「Schottky」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device that can resolve problems of current collapse and long-term reliability by alleviating electric field concentration generated at an electrode end when a reverse voltage is applied to a device, such as an SBD (Schottky Barrier Diode), an HEMT (High Electron Mobility Transistor), and the like.例文帳に追加

本発明は、ＳＢＤ、ＨＥＭＴ等のデバイスに逆方向電圧をかけたときの電極端部に生じる電界集中を緩和して電流コラプス、及び長期信頼性の問題を解決した半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode which is reducible in capacity and suitable to high frequencies, specially, for a mixer, etc., while maintaining forward and backward characteristics.例文帳に追加

順方向特性及び逆方向特性を維持しつつ、かつ容量も小さくすることができ、特にミキサ用など高周波用に適したショットキバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a Schottky gate field effect transistor by which the return loss value is reduced, whose withstand voltage is high and by which the distortion level against an excessive input is reduced.例文帳に追加

リターンロス値が低減し、且つ、耐圧が高く過大入力に対する歪みレベルが低減するショットキゲート電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To solve the problem that the influence of the crystallinity of an n-GaN substrate on the electric characteristic of a Schottky contact is unknown and that the necessity of the quality degree of the n-GaN substrate is not clear.例文帳に追加

ショットキ−接触の電気的特性にｎ−ＧａＮの結晶性がどのように影響するかは知られておらず、どの程度の品質のｎ−ＧａＮ基板が必要なのか明確になっていない。 - 特許庁

Width of p-type layers 8a to 8d becomes wider, namely size in the flat surface direction of a n^+-type substrate 1 becomes larger as it goes nearer to the center of a region in contact with a n^--type drift layer 2 of the Schottky electrode 4.例文帳に追加

ショットキー電極４のうちｎ^-型ドリフト層２と接触する領域の中心部に近づくほどｐ型層８ａ〜８ｄの幅、つまりｎ^+型基板１の平面方向の寸法が広くなるようにする。 - 特許庁

A light-receiving layer, i.e., an i layer (e.g., an n-type GaN-based crystal layer) 2, on which a Schottky electrode is formed has a side face 2a covered with an n-type GaN based high carrier concentration layer 1.例文帳に追加

ショットキー電極が形成された受光層であるｉ層（例えば、ｎ^-型ＧａＮ系結晶層）２の側面２ａが、ｎ型ＧａＮ系高キャリア濃度層１によって覆われた構造とする。 - 特許庁

In concrete, the region 12s positioned in the Schottky region is a low density region, and the region 12m positioned in the MOS region is a high density region.例文帳に追加

具体的に，ショットキ領域に位置するＮ^--ドリフト領域１２ｓは低濃度の領域とし，ＭＯＳ領域に位置するＮドリフト領域１２ｍは高濃度の領域とする。 - 特許庁

To fabricate a Schottky barrier diode in which a decrease in on current caused by parasitic resistance is suppressed, variations in on current are suppressed, and an increase in off current is suppressed.例文帳に追加

寄生抵抗によるオン電流の低下を抑え、かつ、オン電流のばらつきを抑え、さらに、オフ電流の上昇を抑えたショットキーバリアダイオードを作製する。 - 特許庁

The front surface side of an N^- low concentration layer 2, in which the Schottky electrode is formed, is arranged so as to be contacted with the susceptor 11 of a heat treatment device through a thermal oxidation film 5.例文帳に追加

ショットキ電極が形成されるＮ^-低濃度層２の表面側が熱酸化膜５を介して熱処理装置のサセプタ１１に接するように配置する。 - 特許庁

Since the temperature coefficient of the V_F characteristic of SiC becomes positive, even when the current concentration to either one of the Schottky barrier diodes 11a-11d is generated, such a change as current balancing occurs by virtue of this V_F characteristic.例文帳に追加

ＳｉＣのＶ_Ｆ特性は、温度に対して正となるので、ショットキバリアダイオード１１ａ〜１１ｄのいずれかに電流が集中した場合でも、このＶ_Ｆ特性から電流が均衡するような変化が生じる。 - 特許庁

In a junction barrier Schottky diode, the gradient of a pn-junction present at the side of a p-type region forming the pn-junction is sharper than the gradient of a pn-junction present at the bottom of the p-type region.例文帳に追加

本発明は、ジャンクションバリアショットキーダイオードにおいて、ｐｎ接合を形成するｐ型領域の側部に存在するｐｎ接合の傾きが、当該ｐ型領域の底部に存在するｐｎ接合の傾きより急峻である。 - 特許庁

In addition, in case when the light emitting device is applied to an electronic device, the n-type AlN layer extremely superior in electrical conductivity can be obtained thanks to the undoped AlN layer having less defect, so that Schottky barrier height or breakdown voltage can be increased.例文帳に追加

また、電子素子に適用した場合は、欠陥の少ないアンドープＡｌＮ層により電気伝導性が極めて優れたｎ型ＡｌＮ層が得られるので、ショットキーバリア高さや絶縁破壊電圧を大幅に増加することができる。 - 特許庁

To provide a structure, wherein a field-effect transistor of a constitution, wherein a leakage of a current from a Schottky gate electrode to semiconductor layers is suppressed, can be formed with good reproducibility.例文帳に追加

ショットキーゲート電極から半導体層への電流リークを抑制した電界効果トランジスタを再現性良く作製できる構造を提供する。 - 特許庁

To provide a terahertz-wave device capable of improving the generation efficiency of a terahertz wave or improving S/N ratio of detecting the terahertz wave by increasing a region of the interaction between exciting light and a Schottky junction portion.例文帳に追加

励起光とショットキー接合部との相互作用の領域を拡大して、テラヘルツ波の発生効率またはテラヘルツ波の検出のＳＮを向上することができるテラヘルツ波素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which an MESFET of a developing BP-LDD structure can be formed, while avoiding a substantially increased number of manufacturing steps and suppressing reduction of a breakdown voltage in a Schottky junction, and also provide a method for manufacturing the device.例文帳に追加

製造工程を大幅に増加することなく、ショットキー接合部の耐圧低下を抑止しつつ、発展型ＢＰ−ＬＤＤ構造のＭＥＳＦＥＴを形成しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

As a result, the impurity concentration becomes lower in steps, starting from the termination of the Schottky electrode 3 toward the outside of the device, and the terminal structure, where the deeper the depth becomes the lower the impurity concentration becomes in steps, is formed.例文帳に追加

これにより、ショットキー電極３の終端から素子の外側へ向かって段階的に不純物濃度が低くなり、かつ深いほど段階的に不純物濃度が低い終端構造が形成される。 - 特許庁

The Schottky diode has an ideal factor (n value) of 1.0 to 1.3, and also has a current value during application of a reverse voltage of -5V, ≤50 times as large as a current value calculated with a TFE model.例文帳に追加

このショットキーダイオードは、理想因子（ｎ値）が１．０以上１．３以下で、且つ、逆方向電圧−５Ｖ印加時の電流値がＴＦＥモデルで計算した電流値の５０倍以下である。 - 特許庁

The switching device (10) includes: a main IGFET (11) incorporating a Schottky diode D3 for blocking a reverse current; a protecting switch means (12); and a protecting switch control means (13).例文帳に追加

スイッチング装置（１０）は、逆方向電流を阻止するショットキダイオードＤ３を内蔵する主IGFET（１１）と、保護スイッチ手段（１２）と、保護スイッチ制御手段（１３）とを有する。 - 特許庁

The semiconductor diode capable of detecting hydrogen includes a semiconductor substrate, a doped semiconductor active layer, consisting of a compound having the formula XYZ (where X is a group III element, Y is a group III element other than X, and Z is a group V element), an ohmic contact layer formed on the active layer, and a Schottky barrier contact layer formed on the active layer so as to provide the Schottky barrier.例文帳に追加

水素を検出可能な半導体ダイオードが、半導体基板と、この半導体基板上に形成された、式：ＸＹＺ（式中、ＸはIII族の元素、YはX以外のIII族の元素、ZはV族の元素である）を有する化合物からなるドープト半導体活性層と、活性層上に形成されたオーミックコンタクト層と、ショットキーバリアを提供するように活性層上に形成されたショットキーバリアコンタクト層と、を含む。 - 特許庁

The MSM type semiconductor light receiving element includes a semiconductor substrate, a light absorption layer formed on the semiconductor substrate, a Schottky electrode formed on the light absorption layer, and a light transmission layer formed on the light absorption layer in a region other than that in which the Schottky electrode is formed and made of oxide, a two-dimensional channel being formed on the interface between the light absorption layer and light transmission layer.例文帳に追加

本発明に係るＭＳＭ型半導体受光素子は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された光吸収層と、前記光吸収層上に形成されたショットキー電極と、前記光吸収層上において前記ショットキー電極が形成された以外の領域に形成され、酸化物からなる光透過層とを備え、前記光吸収層と前記光透過層との界面に２次元チャネルが形成されることを特長とするものである。 - 特許庁

Thereby the ions are implanted into the silicon layer by using an ion implantation method, and the metal-silicide is formed by annealing, so that the schottky barrier tunnel transistor having stable characteristics and high performance can be manufactured.例文帳に追加

これにより、イオン注入法を用いてシリコン層にイオンを注入し、熱処理して、金属−シリサイドを形成することによって、特性が安定で且つ高性能を有するショットキー障壁トンネルトランジスタを製造することができる。 - 特許庁

The electrode is connected in Schottky junction on the semiconductor silicon wafer, and is formed by vacuum-depositing alumina (Al_2O_3) and metal aluminum, without intermediary of an oxide film on the semiconductor silicon wafer.例文帳に追加

半導体シリコンウェーハ上にショットキー接合された電極であって、半導体シリコンウェーハ上に酸化膜を介することなくアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）と金属アルミニウムを真空蒸着したものであることを特徴とする電極とその形成方法である。 - 特許庁

The latch-up of a parasitic thyristor generated, when forming circuit elements on a semiconductor substrate having a formed IGBT Z1, is prevented by a latch-up preventing circuit, using Schottky barrier diodes formed on the semiconductor substrate.例文帳に追加

ＩＧＢＴ・Ｚ１が形成されている半導体基板上に回路素子を形成する際に発生する寄生サイリスタのラッチアップを、半導体基板上に形成されたショットキーバリアダイオードを用いたラッチアップ防止回路により防止するようにしている。 - 特許庁

To provide a Schottky gate type field effect transistor having a channel layer of an organic semiconductor, in which mobility of the transistor is increased and selection of electrode material of the transistor is facilitated.例文帳に追加

本発明が解決しようとする課題は、有機半導体をチャンネル層とするショットキーゲート型電界効果トランジスタにおいて、トランジスタの易動度を大きくするとともにトランジスタの電極材料の選択を容易にすることである。 - 特許庁

The Schottky diode is provided with: a first nitride semiconductor layer 12 formed on a substrate 11; and second nitride semiconductor layers 15 which are selectively formed on the first nitride semiconductor layer 12 and have conduction types different from the first nitride semiconductor layer 12.例文帳に追加

ショットキーダイオードは、基板１１の上に形成された第１の窒化物半導体層１２と、第１の窒化物半導体層１２の上に選択的に形成され、第１の窒化物半導体層１２とは異なる導電型を有する第２の窒化物半導体層１５とを備えている。 - 特許庁

Consequently, the Gunn diode GD and the Schottky diode SD can be integrated on the same substrate by a process requiring no heat treatment (annealing) of high temperature (600°C) without utilizing a conventional ion implantation technology or the contact layer of IMPATT diode.例文帳に追加

したがって、従来のようなイオン注入技術やＩＭＰＡＴＴダイオードのコンタクト層を利用することなく、高温(６００℃)な熱処理(アニール)が不必要なプロセスで、ガンダイオードＧＤとショットキーダイオードＳＤとを同一基板上に集積できる。 - 特許庁

To provide a compact integrated circuit having a high-voltage Schottky barrier diode (SBD) and integrated high voltage SBDs so as to prevent the breakdown voltage of each SBD from decreasing, and applying different voltages to the electrodes of multiple SBDs.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）の耐圧が低下することを防止すると共に、複数のＳＢＤのそれぞれの電極に異なる電圧を印加できるようにして、高耐圧のＳＢＤ及び高耐圧のＳＢＤが集積化されたコンパクトな集積回路を実現できるようにする。 - 特許庁

In the electrostatic protection element where an active layer containing conductivity type impurities is formed on a semiconductor substrate and Schottky connected with first and second electrodes, a low resistance region is formed partially on the active layer between the first and second electrodes.例文帳に追加

半導体基板上に導電型不純物を含有する能動層を形成し、この能動層に第１電極と第２電極とをショットキー接続した静電保護素子であって、前記第１電極と前記第２電極との間の能動層に、部分的に低抵抗領域を形成する。 - 特許庁

Related to a Schottky barrier type semiconductor radiation detecting element, one surface of a compound semiconductor crystal contains In_xCd_yTe_z comprising indium, cadmium, and tellurium, as a means for applying a voltage to the compound semiconductor crystal whose main components are cadmium and tellurium.例文帳に追加

カドミウムとテルルを主成分とする化合物半導体結晶に電圧を印加するための手段として、該化合半導体結晶の一方の面にインジウムとカドミウムとテルルからなる化合物 In_ｘCd_ｙTe_ｚを有することを特徴とするショットキー障壁型半導体放射線検出素子。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that enables carrier injection characteristics to be improved as compared with conventional semiconductor devices, such as Schottky barrier diodes and PiN diodes, and consequently, enables improvement in tradeoff between forward voltage drop (Vf) and reverse recovery charge (Qrr).例文帳に追加

従来のショットキーバリアダイオードやＰｉＮダイオード等の半導体装置と比べてキャリア注入特性を改善することができ、その結果、順方向電圧降下（Ｖｆ）と逆回復電荷（Ｑｒｒ）との間のトレードオフを改善することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a Schottky structure of a gallium arsenide semiconductor for enabling combination of manufacturing process to form copper metal, effectively preventing diffusion of copper, realizing low resistance and excellent heat radiation and mechanical strength, and improving the characteristics of a semiconductor element.例文帳に追加

銅金属化の製造工程との組み合わせが可能であり、銅拡散を効果的に防ぎ、抵抗値が低く、放熱特性と機械的強度に優れ、半導体素子の特性を向上させるヒ化ガリウム半導体のショットキー構造を提供する。 - 特許庁

According to the procedure, the silicon carbide semiconductor device having an ohmic electrode providing a satisfactory contact with interconnections with a deposition of carbon atom on the surface layer of electrodes and the formation of the Schottky contact by the Si and the SiC suppressed can be acquired.例文帳に追加

以上により、電極の表面層への炭素原子の析出や、ＳｉとＳｉＣとによるショットキー接触の形成が抑制された、配線との良好な密着性を示すオーミック電極を有する炭化珪素半導体装置を得ることができる。 - 特許庁

In the on-vehicle communication equipment 1, a control circuit 72 inputs voltage for a reverse bias as a modulation signal to the Schottky diode 32 and power consumption needed when a down signal 114 is modulated is reduced.例文帳に追加

この車載通信装置１では、制御回路７２からショットキーダイオード３２に対しては変調信号として逆バイアスの電圧が入力されるよう構成されており、下り信号１１４の変調時に要する電力消費が低減されている。 - 特許庁

An AlGaN barrier layer 2 is formed on a GaN channel layer 1, a source electrode 3 and a drain electrode 4 are formed thereon, and a gate electrode 5 forming Schottky junction with the barrier layer 2 is formed in a position between these two electrodes.例文帳に追加

ＧａＮチャネル層１上にＡｌＧａＮバリア層２が形成され、この上にソース電極３、ドレイン電極４が形成され、この２つの電極に挟まれた位置に、バリア層２とショットキー接合を形成するゲート電極５が形成されている。 - 特許庁

When the gate electrode 4 is irradiated with light pulses L, generated photoelectrons are accumulated first in the quantum dot 14b close to the gate electrode 4 getting over a Schottky barrier and then accumulated in the quantum dot 14b distant from the gate electrode 4.例文帳に追加

ゲート電極４に光パルスＬを照射すると、発生した光電子はショットキー障壁を乗り越えまずゲート電極４に近い量子ドット１６ｂに蓄積され、次いでゲート電極４から遠い量子ドット１４ｂに蓄積される。 - 特許庁

To provide an electrode connected in Schottky junction on a silicon wafer, and a method of forming the electrode, in which precision of evaluation of electrical characteristic can be more improved than before, in evaluating the electrical characteristic of a semiconductor silicon wafer.例文帳に追加

半導体シリコンウェーハの電気的特性を評価するにあたり、電気的特性の評価の精度を従来に比べ向上させることが可能なシリコンウェーハ上にショットキー接合された電極とその電極の形成方法を提供する。 - 特許庁

An SO-8 type package comprises a control MOSFET die mounted on one lead frame section, and a synchronous rectifier die comprising a synchronous MOSFET die and a Schottky diode die mounted on a second lead frame pad section.例文帳に追加

ＳＯ−８型パッケージは、１つのリードフレームセクション上に実装された制御ＭＯＳＦＥＴダイ、および、第２のリードフレームパッドセクション上に実装された同期ＭＯＳＦＥＴダイとショットキーダイオードダイとからなる同期整流器ダイを備える。 - 特許庁

A vertical type Schottky diode 1 has a cathode electrode 10 and an anode electrode 60 formed respectively on the front and rear surfaces of a semiconductor substrate 8, wherein both a structure of low resistance between anode and cathode and a structure of high resistance between the anode and cathode are formed.例文帳に追加

半導体基板８の表裏両面にカソード電極１０とアノード電極６０が分かれて形成されている縦型のショットキーダイオード１であり、アノード・カソード間抵抗が低い構造とアノード・カソード間抵抗が高い構造の両者が形成されている。 - 特許庁

A gate leakage can be reduced by performing annealing of a gate buried part before forming a gate contact such as a Schottky contact and/or a high quality gate contact can be provided in a semiconductor device such as a transistor.例文帳に追加

ショットキーコンタクトなどのゲートコンタクトを形成する前にゲート埋込み部のアニーリングを行うことにより、ゲートリークが低減され、かつ／またはトランジスタなどの半導体デバイス内に高品質のゲートコンタクトを提供することができる。 - 特許庁

A Schottky junction region 104 is formed on a region where an anode P layer 103 is not formed at an upper portion of the N- layer 102 by injecting impurities such as platinum of a barrier height lower than that of silicon.例文帳に追加

Ｎ−層１０２上部でアノードＰ層１０３が形成されていない領域に、シリコンに比べてバリアハイト（障壁の高さ）の低い、白金等の不純物を注入することにより、ショットキー接合領域１０４が形成されている。 - 特許庁

To provide an element having a structure which is directly formed on a semiconductor as a schottky electrode made of a metal having hydrogen absorbing property such as Pt, etc. which has high work function to solve the problem that characteristics changes significantly to temperature or surrounding atmosphere.例文帳に追加

温度や周辺の雰囲気に対して、特性が大きく変動する問題を解決する高い仕事関数を持つＰｔ等の水素吸蔵性のある金属からなるショットキー電極として直接、半導体上に作製する構造の素子を提供する。 - 特許庁

The lower photoelectric transfer membrane 37 functions as a seed crystal for forming the upper photoelectric transfer membrane 33, reduces a size of a Schottky barrier generated in an interface to the pixel electrode 57, and buries an unevenness on a surface of the pixel electrode 57.例文帳に追加

下部光電変換膜３７は上部光電変換膜３３を形成する種結晶膜として機能するとともに、画素電極５７との界面で生じるショットキー障壁の大きさを小さくし、また、画素電極５７の表面の凹凸を埋めている。 - 特許庁

In this drive circuit of the brushless motor, the heat generation of the power element in which a transistor and a rectifying diode are arranged in one package at electric braking is suppressed by newly adding a Schottky diode in parallel with a three-phase upper-side power element.例文帳に追加

本発明は、ブラシレスモータの駆動回路において、３相の上側パワー素子と並列に新たにショットキーダイオードを追加することにより、電気ブレーキ時においてトランジスタと整流ダイオードが一つのパッケージに入ったパワー素子の発熱を低減する。 - 特許庁

The surface of an n-type Si wafer 10 is made hydrophobic by hydrofluoric acid and immersed in a Cu ion aqueous solution having a work function greater than that of the semiconductor, and a Schottky barrier is formed from an Si-Cu contact of one atom level, thereby manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

ｎ型Siウエーハ１０の表面をフッ化水素酸で疎水性とし、該半導体より大きな仕事関数を有するCuイオン水溶液に浸漬し、１原子レベルのSi—Cuコンタクトで形成されるショットキー障壁を形成して半導体素子を製造する。 - 特許庁

The gate electrode 18 has a first electrode layer 20 having a function as a Schottky electrode, and a second electrode layer 21 having the field plate part 21a formed by a metal material where the contact part of the insulating film 19 closely adheres to the insulating film 19.例文帳に追加

ゲート電極１８は、ショットキー電極の機能を有する第１の電極層２０と、絶縁膜１９との接触部が絶縁膜１９に密着する金属材料で構成されたフィールドプレート部２１ａを有する第２の電極層２１と、を有する。 - 特許庁