「Schottky」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

This hydrogen sensor for detecting a hydrogen amount, based on the transmission level of light, is provided with a substrate having an n-type semiconductor layer on its surface, and a metal layer provided on the n-type semiconductor layer to form a Schottky junction with the n-type semiconductor, and for absorbing hydrogen to vary the light transmittance.例文帳に追加

本発明の水素センサは、光の透過量により水素量を検出する水素センサであり、表面にｎ型半導体層を有する基板と、該ｎ型半導体層の上に設けられ、前記ｎ型半導体層とショットキ接合を形成し、水素を吸収することにより光の透過率が変化する金属からなる金属層と備えている。 - 特許庁

The Schottky electrode 2 includes: an electrode body 6; a connection electrode 8, which is formed in a position apart from the electrode body 6 when viewed from the semiconductor layer 1, and contains Al; and a barrier layer 7 formed between the electrode body 6 and connection electrode 8, and containing at least one selected from a group consisting of W, TiW, WN, TiN, and Ta.例文帳に追加

ショットキー電極２は、電極本体６と、半導体層１から見て電極本体６よりも離れた位置に形成され、かつＡｌを含む接続用電極８と、電極本体６と接続用電極８との間に形成された、Ｗ、ＴｉＷ、ＷＮ、ＴｉＮ、およびＴａよりなる群から選ばれる少なくとも１種を含むバリア層７とを含んでいる。 - 特許庁

The method of regulating the temperature dependence of the junction barrier Schottky diode of a semiconductor material, having an energy band gap exceeding 2eV between a valence band and a conductive band includes a step of regulating an on-state resistance of the grid of a diode so as to obtain the temperature dependence of the diode characteristics that are suitable for the intended use, during the manufacturing of the diode.例文帳に追加

価電子帯と伝導帯との間に２ｅＶを超えるエネルギーギャップを有する半導体材料のジャンクション・バリア・ショットキ・ダイオードの温度依存性を制御する方法は、このダイオードの製造中に、意図された使用に適合するダイオードの特性の温度依存性を得るように、ダイオードのグリッド部のオン状態抵抗を調節することを含む。 - 特許庁

A nonlinear resistance element for a lightning rod is constituted by a polycrystalline oxide which is composed of ZnO as a main component and a predetermined additive, and consists of a plurality of ZnO grains and grain boundary layers formed between ZnO grains, wherein the height of a Schottky barrier of the ZnO particle is ≥0.5 RT (wherein R is gas constant; and T is absolute temperature).例文帳に追加

主成分のＺｎＯと所定の添加物で組成され、多数のＺｎＯ粒子およびＺｎＯ粒子間に形成された粒界層からなる多結晶質酸化物としての避雷器用非線形抵抗素子において、前記ＺｎＯ粒子のショットキー障壁の高さを０．５ＲＴ（Ｒ：気体定数、Ｔ：絶対温度）以上とする。 - 特許庁

To provide a low-cost NRD guide frequency converter, with which an intermediate frequency(IF) signal is converted into a radio frequency(RF) signal or RF signal is converted into the IF signal completely only by one Schottky barrier diode without using conventionally required circulator and directional coupler, concerning an NRD guide frequency converter used for radio communication equipment.例文帳に追加

無線通信機器で使用されるＮＲＤガイド周波数変換器において、従来使用されているサ−キュレ−タ−と方向性結合器を用いず、ショットキ−バリアダイオ−ドが一つで済む、中間周波数信号を無線周波数信号に変換する、あるいは無線周波数信号を中間周波数信号に変換する、低コストなＮＲＤガイド周波数変換器を提供することを目的とする。 - 特許庁

The high voltage power source which supplies a power source to the Schottky electron source controls each output voltage so that the rapid change is not brought about when a temperature of the electron source is lowered, and an stopping operation of the electron source is carried out according to the state of the device, which stably maintains performance of the device and improves the reliability.例文帳に追加

ショトキー電子源に対して電源を供給する高圧電源が、電子源の温度を下降させる時に、急激な状態変化をもたらさないように各出力電圧を制御することと、装置の状態に応じた電子源の停止操作が行われることで、装置の性能を安定して維持でき、信頼性が向上する。 - 特許庁

A semiconductor device has a drift layer 14 made of a gallium nitride and having a first surface and a second surface opposing the first surface, a Schottky electrode 16 formed on the first surface of the drift layer 14, and an ohmic electrode 15 electrically connected to the second surface of the drift layer 14 via a contact layer 13.例文帳に追加

半導体装置は、窒化ガリウムからなり、第１の面及び該第１の面と対向する第２の面を有するドリフト層１４と、ドリフト層１４の第１の面上に形成されたショットキ電極１６と、ドリフト層１４の第２の面とコンタクト層１３を介して電気的に接続されたオーミック電極１５とを有している。 - 特許庁

On the active region 12A, there are formed a gate electrode 13 which has Schottky contact with the active region 12A, is extendingly formed on the insulating oxide film 12B and has a drawn portion 13a on the insulating oxide film 12B, and ohmic electrodes 14 which are spaced from both sides of the gate electrode 13 in a gate longitudinal direction to form a source electrode and a drain electrode, respectively.例文帳に追加

活性領域１２Ａの上には、該活性領域１２Ａとショットキ接触すると共に、絶縁酸化膜１２Ｂの上に延びるように形成され該絶縁酸化膜１２Ｂ上に引き出し部１３ａを有するゲート電極１３と、該ゲート電極１３のゲート長方向側の両側部と間隔をおき、それぞれがソース電極及びドレイン電極となるオーミック電極１４とが形成されている。 - 特許庁

A fabrication process of a Schottky barrier diode comprises a step for forming an n-type SiC layer 10, a step for forming a trench 30 on the surface of the n-type SiC layer 10, and a step for heat treating the n-type SiC layer 10 while supplying silicon and nitrogen to the surface of the n-type SiC layer 10 after the step for forming a trench 30.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードの製造方法は、ｎ型ＳｉＣ層１０を形成する工程と、ｎ型ＳｉＣ層１０の表面にトレンチ３０を形成する工程と、トレンチ３０を形成する工程の後で、ｎ型ＳｉＣ層１０の表面にケイ素と窒素とを供給した状態でｎ型ＳｉＣ層１０を熱処理する工程とを備えている。 - 特許庁

An n--type low impurity-concentration semiconductor layer 2 is epitaxially gown on an n+-type high impurity-concentration semiconductor substrate 1, a plurality of p+-type semiconductor regions 6 are provided on the surface side of the semiconductor layer 2, and a metal layer 3 which forms the semiconductor layer 2 and a Schottky barrier is provided on the surface of the p+-type semiconductor region 6 and semiconductor layer 2.例文帳に追加

ｎ^+ 形である高不純物濃度の半導体基板１上にｎ^- 形である低不純物濃度の半導体層２がエピタキシャル成長され、その半導体層２の表面側に複数個のｐ^+ 形の半導体領域６が設けられ、半導体層２およびｐ^+ 形の半導体領域６の表面に、半導体層２とショットキーバリアを形成する金属層３が設けられている。 - 特許庁

The nitride semiconductor device has a first nitride semiconductor layer and a second nitride semiconductor layer of a microcrystalline structure containing no aluminum on a substrate, and the gate electrode has a field plate portion which extends toward a drain in Schottky contact with the first nitride semiconductor layer exposed in a recessed portion formed by cutting part of the second nitride semiconductor layer or the second nitride semiconductor layer which is slightly left.例文帳に追加

基板上に、第１の窒化物半導体層と、アルミニウムを含まない微結晶構造の第２の窒化物半導体層とを備え、ゲート電極は、第２の窒化物半導体層の一部を切り欠き形成された凹部内に露出する前記第１の窒化物半導体層あるいはわずかに残した第２の窒化物半導体層にショットキ接触し、ドレイン側に延出するフィールドプレート部を備える。 - 特許庁

A nitride semiconductor device comprises a first nitride semiconductor layer composed of a group III-V nitride semiconductor layer, and a second nitride semiconductor layer composed of the group III-V nitride semiconductor layer not containing aluminum on a substrate; and further comprises a gate electrode which comes into Schottky-contact with the nitride semiconductor layer, and a source electrode and drain electrode which come into ohmic-contact therewith.例文帳に追加

基板上に、III−Ｖ族窒化物半導体層からなる第１の窒化物半導体層と、アルミニウム含まないIII−Ｖ族窒化物半導体層からなる第２の窒化物半導体層を備え、この窒化物半導体層にショットキ接触するゲート電極と、オーミック接触するソース電極及びドレイン電極を備えている。 - 特許庁

A phototransistor forming a Schottky barrier diode between the base and collector by the contact of the exposed region 11 with the base electrode 6 on a semiconductor substrate 1 composing a collector layer exposed to the surface is surrounded by the metallic layers 7, 8, 9 in an emitter potential almost at the whole periphery of the base electrode 6.例文帳に追加

表面に露出したコレクタ層を構成する半導体基板１の露出領域１１とベース電極６との接触によりベース・コレクタ間にショットキーバリアダイオードを形成してなるフォトトランジスタにおいて、前記ベース電極６の略全周囲近傍をエミッタ電位の金属層７、８、９にて取り囲んでなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for improving the resistivity of a drift layer in a semiconductor substrate, mitigating an electric field in a vertical direction in a Schottky barrier diode region and improving a backward withstand voltage while reducing on-state resistance at the time of forward bias of a field effect transistor.例文帳に追加

電界効果トランジスタの順バイアス時におけるオン抵抗を小さく抑制しながら、半導体基板中のドリフト層の比抵抗を高めてショットキーバリアダイオード領域における垂直方向の電界を緩和し、逆方向耐圧を向上させることが可能な構成の半導体装置を提供する。 - 特許庁

In a non-insulating type DC-DC converter wherein a power MOSFET for high side switch and a power MOSFET for low side switch are connected in series, the power MOSFET for low side switch and a Schottky barrier diode D1 connected in parallel with the power MOSFET for low side switch are formed in the same semiconductor chip 5b.例文帳に追加

ハイサイドスイッチ用のパワーＭＯＳ・ＦＥＴとローサイドスイッチ用のパワーＭＯＳ・ＦＥＴとが直列に接続された回路を有する非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、ローサイドスイッチ用のパワーＭＯＳ・ＦＥＴと、そのローサイドスイッチ用のパワーＭＯＳ・ＦＥＴに並列に接続されるショットキーバリアダイオードＤ１とを同一の半導体チップ５ｂ内に形成した。 - 特許庁

The integrated opto-electric sensor comprises a wavenumber matching structure integrated on a silicon substrate, a first conductive electrode that is adjacent to one of a lightly doped and an undoped region in the silicon substrate to form a Schottky junction, a dielectric adjacent to the second surface of the first conductive electrode, and a second conductive electrode formed at the silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板上に集積化した波数マッチング構造と、第１表面が前記シリコン基板の低濃度にドープされた領域及びドープされていない領域のいずれかに隣接し、ショットキー接合を形成する、第１伝導性電極と、前記第１伝導性電極の第２表面に隣接する誘電体と、前記シリコン基板に形成される第２伝導性電極とを備える集積化光電センサを提供する。 - 特許庁

An HEMT is provided with an InAlAs layer 202, an InGaAs layer 203, a multiplex δ doped InAlAs layer 204 composed by alternately laminating an n-type doped layer 204a and an undoped layer 204b, an InP layer 205, a Schottky gate electrode 210, a source electrode 209a, and a drain electrode 209b on an InP substrate 201.例文帳に追加

ＨＥＭＴは、ＩｎＰ基板２０１の上に、ＩｎＡｌＡｓ層２０２と、ＩｎＧａＡｓ層２０３と、ｎ型ドープ層２０４ａとアンドープ層２０４ｂとを交互に積層してなる多重δドープＩｎＡｌＡｓ層２０４と、ＩｎＰ層２０５と、ショットキーゲート電極２１０と、ソース電極２０９ａ及びドレイン電極２０９ｂとを備えている。 - 特許庁

A Shottky diode 10 comprises a semiconductor substrate 11 of n-type 4H-SiC, a first SiC layer 12 of 4H-SiC provided on the semiconductor substrate 11, a Schottky electrode 14 of nickel provided on the first SiC layer 12, and an ohmic electrode 15 of nickel provided on the lower surface of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

本発明のショットキーダイオード１０は、ｎ型４Ｈ−ＳｉＣからなる半導体基板１１と、半導体基板１１の上に設けられた４Ｈ−ＳｉＣからなる第１ＳｉＣ層１２と、第１ＳｉＣ層１２の上に設けられ、ニッケルからなるショットキー電極１４と、半導体基板１１の下面上に設けられ、ニッケルからなるオーミック電極１５とから構成されている。 - 特許庁

Further, in the diamond electronic element 1, the adhesiveness between the drift layer 23 and Schottky electrode layer 15 is reinforced by compensated for by being covered with the oxide insulating layer 12 tightly bonded to the surface of the drift layer 23 through the intervention of an intermediate layer 13 made of Ti with excellent reactivity and an electrode pad layer 16 tightly bonded to a surface of the oxide insulating layer 12.例文帳に追加

また、ダイヤモンド電子素子１では、反応性の良好なＴｉからなる中間層１３の介在によってドリフト層２３の表面に強固に接合された酸化物絶縁層１２と、この酸化物絶縁層１２の表面に強固に接合された電極パッド層１６とに覆われることで、ドリフト層２３とショットキー電極層１５との密着性が補われる。 - 特許庁

The side emission semiconductor element comprises an AlGaN layer of which Mg is doped down to 5×10^19 cm^-3 or less in concentration, a stripe ridge formed at the upper part of the lamination structure including the AlGaN layer and an active layer, and a Schottky barrier formed on the upper surface of the lamination structure other than the ridge where the AlGaN layer is exposed.例文帳に追加

本発明に係る側面発光半導体素子は、Ｍｇの濃度が、５×１０^19ｃｍ^-3以下にドープされたＡｌＧａＮ層と、ＡｌＧａＮ層及び活性層を含む積層構造の上部に形成されるストライプ状のリッジと、ＡｌＧａＮ層が露出するリッジ以外の積層構造の上面に形成されるショットキーバリアとを備える。 - 特許庁

The method includes a process for forming a Schottky electrode 5 and a surface opening dicing line region 7 on a surface of an SiC wafer (high concentration n-type substrate 1 and low concentration n-type epitaxial layer 2) and forming an ohmic electrode 4 and a rear opening dicing line region 8 on a rear face of the SiC wafer before a dicing process.例文帳に追加

ダイシング工程を行う前に、ＳｉＣウエハ（高濃度ｎ型基板１及び低濃度ｎ型エピタキシャル層２）の表面にショットキ電極５及び表面開口ダイシングライン領域７を形成し、ＳｉＣウエハの裏面にオーミック電極４及び裏面開口ダイシングライン領域８を形成する工程を実行する。 - 特許庁

When a semiconductor substrate 11 composed of 4H-SiC having a crystal structure of a hexagonal crystal, gate trenches (first trenches) 21 and Schottky barrier trenches (second trenches) 22 each having a predetermined trench width are alternately arranged at a distance from each other in a surrounding manner in a shape of a regular hexagon.例文帳に追加

結晶構造として六方晶を成す４Ｈ−ＳｉＣで構成された半導体基板１１を用いた際に、ゲートトレンチ（第１トレンチ）２１とショットキーバリアトレンチ（第２トレンチ）２２とは、それぞれ所定の溝幅で互いに所定の間隔をあけて交互に取り囲む正六角形となるように形成される。 - 特許庁

The terminal box B connects solar cell panels (solar cell modules) M of a photovoltaic generation system in parallel or in series, wherein a plurality of terminal boards 12 to which the electrodes a of the solar cell modules M are connected are arranged in parallel and schottky diodes 13 for reverse current prevention are provided between the adjoining terminal boards 12 and 12, respectively.例文帳に追加

太陽光発電システムの太陽電池パネル（太陽電池モジュール）Ｍを並列又は直列に接続する端子ボックスＢであり、太陽電池モジュールＭの電極ａが接続される複数の端子板１２を並列に配設し、その隣り合う各端子板１２、１２間に逆流防止用ショットキーダイオード１３を設ける。 - 特許庁

Since a bump is not formed in a rejectable unit, the Schottky barrier side electrode 3 is connected from the external output electrode 4 to the bump 11, the wiring layer 13 on a wiring board 12 and an external lead 13a in parallel with the outside, and only the external output electrode 4 of an acceptable unit 10 is connected in parallel.例文帳に追加

不良品ユニットにはバンプが形成されていないので、ショットキーバリア側電極３は外部出力電極４からバンプ１１、配線基板１２の配線層１３、外部リード１３ａへと外部と並列接続され、良品のユニット１０の外部出力電極４のみが並列に接続されている。 - 特許庁

In the semiconductor device having the on-chip type electrostatic discharge (ESD) protection circuit, the on-chip type ESD protection circuit may include a first junction diode having a first conductivity region contacting a second conductivity region in a semiconductor substrate, and a first schottky diode having a metallic material layer arranged on and contacting the first conductivity region of the semiconductor substrate.例文帳に追加

オンチップ形態の静電放電（ＥｌｅｃｔｒｏＳｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ；ＥＳＤ）保護回路を持つ半導体素子であって、半導体基板内で第２導電型領域と接触する第１導電型領域を持つ第１接合ダイオードと、前記第１導電型領域上に接触する位置に配置された金属系材料層を備える第１ショットキーダイオードとを有する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a source region 10 in contact with a silicon substrate 1 for forming a Schottky junction, a drain region 11, and an insulation layer provided to coat an area where a border between the silicon substrate 1 and the source region 10 is exposed and an area where a border between the silicon substrate 1 and the drain region 11 is exposed.例文帳に追加

シリコン基板１と接してショットキー接合を形成するソース領域１０,ドレイン領域１１と、上記シリコン基板１とソース領域１０との境界が露出する部分およびシリコン基板１とドレイン領域１１との境界が露出する部分を被覆するように設けられた絶縁層を備える。 - 特許庁

The thickness of the electron emitting part is 5-150 nm and the oxide is an oxide made of mainly at least one or more kinds of elements of Ti, Zr, Hf, Nb, Ta, Mo, and W and the substrate conductive film is made of these metals or precious metals, and the electron emitting part and the substrate conductive film are Schottky jointed.例文帳に追加

電子放出部の厚みは５〜１５０ｎｍであって、該酸化物としてはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗの少なくとも１種類以上の元素を主体とする酸化物であり、下地導電膜はこれらの金属もしくは貴金属で、電子放出部と下地導電膜間がショットキー接合されている。 - 特許庁

A second silicon carbide semiconductor layer 11 having a band gap larger than that of a first silicon carbide semiconductor layer 10 is formed in the first silicon carbide semiconductor layer 10 to form a channel region in a Schottky gate type field effect transistor on one side of an interface between the first and second semiconductor layers 10 and 11.例文帳に追加

第１の炭化珪素半導体層１０に、それよりもバンドギャップの大きい第２の炭化珪素半導体層１１を形成することにより、ショットキーゲート型電界効果トランジスタにおけるチャネル領域を第１の炭化珪素半導体層１０の、第２の炭化珪素半導体層１１との界面側に形成する。 - 特許庁

The filter has a porous body 2 which include many fine pores 1 in the inner part and the outer part and carries a photocatalyst 3 without closing the fine pores 1, wherein the porous body 2 consists of a single element of a transitional metal having a property carrying out the Schottky joining with the photocatalyst 3, or a mixture with a plurality of elements combined, while the photocatalyst 3 consists of a crystallized metal oxide.例文帳に追加

内外部に多数の微細孔１が形成された多孔体２を有し、この多孔体２には微細孔１を塞ぐことなく光触媒３が担持されており、多孔体２は、光触媒３との間でショットキー接合する性質を有する遷移金属の単体、またはこれらの複数を組み合わせた混合物からなる一方、光触媒３は結晶化された金属酸化物からなる。 - 特許庁

A channel layer 3 and an etch stop layer 8 at least are sequentially formed on a semiconductor substrate 1, and InGaP having an In composition ratio of 0.66-0.9 is used as the etch stop layer 8 of the field effect compound semiconductor device where a gate electrode 10, which is in Schottky contact with the etch stop layer 8, is formed on the etch stop layer 8.例文帳に追加

半導体基板１上に、少なくとも、チャネル層３及びエッチングストッパ層８が順次設けるとともに、、前記エッチングストッパ層８上に該エッチングストッパ層８とショットキー接触するゲート電極１０を設けた電界効果型化合物半導体装置の前記エッチングストッパ層８としてＩｎ組成比が０．６６〜０．９のＩｎＧａＰを用いる。 - 特許庁

A solar cell 1 is a so-called dry solar cell, and it comprises a substrate 2, a first electrode 3 placed on the upper surface of the substrate 2, a film-like semiconductor 4 placed on the upper surface of the first electrode 3, and a second electrode 5 on the upper surface of the semiconductor 4, and a Schottky barrier on the boundary between the second semiconductor 5 and semiconductor 4.例文帳に追加

太陽電池１は、いわゆる乾式太陽電池と呼ばれるものであり、基板２と、基板２の上面に設置された第１の電極３と、第１の電極３の上面に設置された膜状の半導体４と、半導体４の上面に設置された第２の電極５とで構成され、第２の電極５と半導体４との界面にはショットキー障壁が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor apparatus includes: an n+ type semiconductor substrate 1; an n- type drift region 2 formed on the upper surface of the n+ type semiconductor substrate 1; an anode electrode 3 formed on the upper surface of the n- type drift region 2 and forming a Schottky junction A with the n- type drift region 2; and a cathode electrode 4 electrically connected to the n+ type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体装置は、ｎ＋型半導体基板１と、ｎ＋型半導体基板１の上面上に設けられたｎ−型ドリフト領域２と、ｎ−型ドリフト領域２の上面上に設けられ、ｎ−型ドリフト領域２とショットキー接合Ａを形成するアノード電極３と、ｎ＋型半導体基板１に電気的に接続されたカソード電極４とを備える。 - 特許庁

The transistor 100 in one embodiment includes: a graphene film 10 which has a conductor region 10a and a semiconductor region 10b where atoms are bonded to a surface, and functions as a channel; and a gate electrode 12 formed on the graphene film 10 with a gate insulating film 11 interposed, wherein a tunnel current of a Schottky junction that is formed by the conductor region 10a and semiconductor region 10b is used for switching operation.例文帳に追加

本発明の一態様に係るトランジスタ１００は、導体領域１０ａと表面に原子が結合した半導体領域１０ｂとを有し、チャネルとして機能するグラフェン膜１０と、グラフェン膜１０上にゲート絶縁膜１１を介して形成されたゲート電極１２と、を有し、導体領域１０ａと半導体領域１０ｂが形成するショットキー接合のトンネル電流をスイッチング動作に用いる。 - 特許庁

This Schottky barrier diode has an anode electrode, having unevenness on one surface, a p-type semiconductor layer which is jointed with a 1st region on the other surface of the anode electrode, an n-type semiconductor layer which is jointed with a 2nd region on the other surface of the anode electrode, and a cathode electrode and a projection part of the anode electrode is positioned above the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

一方の面に凹凸が付されたアノード電極と、アノード電極の他方の面の第１の領域に接合されたｐ型半導体層と、アノード電極の他方の面の第２の領域に接合されたｎ型半導体層と、カソード電極とを備えたショットキーバリアダイオードであって、アノード電極の凸部分が、ｐ型半導体層の上に位置するよう配置されているショットキーバリアダイオード等を提供する。 - 特許庁

On a semiconductor substrate including N-type drift layer 11, IGBT regions 1 acting as an IGBT element and diode regions 2 acting as a diode element are alternatingly and repeatedly laid out, and P-type Schottky contacts 24 drawing out holes from the N-type drift layer 11 are provided in the surface part of the N-type drift layer 11 located on the most IGBT region 1 side among the diode region 2.例文帳に追加

Ｎ−型ドリフト層１１を含む半導体基板にＩＧＢＴ素子として動作するＩＧＢＴ領域１とダイオード素子として動作するダイオード領域２とが交互に繰り返しレイアウトされており、ダイオード領域２のうちもっともＩＧＢＴ領域１側であって、Ｎ−型ドリフト層１１の表層部に、Ｎ−型ドリフト層１１からホールを引き抜くＰ型のショットキーコンタクト領域２４を設ける。 - 特許庁

The optimal operating temperature control method for the high-output diamond semiconductor element is characterized in that the optimal operating temperature of the high-output diamond semiconductor element is set by controlling impurity doping density, the high-output diamond semiconductor element having a structure comprising a Schottky electrode as a cathode, a diamond p^- drift layer, a diamond p^+ ohmic layer, and an ohmic electrode as an anode.例文帳に追加

ショットキー電極をカソードとし、オーミック電極をアノードとし、ショットキー電極、ダイヤモンドｐ^−ドリフト層、ダイヤモンドｐ^＋オーミック層、オーミック電極からなる構造の高出力ダイヤモンド半導体素子において、不純物ドーピング濃度をコントロールすることにより、高出力ダイヤモンド半導体素子の最適作動温度を設定することを特徴とする高出力ダイヤモンド半導体素子の最適作動温度制御方法。 - 特許庁

This flat display device has a plurality of electric field emission type cathodes K, a high voltage electrode which fixedly supplies an intense electric field forms a Schottky barrier which makes possible electrons being emitted from the cathodes K to the surfaces of the cathodes K, a two dimensional MOS gate array which controls electron emission from the cathodes K, and a phosphor layer which glows by impacts of electrons selectively emitted from the cathodes K.例文帳に追加

複数の電界放出型カソードＫと、その複数のカソードＫの表面に、その複数のカソードＫからの電子放射を可能にし得るショットキーバリアを形成する強電界を固定的に与える高圧電極と、複数のカソードＫに接続され、その複数のカソードＫからの電子の放射の有無を制御する２次元ＭＯＳゲートアレイと、複数のカソードＫから選択的に放出された電子の衝撃によって、光輝せしめられる蛍光体層Ｐとを有する。 - 特許庁

A first nitride semiconductor layer and a second nitride semiconductor layer not containing gallium are laminated and formed on a substrate, and by appropriately selecting electrode metals constituting a first anode electrode bonded to the first nitride semiconductor layer and a second anode electrode bonded only to the second nitride semiconductor layer, the heights of the Schottky barriers of the respective first and second anode electrodes are made different.例文帳に追加

基板上に第１の窒化物半導体層とガリウムを含まない第２の窒化物半導体層が積層形成されており、第１の窒化物半導体層に接合する第１のアノード電極と、第２の窒化物半導体層のみに接合する第２のアノード電極を構成する電極金属を適宜選択することによって、第１および第２のアノード電極それぞれのショットキーバリアの高さが異なるように構成している。 - 特許庁

The voltage-compliant multiple-stage extrinsic transconductance amplification high electron mobility transistor has a buffer layer, a main channel layer, a superlattice structure having a cumulative thickness of GaInAs/GaAs, a single-atom δ-doping career supply layer, a gate Schottky contact layer, a drain/source ohmic contact layer, successively disposed on a semiconductor substrate, in which the superlattice structure includes a barrier layer and a subchannel layer.例文帳に追加

電圧順応性のある多段階外因相互コンダクタンス増幅高電子移動度トランジスタは、半導体基板上に、順に、バッファ層と、主チャンネル層と、ガリウムインジウム砒素/ガリウム砒素の厚さが累積的である超格子構造と、単原子δ-ドーピングキャリア供給層と、ゲートショットキーコンタクト層と、ドレーン/ソースオーミックコンタクト層とが配置され、その中で、上記超格子構造には、障壁層とサブチャンネル層とがある。 - 特許庁