「Schottky」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

A carbide layer of a metal selected among Cr, Mo, W and their alloys is formed as a Schottky electrode, and a layer of a metal selected among Cr, No, W and their alloys is formed thereon to suppress the variations of the device characteristics to a lower extent.例文帳に追加

ショットキー電極としてクロム、モリブデン、タングステン乃至それらの合金から選択された金属の炭化物層を形成し、更にその上にクロム、モリブデン、タングステン乃至それらの合金から選択された金属層を形成することで、デバイス特性の変動を小さく抑える構成を有している。 - 特許庁

In another embodiment (40), a trench structure (45) is formed on the Schottky diode semiconductor material (44) to reduce reverse leakage current, and includes a number of parallel, equally spaced trenches (46) with mesa regions (49) between adjacent trenches (46).例文帳に追加

別の実施形態（４０）では、トレンチ構造（４５）が、逆漏れ電流を低減するためにショットキーダイオード半導体材料（４４）上に形成され、隣接するトレンチ（４６）の間にメサ領域（４９）を有するいくつかの平行な等間隔のトレンチ（４６）を有する。 - 特許庁

In a Schottky barrier device, having a distributed guard ring, the guard ring is separated from a barrier by means of an MOS gate and the guard ring, is connected with the barrier through an inversion layer at a low bias.例文帳に追加

本明細書は、分布型のガード・リングを有するショットキー・バリヤ・デバイスを記述し、そのガード・リングはＭＯＳゲートによってバリヤから隔てられ、ガード・リングとバリヤとが反転層によって低いバイアスにおいて接続されている。 - 特許庁

The gas sensors are each formed by forming FET using a semiconductor substrate, a gate-control-type p-n junction diode, or the gate area of a Schottky diode or a conductive oxyacid salt and collector or a solid electrolyte, conductive oxyacid salt, and collector on a rectification barrier electrode.例文帳に追加

本発明のガスセンサは、半導体基板を用いたFET、ゲート制御型ｐｎ接合ダイオード、あるいはショットキーダイオードのゲート領域あるいは整流障壁電極上に導電性酸素酸塩と集電体、あるいは固体電解質と導電性酸素酸塩と集電体を形成することからなる。 - 特許庁

The Schottky metal/semiconductor barrier is formed on the emitter electrode and electrically coupled to the extractor electrode such that, when an electric potential is placed between the emitter electrode and the extractor electrode, an electron is emitted from the surface of an exposed semiconductor layer into the electric field.例文帳に追加

ショットキー金属−半導体障壁は、放出電極と抽出電極との間に電位がかけられるときに、半導体層の露出された表面から電子の電界放出が生成されるように、放出電極上に形成され、かつ抽出電極に電気的に接続される。 - 特許庁

The present invention relates to an MSM type light receiving element including a light absorption layer, that absorbs light and generates an electron-hole pair and at least one Schottky contact type electrode, wherein the light absorption layer includes an InAs layer or an InSb layer.例文帳に追加

光を吸収し電子−正孔対を生成する光吸収層と、少なくとも一つのショットキー接触型電極と、を有する金属−半導体−金属（Ｍｅｔａｌ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ：ＭＳＭ）型受光素子であって、光吸収層がＩｎＡｓ層又はＩｎＳｂ層を含む。 - 特許庁

This charge transfer electrode of a charge coupled device comprises first and second electrode parts making Schottky contact with a semiconductor substrate, and a clock voltage is applied directly to the first electrode part, while it is applied to the second electrode component through a capacity element.例文帳に追加

電荷結合素子の電荷転送電極を、半導体基板にショットキー接触する第１の電極部と第２の電極部で構成し、クロック電圧を第１の電極部には直接印加し、第２の電極部には容量素子を介して印加する構成とする。 - 特許庁

To provide a switching circuit employing a wideband gap Schottky barrier diode which can reduce turn on loss of a switching element while controlling ringing caused by junction capacitance of a diode and stray inductance even if a feedback diode consisting of a wideband gap semiconductor is used.例文帳に追加

帰還ダイオードにワイドバンドギャップ半導体によるものを使用しても、該ダイオードの接合容量と浮遊インダクタンスによるリンギングを抑制しつつ、スイッチング素子のターンオン損失も低減できるワイドバンドギャップショットキバリアダイオードを用いたスイッチング回路を提供する。 - 特許庁

In the Schottky barrier diode element 10, a depletion layer is generated in a contact surface on the side of the n-type semiconductor substrate 3 by bringing a barrier film 1 constituted of metal and the n-type semiconductor substrate 3 into contact with each other.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード素子１０において、金属で構成されるバリア膜１とｎ型半導体基板３とを接触させることで、ｎ型半導体基板３側の接触面に空乏層が生じ、ショットキー障壁が発生する。 - 特許庁

In this DC power supply device 1A, a reverse leak current Ir generated by the temperature of the Schottky barrier diode (SBD) D51B thermally connected to a rectifying diode D51A is made to flow to the photocoupler PC1 in an output voltage detection circuit 10A.例文帳に追加

直流電源装置１Ａにおいて、整流ダイオードＤ５１Ａと熱的に結合されたショットキーバリアダイオード(ＳＢＤ)Ｄ５１Ｂの温度による逆方向漏れ電流Ｉｒを、出力電圧検出回路１０Ａ内のフォトカプラＰＣ１に流すようにする。 - 特許庁

Metal step covering properties are given, thus covering the undercut of the base ohmic metal with an inclined edge polymer, and manufacturing the HBA device without additional processes required for creating a Schottky diode in a process used for forming HBT transistors.例文帳に追加

金属段差被覆性を与えるために、ベースオーミック金属のアンダーカットを傾斜縁重合体で被覆でき、HBTトランジスタを形成するのに用いられるプロセス工程内で、ショットキーダイオードを作るのに必要とされる追加のプロセス工程なしで作ることができる。 - 特許庁

To provide a silicon carbide semiconductor device excellent in crystallinity and having a low ON resistance and sufficient heat resistance while ensuring breakdown voltage performance in reverse bias and lowering Schottky barrier in forward bias, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

逆方向バイアスにおける耐圧性能を確保し、かつ順方向バイアスにおけるショットキー障壁を低くした上で、結晶性に優れてオン抵抗が低く、かつ耐熱性を十分に確保した炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The diamond element has: at least one kind of electrode element selected from a pure metal, a metal nitride, a metal silicide, a metal arsenide, and a metal carbide; and the Schottky electrode layer comprising the cap of the oxide conductive material formed on the electrode element on the surface of the semiconductor diamond.例文帳に追加

半導体ダイヤモンド表面上に、純金属、金属窒化物、金属珪化物、金属硼化物、金属炭化物から選択した一種以上の電極素子とその上に形成された酸化物導電体のキャップからなるショットキー電極層を備えていることを特徴とするダイヤモンド素子。 - 特許庁

The p^--type leakage stopper region 112 is formed so as to be in contact with both of an insulating film 102 and the collector electrode film 201, and is further Schottky-joined to the collector electrode film 101 together with the n^+-type buffer layer 103.例文帳に追加

Ｐ^−型リークストッパ領域１１２は、絶縁膜１０２とコレクタ電極膜２０１との双方に接するように形成され、さらに、Ｎ^＋型バッファ層１０３と共にコレクタ電極膜１０１に対してショットキー接合されている。 - 特許庁

The DLTS measurement is performed, by grounding the rear surface side of the substrate 22 and applying a reverse bias voltage which changes in pulse to the Schottky electrode 23, to detect a signal based on a transit phenomenon occurring in a depletion layer 24 within the substrate 22.例文帳に追加

ＤＬＴＳ測定は、基板２２の裏面側をグランドに接地して、ショットキー電極２３にパルス状に変化する逆バイアス電圧を印加し、基板２２中の空乏層２４内に生じる過渡現象に基づく信号を検出することにより行われる。 - 特許庁

To provide a trench Schottky barrier diode that improves the relation of trade-off between a leakage current IR in reverse direction and a forward drop voltage VF even when the carrier balance is excessive in n because of the variation of production.例文帳に追加

製造ばらつきに起因してキャリアバンスがｎ過多となった場合でも、逆方向リーク電流ＩＲと順方向降下電圧ＶＦとの間にあるトレードオフの関係を改善することが可能なトレンチショットキバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

An n- doped GaN diode is provided on the n+ doped GaN diode patterned in a plurality of slender fingers, a metal layer is provided on the n- doped GaN layer to form Schottky junction between the n- GaN layer and the metal layer.例文帳に追加

１μｍを超える厚さを有するｎ−型ドープしたＧａＮダイオードを、複数の細長形の指にパターン化した前記ｎ＋型ドープＧａＮダイオード上に配設し、金属層をｎ−型ドープＧａＮ層上に配設し、それとの間にショットキー接合を形成する。 - 特許庁

To obtain a composite semiconductor device having low conduction loss and low recovery loss characteristics and suitable for a circuit technology of soft switching system inexpensively from a configuration including an SJ-MOSFET and a Schottky barrier diode connected in parallel with the built-in body diode of the SJ-MOSFET.例文帳に追加

ＳＪ−ＭＯＳＦＥＴと、このＳＪ−ＭＯＳＦＥＴの内蔵ボディダイオードと並列接続するショットキーバリアダイオードとを備える構成を、安価に、低導通損失と低リカバリー損失特性を有しソフトスイッチング方式の回路技術に適する複合半導体装置にすること。 - 特許庁

Stable operation can be performed more than Schottky joint by forming joint of oxide semiconductor layers themselves whose properties are different on the gate insulating layer 102, joint leak is reduced, and the property of the non-linear element 170a can be improved.例文帳に追加

ゲート絶縁層１０２上において物性の異なる酸化物半導体層同士の接合を形成することで、ショットキー接合に比べて安定動作をさせることが可能となり、接合リークが低減し、非線形素子１７０ａの特性を向上させることができる。 - 特許庁

A dielectic layer (TiO_2 layers 108, 109, and 110), having a step-like laminated structure, is formed on the AlGaN layer 103 so that the electric field is almost uniformly distributed between the gate Schottky electrode 106 and the drain ohmic electrode 107.例文帳に追加

ゲートショットキー電極１０６とドレインオーミック電極１０７との間の電界分布が略均一になるように、ＡlＧaＮ層１０３上に階段状の積層構造の誘電体層(ＴiＯ_２層１０８,１０９,１１０)を形成する。 - 特許庁

According to this invention, since a reaction to change the hydroxyl group in the Ga oxide film 108 into water can be accelerated by heat treatment and thereby the hydroxyl group can be removed, the Schottky electrode 111 having almost ideal characteristics can be obtained.例文帳に追加

この発明によれば、Ｇａ酸化膜１０８内の水酸基が水に変化する反応を加熱処理によって促進させることができ、これにより水酸基を取り除くことができるので、理想的な特性に近いショットキー電極１１１を得ることができる。 - 特許庁

To provide a method and/or TMBS [trench MOS (metal oxide semiconductor) barrier Schottky] device by and/or in which edge leak due to etching is reduced, wherein in the TMBS device, polysilicon is formed in trenches and a contacting metal is connected to a surface between adjacent trenches.例文帳に追加

トレンチ金属酸化物半導体（ＭＯＳ）バリアショットキー（ＴＭＢＳ）デバイスでは、トレンチ内にポリシリコンが形成され、隣接するトレンチ間の表面とは、金属コンタクトで接続され、エッチングに起因するエッジリークを低減する方法及び／又は装置を提供する。 - 特許庁

A Schottky barrier diode constituting a majority carrier device is connected in parallel with a PN junction capable of being forward-biased so that a minority carrier may not be generated by the PN junction forward-biased, and thereby suppressing the parasitic effect.例文帳に追加

順方向バイアスされる可能性のあるＰＮ接合に並列に多数キャリアデバイスであるショットキーバリアダイオードを接続することで、ＰＮ接合が順バイアスされ少数キャリアが発生しないようにし、寄生効果を抑制する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier penetration single electronic transistor capable of artificially adjusting a height and a width of a tunnel barrier without using any process like PADOX, and capable of further raising a current driving ability; and to provide a method of manufacturing the transistor.例文帳に追加

ＰＡＤＯＸのような工程を用いず、トンネル障壁の高さ及び幅を人為的に調節することができる上、電流駆動能力をさらに向上させることができるショットキー障壁貫通単電子トランジスタ及びその製造方法の提供。 - 特許庁

This thin-film transistor, equipped with a sub gate and a Schottky source/ drain, can operate in modes of the two kinds of an n-channel and a p-type channel, on the same transistor by the bias voltage of the sub gate.例文帳に追加

サブゲート及びショットキーソース／ドレインを備えた本発明の薄膜トランジスタは、サブゲートのバイアス電圧により、同一のトランジスタ部品上で、ｎ型チャネルとｐ型チャネルとの２種類のモードで動作することができる。 - 特許庁

To provide an ohmic contact system of a new concept having excellent electrical, optical, thermal and structural characteristics in which an effective carrier concentration is increased, a Schottky barrier is reduced by the adjustment of an energy-band gap between substances, and high transmissivity is obtained.例文帳に追加

実効キャリアー濃度が増加し、物質間のエネルギーバンドギャップ調節によりショットキー障壁が減少し、高い透過率を有する、優れた電気的、光学的、熱的及び構造的特性を有する新概念のオーミック接触システムを提供する。 - 特許庁

Schottky barrier contacts (301, 302) are used for source and/or drain connection within the context of a MOSFET device structure, to eliminate a requirement for halo/pocket implant and shallow source/drain extension to control short channel effects.例文帳に追加

本発明は、ＭＩＳＦＥＥＤデバイス構造のコンテクスト内でソース接続および／またはドレイン接続のためにショットキーバリア接触（３０１、３０２）を利用して、短チャネル効果を制御するためにハロー／ポケット注入および浅いソース／ドレイン拡張部の必要性を除去する。 - 特許庁

To prevent a reactive product at a Schottky junction interface between an electrode and a semiconductor layer, and to prevent component elements of the electrode from diffusing into a semiconductor layer, and a component element of the semiconductor layer from diffusing into the electrode, in a method for manufacturing a compound semiconductor device.例文帳に追加

化合物半導体装置の製造方法に関し、電極と半導体層のショットキー接合界面での反応生成物の形成を防止するとともに、電極の構成元素の半導体層への拡散を防止し、さらに半導体層の構成元素の電極への拡散を防止すること。 - 特許庁

On the surface of a first-conductivity epitaxial layer 2b formed on a first-conductivity semiconductor substrate 1, an anode electrode 5 for forming a Schottky junction is provided, and a second-conductivity guard ring 6 is formed, so that the lower region of the anode electrode is surrounded.例文帳に追加

第一導電型の半導体基板１上に形成された第一導電型のエピタキシャル層２ｂ表面に、ショットキー接合を形成するアノード電極５が設けられ、アノード電極の下部領域を包囲するように第二導電型のガードリング６が形成される。 - 特許庁

A Schottky diode 30 includes an SiC layer 11, an anode electrode 13 formed on an upper main surface of the SiC 11, a cathode electrode 12 formed on a lower main surface of an SiC substrate 10, and a p-type impurity area 15 formed both edges of a facet.例文帳に追加

ショットキーダイオード３０は、ＳｉＣ層１１と、ＳｉＣ層１１の上部主面に形成されたアノード電極１３と、ＳｉＣ基板１０の下部主面に形成されたカソード電極１２と、ファセットの両端部に形成されたｐ型不純物領域１５とを備えている。 - 特許庁

A Schottky diode 1 includes a substrate 2, a channel layer 3 composed of a nitride system chemical compound semiconductor formed on the substrate 2, an anode electrode 4 and a cathode electrode 5 forming the end of a current path of the semiconductor device, and a dummy electrode 11 electrically connected to the substrate 2.例文帳に追加

ショットキーダイオード１は、基板２と、基板２上に形成され窒化物系化合物半導体から構成されたチャネル層３と、半導体素子の電流路の端部を構成するアノード電極４及びカソード電極５と、基板２と電気的に接続されたダミー電極１１と、を備えている。 - 特許庁

Thus, in the vertical semiconductor device such as a Schottky diode or a MOSFET which is formed by use of an epitaxial growing layer on the SiC substrate 10, the leakage failure disappears as caused by coincidence of the direction of the dislocation column DSL with the direction of the step STP.例文帳に追加

これにより、ＳｉＣ基板１０上のエピタキシャル成長層を用いて形成されるショットキーダイオード、ＭＯＳＦＥＴなどの縦型半導体装置において、転位列ＤＳＬの方向と、ステップＳＴＰの方向とが一致していることに起因するリーク不良がなくなる。 - 特許庁

Moreover, a plurality of gate fingers 6b are extensively allocated to hold the forming region SDR toward the forming region SDR of the Schottky barrier diode D1 at the center from the gate finger 6a at the area near both longer sides at the main surface of the semiconductor chip 5b.例文帳に追加

また、半導体チップ５ｂの主面の両長辺近傍のゲートフィンガ６ａから中央のショットキーバリアダイオードＤ１の形成領域ＳＤＲに向かって、その形成領域ＳＤＲを挟み込むように複数本のゲートフィンガ６ｂを延在配置した。 - 特許庁

A plurality of inside p^+-type semiconductor regions 16 are formed in the scheduled region of a first electrode 11 functioning as a Schottky barrier electrode in the substrate 10 while an outside p^+-type semiconductor region 17 functioning as a guard ring is formed on a part surrounding them.例文帳に追加

基板１０におけるショットキバリア電極として機能する第１の電極１１の形成予定領域に、複数の内側Ｐ^＋型半導体領域１６を形成し、これ等を囲む部分にガードリングとして機能する外側Ｐ^＋型半導体領域１７を形成する。 - 特許庁

An n-type gallium nitride based semiconductor layer 19 of a Schottky barrier diode includes a substrate 11 having a principal surface 11a and a first semiconductor region 19a of a forward mesa shape having a side surface 19d and a top surface 19c and provided on the principal surface 11a of the substrate 11.例文帳に追加

ショットキバリアダイオードのｎ^−型窒化ガリウム系半導体層１９は、主面１１ａを有する基板１１と、側面１９ｄと上面１９ｃを有しており順メサ形状の第１の半導体領域１９ａを含み基板１１の主面１１ａ上に設けられている。 - 特許庁

A silicon film 15 is formed on the surface of a III-V group nitride semiconductor layer 14 between a Schottky-contact electrode 16 (a gate electrode 16) and ohmic-contact electrodes (a source electrode 17a and a drain electrode 17b) by an electron cyclotron resonance (ECR) sputtering method.例文帳に追加

ショットキ接触する電極（ゲート電極１６）１６とオーミック接触する電極（ソース電極１７ａ、ドレイン電極１７ｂ）との間のIII−Ｖ族窒化物半導体層１４表面に、ＥＣＲスパッタリング法により珪素膜１５を形成する。 - 特許庁

The resultant enhancement mode device (10) provides the excellent Schottky barrier having a high barrier, which prevents the unwanted surface depletion effect with a charge shield of the shield layer (22) in the region between the end of recessed part and the gate metal.例文帳に追加

結果として得られるエンハンスメントモードデバイス（１０）は、高バリヤー高さを有する優れたショットキーバリヤーを与え、それは、凹部端とゲート金属との間の領域におけるシールド層（２２）による電荷シールドを通じて望ましくない表面空乏効果を阻止する。 - 特許庁

To provide a wide band gap semiconductor device which prevents breakdown of a gate insulating film on a bottom of a gate trench, provides long-term reliability, is easy to embed a Schottky diode, and has a high voltage-proof peripheral voltage withstanding structure.例文帳に追加

ゲートトレンチ底部のゲート絶縁膜の絶縁破壊を防止し、長期信頼性が高く、かつ、ショットキーダイオードを内蔵させることが容易であって、さらに、高耐圧な周辺耐圧構造を有するワイドバンドギャップ半導体装置の提供。 - 特許庁

The discharging PTC element 3 and the charging PTC element 5 are connected to the secondary battery 2 in series, and a Schottky barrier diode 6, that sets the flow direction of the discharge current to the forward direction, is connected to the discharging PTC element 5 in parallel.例文帳に追加

放電用ＰＴＣ素子３および充電用ＰＴＣ素子５は、二次電池２に対して直列に接続されており、充電用ＰＴＣ素子５には、放電電流の流れる方向を順方向とするショットキーバリアダイオード６が並列に接続されている。 - 特許庁

In the method of manufacturing the Schottky barrier diode, a step (S10) of forming a first mask layer which covers part of a surface of the substrate and whose side shows a forward tapered shape with respect to the surface of the substrate on the GaN substrate is performed.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードの製造方法では、ＧａＮ基板上に、当該基板の表面の一部を覆うと共に側面が基板の表面に対して順テーパ状になっている第１のマスク層を形成する工程（Ｓ１０）を実施する。 - 特許庁

To secure Schottky junction between a surface electrode and a semiconductor substrate and ohmic junction between a back electrode and the semiconductor substrate, and to simplify manufacturing processes in a method of manufacturing the semiconductor device from a semiconductor wafer made of silicon carbide.例文帳に追加

炭化ケイ素を材料とする半導体ウェハから半導体装置を製造する方法において、表面電極と半導体基板とのショットキー接合、裏面電極と半導体基板とのオーミック接合を確保することと、製造工程を簡略化する。 - 特許庁

To manufacture a Schottky diode 15, wherein a leakage current is hard to flow from a semiconductor substrate 5 in which a heavily doped layer 2 and a lightly doped layer 4 are laminated and defects 6a and 6b are present in the lightly doped layer 4.例文帳に追加

不純物高濃度層２と不純物低濃度層４が積層されており、不純物低濃度層４内に欠陥６ａ，６ｂ等が形成されている半導体基板５から、リーク電流が流れにくいショットキーダイオード１５を製造する。 - 特許庁

To provide a new-concept ohmic contact system with excellent electrical, optical, thermal and structural features, to increase an effective carrier density, to reduce a Schottky barrier by adjusting an energy bandgap between substances, and high in permeability.例文帳に追加

実効キャリアー濃度が増加し、物質間のエネルギーバンドギャップ調節によりショットキー障壁が減少し、高い透過率を有する、優れた電気的、光学的、熱的及び構造的特性を有する新概念のオーミック接触システムを提供する。 - 特許庁

A plurality of gate fingers 6b are extendingly disposed so as to interpose the Schottky barrier diode D1 forming region SDR therebetween, from gate fingers 6a located close to both long sides of the principal surface of the semiconductor chip 5b toward the forming region SDR at the center.例文帳に追加

また、半導体チップ５ｂの主面の両長辺近傍のゲートフィンガ６ａから中央のショットキーバリアダイオードＤ１の形成領域ＳＤＲに向かって、その形成領域ＳＤＲを挟み込むように複数本のゲートフィンガ６ｂを延在配置した。 - 特許庁

When a voltage is applied to be a reverse bias, the second semiconductor layer 4 is thin enough for a depletion layer 7 formed on an interface between a Schottky metal layer 5 and the second semiconductor layer 4 to extend in the thickness of the second semiconductor layer 4 to reach the first semiconductor layer 3.例文帳に追加

逆方向バイアスとなるように電圧を印加した場合に、ショットキー金属層５と第２の半導体層４との界面で生じる空乏層７が第２の半導体層４の厚み方向に延びて第１の半導体層３に達する程度に第２の半導体層４は薄い厚みを有している。 - 特許庁