチ幅が低減させられ得る。 - 特許庁

To provide a method for realizing an epitaxial substrate having excellent Schottky contact characteristics by improving flatness on a barrier layer surface of the epitaxial substrate by a simple method.例文帳に追加

簡便な手法によってエピタキシャル基板の障壁層表面の平坦性を向上させ、ショットキーコンタクト特性の優れたエピタキシャル基板を実現する方法を提供する。 - 特許庁

Further, the anode of the first Schottky barrier diode 21 is connected to a second output line 18 via a connection metal member 32 on which an inductance L2 is parasitic.例文帳に追加

さらに、第１のショットキーバリアダイオード２１のアノードは、インダクタンスＬ２が寄生している接続金属部材３２を介して、第２出力線１８に接続されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a Schottky diode that reduces stationary loss during forward bias application without increasing a leakage current during reverse bias application.例文帳に追加

逆方向バイアス印加時のリーク電流を増加させることなく、順方向バイアス印加時の定常損失を低減するショットキーダイオードを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has excellent Schottky characteristics by preventing surface deterioration of a surface of a nitride semiconductor due to natural oxidation and a heat treatment.例文帳に追加

窒化物半導体表面の自然酸化や熱処理による表面劣化を防止し、良好なショットキー特性を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The Schottky metal layer 15 includes a barrier layer comprising a metal-nitride containing polycrystalline metal layer 32 containing a metal nitride layer 32b, and a metal layer 31 laminated on the barrier layer.例文帳に追加

ショットキ金属層１５は、金属窒化物層３２ｂを含む金属窒化物含有多結晶金属層３２からなるバリア層と、これに積層された金属層３１とを有している。 - 特許庁

To provide a monolithically integrated device of an HEMT formed of a group III-V semiconductor on a silicon substrate and a Schottky diode formed on a silicon surface.例文帳に追加

シリコン基板上にＩＩＩ−Ｖ族半導体で形成されたＨＥＭＴとシリコン面に形成されたショツトキーダイオードのモノリシック集積デバイスを開示する。 - 特許庁

Insulating layers 8a and 8b are formed only at parts with defects 6a and 6b present in the lightly doped layer 4, and a Schottky electrode 12 is formed thereon.例文帳に追加

不純物低濃度層４に欠陥６ａ，６ｂが存在する部位にのみ、絶縁層８ａ，８ｂを形成し、その上にショットキー電極１２を形成する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode that improves trade-off characteristics between a forward surge breakdown voltage and a forward drop voltage VF and prevents an increase in backward leakage current IR.例文帳に追加

順方向サージ耐圧と順方向降下電圧ＶＦとのトレードオフ特性を改善することが可能で、かつ、逆方向漏れ電流ＩＲが増加してしまうことのないショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

The Schottky barrier diode D1 forming region SDR is allocated at the center in the short direction of the semiconductor chip 5b, and the forming region of the power MOSFET of low side is allocated in both sides thereof.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードＤ１の形成領域ＳＤＲを半導体チップ５ｂの短方向の中央に配置し、その両側にローサイドのパワーＭＯＳ・ＦＥＴの形成領域を配置した。 - 特許庁

A groove 25 extending from an upper end of the AlInN layer 15 to a middle part thereof is formed, and a gate electrode 26 is schottky-connected to at least a part of a bottom of the groove 25.例文帳に追加

ＡｌＩｎＮ層１５の上端から途中まで伸びている溝２５が形成されており、その溝２５の底部の少なくとも一部にゲート電極２６がショットキー接続されている。 - 特許庁

To provide an organic-inorganic hybrid junction type photoelectric transducer of high sensitivity, which has signal gain G and has a visible-ultraviolet optical wave band having superior response and low dark current property such as a p-i-n or Schottky type.例文帳に追加

信号利得Ｇを有しかつ、p-ｉ-nやショットキー型のような優れた応答性と低い暗電流性を備えた可視−紫外光波帯の高感度の有機−無機ハイブリッド接合型光電変換素子を提供する。 - 特許庁

In a Schottky diode 11, a gallium nitride support base 13 includes a first surface 13a and a second surface 13b opposite from the first surface and has a carrier concentration exceeding 1×10^18 cm^-3.例文帳に追加

ショットキダイオード１１で窒化ガリウム支持基体１３は、第１の面１３ａと第１の面の反対側の第２の面１３ｂとを有しており、１×１０^１８ｃｍ^−３を超えるキャリア濃度を示す。 - 特許庁

To provide an optical element of type irradiating light to a Schottky junction part to generate or to detect the terahertz wave and improving the generation efficiency and detection efficiency of the terahertz wave.例文帳に追加

ショットキー接合部に光照射してテラヘルツ波を発生または検出するタイプの、テラヘルツ波発生効率及び検出効率を向上させた光素子を提供する。 - 特許庁

In the Schottky diode 11 of the semiconductor element, a silicon-carbide supporting substrate 13 having a first surface 13a and a second surface 13b opposed to the layer 13a exhibits a carrier concentration exceeding 1×10^18 cm^-3.例文帳に追加

ショットキダイオード１１で炭化ケイ素支持基体１３は、第１の面１３ａと第１の面の反対側の第２の面１３ｂとを有しており、１×１０^１８ｃｍ^−３を超えるキャリア濃度を示す。 - 特許庁

Then, the film 6 portion formed inward of the inner edge of the layer 4 is removed, and a metallic layer 7, which will become a Schottky metal, is formed in contact with the surface of the layer 2.例文帳に追加

そして、ガードリング層４の内周縁より内側に形成したポリシリコン膜６を取り除き、ショットキメタルとなる金属層７をエピタキシャル層の表面に接して形成する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode capable of reducing forward direction applied voltage by suppressing resistance of an operative region as small as possible, along with making high the withstand voltage in a reverse characteristic direction, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

動作領域の抵抗を小さく抑えることで順方向印加電圧を下げ、かつ、逆方向特性の耐圧を高くすることができるショットキーバリアダイオード及びその製造方法の提供。 - 特許庁

Then, the gathered holes are taken to the outside by a low-resistance p-type ohmic electrode, or an electrode 012 for taking out holes of an n-type Schottky electrode, thus eliminating a floating hole being one of the primary factors of the unstable operation of the FET from a surface side instead of a substrate side.例文帳に追加

また、複数本のゲート電極が存在する様な密集した構造では、ソース・ドレイン電極の配置を変更することにより浮遊ホールを有効的に取り除く。 - 特許庁

To reduce leak current while ensuring a high current capacity in a semiconductor element where Schottky barrier and the rectifying part of a PN junction are arranged contiguously to each other.例文帳に追加

ショットキ障壁とＰＮ接合の整流部分とを隣接して配置した半導体素子において、高い電流容量を確保しつつ、漏れ電流を低減可能な半導体素子を提供する。 - 特許庁

A combined semiconductor rectifying device 1 is configured such that a PN-type silicon diode 1b and a Schottky barrier diode 1a of a semiconductor, whose breakdown voltage is higher than that of silicon and whose band gap is wider than that of the silicon, are connected in series.例文帳に追加

ＰＮ型シリコンダイオード１ｂとシリコンよりも高耐圧でワイドバンドギャップな半導体のショットキーバリアダイオード１ａを直列接続した複合半導体整流素子１とする。 - 特許庁

To provide a photoelectric converter containing a two-dimensional Schottky type sensor and a thin-film transistor, or a two-dimensional PIN type photodiode sensor and a thin-film transistor.例文帳に追加

２次元ショットキー型センサと薄膜トランジスタや、２次元ＰＩＮ型ホトダイオードセンサと薄膜トランジスタとを有する光電変換装置を提供することを課題とする。 - 特許庁