「Schottky」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide the manufacturing method of a semiconductor device, that can successfully form at least a negative-resistance diode and Schottky diode on the same substrate.例文帳に追加

同一の基板上に少なくとも負性抵抗ダイオードとショットキーダイオードとを首尾良く形成できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To form a semiconductor device, having an Schottky characteristics at a gate electrode, by removing or reducing damages due to etching that have occurred on the surface of a compound semiconductor layer containing nitrogen.例文帳に追加

窒素を含む化合物半導体層の表面に生じた、エッチングによるダメージを除去あるいは軽減し、ゲート電極に良好なショットキ特性を有する半導体装置を形成する。 - 特許庁

A second electrode material film made of molybdenum is formed on the other surface of the silicon carbide substrate, and heat treatment is performed within a temperature range of 600-700°C to form a Schottky electrode 3.例文帳に追加

炭化珪素基板の他方の面にモリブデンからなる第２の電極材料膜を成膜し、６００〜７００℃の温度範囲で熱処理してショットキー性の電極３を形成する。 - 特許庁

To speed up the switching of a Schottky barrier diode having a super junction structure which flows a current in on-state and depletes in off-state.例文帳に追加

オン状態では電流を流し、オフ状態では空乏化する超接合構造を有するショットキーバリアダイオードの、高速スイッチング化を図る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a Schottky diode for reducing steady loss when applying forward bias without increasing a leakage current when applying reverse bias.例文帳に追加

逆方向バイアス印加時のリーク電流を増加させることなく、順方向バイアス印加時の定常損失を低減するショットキーダイオードを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

An electrode layer 114 is joined with the contact layer 113 by ohmic junction and is joined with the second clad layer 109 by schottky junction.例文帳に追加

コンタクト層１１３との間でオーミック接合をなす一方、第二上クラッド層１０９との間でショットキー接合をなす電極層１１４を備える。 - 特許庁

Equipment for a communication system has a semiconductor device, which is formed by integrating Schottky diode 20, an MOSFETs 30, 40, a capacitor 50 and an inductor 60 on an SiC substrate 10.例文帳に追加

通信システム用機器は、ＳｉＣ基板１０上にショットキーダイオード２０，ＭＯＳＦＥＴ３０，４０，キャパシタ５０及びインダクタ６０を集積してなる半導体デバイスを備えている。 - 特許庁

To obtain a more correct measurement value by removing an error generated in photoelectric conversion when measuring a temperature change by detecting infrared rays by a thermal sensor using a Schottky barrier diode.例文帳に追加

ショットキー・バリア・ダイオードを用いた熱型センサを使い、赤外線を検出して温度変化を測定するときに光電変換で起こる誤差を除去し、より正しい測定値を得る。 - 特許庁

The Schottky diode 1 comprises a substrate 2, buffer layer 3 formed on the substrate 2, electron running layer 4 and electrode supply layer 5 which consist of a nitride-based compound semiconductor, anode electrode 6, and cathode electrode 7.例文帳に追加

ショットキーダイオード１は、基板２と、基板２上に形成された緩衝層３と、窒化物系化合物半導体から構成された電子走行層４及び電子供給層５と、アノード電極６と、カソード電極７と、を備えている。 - 特許庁

The diamond electronic element 1 has an oxide insulating layer 12 disposed on one surface side of a drift layer 23 so as to enclose a circumference of the Schottky electrode layer 15.例文帳に追加

ダイヤモンド電子素子１では、ドリフト層２３の一面側において、ショットキー電極層１５の周囲を囲むように酸化物絶縁層１２が配置されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a transistor of trench gate structure and Schottky barrier diode can be mounted mixedly, inexpensively, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

トレンチゲート構造のトランジスタと、ショットキーバリアダイオードとを、低コストで混載させることのできる半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The switching circuit 10 includes the Schottky diode 8 equipped with an n-type Ga_2O_3 substrate 80 comprising β-Ga_2O_3 single crystal.例文帳に追加

スイッチング回路部１０は、β—Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなるｎ型Ｇａ_２Ｏ_３基板８０を備えたショットキーダイオード８を含んで構成される。 - 特許庁

To provide an SiC semiconductor device equipped with a schottky diode for controlling a barrier height to suppress the increase in a reverse leakage current value, and its production method.例文帳に追加

バリアハイトを制御し、逆方向リーク電流値が高くなることを抑制できるショットキーダイオードを備えたＳｉＣ半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent deterioration of a transistor performance generated by a source electrode of a fine Schottky MISFET which pins a surface potential at a channel end.例文帳に追加

微細ショットキーＭＩＳＦＥＴのソース電極がチャネル端の表面ポテンシャルをピニングすることで発生するトランジスタ性能の劣化を防止する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device in which a Schottky electrode having a fine gate length or fine interval can be formed with good size precision when formed using solid-phase reaction.例文帳に追加

固相反応を用いて微細なゲート長のショットキー電極、または微細な間隔のショットキー電極を形成する際、寸法精度良く形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of effectively improving the trade off relation between the forward voltage(VF) of a Schottky barrier diode(SBD) and its reverse leakage current (JR).例文帳に追加

ショットキバリアダイオード（ＳＢＤ）の順方向電圧（Ｖ_Ｆ）と逆方向漏れ電流（Ｊ_Ｒ）のトレードオフ関係を効果的に改善する方法を提供する。 - 特許庁

Thus, the semiconductor layer surface is coated with the insulating film to suppress surface diffusion, and the Schottky electrode can be intruded only mainly in a depth direction.例文帳に追加

半導体層表面を絶縁膜で被覆することによって、表面拡散が抑制され、主に深さ方向のみにショットキー電極を侵入させることが可能となっている。 - 特許庁

To improve adhesiveness to a semiconductor substrate without changing height of a barrier even in the case that a metal poor in adhesion with the semiconductor substrate is made as a barrier metal, in Schottky barrier diode.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードにおいて、半導体基板との密着性の悪い金属をバリア金属とした場合にも、バリア高さを変えずに半導体基板との密着性を向上させる。 - 特許庁

The Schottky barrier diode 11 includes a conductive nitride support substrate 13, an n^- type gallium nitride family semiconductor portion 15, an insulator 17, a first electrode 19.例文帳に追加

ショットキバリアダイオード１１は、導電性の窒化物支持基体１３と、ｎ^−型窒化ガリウム系半導体部１５と、絶縁体１７と、第１の電極１９とを備える。 - 特許庁

In this on-vehicle communication equipment 1, a modulator circuit 30 consists of a Schottky diode 32, a capacitor 34 and an impedance change setting circuit 36.例文帳に追加

車載通信装置１において、変調回路３０は、ショットキーダイオード３２と、コンデンサ３４と、インピーダンス変化設定回路３６と、からなる。 - 特許庁

On the layer 5, a source electrode 8 and a drain electrode 9 are provided, and a gate electrode 7 is provided via a Schottky layer 6.例文帳に追加

キャリア供給層５上には、ソース電極８およびドレイン電極９を設けるとともに、ショットキ層６を介してゲート電極７を設ける。 - 特許庁

Furthermore, the surface of the semiconductor is irradiated with light to inspect the state of the Schottky barrier formed on the surface and an optical voltage is measured to evaluate the surface state.例文帳に追加

また、表面に形成したショットキー障壁の状態を検査する半導体表面に光を照射し、光電圧を測定することでその表面状態を評価する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can ensure a Schottky contact area by a new constitution, without increasing the element size, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

新規な構成にて素子サイズを増大させることなくショットキー接触面積を確保することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technique capable of achieving both metal source/drain position control and Schottky barrier height control in a MOS transistor having the metal source/drain.例文帳に追加

本発明は、メタルソース／ドレインを有するＭＯＳトランジスタにおいて、メタルソース／ドレインの位置制御且つショットキーバリアハイトの制御の両者を実現できる技術を提供することを課題とする。 - 特許庁

The P-side electrode 59 is composed of a first electrode 59a which is in ohmic contact and a second electrode 59b which is in Schottky contact.例文帳に追加

ｐ側電極５９が、オーミック接触している第１の電極部５９ａと、ショットキー接触している第２の電極部５９ｂとから構成されている。 - 特許庁

A carrier spreads greatly since the downward shifting is checked by an energy barrier between the Schottky electrode and the window layer, so the light emitting efficiency of the light emitting diode rises.例文帳に追加

キャリヤは、ショットキー電極とウィンドウ層との間のエネルギー障壁によって、下方への移動が阻止されるため大いに拡がり、発光ダイオードの発光効率が向上する。 - 特許庁

When the Schottky electrode is formed, the temperature of the heat treatment ranges from 600 to 900°C and when the ohmic electrode is formed, the temperature of the heat treatment ranges from 450 to 950°C.例文帳に追加

ショットキー電極を形成する場合には、その加熱処理の温度範囲は６００℃〜９００℃とし、オーミック電極を形成する場合には、４５０℃〜９５０℃とする。 - 特許庁

To provide a diamond electronic element capable of reducing loss and preventing a Schottky electrode layer from peeling, and a manufacturing method of such a diamond electronic element.例文帳に追加

低損失化を図ることができ、かつショットキー電極層の剥離を防止できるダイヤモンド電子素子、及びこのようなダイヤモンド電子素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To simply form an electrode for a compound semiconductor where a satisfactory Schottky electrode cannot be formed at low costs as compared with before.例文帳に追加

良好なショットキ電極が形成され得ない化合物半導体に関して、その化合物半導体用の電極を従来に比べて簡易かつ低コストで形成する。 - 特許庁

The columnar layer 36 consists of a semiconductor for composing the Schottky diode SBD along with the first to fourth source line conductive layers 33a-33d.例文帳に追加

柱状層３６は、第１〜第４ソース線導電層３３ａ〜３３ｄと共にショットキーダイオードＳＢＤを構成する不純物濃度をもつ半導体にて構成されている。 - 特許庁

In this carrier accumulation layer, ideal ohmic contact is achieved without a Schottky barrier between the p-side electrode 21 and the p-side contact layer 18.例文帳に追加

このキャリア蓄積層において、ｐ側電極２１とｐ側コンタクト層１８とのショットキー障壁のない理想的なオーミック接触が可能となる。 - 特許庁

In a nitride-based semiconductor, the height of a Schottky barrier Φ_B markedly changes with respect to the work function of a metal Φ_M, unlike GaAs and Si.例文帳に追加

ナイトライド系半導体では、ＧａＡｓ及びＳｉとは異なり、金属の仕事関数Φ_Mに対してショットキー障壁高さΦ_Bが顕著に変化する。 - 特許庁

The cathode side of the LED 2, 3 and 4 and the minus terminal of the flash IC 5, 6 and 7 are commonly connected to the minus terminal of the Schottky diode 10.例文帳に追加

ＬＥＤ２，３，４のカソード側とフラッシュＩＣ５，６，７のマイナス端子とは、ショットキーダイオード１０のマイナス端子に共通接続する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device such as a Schottky diode for reducing leak current from a guard ring, and to provide a method of manufacturing the same semiconductor device.例文帳に追加

ガードリングからのリーク電流を低減することができるショットキーダイオードなどの半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The present Schottky diodes 300 may be mounted to a submount in a flip chip arrangement, thereby further reducing the forward voltage as well as improving electric power dissipation and reducing heat generation.例文帳に追加

本ショットキーダイオード３００は、フリップチップ配列のサブマウントに取付けることができ、それによって更に順方向電圧を低下させ、電力散逸を改善し、そして熱生成を減少させる。 - 特許庁

To provide a schottky barrier tunnel transistor comprising a metal-silicide formed in an annealing process after implanting high-purity ions into a silicon substrate, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

シリコン基板に高純度イオンを注入した後、熱処理工程で形成された金属−シリサイドを含むショットキー障壁トンネルトランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The gate contact layer is made of a material that has a high Schottky barrier when used in conjunction with a particular semiconductor system (such as a group III nitride) and exhibits decreased degradation when operating at high temperatures.例文帳に追加

ゲートコンタクト層は、特定の半導体系（例えば、ＩＩＩ属窒化物）と共に使用される場合に、高ショットキー障壁を有し、かつ高温で動作しているときに、低減された劣化を呈する材料で製作される。 - 特許庁

Thereafter, the Schottky electrode 111 is formed on the Ga oxide film 109 and the resist pattern 106 and a metal layer 110 are removed and a protection film 113 is then formed.例文帳に追加

その後、Ｇａ酸化膜１０９上にショットキー電極１１１を形成し、レジストパターン１０６や金属層１１０を取り除いた後、保護膜１１３を形成する。 - 特許庁

To prevent a gate leakage current from being increased by the reason of a low Schottky barrier while obtaining good element isolation characteristics by a mesa structure for isolating an element.例文帳に追加

素子分離のためのメサ構造部により良好な素子分離特性を得つつ、ショットキー障壁が低いことに基因するゲートリーク電流の増大を防止する。 - 特許庁

The detection circuit 1 comprises a slot line 2 receiving an RF signal S, DC cut lines 3-1 and 3-2 forming a capacitance, a resistor 5 and a Schottky barrier diode 6.例文帳に追加

検波回路１はＲＦ信号Ｓを入力するスロット線路２と容量を形成するＤＣカットライン３−１，３−２と抵抗５と整流用のショットキーバリアダイオード６とを備える。 - 特許庁

An ON voltage V1 at a diode current Io is set lower than an energization start voltage Vbd of a body diode 2 of an SiC-MOSFET1 as shown in current voltage characteristic-1 of an SiC Schottky barrier diode 3.例文帳に追加

ＳｉＣショットキーバリアダイオード３の電流電圧特性−１に示すように、ダイオード電流Ｉｏでのオン電圧Ｖ１を、ＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴ１のボディーダイオード２の通電開始電圧Ｖｂｄより低く設定する。 - 特許庁

An electrode layer 115 is provided with ohmic bonding between the summit of the ridge 130 while forming schottky junction between the ridge side 111c of the second semiconductor layer 111.例文帳に追加

リッジ１３０の頂部との間でオーミック接合をなす一方、第二半導体層１１１のリッジ側方部分１１１ｃとの間でショットキー接合をなす電極層１１５を備える。 - 特許庁

The field effect transistor has a WN/Al drain electrode Schottky-joined to a GaN channel layer 104 via an n^+ region (diffusion region) 112 below the drain electrode 109.例文帳に追加

この電界効果型トランジスタによれば、ＷＮ/Ａｌドレイン電極１０９がドレイン電極１０９の下のｎ^＋型領域(拡散領域)１１２を介してＧａＮチャネル層１０４にショットキー接合されている。 - 特許庁

The present invention provides the semiconductor integrated circuit device, having the Schottky barrier diode in which contact electrodes 11 are arranged over a guard ring 9, in contact with a peripheral element isolation region.例文帳に追加

周辺の素子分離領域に接したガードリング９上に、コンタクト電極１１を配置したショットキー・バリア・ダイオードを有する半導体集積回路装置。 - 特許庁

A Schottky barrier formed by the source-drain junction of the nMOSFET10 is modulated by an ultrathin segregation layer 16 in which atoms such as As, Sb, and S are segregated when forming the NiGe layer 15.例文帳に追加

ｎＭＯＳＦＥＴ１０のソース・ドレイン接合が形成するショットキー障壁は、Ａｓ，Ｓｂ，Ｓ等の原子をＮｉＧｅ層１５の形成時に偏析させた高濃度で極薄の偏析層１６によって変調する。 - 特許庁