「Schottky」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

On the second well 4, a first MOS transistor T1 on the first well 3, a second MOS transistor T2 on the third well 5, a first Schottky barrier diode D1 are equipped.例文帳に追加

第２ウェル４上には、第１ＭＯＳトランジスタＴ１、第１ウェル３上には第２ＭＯＳトランジスタＴ２、第３ウェル５上には、第１ショットキーバリアダイオードＤ１を備える。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode for easy integration with MOSFET capable of flowing a current of wanted capacity at a low resistance, even if an SOI substrate is used.例文帳に追加

ＳＯＩ基板を用いた場合であっても、ＭＯＳＦＥＴと集積化が容易で、低抵抗で所望の大きさの電流を流すことができるショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

The rectifying circuit 51 comprises a schottky-barrier diode, forms a bridge circuit, and full- wave-rectifies the AC voltage Vin fed to the AC input terminals 31 and 32.例文帳に追加

整流回路５１は、ショットキバリアダイオードからなり、ブリッジ回路を形成し、交流入力端子３１、３２に供給された交流電圧Ｖｉｎを全波整流する。 - 特許庁

That is to say, when the electron mobility is at 100 cm2/Vs or more, the Schottky contact can be formed on the n-GaN wafers irrespective of the dislocation density.例文帳に追加

すなわち、電子移動度１００ｃｍ^２／Ｖｓ以上であれば、転位密度に関係なく、ｎ−ＧａＮ上に良好なショットキー接触が形成できる。 - 特許庁

To provide a transistor having an electrode which has an excellent heat resistant property while keeping good characteristic values for the Schottky barrier height, the ideal coefficient, etc.例文帳に追加

この発明は、ショットキー障壁高さや理想係数値といった特性を良好な値に保ちつつ、耐熱性に優れた電極を備えるトランジスタを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a bipolar transistor which has a function of a Schottky diode between a base and a collector, without increasing the capacity between the base and the collector, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ベース・コレクタ間容量を増やすことなく、ベース・コレクタ間にショットキーバリアダイオードの機能を有するバイポーラトランジスタおよびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the structure of the solar battery, a Schottky barrier junction 5 smaller than the semiconductor energy gap is formed on the back of the solar battery which is isolated from a back electrode 4.例文帳に追加

半導体エネルギーギャップより小さなショットキー障壁接合５を太陽電池の裏面に、裏面電極４とは別に形成している構造とする。 - 特許庁

To provide an electronic device having desired electrical conduction characteristics, and to provide a manufacturing method for manufacturing the electronic device, while preventing a Schottky barrier from being produced.例文帳に追加

ショットキー障壁を生じさせず，所望する電気伝導特性を有する電子素子及び電子素子の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

A second trench 6b of a source electrode portion (Schottky diode portion) is as thick as or thicker than a first trench 6a of a gate electrode portion, and the interval between the first and second trenches is equal to or less than 10 μm.例文帳に追加

ゲート電極部の第一トレンチ６aより、ソース電極部（ショットキーダイオード部）の第二トレンチ６bを同等以上の深さにすると共に、第一、第二トレンチ間の間隔を１０μｍ以下とする。 - 特許庁

Wiring between the magnetic head and the schotty diode can be shortened by attaching the schottky diodes 41, 42 to a part of the arm 27 near to the magnetic head, so that an influence of noise can be suppressed.例文帳に追加

ショットキーダイオード４１、４２を磁気ヘッドに近いアーム２７の部分に取り付けることにより、磁気ヘッドとショットキーダイオードとの間の配線を短くでき、ノイズの影響を抑制できる。 - 特許庁

Either one of three kinds of electron sources such as a LaB6 electron source, a thermal electron emission type electron source of a tungsten hair pin and the like, a Schottky emission type electron source, and a tunnel field emission type electron source is used as an electron source 21.例文帳に追加

電子源２１としては、ＬａＢ_６ 電子源やタングステンヘアピン等の熱電子放射型の電子源、ショットキー放射型の電子源、トンネル電界放射型の電子源の３種類のうちの何れかの電子源を用いる。 - 特許庁

To provide a silicon carbide semiconductor device that has an ohmic electrode with a contact of an interconnection improved, by suppressing deposition of carbon without causing Schottky contacts to be generated, and to provide a manufacturing method for the device.例文帳に追加

ショットキー接触を発生させることなく、炭素の析出を抑制することにより配線の密着性を向上したオーミック電極を有する炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A schottky junction IGBT is used as an output transistor 13 in an RCC switching power supply 2 wherein a switching frequency becomes high when the input voltage becomes high.例文帳に追加

入力電圧が高くなるとスイッチング周波数が高くなるＲＣＣ型スイッチング電源２において、出力トランジスタ１３に、ショットキー接合型のＩＧＢＴを用いる。 - 特許庁

To decrease threshold voltage of a Schottky source/drain transistor wherein a gate electrode in contact with a source/drain area and a gate insulating film is formed of silicide.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域及びゲート絶縁膜に接触するゲート電極がシリサイドで構成されたショットキーソース・ドレイントランジスタのしきい値電圧の低下を図る。 - 特許庁

Consequently the diode having a Schottky barrier by which the current capacity is increased without increasing the chip size and forward voltage is reduced can be obtained.例文帳に追加

以上により、チップサイズの増大させることなく、電流容量が増大され、順方向電圧が低減されたショットキ障壁を有するダイオードを得ることができる。 - 特許庁

More specifically, a barrier metal 12a is arranged on the surface of the p-type region 4b so that the contact parts of the collector electrode 12 and the p-type region 4b come into Schottky contact reliably.例文帳に追加

具体的には、コレクタ電極１２とｐ型領域４ｂとの接触部位が確実にショットキー接触となるように、ｐ型領域４ｂの表面上にバリア金属１２ａを配置する。 - 特許庁

To improve driving force by reducing contact resistance while using a schottky source-drain structure for making the junction of a source-drain shallower and decreasing parasitic resistance.例文帳に追加

ソース・ドレインの浅接合化及び寄生抵抗低減のためにショットキーソース・ドレイン構造を用いながら、コンタクト抵抗を低減して駆動力の向上をはかる。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode capable of obtaining effect of a rise in reverse breakdown voltage through relaxation of electric field concentration by a field plate structure.例文帳に追加

フィールドプレート構造による電界集中緩和が起こり、逆方向耐電圧上昇の効果が得られる、ショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

In such a Schottky diode, each p-type diffusion layer 3 is pinched off by a depletion layer extending from the lower region 3b of each p-type diffusion layer 3 and a field is relaxed in the reverse direction.例文帳に追加

このようなショットキーダイオードにおいては、各ｐ型拡散層３の下部領域３ｂから伸びる空乏層によって各ｐ型拡散層３の間がピンチオフされることで、逆方向における電界緩和が成されるようになっている。 - 特許庁

By this structure, a high Schottky barrier that cannot be formed in the conventional field effect transistor can be formed so that a normally-off type field effect transistor can be obtained.例文帳に追加

以上の構成によれば、従来の電界効果トランジスタでは不可能であった高いショットキー障壁を形成できるので、ノーマリーオフ型の電界効果トランジスタを実現することが可能となる。 - 特許庁

the OLED captures an antenna output from the portable telephone set by an antenna ANT, rectifies the antenna output with Schottky diodes SD1, SD2 and a capacitor C2 and gives the antenna output to the OLED to make the OLED emit light.例文帳に追加

このＯＬＥＤは、携帯電話機からの空中線出力をアンテナＡＮＴで取り込み、これをショットキーダイオードＳＤ１，ＳＤ２とコンデンサＣ２により整流してＯＬＥＤに与えて発光させる。 - 特許庁

To provide an improved Schottky diode structure with no increased cost, which comprises a relatively low turn-on threshold and relatively low leakage current characteristics.例文帳に追加

比較的低いターンオン・スレショルドと比較的低い漏れ電流特性とを有する改良されたショットキ・ダイオード構造をコストを上昇させずに提供すること。 - 特許庁

A ZnO ceramics crystal grain 17 and Pt internal electrode 13 are in Schottky contact, while 17 and Ag internal electrode 11 are in ohmic contact of low resistance.例文帳に追加

ＺｎＯセラミックス結晶粒子１７とＰｔ内部電極１３との接触はショットキ接触を示すのに対し、ＺｎＯセラミックス結晶粒子１７とＡｇ内部電極１１は低抵抗のオーミック接触を示す。 - 特許庁

By such a method, the Schottky barrier transistor can be manufactured without passing a selective wet etching process which removes a non-reacted metal after the silicide reaction.例文帳に追加

このような方法によれば、シリサイド反応後に未反応金属を除去する選択的ウェットエッチング工程を経ずにショットキー障壁トランジスタが製造できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with a Schottky source/drain for preventing the deterioration of the reliability of a gate insulating film or the deterioration of current driving capability.例文帳に追加

ゲート絶縁膜の信頼性低下、及び電流駆動能力低下の問題のない、ショットキーソース・ドレインを備える半導体装置を提供する。 - 特許庁

This semiconductor element 10 is provided with a substrate 12 such as a sapphire substrate, a compound semiconductor layer 20 formed on the substrate in which an n-AlGaN layer 28 is contained as the most surface layer and a Schottky electrode 32.例文帳に追加

半導体素子１０は、サファイア基板等の基板１２と、当該基板上に設けられていて、ｎ−ＡｌＧａＮ層２８を最表層として含む化合物半導体層２０と、ショットキ電極３２とを具えている。 - 特許庁

The semiconductor pressure sensor is constituted of both a Schottky barrier diode element 10 made of a barrier film 1, an electrode film 2, and an n-type semiconductor substrate 3 and a seating part 4.例文帳に追加

半導体圧力センサは、バリア膜１、電極膜２、ｎ型半導体基板３からなるショッキーバリアダイオード素子１０と台座部４とで構成されている。 - 特許庁

This device is provided with a reference voltage generating circuit 7 having a Zener diode 13, thermistor 11 having dependency on power supply voltage and temperature, resistors R1-R5 having power supply voltage dependency and Schottky barrier diode(SBD) 12 of a diode having temperature dependency.例文帳に追加

ツェナーダイオード１３と、電源電圧及び温度依存性のあるサーミスタ１１と、電源電圧依存性のある抵抗Ｒ１〜Ｒ５と、温度依存性のあるダイオードＳＢＤ１２を有する基準電圧発生回路７を備える。 - 特許庁

Ni Schottky contacts are formed on four kinds of n-GaN wafers whose electron mobilities are different, and their I-V characteristic is measured at room temperature.例文帳に追加

電子移動度の異なる４種類のｎ−ＧａＮウエハにＮｉショットキー接触を形成し、室温でＩ−Ｖ測定行った結果によれば、電子移動度１００ｃｍ^２／Ｖｓ以下の試料Ａ，ＢのＩ−Ｖ特性は漏れ電流が大きい。 - 特許庁

To provide a junction barrier Schottky diode in which many SiC advantages are not lost, and static operational loss is not significantly increased.例文帳に追加

ＳｉＣの多くの利点が失われず、静的な動作損失が膨大に増加することがないジャンクション・バリア・ショットキ・ダイオードおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The concentration distribution in a p-clad layer is measured by finding the relation between the reverse bias voltage and the depletion layer capacity immediately below the Schottky electrode 108.例文帳に追加

逆バイアス電圧とショットキ電極１０８直下の空乏層容量との関係を求めることにより、Ｐクラッド層中の不純物濃度分布を測定する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a group III-V compound semiconductor, a Schottky barrier diode, a light-emitting diode, a laser diode, and the manufacturing method of these which can reduce n-type carrier density.例文帳に追加

ｎ型のキャリア濃度を低減できるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法、ショットキーバリアダイオード、発光ダイオード、レーザダイオード、およびそれらの製造方法を提供する。 - 特許庁

Related to such charge coupled device as this structure, after the first and second electrode parts are subjected to Schottky-connected to the semiconductor substrate are formed, an insulating film is formed, on which the third electrode part is formed.例文帳に追加

このような構造の電荷結合素子は、半導体基板上にショットキー接続する第１、第２の電極部を形成した後、絶縁膜を形成し、この絶縁膜上に第３の電極部を形成することによって形成する。 - 特許庁

The semiconductor device has a p-GaN layer 32, an Si-GaN layer 62, and an AlGaN layer 34 laminated, and also has a gate electrode 44 Schottky-connected to a top surface side of the AlGaN layer 34.例文帳に追加

ｐ−ＧａＮ層３２とＳＩ−ＧａＮ層６２とＡｌＧａＮ層３４が積層され、ＡｌＧａＮ層３４の表面側にショットキー接続されているゲート電極４４を備えている半導体装置である。 - 特許庁

A gallium nitride support substrate 13 in a Schottky diode 11 has a first surface 13a and a second surface 13b on the opposite side, and indicates the carrier concentration of 1×10^18 cm^-3.例文帳に追加

ショットキダイオード１１で窒化ガリウム支持基体１３は、第１の面１３ａと第１の面の反対側の第２の面１３ｂとを有しており、１×１０^１８ｃｍ^−３を超えるキャリア濃度を示す。 - 特許庁

A Schottky-diode 20 and a pMOSFET 30 are provided on the first active area 12, and an nMOSFET 40, a capacitor 50 and an inductor 60 are provided on the second active area 13.例文帳に追加

第１の活性領域１２の上には、ショットキーダイオード２０と、ｐＭＯＳＦＥＴ３０が設けられ、第２の活性領域１３の上には、ｎＭＯＳＦＥＴ４０と、キャパシタ５０と、インダクタ６０とが設けられている。 - 特許庁

Since an electric field concentrating in a region where the lower end part of the Schottky electrode 14 touches the first SiC layer 12 can be relaxed, breakdown voltage can be enhanced.例文帳に追加

これにより、ショットキー電極１４の下端部と第１ＳｉＣ層１２とが接する領域で集中する電界を緩和することができるので、耐圧を向上させることができる。 - 特許庁

To provide a field effect transistor which has a high Schottky barrier to achieve a normally-off type and suppresses an increase in parasitic resistance, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ノーマリーオフ型を実現するために、高いショットキー障壁を有し、かつ寄生抵抗の増大を抑制する電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

As a result of this, isopotential is attained instantaneously by the conductive layer 9, even if a high voltage is applied to a Schottky electrode 4 and potential is biased at the outer-periphery section of the semiconductor chip.例文帳に追加

これにより、高電圧がショットキー電極４に印加されて半導体チップの外周部で電位の偏りが生じそうになったとしても、導体層９により瞬時に同電位にすることが可能になる。 - 特許庁

Thus, the height of Schottky barrier appropriate for the nMOSFET10 and pMOSFET20 is realized for a high speed CMOSFET1.例文帳に追加

これにより、ｎＭＯＳＦＥＴ１０、ｐＭＯＳＦＥＴ２０それぞれに適したショットキー障壁高さを実現することが可能になり、高速のＣＭＯＳＦＥＴ１が得られる。 - 特許庁

To simplify the structure of an SiC semiconductor device having Schottky contact and ohmic contact on one major surface of a substrate such as a metal/semiconductor field effect transistor (MESFET), and also to provide a method for shortening its manufacturing steps.例文帳に追加

ＭＥＳＦＥＴのようなショットキー接触とオーミック接触を基板の一主面に有するＳｉＣ半導体装置の構造を簡素化すると共に、その製造工程を短縮化する技術を提供する。 - 特許庁

An ohmic electrode (50) of Ti/Al is formed directly on the back surface of n-GaN (40) being the support base, and a Schottky electrode (60) of Cu/Ni having a diameter of 100 μm is formed directly on the surface.例文帳に追加

支持基体であるｎ−ＧａＮ（４０）の裏面にＴｉ／Ａｌのオーム性電極（５０）が、表面に直径１００μｍのＣｕ／Ｎｉのショットキー電極(６０)が、直接形成されている。 - 特許庁

A collector region 21 on the rear surface has an MPS structure of the p^+ collector region 19 and the Schottky junction 20 and the p^+ collector region 19 on the rear surface has a thickness of about 1 μm.例文帳に追加

この裏面のコレクタ領域部２１をｐ^+ コレクタ領域１９とショットキー接合２０で構成されたＭＰＳ構造とし、裏面のｐ^+ コレクタ領域１９の厚さを１μｍ程度とする。 - 特許庁

The method for forming the T-shape gate electrode comprises the steps of forming a first photoresist pattern having a first opening 35b including a tapered sidewall, and coating a first metal layer 36 having Schottky characteristics thereon.例文帳に追加

テーパー状側壁を有する第１の開口部３５ｂを設けた第１のフォトレジストパターンを形成し、その上にショットキ特性を有する第１の金属層３６を被着する。 - 特許庁

In the schottky junction IGBT, since a small number of carriers is injected to a low concentration layer, conductivity modulation is generated and continuity resistance is smaller than that of a MOSFET.例文帳に追加

ショットキー接合型のＩＧＢＴは、低濃度層内への少数キャリアの注入があり、伝導度変調が起こるから、導通抵抗はＭＯＳＦＥＴよりも小さい。 - 特許庁